特許5948581Ｇａ２Ｏ３系半導体素子

発明の名称　Ｇａ２Ｏ３系半導体素子

出願人　株式会社ＦＬＯＳＦＩＡ　（識別番号 511187214）

　　　　特許公開件数ランキング 2875 位（6件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 752 位（27件）（共同出願を含む）

出願人　独立行政法人情報通信研究機構　（識別番号 301022471）

　　　　特許公開件数ランキング 660 位（51件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 537 位（62件）（共同出願を含む）

出願人　国立大学法人京都大学　（識別番号 504132272）

　　　　特許公開件数ランキング 345 位（190件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 299 位（169件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-5948581

公報発行日　2016年7月6

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-5948581

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