発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、特許文献１に記載されている半導体発光素子のように、電極形成面側から光を取り出すフェイスアップ実装型の場合、発光層からの光は半導体発光素子上に形成されたパッド電極により遮られ、吸収される。また、ｎ側とｐ側のワイヤーボンディング用パッド電極の付近で電流密度が大きくなるため、これらの配置により素子全体で電流密度に差が生じる。 また、特許文献２に記載されている半導体発光素子では、電気を発光層に対して垂直方向に流す発光ダイオードにおいて、発光部の上面に第１の電極と、基板の底面に第２の電極と、半導体層上で発光部の外周を取り囲むオーミック電極とを備え、発光部の外周において、オーミック電極と基板とを導通させ、かつ半導体層の厚さ方向に貫通する貫通電極を半導体層中に備えている。これによれば、発光部の上面の第１電極と、発光部の外周を取り囲むオーミック電極との距離は等しくすることができるが、第１の電極による遮光と光吸収の問題は解決できていない。さらに、発光部からの光は、半導体層と基板を通過して基板底面の第２の電極で反射されて再び半導体層へ戻ることになるため、反射を繰り返し光が減衰することが懸念される。 さらにまた、特許文献３に記載されている半導体発光素子では、発光部がｎ側電極を囲むリング型構造部からなり、リング型構造物の内側端面上に反射膜が形成されている。リング型構造部の外側端面が主な光抽出面であるため、発光分布もリング状になり、素子全体を均一に光らせることはできない。また、ｎ側電極が中央に１つしか設けられていないため、ｎ側電極での電流集中が起こる。 そこで本発明は、このような問題を解決するためになされたものである。本発明の目的は、電流密度の偏りを抑制し、発光層からの光の放射が均一である半導体発光素子を提供する。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の半導体発光素子によれば、電流密度の偏りを抑制し、発光層からの光の放射が均一である半導体発光素子を提供することができる。