(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
前記光ファイバ増幅器が、前記第1波長成分のパルス光および前記第2波長成分のパルス光の何れか一方を選択的に入力し、その入力パルス光を増幅することを特徴とする請求項1に記載のパルス光源。
前記光ファイバ増幅器が、前記第1波長成分のパルス光を増幅する第1増幅部と、前記第2波長成分のパルス光を増幅する第2増幅部とを含むことを特徴とする請求項1に記載のパルス光源。
前記光フィルタから出力される前記第1波長成分のパルス光および前記第2波長成分のパルス光それぞれのパルス半値全幅が、10倍以上異なる相違することを特徴とする請求項1に記載のパルス光源。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
発明者は、上述の従来のパルス光源について詳細に検討した結果、以下の課題を発見した。すなわち、上記特許文献1に記載されたパルス光源は、種光源から出力されるパルス光のうち一部のスペクトル成分のみをバンドパスフィルタで切り出している。そのため、バンドパスフィルタ透過前と比較してバンドパスフィルタ透過後の平均出力パワーが大幅に減少する。
【0005】
また、実際のレーザ加工では、上記特許文献1に記載されたパルス光源において、バンドパスフィルタにより遮断されていた幅の広いパルス光(即ち、数ナノ秒以上のパルス幅のパルス光)を用いて加工することにより寧ろ良好な加工品質が得られる場合もある。
【0006】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたものであり、光パワーの有効利用を可能にするとともに、出力パルス光のパルス幅の選択を可能にするための構造を備えたパルス光源を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明に係るパルス光源は、第1の態様として、直接変調される半導体レーザと、光フィルタと、光ファイバ増幅器と、を備える。半導体レーザは、直接変調され、パルス光を出力する。光フィルタは、半導体レーザから出力されるパルス光を入力し、その入力パルス光を、該入力パルス光のピーク波長を含む第1波長成分と残りの第2波長成分とに分波し、分波された波長成分の双方を出力する。光ファイバ増幅器は、光フィルタから出力された第1波長成分のパルス光および第2波長成分のパルス光の双方または何れか一方を増幅し、増幅された波長成分のパルス光を出力する。
【0008】
上記第1の態様に適用可能な第2の態様として、当該パルス光源において、光ファイバ増幅器は、第1波長成分のパルス光および第2波長成分のパルス光の何れか一方を選択的に入力し、その入力された波長成分のパルス光を増幅してもよい。或いは、上記第1および第2の態様の少なくともいずれかに適用可能な第3の態様として、光ファイバ増幅器は、第1波長成分のパルス光を増幅する第1増幅部と、第2波長成分のパルス光を増幅する第2増幅部と、を含んでいてもよい。
【0009】
また、上記第1〜第3の態様のうち少なくともいずれかに適用可能な第4の態様として、光フィルタは、誘電体多層膜により構成されてもよい。上記第1〜第3の態様のうち少なくともいずれかに適用可能な第5の態様として、光フィルタは、ファイバブラッググレーティングにより構成されてもよい。
【0010】
なお、上記第1〜第5の態様のうち少なくともいずれかに適用可能な第6の態様として、当該パルス光源では、光フィルタから出力される第1波長成分のパルス光のパルス半値全幅と第2波長成分のパルス光のパルス半値全幅は、10倍以上相違するのが好適である。
【発明の効果】
【0011】
本発明によれば、光パワーを有効に利用することが可能であり、出力パルス光のパルス幅の選択が可能になる。
【発明を実施するための形態】
【0013】
以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【0014】
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態に係るパルス光源1の構成図である。
図1において、パルス光源1は、MOPA(Master Oscillator Power Amplifier)構造を有し、種光源10および光ファイバ増幅器20Aを備える。種光源10は、駆動電流0〜220mAの範囲で直接変調可能な光源であって、パルス光を出力する1060nm帯ファブリーペロ半導体レーザを含む。
【0015】
光ファイバ増幅器20Aは、プリアンプ21Aおよびブースタアンプ22を含む。プリアンプ21Aは、YbDF41,光フィルタ61,光スイッチ63およびYbDF43等を含む。ブースタアンプ22は、YbDF44等を含む。プリアンプ21Aおよびブースタアンプ22それぞれは、光ファイバ増幅器であり、種光源10から繰返し出力されたパルス光を増幅し、該増幅されたパルス光をエンドキャップ30を介して出力する。このパルス光源1は、レーザ加工に好適である波長1060nm付近のパルス光を出力する。
【0016】
YbDF41,43,44は、種光源10から出力される波長1060nm付近のパルス光を増幅する光増幅媒体であり、石英ガラスからなる光ファイバのコアに活性物質としてYb元素が添加されている。YbDF41,43,44は、励起光波長と被増幅光波長とが互いに近くパワー変換効率的の点で有利であり、また、波長1060nm付近において高い利得を有する点で有利である。これらYbDF41,43,44は、3段の光ファイバ増幅器を構成している。
【0017】
第1段のYbDF41は、光カプラ71を経由した励起光源81からの励起光が順方向に供給される。そして、YbDF41は、光アイソレータ51および光カプラ71を経由した種光源10からのパルス光を入力する。YbDF41は、この入力パルス光を増幅し、該増幅されたパルス光を光アイソレータ52を介して出力する。
【0018】
光フィルタ61は、光アイソレータ52を経由した第1段のYbDF41からのパルス光(第1段のYbDF41により増幅されたパルス光)を入力する。光フィルタ61は、入力パルス光を、そのピーク波長を含む第1波長成分と残りの第2波長成分とに分波し、分波された波長成分の双方を出力する。光スイッチ63は、光フィルタ61から出力された第1波長成分のパルス光および第2波長成分のパルス光の双方を入力する。光スイッチ63は、入力された第1および第2波長成分のパルス光のうちの何れか一方を選択し、該選択された波長成分のパルス光を光アイソレータ55へ出力する。
【0019】
第2段のYbDF43は、光カプラ7を経由した励起光源82からの励起光が順方向に供給される。そして、YbDF43は、光アイソレータ55を経由した光スイッチ63からのパルス光(光スイッチ63において選択出力されたパルス光)を入力する。YbDF43は、この入力パルス光を増幅し、該増幅されたパルス光を出力する。
【0020】
第3段のYbDF44は、光コンバイナ74を経由した6個の励起光源83それぞれからの励起光が順方向に供給される。そして、YbDF44は、光アイソレータ56および光コンバイナ74を経由した第2段のYbDF43からのパルス光(第2段のYbDF43により増幅されたパルス光)を入力する。そして、YbDF44は、その入力パルス光を更に増幅し、該増幅されたパルス光をエンドキャップ30を介して当該パルス光源1の外部へ出力させる。
【0021】
より好適な構成例は以下のとおりである。YbDF41,43それぞれは、単一クラッド構造のAl共添加石英系YbDFであり、Al濃度が5wt%であり、コア径が7μmであり、クラッド径が125μmであり、915nm帯励起光非飽和吸収が70dB/mであり、975nm帯励起光非飽和吸収ピークが240dB/mであり、長さが7mである。第3段のYbDF44は、二重クラッド構造のAl共添加石英系YbDFであり、Al濃度が1wt%であり、コア径が10μmであり、クラッド径が125μmであり、915nm帯励起光非飽和吸収が1.5dB/mであり、長さが3.5mである。
【0022】
YbDF41,43,44に供給される励起光の波長は何れも0.98μm帯である。第1段のYbDF41に供給される励起光は、パワーが200mWであって、単一モードである。第2段のYbDF43に供給される励起光は、パワーが200mWであって、単一モードである。また、第3段のYbDF44に供給される励起光は、パワーが24Wであって、マルチモードである。
【0023】
光フィルタ61から出力される第1波長成分および第2波長成分のうち第2波長成分は、種光源10から出力される種光のスペクトルのピーク波長を含まない。そのため、この第2波長成分は、種光源10から出力される光のうちチャーピング成分だけを切り出した波長成分となる。そして、その後に第2波長成分のパルス光を増幅することにより、短パルス幅のパルス光を生成することができる。
【0024】
図2は、第1実施形態に係るパルス光源1に含まれる光フィルタ61の一構成例を示す図である。
図2に示されたように、光フィルタ61は、誘電体多層膜フィルタにより構成されるWDMフィルタであってもよい。光フィルタ61は、パルス光をポートP
1に入力する。一方、光フィルタ61は、その入力パルス光のうちピーク波長を含む短波長側の第1波長成分をポートP
3から出力し、残りの第2波長成分をポートP
2から出力する。
図2(a)は、ポートP
1に入力されるパルス光のパルス波形を示す。
図2(b)は、ポートP
2から出力される第1波長成分のパルス光のパルス波形を示す。また、
図2(c)は、ポートP
3から出力される第2波長成分のパルス光のパルス波形を示す。
【0025】
図3は、第1実施形態に係るパルス光源1に含まれる光フィルタ61の他の構成例を示す図である。
図3に示されたように、光フィルタ61は、ファイバブラッググレーティング611および光サーキュレータ612により構成されてもよい。ファイバブラッググレーティング611は、第1波長成分のパルス光を透過させる一方、第2波長成分のパルス光を反射させる。光フィルタ61は、パルス光をポートP
1に入力する。そして、光フィルタ61は、その入力パルス光のうちピーク波長を含む第1波長成分をポートP
2から出力し、残りの第2波長成分をポートP
3から出力する。
【0026】
誘電体多層膜フィルタにより構成される光フィルタは、安価であるものの、光損傷の危険がある。これに対して、ファイバブラッググレーティングにより構成される光フィルタは、カットオフ波長周辺の透過率の変化が急峻であり、サブナノ秒パルスと数ナノ秒パルスとの良好な切り分けが期待できる。或いは、複数ポートの光サーキュレータおよび複数の波長のFBGを用いて、2出力ではなく、3以上の出力を実現しても良い。
【0027】
また、
図3に示されたように、ファイバブラッググレーティング611により構成される光フィルタ61の場合、例えばサーミスタ613およびペルチエ素子614によりファイバブラッググレーティング611が温度調整されることで、ファイバブラッググレーティング611の中心反射波長を調整してもよい。或いは、ファイバブラッググレーティング611に対して機械的な引っ張りを加えることで、ファイバブラッググレーティング611の中心反射波長を調整してもよい。
【0028】
図4および
図5は、第1実施形態に係るパルス光源1に含まれる光フィルタ61の分波特性を説明する図である。
図4(a)および
図5(a)は、種光源10の出力パルス光のスペクトルを示す。
図4(b)および
図4(b)は、光フィルタ61の分波特性を示す。
図4(b)および
図5(b)において、ポートP
1からポートP
2およびポートP
3それぞれへの透過率のうち一方が実線で示され他方が破線で示されている。
【0029】
これらの図に示されたとおり、種光源10の特性に応じて、光フィルタ61には、種光源10の出力スペクトルのピーク波長を含む長波長側を取り出すか、ピーク波長を含む短波長側を取り出すか、適宜選択が必要となる。このために、光フィルタ61のカットオフ波長は、種光源10の出力スペクトルに応じて、決定される必要があり、製造時の設計と共に角度による微調整が必要な場合もある。更に、種光源10の温度調整を併用することも効果的である。
【0030】
光フィルタ61から出力される第1波長成分のパルス光および第2波長成分のパルス光それぞれのパルス半値全幅は、10倍以上(1桁以上)相違するのが好ましい。第1波長成分のパルス光および第2波長成分のパルス光のうち、一方がサブナノ秒パルスであって、他方が数ナノ秒パルスであるのが好ましい。
【0031】
光フィルタ61は、種光源10の直後に挿入されても良いが、光SN比の劣化防止の為には、
図1に示されたとおり、光増幅部内の光路中に挿入される方が望ましい。ただし、この場合、光フィルタ61が破壊されないよう、光出力が比較的低いプリアンプ21A内の光路中に挿入することが望ましい。
【0032】
光フィルタ61の後段に設けられる光スイッチ63は、光フィルタ61から出力された第1波長成分のパルス光および第2波長成分のパルス光の双方を入力する。そして、光スイッチ63は、これらのうちの何れか一方を選択出力する。光スイッチ63としては、機械式または電気光学式などの2x1の光スイッチが用いられる。尚、光スイッチ63における切り替えに際して、切り替えの前に、光スイッチ63の下流にあるYbDF43,44の励起パワーを十分に低下させ、切り替え完了後に、YbDF43,44の励起パワーを上昇させることが望ましい。このようにすることで、切り替え過渡期に光スイッチ63の光損傷が発生しないようにすることができる。
【0033】
本実施形態に係るパルス光源1は、第1波長成分のパルス光および第2波長成分のパルス光の何れかを選択し、該選択された波長成分のパルス光を増幅する。そのため、当該パルス光源1は、パルス幅が広いパルス光とパルス幅が狭いパルス光とを選択して出力することができる。その結果、この第1実施形態では、光パワーの有効利用が可能になるとともに、出力パルス光のパルス幅の選択が可能になる。
【0034】
(第2実施形態)
図6は、第2実施形態に係るパルス光源2の構成図である。パルス光源2は、MOPA構造を有し、種光源10および光ファイバ増幅器20Bを備える。
図1に示された第1実施形態に係るパルス光源1の構成と比較すると、
図6に示された第2実施形態に係るパルス光源2は、プリアンプ21Aを含む光ファイバ増幅器20Aに替えて、プリアンプ21Bを含む光ファイバ増幅器20Bを備える点で相違する。
【0035】
図1中に示されたプリアンプ21Aの構成と比較すると、
図6中に示されたプリアンプ21Bは、YbDF42、光アイソレータ53、光アイソレータ54、光フィルタ62、光スイッチ64、光カプラ70および光カプラ72を更に含む点で相違する。
【0036】
YbDF42は、YbDF41,43,44と同様に、種光源10から出力される波長1060nm付近のパルス光を増幅する光増幅媒体で、石英ガラスからなる光ファイバのコアに活性物質としてYb元素が添加されている。これらYbDF41,42,43,44は、4段の光ファイバ増幅器を構成している。
【0037】
YbDF42は、光カプラ70および光カプラ72を経由した励起光源81からの励起光が順方向に供給される。そして、YbDF42は、光アイソレータ53および光カプラ72を経由した光スイッチ63からのパルス光(光スイッチ63により選択出力されたパルス光)を入力する。そして、YbDF42は、その入力パルス光を増幅し、該増幅されたパルス光を出力する。
【0038】
光フィルタ62は、光アイソレータ54を経由したYbDF42からのパルス光(YbDF42により増幅されたパルス光)を入力する。光フィルタ62は、その入力パルス光を、そのピーク波長を含む第1波長成分と残りの第2波長成分とに分波し、該分波された波長成分の双方を出力する。光スイッチ64は、光フィルタ62から出力された第1波長成分のパルス光および第2波長成分のパルス光の双方を入力し、これらのうちの何れか一方を選択する。選択された波長成分のパルス光は、光アイソレータ55へ出力される。
【0039】
YbDF42は、YbDF41,43と同様の構造を有する。光フィルタ62は、光フィルタ61と同様の構造を有する。光スイッチ64は、光スイッチ63と同様の構造を有する。第2実施形態では、光フィルタ61および光スイッチ63の組に加えて、光フィルタ62および光スイッチ64の組が更に設けられている。光フィルタの波長峻別特性が不十分である場合は、このように2段以上の光フィルタを使用することが望ましい。
【0040】
(第3実施形態)
図7は、第3実施形態に係るパルス光源3の構成図である。
図7において、パルス光源3は、MOPA構造を有し、種光源10および光ファイバ増幅器20Cを備える。
図1に示された第1実施形態に係るパルス光源1の構成と比較すると、この
図6に示された第3実施形態に係るパルス光源3は、光ファイバ増幅器20Aに替えて光ファイバ増幅器20Cを備える点で相違する。光ファイバ増幅器20Cは、プリアンプ21Cおよびブースタアンプ22
1,22
2を含む。
【0041】
第1実施形態におけるプリアンプ21Aの構成と比較すると、本実施形態におけるプリアンプ21Cは、光スイッチ63が設けられていない点で相違する。また、本実施形態におけるプリアンプ21Cは、光スイッチ61の後段の増幅部として、光スイッチ61から出力される第1波長成分のパルス光を増幅する第1増幅部としてYbDF43
1,光アイソレータ55
1,光カプラ73
1および励起光源82
1を含む。さらに、本実施形態におけるプリアンプ21Cは、光スイッチ61から出力される第2波長成分のパルス光を増幅する第2増幅部としてYbDF43
2,光アイソレータ55
2,光カプラ73
2および励起光源82
2を含む。
【0042】
本実施形態におけるブースタアンプ22
1,22
2それぞれは、第1実施形態におけるブースタアンプ22と同様の構造を有する。ブースタアンプ22
1は、プリアンプ21Cの第1増幅部から出力(増幅)された第1波長成分のパルス光を増幅し、その増幅パルス光を光学ヘッド31
1を介して出力する。ブースタアンプ22
2は、プリアンプ21Cの第2増幅部から出力(増幅)された第2波長成分のパルス光を増幅し、その増幅パルス光を光学ヘッド31
2を介して出力する。
【0043】
本実施形態に係るパルス光源3は、第1波長成分のパルス光および第2波長成分のパルス光の双方を同時に使用し、例えば、一方の低パルスエネルギーのパルス光を照射することで透明体帯材料に光損傷の起点を設けた後、他方の高パルスエネルギーのパルス光を照射することで加工を促進するといった場合に好適に用いられる。