(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
前記第1サブリードと前記第2サブリードの各々は、複数個配置され、前記第1サブリードの個数と前記第2サブリードの個数とは同一であり、各々の前記第1サブリードの他端部と各々の前記第2サブリードの他端部は、一対一に対向することを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージ。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明は、上記従来技術に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、静電気が放電される時に発生する放電電流から保護できる発光ダイオードパッケージを提供することにある。
【0007】
また、本発明の目的は、前記発光ダイオードパッケージを具備するバックライトユニットを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による発光ダイオードパッケージは、外部から印加された駆動電圧によって光を発生し、第1電極及び第2電極を含む発光ダイオード、前記第1電極に連結された第1メーンリード、前記第2電極に連結された第2メーンリード、前記発光ダイオードが実装され、前記第1メーンリード、及び前記第2メーンリードを固定するボディー部を有する。また、一端部が前記第1メーンリードに連結された第1サブリード及び一端部が前記第2メーンリードに連結され、他端部が前記第1サブリードの他端部と所定の距離を置いて対向する第2サブリードを有する。この時、前記第2サブリードは前記第1サブリードと共に静電気を放電する。
【0009】
前記ボディー部は、前記発光ダイオードが実装される実装面、前記実装面に対向する底面、及び前記底面から折曲されて延長された外側面を有することが好ましい。
【0010】
また、前記第1サブリードの他端部及び前記第2サブリードの他端部は、前記ボディー部から突出していることが好ましい。
【0011】
前記第1サブリードは、一端が前記第1メーンリードに連結され、他端が前記外側面に露出した第1固定リード部及び前記第1固定リード部の他端に連結され、前記ボディー部から突出した第1放電リード部を包含でき、前記第2サブリードは、一端が前記第2メーンリードに連結され、他端が前記外側面に露出した第2固定リード部及び前記第2固定リード部の他端に連結され、前記ボディー部から突出し、前記第1放電リード部と所定の距離を置いて対向する第2放電リード部を有することが好ましい。
【0012】
また、前記第1放電リード部は、前記第2放電リード部から50μm乃至1mm離隔されていることが好ましい。
【0013】
前記第1メーンリード及び前記第2メーンリードの各々は、前記ボディー部の一部分を貫通し、前記第1メーンリード及び前記第2メーンリードの各々は、一端部が前記実装面に露出し、前記一端部から延長された他端部がボディー部から突出していることが好ましい。
【0014】
前記第1サブリードと前記第2サブリードの各々は、複数個配置され、前記第1サブリードの個数と前記第2サブリードの個数とは同一であり、各々の前記第1サブリードの他端部と各々の前記第2サブリードの他端部は、一対一に対向していることが好ましい。
【0015】
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様によるバックライトユニットは、ベース部材、前記ベース部材に実装され、光を発生する多数の発光ダイオードパッケージ及び外部から印加された駆動電圧を前記発光ダイオードパッケージへ提供する信号ラインを有し、前記発光ダイオードパッケージの各々は、第1電極及び第2電極を有する発光ダイオードと、前記第1電極に連結された第1メーンリードと、前記第2電極に連結された第2メーンリードと、前記発光ダイオードが実装され、前記第1メーンリード及び前記第2メーンリードを固定するボディー部と、一端部が前記第1メーンリードに連結された第1サブリードと、一端部が前記第2メーンリードに連結され、他端部が前記第1サブリードの他端部と所定の距離を置いて対向して前記第1サブリードと共に静電気を放電する第2サブリードと、を有する。
【0016】
前記信号ラインは、前記第1メーンリードに第1電圧を提供する第1信号ラインと、前記第2メーンリードに前記第1電圧より電位が低い第2電圧を提供する第2信号ラインと、を有することが好ましい。
【0017】
前記発光ダイオードパッケージは直列に配列され、前記信号ラインは、前記発光ダイオードパッケージの中で第1番目配列された前記発光ダイオードパッケージに含まれた前記第1メーンリードへ第1電圧を提供する第3信号ラインと、各々の前記発光ダイオードパッケージに含まれた前記第2メーンリードを隣接する前記発光ダイオードパッケージに含まれた第1メーンリードに連結する第4信号ラインと、前記発光ダイオードパッケージの中で最後に配列された前記発光ダイオードパッケージに含まれた前記第2メーンリードへ前記第1電圧より電位が低い第2電圧を提供する第5信号ラインを含むことが好ましい。
【発明の効果】
【0018】
本発明の発光ダイオードパッケージによれば、第1及び第2サブリードを通じて静電気を放電して、放電電流から発光ダイオードを保護することができる。
【0019】
また、本発明の発光ダイオードパッケージによれば、発光ダイオードを保護するための例えば過度電圧抑制ダイオード(transient voltage suppressor diode)やツェナーダイオード(zener diode)などの別のダイオードを必要としないので、生産単価が低くなり、構造が単純であり、輝度が向上するという効果がある。
【0020】
また、本発明の発光ダイオードパッケージを具備するバックライトユニットによれば、電力消耗量が減少し、輝度が向上するという効果がある。
【発明を実施するための形態】
【0022】
本発明は多様な変更を加えることができ、様々な形態を有することができるので、本発明を実施するための形態の具体例を、図面に例示して、詳細に説明する。しかし、本発明は、例示した実施形態に限定されるものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全て変更、均等物乃至代替物を含むこととして理解しなければならない。
【0023】
図面の説明において、同一の構成要素に対して同一の符号を使用した。また、図面において、構造物等の寸法は、本発明を明確に説明するために実際より拡大して示してある。第1、第2等の用語は、多様な構成要素を説明するために使用されるが、このような構成要素は、これらの用語によって限定されるものではなく、これらの用語は、1つの構成要素を他の構成要素から区別する目的で使用される。例えば、本発明の権利範囲を逸脱しないかぎり、第1構成要素は第2構成要素と称することができ、類似の第2構成要素も第1構成要素と称することができる。
【0024】
発明の詳細な説明において、“包含する”や“有する”等の用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品又はこれらを組合せたものが存在することを意味するものであるが、1つ又はその以上の異なる特徴や数字、段階、動作、構成要素、部分品又はこれらを組合せたものの存在又は付加の可能性を予め排除しないものとして理解しなければならない。また、層、膜、領域、板等の部分が他の部分の“上に”あるとする場合、これは他の部分が“直ぐ上に”にある場合のみではなく、その中間にその他の部分がある場合も含む。同様に、層、膜、領域、板等の部分が他の部分の“下に”あるとする場合、これは他の部分が“直ぐ下に”にある場合のみではなく、その中間にその他の部分がある場合も含む。
【0025】
以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態の具体例を、より詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施形態による発光ダイオードパッケージを示した平面図であり、
図2は、
図1に示した発光ダイオードパッケージの側面図である。また、
図3は、
図1のI−I’に沿って切断した断面図であり、
図4は、
図1に示したた発光ダイオードの断面図である。
【0026】
図1〜4を参照すれば、発光ダイオードパッケージ100は、発光ダイオード110、第1及び第2メーンリード120、130、ボディー部160、及び第1及び第2サブリード140、150を有する。
【0027】
発光ダイオード110は、第1電極及び第2電極を通じて印加される駆動電圧に応答して光を発生する。発光ダイオード110は、n型半導体層、活性層、p型半導体層が順次積層された構造を有し、駆動電圧が印加されれば、電子と正孔とが移動しながら再結合して光を発生する。
【0028】
次に、
図4を参照して、発光ダイオードについてより詳細に説明する。但し、
図4は、発光ダイオードパッケージに具備することが可能な発光ダイオードを例示的に示したものである。
【0029】
図4に示したように、発光ダイオード110は、基板113の上に順次積層されたn型半導体層114、活性層115、p型半導体層116を有する。また、発光ダイオード110は、p型半導体層116に連結されたp型電極111(第1電極)及びn型半導体層114に連結されたn型電極112(第2電極)を有する。
【0030】
基板113は、サファイアを含む透明な物質を用いることができ、サファイア以外にもジンク酸化物(zinc oxide:ZnO)、ガリウムナイトライド(gallium nitride、GaN)、シリコンカーバイド(silicon carbide:SiC)及びアルミニウムナイトライド(aluminium nitride:AlN)等を用いることができる。
【0031】
n型半導体層114は、n型導電系不純物がドーピングされたGaN又はGaN/AlGaNのようなn型窒化物半導体層で構成することができる。また、p型半導体層116は、p型導電系不純物がドーピングされたGaN又はGaN/AlGaNのようなp型窒化物半導体層で構成することができる。そして、活性層115は、多重量子ウェル(MQW)構造のInGaN/GaN層で構成することができる。
【0032】
p型半導体層116及び活性層115の一部分をメサ蝕刻(mesa etching)で除去すれば、n型半導体層114の上面の一部が外部に露出される。この時、第1電極111は、p型半導体層116に具備され、第2電極112は、メサ蝕刻を通じて外部に露出されたn型半導体層114の上面に具備される。
【0033】
第1メーンリード120は、発光ダイオード110の第1電極111に連結され、第2メーンリード130は、発光ダイオード110の第2電極112に連結される。外部から印加された駆動電圧は、第1メーンリード120を通じて発光ダイオード110へ提供され、電圧が降下した駆動電圧は、第2メーンリード130を通じて引き出される。即ち、発光ダイオード110において、第1電圧は、第1メーンリード120を通じて第1電極111へ提供され、第1電圧より電位の低い第2電圧は、第2メーンリード130を通じて第2電極112に提供される。この時、第1電圧と第2電圧との電位差は、降下した駆動電圧のレベルと同一である。
【0034】
ボディー部160は、発光ダイオード110が実装され、第1メーンリード120及び第2メーンリード130を固定する。ボディー部160は、樹脂系物質で構成することができる。
【0035】
ボディー部160は、
図1〜3に示したように、発光ダイオード110が実装される実装面162、実装面162に対向する底面164、及び底面164から折曲して延長された外側面166を含む。発光ダイオード110は、樹脂系接着シート(図示せず)又は導電性接着シート(図示せず)を通じて実装面162に実装することができる。
【0036】
また、
図1〜3に示したように、底面164が四角形である場合、外側面166は、4つの領域(
図10参照)に区画することができる。また、底面164が実装面162の面積より大きい面積を有し、外側面166が実装面162と底面164との間の距離よりさらに長く延長することができる。この時、ボディー部160が実装面162から折曲して延長された内側面168をさらに包含すれば、ボディー部160は、発光ダイオード110を囲む隔壁160wを具備する。この時、内側面168と底面164が形成する空間には、発光ダイオード110を保護するモールディング剤を充填することができる。
【0037】
また、第1メーンリード120及び第2メーンリード130の各々は、ボディー部160の一部分を貫通することができる。この時、第1メーンリード120及び第2メーンリード130の各々は、一端部が実装面162に露出され、一端部から延長した他端部がボディー部160から突出する。
【0038】
例えば、
図1〜3に示したように、第1メーンリード120及び第2メーンリード130の各々は、隔壁160wを貫通し、各々の他端部は、外側面166から突出している
【0039】
この時、第1ワイヤーw1を通じて第1電極111と実装面162に露出した第1メーンリード120の一端部が連結し、第2ワイヤーw2を通じて第2電極112と第2メーンリード130の一端部とに連結している。前述した連結方法は、1つの例示に過ぎず、
図4に示した発光ダイオードの構造を変更すれば、他の連結方法によってメーンリード120、130と電極111、112とを各々連結することもできる。
【0040】
発光ダイオード110は、静電気が放電される時(即ち、放電電流が流れる時)、生成する熱によって損傷(以下、靜電破壊)することがある。一般的に、発光ダイオード110は、2kV未満の放電電圧で流れる放電電流に対して抵抗性を有するが、2kV以上の放電電圧で流れる放電電流では、靜電破壊が発生する。発光ダイオードパッケージ100は、靜電破壊を防止するために第1サブリード140と第2サブリード150とを具備する。
【0041】
第1サブリード140と第2サブリード150とは、各々第1メーンリード120と第2メーンリード130とに連結される。
図1〜3を参照してより詳細に説明すれば、第1サブリード140の一端部は、第1メーンリード120に連結され、第2サブリード150の一端部は、第2メーンリード130に連結される。また、第2サブリード150の他端部は、第1サブリード140の他端部と所定の距離dを置いて対向する。
この時、第1サブリード140の他端部と第2サブリード150の他端部とは、ボディー部160から突出していることが望ましい。それにしたがって、静電気の放電は、ボディー部160の外部で生じる。第1サブリード140は、第1固定リード部142及び第1固定リード部142から延長された第1放電リード部144を含む。第1固定リード部142の一端は、第1メーンリード120に連結され、他端は、外側面166に露出される。また、第1放電リード部144は、第1固定リード部142に連結され、ボディー部160から突出している。
【0042】
第2サブリード150は、第1サブリード140に対応する構造を有することができる。即ち、第2サブリード150は、第2固定リード部152及び第2固定リード部152から延長された第2放電リード部154を含む。第2固定リード部152の一端は、第2メーンリード130に連結され、他端は、外側面166に露出される。また、第2放電リード部154は、第2固定リード部152に連結され、ボディー部160から突出している。
【0043】
第1放電リード部144と第2放電リード部154とは、
図1及び
図2に示したように、外側面166に接触することができる。それにしたがって、発光ダイオードパッケージ100を取り扱う過程で放電リード部144、154が固定リード部142、152から切断される不良を防止することができる。
【0044】
この時、第1放電リード部144及び第2放電リード部154は、外側面166の上で多角形状を有することができる。一方、
図2には、外側面166の上で四角形状を有する放電リード部144、154を示しているが、その形状及び面積は変形させることができる。
【0045】
また、第1放電リード部144と第2放電リード部154とは、所定の距離dをおいて対向している。下式1にしたがって、静電気が放電される臨界放電電圧が決定される。即ち、蓄積された負電荷と正電荷との電位差が臨界放電電圧より大きい時、静電気が放電される。
【0046】
[式1]
Vc={(3000×p×d)+1350}
【0047】
式1でVcは臨界放電電圧であり、pは大気圧(単位はatm)であり、dは第1放電リード部144と第2放電リード部154との離隔された距離(単位はm)である。例えば、1気圧の下で距離dが100μmである場合、臨界放電電圧は1650Vである。これは距離dが100μmである場合、蓄積された負電荷と正電荷との電位差が1650V以上である時(即ち、放電電圧が1650V以上である時)静電気の放電が発生することを意味する。即ち、距離dが100μmである場合、蓄積した負電荷と正電荷との電位差が1650V以上である時、第1放電リード部144と第2放電リード部154間に存在する媒質(例えば空気)は絶縁破壊が生じ、媒質を通じて放電電流が流れる。
【0048】
この時、第1放電リード部144と第2放電リード部154との離隔された距離dは、50μm〜1mmであることが望ましい。第1放電リード部144と第2放電リード部154との離隔された距離dが50μm未満である場合、前記静電気の放電があまりにも頻繁に生じ、前記距離dが1mmを超過する場合、発光ダイオード110に靜電破壊が発生する。
【0049】
図5は、本発明の他の実施形態による発光ダイオードパッケージを示した側面図である。以下、
図5を参照して他の実施形態による発光ダイオードパッケージを説明する。但し、
図1〜4を参照して説明した内容と重複する内容は省略する。
【0050】
本実施形態による発光ダイオードパッケージ100−1は、
図1〜4に示した発光ダイオードパッケージ100のように、発光ダイオード110、第1及び第2メーンリード120、130、ボディー部160、第1及び第2サブリード140、150を有する。また、各々のサブリードは、固定リード部と外側面の上で多角形状である放電リード部とを包含することができる。
【0051】
第1及び第2サブリード140、150は、外側面166の上で五角形の第1放電リード部144−1及び第2放電リード部154−1を各々具備する。また、第1放電リード部144−1及び第2放電リード部154−1は、外側面166に接触する。
【0052】
この時、多角形の第1放電リード部144−1に含まれた多数の頂点の中で、頂角の大きさが最も小さい頂点と、多角形の第2放電リード部154−1に含まれた多数の頂点の中で、頂角の大きさが最も小さい頂点とが互に対向することが望ましい。
図5に示したように、第1放電リード部144−1の頂角が最も小さい頂点144vと第2放電リード部154−1の頂角が最も小さい頂点154vが互に対向すれば、電界集中効果が発生し、臨界放電電圧が低くなる。
【0053】
図6は、本発明の他の実施形態による発光ダイオードパッケージを示した側面図であり、
図7は、
図6のII−II’に沿って切断した断面図である。以下、
図6及び
図7を参照して本実施形態による発光ダイオードパッケージを説明する。但し、
図1〜4を参照して説明した内容と重複する内容は省略する。
【0054】
本実施形態による発光ダイオードパッケージ100−2は、
図6及び
図7に示したように第1放電リード部144−2及び第2放電リード部154−2各々の少なくとも一部分が外側面166に接触する。
【0055】
この時、前記ボディー部160は、外側面166の一領域に溝部160gが形成される。また、溝部160gが形成された領域は、少なくとも外側面166の第1放電リード部144−2の端部に対応する地点及び第1放電リード部144−2の端部と対向する第2放電リード部154−2の端部に対応する地点を含む。即ち、互に対向する第1放電リード部144−2の端部と第2放電リード部154−2の端部とは外側面166に接触しない。
【0056】
したがって、第1放電リード部144−2と第2放電リード部154−2との各々は、少なくとも一部分が外側面166に接触して放電リード部144−2、154−2が固定リード部142、152から切断される不良を防止することができる。また、溝部160gは互に対向する第1放電リード部144−2の端部と第2放電リード部154−2の端部とに空気が接触できる空間を提供することによって、臨界放電電圧が低くなる。
【0057】
図8は、本発明の他の実施形態による発光ダイオードパッケージを示した平面図であり、
図9は、
図8のIII−III’に沿って切断した断面図である。以下、
図8及び
図9を参照して、本実施形態による発光ダイオードパッケージについて説明する。但し、
図1〜7を参照して説明した内容と重複する内容は省略する。
【0058】
本実施形態による発光ダイオードパッケージ100−3は、発光ダイオード110で生成した熱を外部に放出するためのヒートシンクHSをさらに含む。
【0059】
図8及び
図9に示したように、ボディー部160は、実装面162から底面164まで延長した貫通ホール160tを具備する。貫通ホール160tは、多様な形状であることが可能である。例えば、
図8のIII−III’に沿って切断した断面が、
図9に示したように台形であってもよく、実装面162と平行に切断した断面が円形又は多角形であってもよい。
【0060】
ヒートシンクHSは、貫通ホール160tに配置される。ヒートシンクHSは、熱伝導性のよい金属で構成することができ、貫通ホール160tの形状と同一な形状を有することが望ましい。
この時、ヒートシンクHSの一面HS−162は、実装面162と同一平面を成すことができ、発光ダイオード110は、放熱効率を向上させるためにヒートシンクHSの一面HS−162に実装することができる。また、一面HS−162と対向する他面は、底面164と同一平面を成すことができる。
【0061】
図10は、本発明の他の実施形態による発光ダイオードパッケージを示した平面図である。以下、
図10を参照して、本実施形態による発光ダイオードパッケージを説明する。但し、
図1〜4を参照して説明した内容と重複する内容は省略する。
【0062】
本実施形態による発光ダイオードパッケージ100−4は、複数個の第1サブリード140と第2サブリード150とを有し、第1サブリード140の個数と第2サブリード150の個数とは同一である。この時、各々の第1サブリード140の一端部は、第1メーンリード120に連結され、各々の第2サブリード150の一端部は、第2メーンリード130に連結される。また、第1サブリード140の他端部と第2サブリード150の他端部とは、一対一に対向する。このような発光ダイオードパッケージ100−4は、2地点以上で静電気の放電が生じさせることができる。
【0063】
図10に示したように、第1サブリード140の他端部と第2サブリード150の他端部とは、ボディー部160から突出させることができる。発光ダイオードパッケージ100−4の底面164(
図2参照)が四角形であり、底面から折曲して延長された外側面166が4つの領域166−1乃至166−4に区画される場合、一対のサブリード140、150の他端部は、第1領域166−1へ突出させることができ、他の一対のサブリード140、150の他端部は、第1領域166−1と対向する第2領域166−2へ突出させることができる。
【0064】
図11は、本発明の一実施形態による発光ダイオードパッケージを具備するバックライトユニットの平面図であり、
図12は、本発明の他の実施形態による発光ダイオードパッケージを具備するバックライトユニットの平面図である。
【0065】
図11に示したように、一実施形態による発光ダイオードパッケージを具備するバックライトユニット(以下、バックライトユニット)は、ベース部材200、ベース部材200に実装された多数の発光ダイオードパッケージ100及び外部から印加された駆動電圧を発光ダイオードパッケージ100へ提供する信号ラインを有する。
【0066】
バックライトユニットが具備する発光ダイオードパッケージ100は、
図1〜10を参照して説明した発光ダイオードパッケージの中のいずれか1つが採用できるので、発光ダイオードパッケージ100に対する詳細な説明は省略する。
【0067】
ベース部材200は、バックライトユニットの骨格をなす板形部材であり、樹脂基板や表面に金属酸化膜が形成された金属基板(例えば、酸化アルミニウム膜(又は、アルミナ膜)が形成されたアルミニウム基板)を用いることができる。
【0068】
発光ダイオードパッケージ100は、
図11に示したように、並列に連結することができる。この時、信号ラインは、各々の発光ダイオードパッケージ100が有する第1メーンリード120へ第1電圧を提供する第1信号ライン310、及び各々の発光ダイオードパッケージ100が有する第2メーンリード130へ第1電圧より電位が低い第2電圧を提供する第2信号ライン320を有する。一方、信号ラインは、銅Cuのような伝導性物質で形成され、鍍金工程と蝕刻工程によって形成することができる。
【0069】
ベース部材200にコネクター210が具備された場合、第1信号ライン310は、外部から駆動電圧が印加される第1ピン212に連結され、第2信号ライン320は、外部から接地電圧が印加される第2ピン214に連結される。
【0070】
図12に示したように、発光ダイオードパッケージ100は、直列に連結することもできる。この場合、発光ダイオードパッケージ100は直列に配列され、信号ラインは、発光ダイオードパッケージ100の中で第1番目に配列された発光ダイオードパッケージ100Aに含まれた第1メーンリード120へ、第1電圧を提供する第3信号ライン330と、隣接する発光ダイオードパッケージ100の間の第2メーンリード130と第1メーンリード120とを連結する多数の第4信号ライン340と、を含む。また、信号ラインは、発光ダイオードパッケージ100の中で最後に配列された発光ダイオードパッケージ100Nに含まれた第2メーンリード130へ、第1電圧より電位が低い第2電圧を提供する第5信号ライン350を含む。
【0071】
図13は、本発明の他の実施形態によるバックライトユニットの側面図である。
図13に示したバックライトユニットは、
図11又は
図12に示したバックライトユニットに導光板400をさらに含む。
【0072】
導光板400は、少なくとも入射面410を通じて発光ダイオードパッケージ100から出射された光を受信して出射面420を通じて出射する。
【0073】
導光板400は、方形プレート形状とすることができる。この時、導光板400は、発光ダイオードパッケージ100に隣接する入射面410、入射面410の一端から延長された出射面420及び出射面420と平行であり、入射面410の他端から延長された反射面430を有する。
【0074】
発光ダイオードパッケージ100から出射された光は、導光板400の入射面410へ入射され、入射面410を通じて導光板400の内部へ入射された光は出射面420を通過して外部へ出射されるか、或いは反射面430によって反射された後、出射面420を通過して出射される。
【0075】
この時、導光板400へ入射される光の集光効率を高くするために、発光ダイオードパッケージ100の各々の発光面100Lは、導光板400の入射面410と平行であることが望ましい。
【0076】
また、バックライトユニットは、出射面420の上側に配置された拡散シート500、及び導光板400を間に置いて拡散シート500と対向する反射シート600をさらに包含することができる。反射シート600は、導光板400から漏洩した光を導光板400へ再反射させ、拡散シート500は、導光板400から出射された光を拡散させる。それによって、バックライトユニットの輝度が向上する。
【0077】
図13において、発光ダイオードパッケージ100は、導光板400の一側面に隣接するように配置されたが、バックライトユニットは、発光ダイオードパッケージ100を導光板400の少なくとも2つの側面に各々隣接して配置することができる。
【0078】
以上、実施形態を参照して説明したが、該当技術分野の熟練した当業者は、特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲内で、本発明を多様に修正及び変更させることができることを理解できる。