特許 5958212 パターンマッチング方法、マスクパターンの生成方法、及び、ライブラリの構築方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】5958212

(24)【登録日】2016年7月1日

(45)【発行日】2016年7月27日

(54)【発明の名称】パターンマッチング方法、マスクパターンの生成方法、及び、ライブラリの構築方法

(51)【国際特許分類】

   G03F 1/36 20120101AFI20160714BHJP

【ＦＩ】

   G03F1/36

【請求項の数】9

【全頁数】21

(21)【出願番号】特願2012-199818(P2012-199818)

(22)【出願日】2012年9月11日

(65)【公開番号】特開2014-56053(P2014-56053A)

(43)【公開日】2014年3月27日

【審査請求日】2015年5月25日

(73)【特許権者】

【識別番号】308014341

【氏名又は名称】富士通セミコンダクター株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100094525

【弁理士】

【氏名又は名称】土井 健二

(74)【代理人】

【識別番号】100094514

【弁理士】

【氏名又は名称】林 恒徳

(72)【発明者】

【氏名】細野 浩司

(72)【発明者】

【氏名】岡田 朋之

(72)【発明者】

【氏名】山内 敏

【審査官】 赤尾 隼人

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００４−０５４０５２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１１−２２１２６６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１１−０３３７４６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−２１７４２８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−０２０５５３（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ０３Ｆ １／００−１／８６；７／２０

Ｈ０１Ｌ ２１／０２７；２１／６４−２１／６６

Ｇ０６Ｆ １７／５０

Ｇ０６Ｔ １／００−１／４０；３／００−５／５０；

９／００−９／４０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体製造工程における、設計パターンの光近接効果補正後のマスクパターンのパターンマッチング方法であって、
前記マスクパターンのパターンであって同一グループとして分類された複数の登録マッチングパターンのアウトラインの共通部分を第１の階層のアウトライン情報、非共通部分を第２の階層のアウトライン情報として有するライブラリを参照し、マッチング対象パターンのマッチング対象アウトライン情報を、複数の前記第１の階層のアウトライン情報と一致するか否かマッチングする第１のマッチング工程と、
前記第１のマッチング工程で一致した場合に、前記ライブラリを参照して前記一致した第１の階層のアウトライン情報に関連する複数の前記第２の階層のアウトライン情報と一致するか否かマッチングし、前記マッチング対象パターンが、一致した前記第１、２の階層のアウトライン情報に対応する登録マッチングパターンと一致すると判定する第２のマッチング工程と、を有するパターンマッチング方法。

【請求項2】

請求項１において、
前記ライブラリは、さらに、前記ライブラリに新たに登録される追加マッチングパターンの追加マッチングアウトライン情報と同一グループとして分類される前記第１の階層のアウトライン情報との共通部分を新たな第１の階層のアウトライン情報として、前記第１の階層のアウトライン情報と前記新たな第１の階層のアウトライン情報との非共通部分を前記第２の階層のアウトライン情報に関連する前記第１、２の階層間の第１アウトライン情報として、前記追加マッチングアウトライン情報と前記新たな第１の階層のアウトライン情報との非共通部分を前記追加マッチングパターンに対応する前記第１、２の階層間の第２アウトライン情報としてそれぞれ有し、
前記第２のマッチング工程は、前記第２の階層のアウトライン情報とのマッチング前に、前記一致した第１の階層のアウトライン情報に関連する第１、２アウトライン情報と一致するか否かマッチングし、前記第１アウトライン情報と一致する場合には前記複数の第２の階層アウトライン情報と一致するか否かマッチングし、前記第２アウトライン情報と一致する場合には前記マッチング対象パターンが前記追加マッチングパターンと一致すると判定するパターンマッチング方法。

【請求項3】

請求項１において、
前記ライブラリは、さらに、前記ライブラリに新たに登録される追加マッチングパターンであって、前記第１のマッチング工程において一致する追加マッチングパターンの追加マッチングアウトライン情報と、前記一致した第１の階層のアウトライン情報との非共通部分を、当該追加マッチングパターンに対応する前記第２の階層のアウトライン情報として有し、
前記第２のマッチング工程は、前記第２の階層のアウトライン情報のうち、前記追加マッチングパターンに対応する第２の階層のアウトライン情報と一致する場合に前記マッチング対象パターンが前記追加マッチングパターンと一致すると判定するパターンマッチング方法。

【請求項4】

設計パターンの光近接効果補正後のマスクパターンの生成方法であって、
前記マスクパターンを生成する生成工程と、
前記マスクパターンのパターンであって同一グループとして分類された複数の登録マッチングパターンのアウトラインの共通部分を第１の階層のアウトライン情報、非共通部分を第２の階層のアウトライン情報として有するライブラリを参照し、マッチング対象パターンのマッチング対象アウトライン情報を、複数の前記第１の階層のアウトライン情報と一致するか否かマッチングする第１のマッチング工程と、
前記第１のマッチング工程で一致した場合に、前記ライブラリを参照して前記一致した第１の階層のアウトライン情報に関連する複数の前記第２の階層のアウトライン情報と一致するか否かマッチングし、前記マッチング対象パターンが、一致した前記第１、２の階層のアウトライン情報に対応する登録マッチングパターンと一致すると判定する第２のマッチング工程と、
前記第２のマッチング工程において一致したと判定された前記マッチング対象パターンを抽出する抽出工程と、を有するマスクパターンの生成方法。

【請求項5】

請求項４において、
前記ライブラリは、さらに、前記ライブラリに新たに登録される追加マッチングパターンの追加マッチングアウトライン情報と同一グループとして分類される前記第１の階層のアウトライン情報との共通部分を新たな第１の階層のアウトライン情報として、前記第１の階層のアウトライン情報と前記新たな第１の階層のアウトライン情報との非共通部分を前記第２の階層のアウトライン情報に関連する前記第１、２の階層間の第１アウトライン情報として、前記追加マッチングアウトライン情報と前記新たな第１の階層のアウトライン情報との非共通部分を前記追加マッチングパターンに対応する前記第１、２の階層間の第２アウトライン情報としてそれぞれ有し、
前記第２のマッチング工程は、前記第２の階層のアウトライン情報とのマッチング前に、前記一致した第１の階層のアウトライン情報に関連する第１、２アウトライン情報と一致するか否かマッチングし、前記第１アウトライン情報と一致する場合には前記複数の第２の階層アウトライン情報と一致するか否かマッチングし、前記第２アウトライン情報と一致する場合には前記マッチング対象パターンが前記追加マッチングパターンと一致すると判定するマスクパターンの生成方法。

【請求項6】

請求項４において、
前記ライブラリは、さらに、前記ライブラリに新たに登録される追加マッチングパターンであって、前記第１のマッチング工程において一致する追加マッチングパターンの追加マッチングアウトライン情報と、前記一致した第１の階層のアウトライン情報との非共通部分を、当該追加マッチングパターンに対応する前記第２の階層のアウトライン情報として有し、
前記第２のマッチング工程は、前記第２の階層のアウトライン情報のうち、前記追加マッチングパターンに対応する第２の階層のアウトライン情報と一致する場合に前記マッチング対象パターンが前記追加マッチングパターンと一致すると判定するマスクパターンの生成方法。

【請求項7】

半導体製造工程における、設計パターンの光近接効果補正後のマスクパターンのパターンマッチング処理において参照されるライブラリの構築方法であって、
前記マスクパターンのパターンであって同一グループとして分類された複数の登録マッチングパターンのアウトラインの共通部分を第１の階層のアウトライン情報として前記ライブラリに登録する第１の登録工程と、
前記複数の登録マッチングパターンのアウトラインの非共通部分を第２の階層のアウトライン情報として登録する第２の登録工程とを有し、
前記ライブラリは、マッチング対象パターンと前記複数の登録マッチングパターンとのマッチング処理において参照され、
前記第１の階層のアウトライン情報は、前記マッチング対象パターンのマッチング対象アウトライン情報と一致するか否かマッチングされ、
前記第２の階層のアウトライン情報については、前記第１の階層のアウトライン情報とのマッチングにおいて一致した場合に、前記一致した第１の階層のアウトライン情報に関連する複数の前記第２の階層のアウトライン情報が前記マッチング対象アウトライン情報と一致するか否かマッチングされ、一致した前記第１、２の階層のアウトライン情報に対応する登録マッチングパターンが前記マッチング対象パターンと一致すると判定されるライブラリの構築方法。

【請求項8】

請求項７において、さらに、
前記ライブラリに新たに登録される追加マッチングパターンの追加マッチングアウトライン情報と、当該追加マッチングパターンと同一グループとして分類される前記第１の階層のアウトライン情報との共通部分を新たな第１の階層のアウトライン情報として登録すると共に、前記第１の階層のアウトライン情報と前記新たな第１の階層のアウトライン情報との非共通部分を前記第２の階層のアウトライン情報に関連する前記第１、２の階層間の第１アウトライン情報として、前記追加マッチングアウトライン情報と前記新たな第１の階層のアウトライン情報との非共通部分を前記追加マッチングパターンに対応する前記第１、２の階層間の第２アウトライン情報としてそれぞれ登録するライブラリ再構築工程と、を有し、
前記第１、２アウトライン情報については、前記第２の階層のアウトライン情報とのマッチング前に、前記一致した第１の階層のアウトライン情報に関連する第１、２アウトライン情報が前記マッチング対象アウトライン情報と一致するか否かマッチングされ、前記第１アウトライン情報と一致する場合には前記複数の第２の階層アウトライン情報と一致するか否かマッチングされ、前記第２アウトライン情報と一致する場合には前記追加マッチングパターンが前記マッチング対象パターンと一致すると判定されるライブラリの構築方法。

【請求項9】

請求項７において、さらに、
前記ライブラリに新たに登録される追加マッチングパターンであって、前記第１の階層のアウトライン情報と一致する追加マッチングパターンの追加マッチングアウトライン情報と、前記一致した第１の階層のアウトライン情報との非共通部分を、当該追加マッチングパターンに対応する前記第２の階層のアウトライン情報として登録するライブラリ再構築工程と、を有し、
前記マッチング対象アウトライン情報は、前記追加マッチングパターンに対応する第２の階層のアウトライン情報と一致する場合に、前記追加マッチングパターンが前記マッチング対象パターンと一致すると判定されるライブラリの構築方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、パターンマッチング方法、マスクパターンの生成方法、及び、ライブラリの構築方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、半導体集積回路の製造工程における光近接効果補正（ＯＰＣ：OpticalProximity Correction）後のデータ検証のエラー確認において、パターンマッチング技術の重要性が高まっている。

【0003】

ＯＰＣ工程では、光近接効果による影響の予測に基づいて、設計パターン通りの現像パターンが得られるように設計時のパターンが補正され、マスクパターンが生成される。そして、パターンマッチングにおいて、マスクパターンの各パターンについて、予め、経験等に基づいて検知された登録パターンとマッチングされ一致するか否かが判定される。パターンマッチングでは、例えば、登録パターンが記憶されるライブラリ等が参照されることによって、パターンマッチング処理が行われる。

【0004】

例えば、特許文献１には、パターンマッチング方法が記載される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２００９-２２２６０９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

しかしながら、ＯＰＣ処理後のパターンは、パターンの周辺に配置されるパターンや、周辺パターンとの距離関係、演算処理の収束値の相違等により、設計時のパターンの原図が同じであっても、微妙に異なるパターンが無数に生成される。このため、ライブラリの参照によるパターンマッチングを行う場合、ライブラリには抽出対象の微妙に異なる全てのパターンを登録しておく必要が生じる。これにより、ライブラリの登録数が大幅に増大し、パターンマッチングに要する時間も増加する。

【0007】

そこで、例えば、ライブラリに登録されたパターンによって、一致すると判定する一致度合いを変更することや、一部のパターンの一致度合いを下げることによって、全ての検証パターンをライブラリに登録することを回避する方法がある。しかし、この方法によると、一致度合いの設定が困難であると共に、意図したパターンのみを抽出することが困難である。

【0008】

そこで、本発明では、マスクパターンのパターンマッチング処理を効率化するパターンマッチング方法、マスクパターンの生成方法、及び、ライブラリの構築方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0009】

第１の側面として、半導体製造工程における、設計パターンの光近接効果補正後のマスクパターンのパターンマッチング方法であって、前記マスクパターンのパターンであって同一グループとして分類された複数の登録マッチングパターンのアウトラインの共通部分を第１の階層のアウトライン情報、非共通部分を第２の階層のアウトライン情報として有するライブラリを参照し、マッチング対象パターンのマッチング対象アウトライン情報を、複数の前記第１の階層のアウトライン情報と一致するか否かマッチングする第１のマッチング工程と、前記第１のマッチング工程で一致した場合に、前記ライブラリを参照して前記一致した第１の階層のアウトライン情報に関連する複数の前記第２の階層のアウトライン情報と一致するか否かマッチングし、前記マッチング対象パターンが、一致した前記第１、２の階層のアウトライン情報に対応する登録マッチングパターンと一致すると判定する第２のマッチング工程と、を有するパターンマッチング方法が提供される。
さらに第２の側面として、設計パターンの光近接効果補正後のマスクパターンの生成方法であって、前記マスクパターンを生成する生成工程と、前記マスクパターンのパターンであって同一グループとして分類された複数の登録マッチングパターンのアウトラインの共通部分を第１の階層のアウトライン情報、非共通部分を第２の階層のアウトライン情報として有するライブラリを参照し、マッチング対象パターンのマッチング対象アウトライン情報を、複数の前記第１の階層のアウトライン情報と一致するか否かマッチングする第１のマッチング工程と、前記第１のマッチング工程で一致した場合に、前記ライブラリを参照して前記一致した第１の階層のアウトライン情報に関連する複数の前記第２の階層のアウトライン情報と一致するか否かマッチングし、前記マッチング対象パターンが、一致した前記第１、２の階層のアウトライン情報に対応する登録マッチングパターンと一致すると判定する第２のマッチング工程と、前記第２のマッチング工程において一致したと判定された前記マッチング対象パターンを抽出する抽出工程と、を有するマスクパターンの生成方法が提供される。
さらに第３の側面として、半導体製造工程における、設計パターンの光近接効果補正後のマスクパターンのパターンマッチング処理において参照されるライブラリの構築方法であって、前記マスクパターンのパターンであって同一グループとして分類された複数の登録マッチングパターンのアウトラインの共通部分を第１の階層のアウトライン情報として前記ライブラリに登録する第１の登録工程と、前記複数の登録マッチングパターンのアウトラインの非共通部分を第２の階層のアウトライン情報として登録する第２の登録工程とを有し、前記ライブラリは、マッチング対象パターンと前記複数の登録マッチングパターンとのマッチング処理において参照され、前記第１の階層のアウトライン情報は、前記マッチング対象パターンのマッチング対象アウトライン情報と一致するか否かマッチングされ、前記第２の階層のアウトライン情報については、前記第１の階層のアウトライン情報とのマッチングにおいて一致した場合に、前記一致した第１の階層のアウトライン情報に関連する複数の前記第２の階層のアウトライン情報が前記マッチング対象アウトライン情報と一致するか否かマッチングされ、一致した前記第１、２の階層のアウトライン情報に対応する登録マッチングパターンが前記マッチング対象パターンと一致すると判定されるライブラリの構築方法が提供される。

【発明の効果】

【0010】

第１の側面によれば、マスクパターンのパターンマッチング処理が効率化される。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】本実施の形態例のパターンマッチング処理装置の構成の一例を示す図である。

【図2】マスクパターンが有する微妙に異なる複数のパターンについて例示する図である。

【図3】本実施の形態例のライブラリの生成処理を説明するフローチャート図である。

【図4】登録マッチングパターンと、そのアウトライン情報の一例を示す図である。

【図5】第１、２の階層のアウトライン情報の一例を示す図である。

【図6】パターンマッチング処理について説明するフローチャート図である。

【図7】ライブラリの再構築処理の流れについて説明するフローチャート図である。

【図8】第１のライブラリの再構築処理における具体例について説明する図である。

【図9】別のライブラリの再構築処理における具体例について説明する図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下、図面にしたがって本発明の実施の形態について説明する。ただし、本発明の技術的範囲はこれらの実施の形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された事項とその均等物まで及ぶものである。

【0013】

［パターンマッチング処理装置の構成］
図１は、本実施の形態例におけるパターンマッチング処理装置の構成の一例を示す図である。同図において、パターンマッチング処理装置１００は、例えば、処理装置１０、記憶装置１１、入力装置１２、及び出力装置１３を有する。また、記憶装置１１は、例えば、ライブラリ記憶領域１４、マッチング対象パターン記憶領域１５、マッチング抽出パターン記憶領域１６、プログラム領域１７を有する。

【0014】

プログラム領域１７には、処理装置１０で実行されるコンピュータプログラムが格納される。本実施の形態例では、プログラム領域１７に、例えば、パターンマッチングプログラム２０、及び、ライブラリ生成プログラム２１等が格納される。また、ライブラリ記憶領域１４には、パターンマッチング処理において参照されるライブラリＬＢが記憶される。マッチング対象パターン記憶領域１５には、パターンマッチングの対象とされるパターンの情報が記憶される。そして、マッチング抽出パターン記憶領域１６には、パターンマッチング処理によって一致したと判定され抽出されたパターンの情報が記憶される。

【0015】

例えば、図１のパターンマッチング処理装置１００において、入力装置１２から、マッチングする対象とされるマッチング対象パターンの情報が入力され、マッチング対象パターン記憶領域１５に格納される。そして、パターンマッチングプログラム２０は、マッチング対象パターンを、ライブラリＬＢに登録される登録マッチングパターンとマッチングさせる。パターンマッチングプログラム２０によって一致すると判定されたパターンの情報はマッチング抽出パターン記憶領域１７に記憶されると共に、出力装置１３から出力される。また、ライブラリ生成プログラム２１は、ライブラリＬＢを生成しライブラリ記憶領域１４に記憶させる。

【0016】

ここで、パターンマッチング処理について説明する。

【0017】

［パターンマッチング処理］
本実施の形態例において、パターンマッチング処理は、設計パターンについてＯＰＣ処理が行われ生成されたマスクパターンに対して行われる。ＯＰＣ処理では、パターンの周辺環境やパターンの向き、演算処理の収束値の相違等によって、設計パターンにおける原パターンが同一であっても微妙に異なるパターンが無数に生成される。パターンマッチング処理では、ＯＰＣ処理後のパターンのうち、例えば、経験等に基づいて修正を要すると予め認識されたパターンが抽出の対象となる。修正を要するパターンとは、例えば、現像処理の結果、隣接するパターンと融合してしまうパターンである。

【0018】

より具体的に、パターンマッチング処理では、例えば、マスクパターンが有する各パターンについて、まず、検証ルールを満たしているか否かが判定され、満たしていないパターンが検出される。続いて、検証ルールを満たすパターンについて、ライブラリＬＢに記憶された各登録マッチングパターンとマッチングされ、一致するか否かが検証される。なお、ライブラリＬＢには、修正を要する不正なエラーパターンが登録されてもよいし、正しいパターンが登録されてもよい。本実施の形態例では、ライブラリＬＢにエラーパターンが登録マッチングパターンとして登録される。

【0019】

続いて、ＯＰＣ処理後のマスクパターンにおける微妙に異なる複数のパターンについて例示する。

【0020】

［ＯＰＣ処理後のパターン］
図２は、マスクパターンが有する微妙に異なる複数のパターンを例示する図である。同図には、類似する９個のパターンが例示されている。この例において、例えば、パターンＰ２〜Ｐ９は、原図のパターンＰ１がＯＰＣ処理によって補正され生成されたパターンである。このように、ＯＰＣ処理によって、原図パターンが微妙に異なって補正される。同図のような微妙に異なる複数のパターンに含まれる所定のパターンを抽出する場合、ライブラリＬＢには複数の微妙に異なるパターンが登録される。そこで、本実施の形態例におけるパターンマッチング方法では、同一グループに分類された微妙に異なるパターンのアウトラインを共通部分情報と非共通部分情報とに階層化したライブラリＬＢを参照することによってマッチング処理を行う。

【0021】

つまり、本実施の形態例におけるパターンマッチング方法では、ＯＰＣ処理後のマスクパターンのパターンであって同一グループとして分類された複数の登録マッチングパターンのアウトラインの共通部分を第１の階層のアウトライン情報、非共通部分を第２の階層のアウトライン情報として有するライブラリＬＢが参照される。そして、ライブラリＬＢを参照して、第１、２のマッチング工程が行われる。

【0022】

第１のマッチング工程では、マッチング対象パターンのマッチング対象アウトライン情報と、複数の第１の階層のアウトライン情報とが一致するか否かマッチングされる。第２のマッチング工程では、第１のマッチング工程で一致した場合に、一致した第１の階層のアウトライン情報に関連する複数の第２の階層のアウトライン情報とが一致するか否かマッチングされ、マッチング対象パターンと、一致した第１、２の階層のアウトライン情報に対応する登録マッチングパターンが一致すると判定される。

【0023】

このように、本実施の形態例におけるパターンマッチング方法では、ライブラリＬＢに登録される類似した複数の登録マッチングパターンの情報が階層化される。これにより、第１の階層とのマッチング処理によって、第２の階層とのマッチング対象となるマッチング対象パターンが絞り込まれ、不要なマッチング処理の省略が可能になる。この結果、マッチング処理が効率化される。

【0024】

続いて、本実施の形態例におけるパターンマッチング方法において参照されるライブラリＬＢの生成処理とその構成について説明する。

【0025】

［ライブラリＬＢの生成処理の流れ］
図３は、本実施の形態例におけるパターンマッチング方法において参照されるライブラリＬＢの生成処理を説明するフローチャート図である。階層化ライブラリＬＢの構築処理を開始すると（Ｓ１１）、初めに、ライブラリ生成プログラム２１は、ライブラリＬＢに登録する対象のパターン群から、同一のグループとして扱いたいパターン群を抽出する（Ｓ１２）。同一のグループとして扱いたいパターン群は、ユーザによって任意に指定されてもよいし、ＯＰＣ処理前の原図パターンを同一とするパターン群が抽出されてもよい。

【0026】

続いて、ライブラリ生成プログラム２１は、同一グループに分類された複数の登録の対象となるマッチングパターン（以下、登録マッチングパターンと称する）のアウトラインの共通部分を抽出する（Ｓ１３）。具体的に、ライブラリ生成プログラム２１は、登録マッチングパターンの情報に基づいて、パターンの輪郭の線分情報であるアウトライン情報を生成する。マスクパターンの各パターンは、例えば、矩形等の図形の組み合わせによって構成される。そこで、ライブラリ生成プログラム２１は、組み合わされた図形の輪郭を示す線分をアウトライン情報として生成する。

【0027】

続いて、ライブラリ生成プログラム２１は、同一のグループに分類された複数の登録マッチングパターンのアウトライン情報の共通部分を第１の階層のアウトライン情報としてライブラリＬＢに格納する（Ｓ１４）。具体的に、例えば、ライブラリ生成プログラム２１は、登録マッチングパターンがＮ個ある場合、Ｎ個のうち２つの登録マッチングパターンのアウトライン情報のＡＮＤ処理を行う。また、登録マッチングパターンが３つ以上ある場合、ライブラリ生成プログラム２１は、ＡＮＤ処理後のアウトライン情報と、３つ目の登録マッチングパターンのアウトライン情報とのＡＮＤ処理を行う。このＡＮＤ処理を繰り返すことによって、Ｎ個の登録マッチングパターンのアウトライン情報における共通のアウトライン情報が得られる。そして、ライブラリ生成プログラム２１は、共通のアウトライン情報を、第１の階層のアウトライン情報としてライブラリＬＢに記憶させる。

【0028】

また、ライブラリ生成プログラム２１は、複数の登録マッチングパターンのアウトライン情報の非共通部分を、第１の階層のアウトライン情報に関連する複数の第２の階層のアウトライン情報としてライブラリＬＢに格納する（Ｓ１４）。具体的に、例えば、ライブラリ生成プログラム２１は、第１の階層のアウトライン情報と、Ｎ個の登録マッチングパターンのアウトライン情報とのＸＯＲ処理を行う。これにより、第１の階層のアウトライン情報と登録マッチングライブラリＬＢのアウトライン情報とのＮ個の差分情報が算出される。そして、ライブラリ生成プログラム２１は、差分アウトライン情報、即ち、アウトラインの非共通部分の情報を、Ｎ個の第２の階層のアウトライン情報としてライブラリＬＢにそれぞれ記憶させる。

【0029】

そして、ライブラリの構築処理が完了し（Ｓ１５）、登録する対象のパターン群から、対象の登録マッチングパターンが削除される（Ｓ１６）。

【0030】

続いて、ライブラリＬＢの生成処理を具体例に基づいて説明する。

【0031】

［ライブラリＬＢの生成処理の具体例］
図４は、ライブラリＬＢに登録する対象の登録マッチングパターンと、そのアウトライン情報の一例を示す図である。同図において、同一グループに分類される３つの登録マッチングパターンＰ１〜Ｐ３とそのアウトライン情報ＰＬ１〜ＰＬ３が例示される。

【0032】

図４の例において、同一のグループとして分類され３つの登録マッチングパターンのアウトライン情報が生成される。同図のように、登録マッチングパターンＰ１は、２つの矩形ｐ１、ｐ２によって構成される。具体的に、矩形ｐ１は、座標ｃ１を始点としてＸ方向に距離ｌｎ１、Ｙ方向に距離ｌｎ２を有する図形であって、矩形ｐ２は、座標ｃ２を始点としてＸ方向に距離ｌｎ３、Ｙ方向に距離ｌｎ４を有する図形である。そして、ライブラリ生成プログラム２１は、登録マッチングパターンＰ１の情報に基づいて、輪郭の線分を示すアウトライン情報ＰＬ１を生成する。例えば、アウトライン情報ＰＬ１は、座標の時計周りに、座標ｃ１から座標ｃ３、座標ｃ３から座標ｃ４、座標ｃ４から座標ｃ５、座標ｃ５から座標ｃ６、座標ｃ６から座標ｃ７、座標ｃ７から座標ｃ１の線分の情報を有する。同様にして、アウトライン情報ＰＬ２、ＰＬ３が生成される。

【0033】

続いて、ライブラリ生成プログラム２１は、登録マッチングパターンＰ１〜Ｐ３のアウトライン情報ＰＬ１〜ＰＬ３の共通部分を抽出し（Ｓ１３）、ライブラリＬＢに格納する（Ｓ１４）。

【0034】

図５は、図４の登録マッチングパターンＰ１〜Ｐ３に対応する第１、２の階層のアウトライン情報の一例を示す図である。同図において、登録マッチングパターンＰ１〜Ｐ３（図４）に対応するアウトライン情報ＰＬ１〜ＰＬ３と、対応する第１の階層Ｌ１のアウトライン情報Ａ１、及び、第２の階層Ｌ２のアウトライン情報Ｂ１〜Ｂ３が示される。第２のアウトライン情報Ｂ１は登録マッチングパターンＰ１に、第２のアウトライン情報Ｂ２は登録マッチングパターンＰ２に、第２のアウトライン情報Ｂ３は登録マッチングパターンＰ３に対応する。

【0035】

図５の例において、登録マッチングパターンＰ１〜Ｐ３のアウトライン情報ＰＬ１〜ＰＬ３の共通部分として、第１の階層Ｌ１のアウトライン情報Ａ１が抽出される。アウトライン情報Ａ１は、アウトライン情報ＰＬ１〜ＰＬ３が共通に有する線分の情報である。また、登録マッチングパターンＰ１〜Ｐ３のアウトライン情報ＰＬ１〜ＰＬ３の非共通部分として、第２の階層Ｌ２のアウトライン情報Ｂ１〜Ｂ３が抽出される。アウトライン情報Ｂ１は、登録マッチングパターンＰ１のアウトライン情報ＰＬ１と第１の階層のアウトライン情報Ａ１との差分の情報である。同様にして、アウトライン情報Ｂ２はアウトライン情報ＰＬ２と第１の階層のアウトライン情報Ａ１との差分情報、アウトライン情報Ｂ３は、アウトライン情報ＰＬ３と第１の階層のアウトライン情報Ａ１との差分情報である。

【0036】

このように、登録マッチングパターンに対応する第１、２の階層のアウトライン情報が、登録マッチングパターンの情報としてライブラリＬＢに記憶される。ライブラリＬＢは、グループ毎に、１つの第１の階層のアウトライン情報と、第１の階層のアウトライン情報に関連するひとつまたは複数の第２の階層のアウトライン情報を有する。

【0037】

続いて、図３〜図５で説明した処理に基づいて生成される本実施の形態例におけるライブラリＬＢを参照することによって行われるパターンマッチング処理について説明する。

【0038】

［パターンマッチング処理の流れ］
図６は、本実施の形態例におけるパターンマッチング処理について説明するフローチャート図である。同図において、マッチング対象パターンはマスクパターンが有するマッチングの対象となるパターンを、登録マッチングパターンは、ライブラリＬＢに登録されたパターンを示す。

【0039】

パターンマッチングプログラム２０は、まず、マッチング対象パターン情報ＦＰから１つのマッチング対象パターンを選択し、ライブラリＬＢを参照し、第１の階層のアウトライン情報とのマッチング処理を行う。具体的に、パターンマッチングプログラム２０は、マッチング対象パターンのアウトライン情報と、第１の階層のアウトライン情報とをマッチングさせ、一致するか否かを判定する（Ｓ２１）。例えば、パターンマッチングプログラム２０は、マッチング対象パターンのアウトライン情報に、第１の階層のアウトライン情報が含まれる場合に一致するものとして判定する。

【0040】

一致する場合（Ｓ２１のＹＥＳ）、パターンマッチングプログラム２０は、さらに、第２の階層のアウトライン情報とのマッチング処理を行う。具体的に、パターンマッチングプログラム２０は、マッチング対象パターンと、第１の階層のアウトライン情報に関連するひとつまたは複数の第２の階層のアウトライン情報とをマッチングさせ、一致するか否かを判定する（Ｓ２４）。例えば、パターンマッチングプログラム２０は、マッチング対象パターンのアウトライン情報と第１の階層のアウトライン情報との非共通部分の線分が、第２の階層のアウトライン情報と一致するか否かを判定する。

【0041】

なお、第２の階層のアウトライン情報とのマッチング処理は、複数のプロセッサ、及び、装置によって並列に処理されてもよい。一致した第１の階層のアウトライン情報に関連する第２の階層のアウトライン情報は、通常、複数存在する。このため、複数の第２の階層のアウトライン情報とマッチング対象アウトライン情報とのマッチング処理が複数のプロセッサまたは装置によって並列に処理分散されることによって、処理速度が向上する。

【0042】

一致する第２の階層のアウトライン情報がある場合（Ｓ２４のＹＥＳ）、パターンマッチングプログラム２０は、マッチング対象パターンが、一致した第１の階層のアウトライン情報と、第２の階層のアウトライン情報とに対応する登録マッチングパターンと一致すると判定する。

【0043】

一方、第１の階層のアウトライン情報とのマッチング処理において一致しない場合（Ｓ２１のＮＯ）、パターンマッチングプログラム２０は、マッチング対象パターンを、抽出すべき同一グループのパターンとして含めるか否かを判定する（Ｓ２２）。含める場合（Ｓ２２のＹＥＳ）、さらに、パターンマッチングプログラム２０は、マッチング対象パターンを追加登録するために、ライブラリＬＢを再構築する（Ｓ２３）。この処理については、後述する。

【0044】

また、第２の階層のアウトライン情報とのマッチング処理において一致しない場合（Ｓ２４のＮＯ）、パターンマッチングプログラム２０は、マッチング対象パターンを、抽出すべき同一グループのパターンとして含めるか否かを判定する（Ｓ２５）。含める場合（Ｓ２５のＹＥＳ）、パターンマッチングプログラム２０は、マッチング対象パターンを追加登録するために、ライブラリＬＢを再構築する（Ｓ２６）。

【0045】

マッチング対象パターンを、抽出すべき同一グループのパターンとして含めない場合（Ｓ２２のＮＯ、Ｓ２５のＮＯ）、マッチング対象パターンはライブラリＬＢに追加登録されることなく、パターンマッチング処理が終了する。

【0046】

［マッチング回数の低減］
ここで、本実施の形態例におけるパターンマッチング方法によってマッチング回数が低減される例について説明する。この例において、例えば、ライブラリＬＢに登録される登録マッチングパターン数がＮ個、ライブラリＬＢとマッチングされるマッチング対象パターンがＭ個である。また、Ｎ個の登録マッチングパターンは、第１の階層を共有する同一のグループに分類されるものとする。即ち、ライブラリＬＢは、Ｎ個の登録マッチングパターンについて、ひとつの第１の階層のアウトライン情報と、Ｎ個の第２の階層のアウトライン情報とを有する。

【0047】

ライブラリＬＢが階層化されない一般的なパターンマッチング方法によると、Ｍ個のマッチング対象パターンそれぞれについてＮ個の登録マッチングパターンとマッチングされ、一致するか否かが判定される。このため、一般的なパターンマッチング方法によるマッチング回数はＭ×Ｎ回である。

【0048】

一方、本実施の形態例におけるパターンマッチング方法によると、Ｍ個のマッチング対象パターンそれぞれについて、まず、ひとつの第１の階層のアウトライン情報とマッチングされる。このとき、Ｍ個のマッチング対象パターンのうち、Ｘ（Ｘ≦Ｍ）個のマッチング対象パターンが一致するものとする。そこで、一致したＸ個のマッチング対象パターンそれぞれについて、Ｎ個の第２の階層のアウトライン情報とマッチングされる。このため、本実施の形態例におけるパターンマッチング方法によるマッチング回数は、１×Ｍ＋Ｘ×Ｎ回である。

【0049】

例えば、Ｎ＝１００、Ｍ＝１００００、Ｘ＝１０００の場合を例示する。この場合、一般的なパターンマッチング方法によると、マッチング回数は１,０００,０００回（＝１００００×１００）である。これに対し、本実施の形態例におけるパターンマッチング方法によると、マッチング回数は１１０,０００回（＝１×１００００＋１０００×１００）である。

【0050】

このように、本実施の形態例におけるパターンマッチング方法によると、マッチング回数が大幅に低減され、マッチング処理にかかる時間が短縮される。即ち、第１の階層のアウトライン情報とのマッチング処理の結果に基づいて、第２の階層のアウトライン情報とのマッチング処理の対象となるマッチング対象パターンが絞り込まれることにより、不要なマッチング処理が回避される。これにより、マッチング回数が低減され、マッチング処理が効率化される。

【0051】

ただし、一致したマッチング対象パターンの数（Ｘ個）によっては、マッチング回数が改善されない場合もある。例えば、Ｎ＝１００００、Ｍ＝１００、Ｘ＝１００の場合を例示する。この場合、一般的なパターンマッチング方法によると、マッチング回数は１,０００,０００回（＝１００×１００００）である。これに対し、本実施の形態例におけるパターンマッチング方法によると、マッチング回数は１,０００,１００回（＝１×１００＋１００００×１００）である。この例では、本実施の形態例におけるパターンマッチング方法によるマッチング回数の方が多い。

【0052】

このように、第１の階層のアウトライン情報とのマッチング処理の結果、一致するマッチング対象パターンの数（Ｘ個）が多い場合、第２の階層のアウトライン情報とのマッチング処理の対象となるマッチング対象パターンが絞り込まれない。つまり、第１の階層のアウトライン情報とのマッチング処理におけるマッチング率が高い場合、第１の階層のアウトライン情報によるフィルタリングが適切に機能せず、マッチング回数が低減しない。このような場合、例えば、同一グループとして分類するパターン群が複数のグループにさらに細分化されることによって、マッチング率を下げる。これにより、マッチング回数が改善される。

【0053】

［ライブラリＬＢの再構築処理］
続いて、図６のフローチャート図の工程Ｓ２３、工程Ｓ２６で述べたライブラリＬＢの再構築処理について説明する。

【0054】

図７は、ライブラリＬＢの再構築処理の流れについて説明するフローチャート図である。まず、図６のフローチャート図において、マッチング対象パターンが、第１の階層のアウトライン情報とのマッチング処理において一致しない場合であって（Ｓ２１のＮＯ）、抽出すべきパターンとして同一グループに含めると判定された場合（Ｓ２２のＹＥＳ）のライブラリＬＢの再構築処理の例について説明する。

【0055】

マッチング対象パターンが抽出すべきパターンとして同一グループに含めると判定された場合（Ｓ２２のＹＥＳ）、ライブラリＬＢの再構築処理が開始される（Ｓ３１）。ライブラリ生成プログラム２１は、まず、新たに登録する対象の追加マッチングパターン情報ＡＰから、ひとつの追加マッチングパターンを選択してアウトライン情報を生成する。そして、ライブラリ生成プログラム２１は、追加マッチングパターンのアウトライン情報と、同一グループとする第１の階層のアウトライン情報との共通部分を、新たな第１の階層のアウトライン情報としてライブラリＬＢに格納する（Ｓ３２）。

【0056】

続いて、ライブラリ生成プログラム２１は、従来の第１の階層のアウトライン情報と新たな第１の階層のアウトライン情報との非共通部分を、第２の階層のアウトラインに関連する情報第１、２の階層間の第１アウトライン情報としてライブラリＬＢに格納する（Ｓ３３）。また、ライブラリ生成プログラム２１は、追加マッチングアウトライン情報と新たな第１の階層のアウトライン情報との非共通部分を追加マッチングパターンに対応する第１、２の階層間の第２アウトライン情報としてライブラリＬＢに格納する（Ｓ３３）。これにより、ライブラリＬＢの再構築処理が完了し（Ｓ３４）、追加マッチングパターン情報ＡＰから対象の追加マッチングパターンが削除される（Ｓ３５）。

【0057】

一方、図６のフローチャート図において、マッチング対象パターンが、第１の階層のアウトライン情報とのマッチング処理において一致したものの（図６のＳ２１のＹＥＳ）、第２の階層のアウトライン情報とのマッチング処理において一致しない場合であって（Ｓ２４のＮＯ）、抽出すべきパターンとして同一グループに含めると判定された場合（Ｓ２５のＹＥＳ）のライブラリＬＢの再構築処理について説明する。

【0058】

マッチング対象パターンが抽出すべきパターンとして同一グループに含めると判定された場合（Ｓ２５のＹＥＳ）、同様にして、ライブラリＬＢの再構築処理が開始される（Ｓ３１）。この場合、追加マッチングパターンのアウトライン情報は、第１の階層のアウトライン情報と一致する（図６のＳ２１のＹＥＳ）。このため、第１の階層のアウトライン情報は変更されない。

【0059】

そこで、ライブラリ生成プログラム２１は、新たに登録する追加マッチングパターンのアウトライン情報を生成し、第１の階層のアウトライン情報との非共通部分を、追加マッチングパターンに対応する第２の階層のアウトライン情報としてライブラリＬＢに追加して格納する（Ｓ３２、Ｓ３３）。そして、ライブラリＬＢの再構築処理が完了し（Ｓ３４）、追加マッチングパターン情報ＡＰから対象の追加マッチングパターンが削除される（Ｓ３５）。

【0060】

［ライブラリＬＢの再構築処理の具体例］
図８は、ライブラリＬＢの再構築処理の具体例について説明する図である。この例では、同図の追加マッチングパターンＰ５（図２）のアウトライン情報ＰＬ５がライブラリＬＢに追加登録される。同図では、マッチング対象パターンが、第１の階層のアウトライン情報とのマッチング処理において一致しない場合（Ｓ２１のＮＯ）におけるライブラリＬＢの再構築処理の具体例について表される。

【0061】

ライブラリ生成プログラム２１は、追加マッチングパターンのアウトライン情報ＰＬ５と、従来の第１の階層Ｌ１のアウトライン情報Ａ１との共通部分を新たな第１の階層Ｌ１のアウトライン情報Ａ１１とする（Ｓ３２）。同図において、新たな第１の階層のアウトライン情報Ａ１１は、従来の第１の階層のアウトライン情報Ａ１に対して、アウトライン情報ＰＬ５と共通しない丸の点線部分ＺＺの線分が除外されている。

【0062】

続いて、ライブラリ生成プログラム２１は、新たな第１の階層のアウトライン情報Ａ１１と、従来の第１の階層のアウトライン情報Ａ１との非共通部分を、従来の第２の階層Ｌ２のアウトライン情報に対応する第１、２の階層間（ＬＸ）のアウトライン情報Ｚ１１として登録する（Ｓ３３）。図８において、第１、２の階層間（ＬＸ）のアウトライン情報Ｚ１１は、新たな第１の階層のアウトライン情報Ａ１１において除外された線分であって、従来の第１の階層のアウトライン情報Ａ１が有する丸の点線部分ＺＺの線分を有する。

【0063】

また、ライブラリ生成プログラム２１は、追加マッチングパターンＰ５のアウトライン情報ＰＬ５と新たな第１の階層のアウトライン情報Ａ１１との非共通部分を、追加マッチングパターンＰ５に対応する第１、２の階層間（ＬＸ）のアウトライン情報Ｚ１２として登録する（Ｓ３３）。このため、追加マッチングパターンＰ５に対応する第２の階層Ｌ２のアウトライン情報は生成されない。

【0064】

このように、追加マッチングパターンがライブラリＬＢに追加登録される。この方法によると、ライブラリＬＢに新たに追加マッチングパターンが登録される場合であっても、従来の第２の階層Ｌ２のアウトライン情報Ｂ１〜Ｂ３が変更されない。例えば、第２の階層Ｌ２のアウトライン情報の数が多量である場合、第２の階層のアウトライン情報を変更する必要がないことにより、追加マッチングパターンが効率的に簡易に登録可能になる。また、例えば、第１、２の階層間（ＬＸ）に登録された追加マッチングライブラリＬＢに対応するアウトライン情報が増加した場合、当該アウトライン情報のうち、共通部分を有するアウトライン情報に対応する追加マッチングライブラリＬＢ群を、別グループとして分類しなおしてもよい。

【0065】

［別のライブラリＬＢの再構築処理］
なお、ライブラリ生成プログラム２１は、マッチング対象パターンが、第１の階層のアウトライン情報とのマッチング処理において一致しない場合であって（Ｓ２１のＮＯ）、抽出すべきパターンとして同一グループに含めると判定された場合（Ｓ２２のＹＥＳ）、別の方法によって、ライブラリＬＢを再構築してもよい。

【0066】

この場合、ライブラリ生成プログラム２１は、追加マッチングパターンの追加マッチングアウトライン情報と同一グループとして分類される第１の階層のアウトライン情報との共通部分を新たな第１の階層のアウトライン情報として、複数の登録マッチングパターンのアウトライン情報及び追加マッチングアウトライン情報と、新たな第１の階層のアウトライン情報との非共通部分それぞれを新たな第２の階層のアウトライン情報としてライブラリＬＢに格納しなおす。

【0067】

図９は、別のライブラリＬＢの再構築処理における具体例について説明する図である。図８の具体例と同様にして、追加マッチングパターンＰ５（図２）のアウトライン情報ＰＬ５がライブラリＬＢに追加される。

【0068】

ライブラリ生成プログラム２１は、追加マッチングパターンのアウトライン情報ＰＬ５と、従来の第１の階層のアウトライン情報Ａ１との共通部分を、新たな第１の階層Ｌ１のアウトライン情報Ａ１１としてライブラリＬＢに格納しなおす。また、ライブラリ生成プログラム２１は、新たな第１の階層のアウトライン情報Ａ１１と、アウトライン情報ＰＬ１〜ＰＬ３、及び、追加マッチングパターンのアウトライン情報ＰＬ５との非共通部分を、それぞれ第２の階層の複数のアウトライン情報Ｂ１１〜Ｂ１４としてそれぞれライブラリＬＢに格納しなおす。

【0069】

別の方法によると、新たに追加マッチングパターンが登録される場合、従来の第２の階層のアウトライン情報についても変更される。ただし、ライブラリＬＢの階層数が２階層に押さえられることから、ライブラリＬＢの構成が簡易になる。

【0070】

以上のように、本実施の形態例におけるパターンマッチング方法では、マスクパターンのパターンであって同一グループとして分類された複数の登録マッチングパターンのアウトラインの共通部分を第１の階層のアウトライン情報、非共通部分を第２の階層のアウトライン情報として有するライブラリＬＢが参照される。

【0071】

まず、第１のマッチング工程として、当該ライブラリＬＢが参照されることによって、マッチング対象パターンのマッチング対象アウトライン情報が、複数の第１の階層のアウトライン情報と一致するか否かマッチングされる。そして、第２のマッチング工程として、第１のマッチング工程で一致した場合に、一致した第１の階層のアウトライン情報に関連する複数の第２の階層のアウトライン情報と一致するか否かマッチングされ、マッチング対象パターンが、一致した第１、２の階層のアウトライン情報に対応する登録マッチングパターンと一致すると判定される。

【0072】

これにより、第１のマッチング工程によって、第１の階層のアウトライン情報とのマッチング処理の結果に基づいて、第２の階層のアウトライン情報とのマッチング処理の対象となるマッチング対象パターンが絞り込まれる。このため、第２のマッチング工程では、マッチング対象パターンについて、一致した第１の階層と関連する第２の階層とマッチング対象パターンとのマッチングのみが行われることにより、パターンマッチング処理が効率化される。これにより、マッチング回数が低減されると共に、マッチング処理にかかる時間が短縮される。

【0073】

また、マスクパターンのパターンマッチング処理のように、微妙に異なる複数の登録マッチングパターンがライブラリＬＢに登録される場合、登録マッチングパターンが類似する。このため、登録マッチングパターンの情報の効果的な階層化が可能になり、第１の階層のアウトライン情報数が抑えられると共に、第１のマッチング工程によるフィルタリングがより効果的に行われる。また、本実施の形態例におけるパターンマッチング方法によると、マッチング率の許容範囲を設定する必要がない。このため、マッチング処理によって、抽出対象のパターンと一致するパターンのみが抽出可能となる。

【0074】

さらに、マスクパターンの場合、微妙に異なる複数のパターンのうち、原図を同一とする複数のパターン毎にグループ化されることで、容易に分類が可能である。これにより、登録マッチングパターンが効果的に階層化され、マッチング回数をより効果的に低減させることができる。また、第２の階層のアウトライン情報とマッチング対象アウトライン情報とのマッチング処理が並列に処理分散されることによって、処理速度の向上が可能となる。

【0075】

さらに、本実施の形態例におけるパターンマッチング方法によると、ライブラリＬＢは、さらに、ライブラリＬＢに新たに登録される追加マッチングパターンの追加マッチングアウトライン情報と同一グループとして分類される第１の階層のアウトライン情報との共通部分を新たな第１の階層のアウトライン情報として有する。また、ライブラリＬＢは、第１の階層のアウトライン情報と新たな第１の階層のアウトライン情報との非共通部分を第２の階層のアウトラインに関連する第１、２の階層間の第１アウトライン情報として、追加マッチングアウトライン情報と新たな第１の階層のアウトライン情報との非共通部分を追加マッチングパターンに対応する第１、２の階層間の第２アウトライン情報としてそれぞれ有する。

【0076】

そして、第２のマッチング工程は、第２の階層のアウトライン情報とのマッチング前に、一致した第１の階層のアウトライン情報に関連する第１、２アウトライン情報と一致するか否かマッチングし、第１アウトライン情報と一致する場合には複数の第２の階層アウトライン情報と一致するか否かマッチングし、第２アウトライン情報と一致する場合にマッチング対象パターンが追加マッチングパターンと一致すると判定する。

【0077】

これにより、本実施の形態例におけるパターンマッチング方法によると、第２の階層のアウトライン情報を変更することなく、新たな追加マッチングパターンを簡易に登録可能となる。このため、パターンマッチング方法によると、ライブラリＬＢに登録マッチングパターンを追加し学習させ続けることが容易になる。また、特に、第２の階層のアウトライン情報の数が多い場合、第２の階層のアウトライン情報を変更する必要がないことにより、追加マッチングパターンを効率的に登録することが可能になる。

【0078】

また、本実施の形態例におけるパターンマッチング方法によると、ライブラリＬＢは、さらに、ライブラリＬＢに新たに登録される追加マッチングパターンであって、第１のマッチング工程において一致する追加マッチングパターンの追加マッチングアウトライン情報と、一致した第１の階層のアウトライン情報との非共通部分を、当該追加マッチングパターンに対応する第２の階層のアウトライン情報として有する。そして、第２のマッチング工程は、第２の階層のアウトライン情報のうち、追加マッチングパターンに対応する第２の階層のアウトライン情報と一致する場合にマッチング対象パターンが追加マッチングパターンと一致すると判定する。

【0079】

これにより、本実施の形態例におけるパターンマッチング方法によると、第２の階層のアウトライン情報を変更することなく、簡易に、新たな追加マッチングパターンを簡易に登録可能となる。このため、パターンマッチング方法によると、ライブラリＬＢに登録マッチングパターンを追加し続けて学習させることが容易になる。

【0080】

以上の実施の形態をまとめると、次の付記のとおりである。

【0081】

（付記１）
半導体製造工程における、設計パターンの光近接効果補正後のマスクパターンのパターンマッチング方法であって、
前記マスクパターンのパターンであって同一グループとして分類された複数の登録マッチングパターンのアウトラインの共通部分を第１の階層のアウトライン情報、非共通部分を第２の階層のアウトライン情報として有するライブラリを参照し、マッチング対象パターンのマッチング対象アウトライン情報を、複数の前記第１の階層のアウトライン情報と一致するか否かマッチングする第１のマッチング工程と、
前記第１のマッチング工程で一致した場合に、前記ライブラリを参照して前記一致した第１の階層のアウトライン情報に関連する複数の前記第２の階層のアウトライン情報と一致するか否かマッチングし、前記マッチング対象パターンが、一致した前記第１、２の階層のアウトライン情報に対応する登録マッチングパターンと一致すると判定する第２のマッチング工程と、を有するパターンマッチング方法。

【0082】

（付記２）
付記１において、
前記ライブラリは、さらに、前記ライブラリに新たに登録される追加マッチングパターンの追加マッチングアウトライン情報と同一グループとして分類される前記第１の階層のアウトライン情報との共通部分を新たな第１の階層のアウトライン情報として、前記第１の階層のアウトライン情報と前記新たな第１の階層のアウトライン情報との非共通部分を前記第２の階層のアウトライン情報に関連する前記第１、２の階層間の第１アウトライン情報として、前記追加マッチングアウトライン情報と前記新たな第１の階層のアウトライン情報との非共通部分を前記追加マッチングパターンに対応する前記第１、２の階層間の第２アウトライン情報としてそれぞれ有し、
前記第２のマッチング工程は、前記第２の階層のアウトライン情報とのマッチング前に、前記一致した第１の階層のアウトライン情報に関連する第１、２アウトライン情報と一致するか否かマッチングし、前記第１アウトライン情報と一致する場合には前記複数の第２の階層アウトライン情報と一致するか否かマッチングし、前記第２アウトライン情報と一致する場合には前記マッチング対象パターンが前記追加マッチングパターンと一致すると判定するパターンマッチング方法。

【0083】

（付記３）
付記１において、
前記ライブラリは、さらに、前記ライブラリに新たに登録される追加マッチングパターンであって、前記第１のマッチング工程において一致する追加マッチングパターンの追加マッチングアウトライン情報と、前記一致した第１の階層のアウトライン情報との非共通部分を、当該追加マッチングパターンに対応する前記第２の階層のアウトライン情報として有し、
前記第２のマッチング工程は、前記第２の階層のアウトライン情報のうち、前記追加マッチングパターンに対応する第２の階層のアウトライン情報と一致する場合に前記マッチング対象パターンが前記追加マッチングパターンと一致すると判定するパターンマッチング方法。

【0084】

（付記４）
設計パターンの光近接効果補正後のマスクパターンの生成方法であって、
前記マスクパターンを生成する生成工程と、
前記マスクパターンのパターンであって同一グループとして分類された複数の登録マッチングパターンのアウトラインの共通部分を第１の階層のアウトライン情報、非共通部分を第２の階層のアウトライン情報として有するライブラリを参照し、マッチング対象パターンのマッチング対象アウトライン情報を、複数の前記第１の階層のアウトライン情報と一致するか否かマッチングする第１のマッチング工程と、
前記第１のマッチング工程で一致した場合に、前記ライブラリを参照して前記一致した第１の階層のアウトライン情報に関連する複数の前記第２の階層のアウトライン情報と一致するか否かマッチングし、前記マッチング対象パターンが、一致した前記第１、２の階層のアウトライン情報に対応する登録マッチングパターンと一致すると判定する第２のマッチング工程と、
前記第２のマッチング工程において一致したと判定された前記マッチング対象パターンを抽出する抽出工程と、を有するマスクパターンの生成方法。

【0085】

（付記５）
付記４において、
前記ライブラリは、さらに、前記ライブラリに新たに登録される追加マッチングパターンの追加マッチングアウトライン情報と同一グループとして分類される前記第１の階層のアウトライン情報との共通部分を新たな第１の階層のアウトライン情報として、前記第１の階層のアウトライン情報と前記新たな第１の階層のアウトライン情報との非共通部分を前記第２の階層のアウトライン情報に関連する前記第１、２の階層間の第１アウトライン情報として、前記追加マッチングアウトライン情報と前記新たな第１の階層のアウトライン情報との非共通部分を前記追加マッチングパターンに対応する前記第１、２の階層間の第２アウトライン情報としてそれぞれ有し、
前記第２のマッチング工程は、前記第２の階層のアウトライン情報とのマッチング前に、前記一致した第１の階層のアウトライン情報に関連する第１、２アウトライン情報と一致するか否かマッチングし、前記第１アウトライン情報と一致する場合には前記複数の第２の階層アウトライン情報と一致するか否かマッチングし、前記第２アウトライン情報と一致する場合には前記マッチング対象パターンが前記追加マッチングパターンと一致すると判定するマスクパターンの生成方法。

【0086】

（付記６）
付記４において、
前記ライブラリは、さらに、前記ライブラリに新たに登録される追加マッチングパターンであって、前記第１のマッチング工程において一致する追加マッチングパターンの追加マッチングアウトライン情報と、前記一致した第１の階層のアウトライン情報との非共通部分を、当該追加マッチングパターンに対応する前記第２の階層のアウトライン情報として有し、
前記第２のマッチング工程は、前記第２の階層のアウトライン情報のうち、前記追加マッチングパターンに対応する第２の階層のアウトライン情報と一致する場合に前記マッチング対象パターンが前記追加マッチングパターンと一致すると判定するマスクパターンの生成方法。

【0087】

（付記７）
半導体製造工程における、設計パターンの光近接効果補正後のマスクパターンのパターンマッチング処理において参照されるライブラリの構築方法であって、
前記マスクパターンのパターンであって同一グループとして分類された複数の登録マッチングパターンのアウトラインの共通部分を第１の階層のアウトライン情報として前記ライブラリに登録する第１の登録工程と、
前記複数の登録マッチングパターンのアウトラインの非共通部分を第２の階層のアウトライン情報として登録する第２の登録工程とを有し、
前記ライブラリは、マッチング対象パターンと前記複数の登録マッチングパターンとのマッチング処理において参照され、
前記第１の階層のアウトライン情報は、前記マッチング対象パターンのマッチング対象アウトライン情報と一致するか否かマッチングされ、
前記第２の階層のアウトライン情報については、前記第１の階層のアウトライン情報とのマッチングにおいて一致した場合に、前記一致した第１の階層のアウトライン情報に関連する複数の前記第２の階層のアウトライン情報が前記マッチング対象アウトライン情報と一致するか否かマッチングされ、一致した前記第１、２の階層のアウトライン情報に対応する登録マッチングパターンが前記マッチング対象パターンと一致すると判定されるライブラリの構築方法。

【0088】

（付記８）
付記７において、さらに、
前記ライブラリに新たに登録される追加マッチングパターンの追加マッチングアウトライン情報と、当該追加マッチングパターンと同一グループとして分類される前記第１の階層のアウトライン情報との共通部分を新たな第１の階層のアウトライン情報として登録すると共に、前記第１の階層のアウトライン情報と前記新たな第１の階層のアウトライン情報との非共通部分を前記第２の階層のアウトライン情報に関連する前記第１、２の階層間の第１アウトライン情報として、前記追加マッチングアウトライン情報と前記新たな第１の階層のアウトライン情報との非共通部分を前記追加マッチングパターンに対応する前記第１、２の階層間の第２アウトライン情報としてそれぞれ登録するライブラリ再構築工程と、を有し、
前記第１、２アウトライン情報については、前記第２の階層のアウトライン情報とのマッチング前に、前記一致した第１の階層のアウトライン情報に関連する第１、２アウトライン情報が前記マッチング対象アウトライン情報と一致するか否かマッチングされ、前記第１アウトライン情報と一致する場合には前記複数の第２の階層アウトライン情報と一致するか否かマッチングされ、前記第２アウトライン情報と一致する場合には前記追加マッチングパターンが前記マッチング対象パターンと一致すると判定されるライブラリの構築方法。

【0089】

（付記９）
付記７において、さらに、
前記ライブラリに新たに登録される追加マッチングパターンであって、前記第１の階層のアウトライン情報と一致する追加マッチングパターンの追加マッチングアウトライン情報と、前記一致した第１の階層のアウトライン情報との非共通部分を、当該追加マッチングパターンに対応する前記第２の階層のアウトライン情報として登録するライブラリ再構築工程と、を有し、
前記マッチング対象アウトライン情報は、前記追加マッチングパターンに対応する第２の階層のアウトライン情報と一致する場合に、前記追加マッチングパターンが前記マッチング対象パターンと一致すると判定されるライブラリの構築方法。

【符号の説明】

【0090】

１００：パターンマッチング処理装置、１０：処理装置、１１：記憶装置、１２：入力装置、１３：出力装置１３、１４：ライブラリ記憶領域、１５：マッチング対象パターン記憶領域、１６：マッチング抽出パターン記憶領域、１７：プログラム領域、２０：パターンマッチングプログラム、２１：ライブラリ生成プログラム

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】