特許 5960122 マルチチャンネル高周波発生器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】5960122

(24)【登録日】2016年7月1日

(45)【発行日】2016年8月2日

(54)【発明の名称】マルチチャンネル高周波発生器

(51)【国際特許分類】

   H03F 3/20 20060101AFI20160719BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALI20160719BHJP

   H01L 21/31 20060101ALI20160719BHJP

   H03F 3/68 20060101ALI20160719BHJP

   H03G 3/20 20060101ALI20160719BHJP

   H05H 1/46 20060101ALI20160719BHJP

【ＦＩ】

   H03F3/20

   H01L21/302 101G

   H01L21/31 C

   H03F3/68 Z

   H03G3/20 B

   H05H1/46 R

【請求項の数】29

【全頁数】19

(21)【出願番号】特願2013-502571(P2013-502571)

(86)(22)【出願日】2011年1月17日

(65)【公表番号】特表2013-528969(P2013-528969A)

(43)【公表日】2013年7月11日

(86)【国際出願番号】US2011021447

(87)【国際公開番号】WO2011123184

(87)【国際公開日】20111006

【審査請求日】2013年3月13日

【審判番号】不服2015-6019(P2015-6019/J1)

【審判請求日】2015年4月1日

(31)【優先権主張番号】12/760,771

(32)【優先日】2010年4月15日

(33)【優先権主張国】US

(31)【優先権主張番号】61/320,450

(32)【優先日】2010年4月2日

(33)【優先権主張国】US

(73)【特許権者】

【識別番号】592053963

【氏名又は名称】エム ケー エス インストルメンツ インコーポレーテッド

【氏名又は名称原語表記】ＭＫＳ ＩＮＳＴＲＵＭＥＮＴＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

(74)【代理人】

【識別番号】110000338

【氏名又は名称】特許業務法人ＨＡＲＡＫＥＮＺＯ ＷＯＲＬＤ ＰＡＴＥＮＴ ＆ ＴＲＡＤＥＭＡＲＫ

(72)【発明者】

【氏名】フィスク，ラリー ジェー．

(72)【発明者】

【氏名】サピオ，アドリアン

【合議体】

【審判長】 森川 幸俊

【審判官】 関谷 隆一

【審判官】 井上 信一

(56)【参考文献】

【文献】 特表２００７−５３２０２８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 欧州特許出願公開第１７５０３６６（ＥＰ，Ａ２）

【文献】 米国特許第５１５５５４７（ＵＳ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

H03F3/21,3/68

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

マルチチャンネル高周波（ＲＦ）発生器モジュールであって、
Ｎ個の高周波チャンネルをそれぞれ生成するＮ個の電力増幅器と、
Ｍ個のドライバ制御信号にそれぞれ基づき、上記Ｎ個の電力増幅器を駆動するＭ個のドライバと、
交流（ＡＣ）入力電力を受電し、Ｌ個のレール電圧設定値にそれぞれ基づき、上記Ｎ個の電力増幅器へＬ個のレール電圧を入力する電力供給モジュールと、
上記Ｌ個のレール電圧設定値およびＭ個のドライバ制御信号を設定する制御モジュールとを備え、
Ｎは１より大きい整数であり、ＬおよびＭは０より大きい整数であり、かつＮ以下であることを特徴とするマルチチャンネル高周波発生器モジュール。

【請求項2】

Ｌ、Ｍ、およびＮは、２に等しいことを特徴とする、請求項１に記載のマルチチャンネル高周波発生器モジュール。

【請求項3】

ＬおよびＭの一方が２に等しく、ＬおよびＭのもう一方が１に等しいことを特徴とする、請求項１に記載のマルチチャンネル高周波発生器モジュール。

【請求項4】

Ｎ個の高周波チャンネルに応じたＮ個の反射係数をそれぞれ決定するパラメータ決定モジュールをさらに備え、
上記制御モジュールは、上記Ｎ個の反射係数にそれぞれ基づき、上記Ｍ個のドライバ制御信号を決定し、
ＭはＮに等しいことを特徴とする、請求項１に記載のマルチチャンネル高周波発生器モジュール。

【請求項5】

上記Ｎ個の高周波チャンネルに応じたＮ個の反射係数をそれぞれ決定するパラメータ決定モジュールと、
分配モジュールとをさらに備え、
上記制御モジュールは、上記Ｎ個の反射係数のうちの最大のものに基づき、一つのドライバ制御信号を決定し、
Ｍは１に等しく、上記一つのドライバ制御信号に基づき、一つのドライバが一つのドライバ信号を生成し、
上記分配モジュールは、上記一つのドライバ信号からＮ個のドライバ信号を生成し、上記Ｎ個のドライバ信号にそれぞれ基づき、上記Ｎ個の電力増幅器を駆動することを特徴とする、請求項１に記載のマルチチャンネル高周波発生器モジュール。

【請求項6】

上記Ｎ個の高周波チャンネルに応じたＮ個の実効的な入射電力およびＮ個の反射係数をそれぞれ決定するパラメータ決定モジュールをさらに備え、
上記制御モジュールは、上記Ｎ個の実効的な入射電力にそれぞれ基づき、上記Ｌ個のレール電圧設定値を設定し、
ＬはＮに等しいことを特徴とする、請求項１に記載のマルチチャンネル高周波発生器モジュール。

【請求項7】

上記Ｎ個の高周波チャンネルに応じたＮ個の実効的な入射電力をそれぞれ決定するパラメータ決定モジュールと、
上記Ｎ個の実効的な入射電力に基づき、上記マルチチャンネル高周波発生器モジュールの全入射電力を決定するフィードバックモジュールとをさらに備え、
上記制御モジュールは、上記全入射電力に基づき、上記Ｌ個のレール電圧設定値を設定することを特徴とする、請求項１に記載のマルチチャンネル高周波発生器モジュール。

【請求項8】

上記パラメータ決定モジュールは、上記Ｎ個の高周波チャンネルに応じたＮ個の反射係数をさらにそれぞれ決定し、
上記フィードバックモジュールは、上記Ｎ個の実効的な入射電力と上記Ｎ個の反射係数の関数に基づき、上記全入射電力を決定することを特徴とする、請求項７に記載のマルチチャンネル高周波発生器モジュール。

【請求項9】

上記フィードバックモジュールは、上記全入射電力を、上記Ｎ個の実効的な入射電力の平均に等しく設定することを特徴とする、請求項７に記載のマルチチャンネル高周波発生器モジュール。

【請求項10】

上記パラメータ決定モジュールは、上記Ｎ個の高周波チャンネルに応じたＮ個の反射係数をさらにそれぞれ決定し、
上記フィードバックモジュールは、上記Ｎ個の高周波チャンネルのうちの一つの反射係数の第一の絶対値が、上記Ｎ個の高周波チャンネルのうちの別の反射係数の第二の絶対値に比べて大きいとき、上記全入射電力を、上記Ｎ個の高周波チャンネルのうちの一つと関連するＮ個の入射電力のうちの一つと等しく設定することを特徴とする、請求項７に記載のマルチチャンネル高周波発生器モジュール。

【請求項11】

上記パラメータ決定モジュールは、上記Ｎ個の高周波チャンネルに応じたＮ個の反射係数をさらにそれぞれ決定し、
上記フィードバックモジュールは、上記全入射電力を、

【数1】

に等しく設定し、
Ｎは２に等しく、ΓＮは上記Ｎ個の反射係数のうちのＮ番目のものであり、ＰＦｗｄＮは上記Ｎ個の実効的な入射電力のうちのＮ番目のものであることを特徴とする、請求項７
に記載のマルチチャンネル高周波発生器モジュール。

【請求項12】

上記パラメータ決定モジュールは、上記Ｎ個の高周波チャンネルに応じたＮ個の反射係数をさらにそれぞれ決定し、
上記フィードバックモジュールは、上記全入射電力を、

【数2】

に等しく設定し、
Ｎは２に等しく、ΓＮは上記Ｎ個の反射係数のうちのＮ番目のものであり、ＰＦｗｄ_Ｎは上記Ｎ個の実効的な入射電力の内のＮ番目のものであることを特徴とする、請求項７に記載のマルチチャンネル高周波発生器モジュール。

【請求項13】

マルチチャンネル高周波（ＲＦ）発生器モジュールであって、
Ｎ個の高周波チャンネルをそれぞれ生成するＮ個の電力増幅器と、
Ｍ個のドライバ制御信号にそれぞれ基づき、上記Ｎ個の電力増幅器を駆動するＭ個のドライバと、
交流（ＡＣ）入力電力を受電し、Ｌ個のレール電圧設定値にそれぞれ基づき、上記Ｎ個の電力増幅器へＬ個のレール電圧を入力する電力供給モジュールと、
上記Ｎ個の高周波チャンネルに応じたＮ個の実効的な入射電力をそれぞれ決定し、かつ、上記Ｎ個の高周波チャンネルに応じたＮ個の反射係数をそれぞれ決定するパラメータ決定モジュールと、
上記Ｎ個の実効的な入射電力および上記Ｎ個の反射係数に基づき、上記マルチチャンネル高周波発生器モジュールの全入射電力を決定するフィードバックモジュールと、
上記全入射電力に基づき、上記Ｌ個のレール電圧設定値を制御する制御モジュールとを備え、
Ｎは１より大きい整数であり、ＬおよびＭの一方は１より大きい整数であり、ＬおよびＭのもう一方は１に等しいことを特徴とするマルチチャンネル高周波発生器モジュール。

【請求項14】

上記フィードバックモジュールは、上記全入射電力を、上記Ｎ個の実効的な入射電力の平均に等しく設定することを特徴とする、請求項１３に記載のマルチチャンネル高周波発生器モジュール。

【請求項15】

上記フィードバックモジュールは、上記Ｎ個の高周波チャンネルのうちの一つの反射係数の第一の絶対値が、上記Ｎ個の高周波チャンネルのうちの別の反射係数の第二の絶対値に比べて大きいとき、上記全入射電力を、上記Ｎ個の高周波チャンネルのうちの一つと関連する上記Ｎ個の実効的な入射電力のうちの一つと等しく設定することを特徴とする、請求項１３に記載のマルチチャンネル高周波発生器モジュール。

【請求項16】

上記フィードバックモジュールは、上記全入射電力を、

【数3】

に等しく設定し、
Ｎは２に等しく、ΓＮは上記Ｎ個の反射係数のうちのＮ番目のものであり、ＰＦｗｄ_Ｎは上記Ｎ個の実効的な入射電力のうちのＮ番目のものであることを特徴とする、請求項１３に記載のマルチチャンネル高周波発生器モジュール。

【請求項17】

上記フィードバックモジュールは、上記全入射電力を、

【数4】

に等しく設定し、
Ｎは２に等しく、ΓＮは上記Ｎ個の反射係数のうちのＮ番目のものであり、ＰＦｗｄ_Ｎは上記Ｎ個の実効的な入射電力のうちのＮ番目のものであることを特徴とする、請求項１３に記載のマルチチャンネル高周波発生器モジュール。

【請求項18】

分配モジュールをさらに備え、
上記制御モジュールは、上記Ｎ個の反射係数のうちの最大のものに基づき、一つのドライバ制御信号を生成し、
Ｍは１に等しく、上記一つのドライバ制御信号に基づき、一つのドライバが一つのドライバ信号を生成し、
上記分配モジュールは、上記一つのドライバ信号からＮ個のドライバ信号を生成し、上記Ｎ個のドライバ信号にそれぞれ基づき、上記Ｎ個の電力増幅器を駆動することを特徴とする、請求項１３に記載のマルチチャンネル高周波発生器モジュール。

【請求項19】

マルチチャンネル高周波（ＲＦ）発生器モジュールであって、
高周波チャンネルをそれぞれ生成する少なくとも二つの電力増幅器と、
少なくとも一つのドライバ制御信号に基づき、上記電力増幅器を駆動する少なくとも一つのドライバと、
交流（ＡＣ）入力電力を受電し、少なくとも一つのレール電圧設定値に基づき、上記電力増幅器へ少なくとも一つのレール電圧を入力する電力供給モジュールと、
上記少なくとも一つのレール電圧設定値を設定し、かつ、上記少なくとも一つのドライバ制御信号を設定する制御モジュールとを備えることを特徴とするマルチチャンネル高周波発生器モジュール。

【請求項20】

上記少なくとも二つの電力増幅器は二つの電力増幅器を備え、上記少なくとも一つのドライバは二つのドライバを備え、上記少なくとも一つのレール電圧は二つのレール電圧を含むことを特徴とする、請求項１９に記載のマルチチャンネル高周波発生器モジュール。

【請求項21】

上記少なくとも二つの電力増幅器の高周波チャンネルに応じた少なくとも二つの反射係数をそれぞれ決定するパラメータ決定モジュールをさらに備え、
上記制御モジュールは、上記反射係数に基づき、上記少なくとも一つのドライバ制御信号を設定することを特徴とする、請求項１９に記載のマルチチャンネル高周波発生器モジュール。

【請求項22】

上記少なくとも二つの電力増幅器の高周波チャンネルに応じた少なくとも二つの反射係数をそれぞれ決定するパラメータ決定モジュールと、
分配モジュールとをさらに備え、
上記制御モジュールは、上記反射係数のうちの最大のものに基づき、一つのドライバ制御信号のみを決定し、
上記少なくとも一つのドライバは一つのドライバのみを備え、上記ドライバは、上記一つのドライバ制御信号に基づき、一つのドライバ信号を生成し、
上記分配モジュールは、上記一つのドライバ信号から少なくとも二つのドライバ信号を生成し、上記少なくとも二つのドライバ信号にそれぞれ基づき、上記少なくとも二つの電力増幅器を駆動することを特徴とする、請求項１９に記載のマルチチャンネル高周波発生器モジュール。

【請求項23】

上記少なくとも二つの電力増幅器の高周波チャンネルに応じた、少なくとも二つの実効的な入射電力および少なくとも二つの反射係数をそれぞれ決定するパラメータ決定モジュールをさらに備え、
上記制御モジュールは、上記実効的な入射電力に基づき、上記少なくとも一つのレール電圧設定値を設定することを特徴とする、請求項１９に記載のマルチチャンネル高周波発生器モジュール。

【請求項24】

上記少なくとも二つの電力増幅器の高周波チャンネルに応じた少なくとも二つの実効的な入射電力をそれぞれ決定するパラメータ決定モジュールと、
上記少なくとも二つの実効的な入射電力に基づき、上記マルチチャンネル高周波発生器モジュールの全入射電力を決定するフィードバックモジュールとをさらに備え、
上記制御モジュールは、上記全入射電力に基づき、上記少なくとも一つのレール電圧設定値を設定することを特徴とする、請求項１９に記載のマルチチャンネル高周波発生器モジュール。

【請求項25】

マルチチャンネル高周波（ＲＦ）発生器モジュールであって、
高周波チャンネルをそれぞれ生成するための少なくとも二つの電力増幅手段と、
少なくとも一つのドライバ制御信号に基づき、上記電力増幅手段を駆動するための少なくとも一つのドライバ手段と、
交流（ＡＣ）入力電力を受電し、少なくとも一つのレール電圧設定値に基づき、上記電力増幅手段へ少なくとも一つのレール電圧を入力するための電力供給手段と、
上記少なくとも一つのレール電圧設定値を設定し、かつ、上記少なくとも一つのドライバ制御信号を設定するための制御手段とを備えることを特徴とするマルチチャンネル高周波発生器。

【請求項26】

上記少なくとも二つの電力増幅手段の高周波チャンネルに応じた少なくとも二つの反射係数をそれぞれ決定するための決定手段をさらに備え、
上記制御手段は、上記反射係数にそれぞれ基づき、上記少なくとも一つのドライバ制御信号を設定するためのものであることを特徴とする、請求項２５に記載のマルチチャンネル高周波発生器。

【請求項27】

上記少なくとも二つの電力増幅手段の高周波チャンネルに応じた少なくとも二つの反射係数をそれぞれ決定するための決定手段と、
分配手段とをさらに備え、
上記制御手段は、上記反射係数のうちの最大のものに基づき、一つのドライバ制御信号のみを決定するためのものであり、
上記少なくとも一つのドライバ手段は、上記一つのドライバ制御信号に基づき、一つのドライバ信号のみを生成するための一つのドライバ手段のみを備え、
上記分配手段は、上記一つのドライバ信号から少なくとも二つのドライバ信号を生成し、上記少なくとも二つのドライバ信号にそれぞれ基づき、上記少なくとも二つの電力増幅手段を駆動するためのものであることを特徴とする、請求項２５に記載のマルチチャンネル高周波発生器。

【請求項28】

上記少なくとも二つの電力増幅手段の高周波チャンネルに応じた少なくとも二つの実効的な入射電力および少なくとも二つの反射係数を決定するための決定手段をさらに備え、
上記制御手段は、上記実効的な入射電力に基づき、上記少なくとも一つのレール電圧設定値を設定するためのものであることを特徴とする、請求項２５に記載のマルチチャンネル高周波発生器。

【請求項29】

上記少なくとも二つの電力増幅手段の高周波チャンネルに応じた少なくとも二つの実効的な入射電力をそれぞれ決定するための決定手段と、
上記少なくとも二つの実効的な入射電力に基づき、上記マルチチャンネル高周波発生器の全入射電力を決定するためのフィードバック手段とをさらに備え、
上記制御手段は、上記全入射電力に基づき、上記少なくとも一つのレール電圧設定値を設定するためのものであることを特徴とする、請求項２５に記載のマルチチャンネル高周波発生器。

【発明の詳細な説明】

【発明の詳細な説明】

【0001】

［関連出願への相互参照］
本出願は、２０１０年４月２日に出願された米国の仮出願番号６１／３２０，４５０号の権利を主張している、２０１０年４月１５日に出願された米国の出願番号１２／７６０，７７１号に対して、優先権を主張する。上記出願の開示全体は、本明細書に参照として組み入れられる。

【0002】

［分野］
本開示は、プラズマチャンバおよび高周波（ＲＦ）発生器に関する。

【0003】

［背景］
ここで記述される背景の説明は、本開示の背景を一般的に示すためのものである。現在名前を挙げられている発明者の業績は、本背景部分で記述される範囲において、出願時に先行技術とはみなされない本明細書の様態と同様に、明示的にも黙示的にも、本開示に対する先行技術としては認められない。

【0004】

高周波（ＲＦ）発生器は、交流（ＡＣ）入力電力を受電し、高周波出力を生成する。上記高周波出力は、例えば、プラズマチャンバのプラズマ電極に入力されてよい。しかし、ある場合には、プラズマチャンバは複数のプラズマ電極を備えていてよい。例えば、ソーラーパネルの製造に使用されるプラズマチャンバの場合、一つのプラズマ電極が作用する面積に比べ、処理を受ける表面積が大きいため、一つより多くのプラズマ電極が必要とされることがある。典型的なシステムは、マルチカソードの薄膜蒸着システムや、多周波数の薄膜エッチング／蒸着システムと呼ばれる。

【0005】

従って、一つより多くの特定の高周波発生器が、いくつかの場合において使用される。上記高周波発生器のそれぞれは高周波出力を生成し、上記高周波出力を上記プラズマ電極のうちの一つに入力する。上記高周波発生器は、特定の高周波出力を生成するために、電気的に接続されていてよい。

【0006】

［概要］
マルチチャンネル高周波（ＲＦ）発生器モジュールは、Ｎ個の電力増幅器と、Ｍ個のドライバと、電力供給モジュールと、制御モジュールとを備えている。上記Ｎ個の電力増幅器は、Ｎ個の高周波出力をそれぞれ生成する。上記Ｍ個のドライバは、Ｍ個のドライバ制御信号にそれぞれ基づき、上記Ｎ個の電力増幅器を駆動する。上記電力供給モジュールは、交流（ＡＣ）入力電力を受電し、Ｌ個のレール電圧設定値にそれぞれ基づき、Ｌ個のレール電圧を上記Ｎ個の電力増幅器に入力する。上記制御モジュールは、上記Ｌ個のレール電圧設定値および上記Ｍ個のドライバ制御信号を設定する。Ｎは１より大きい整数である。ＬおよびＭは０より大きい整数であり、かつＮ以下である。

【0007】

他の形態において、マルチチャンネル高周波（ＲＦ）発生器モジュールは、Ｎ個の電力増幅器と、Ｍ個のドライバと、電力供給モジュールと、パラメータ決定モジュールと、フィードバックモジュールと、制御モジュールとを備えている。上記Ｎ個の電力増幅器は、Ｎ個の高周波出力をそれぞれ生成する。上記Ｍ個のドライバは、Ｍ個のドライバ制御信号にそれぞれ基づき、上記Ｎ個の電力増幅器を駆動する。上記電力供給モジュールは、交流（ＡＣ）入力電力を受電し、Ｌ個のレール電圧設定値にそれぞれ基づき、Ｌ個のレール電圧を上記Ｎ個の電力増幅器に入力する。上記パラメータ決定モジュールは、上記Ｎ個の高周波出力に応じたＮ個の実効的な入射電力をそれぞれ決定し、かつ、上記Ｎ個の高周波出力に応じたＮ個の反射係数をそれぞれ決定する。上記フィードバックモジュールは、上記Ｎ個の実効的な入射電力および上記Ｎ個の反射係数に基づき、上記マルチチャンネル高周波発生器モジュールの全入射電力を決定する。上記制御モジュールは、上記全入射電力に基づき、上記Ｌ個のレール電圧設定値を制御する。Ｎは１より大きい整数である。ＬおよびＭは０より大きい整数であり、かつＮ以下である。

【0008】

さらに他の形態において、マルチチャンネル高周波（ＲＦ）発生器モジュールは、それぞれ高周波出力を生成する少なくとも二つの電力増幅器と、少なくとも一つのドライバ制御信号に基づき、上記電力増幅器を駆動する少なくとも一つのドライバと、交流（ＡＣ）入力電力を受電し、少なくとも一つのレール電圧設定値に基づき、少なくとも一つのレール電圧を上記電力増幅器に入力する電力供給モジュールと、上記少なくとも一つのレール電圧設定値および上記少なくとも一つのドライバ制御信号を設定する制御モジュールとを備えている。

【0009】

他の形態において、マルチチャンネル高周波（ＲＦ）発生器は、それぞれ高周波出力を生成するための少なくとも二つの電力増幅手段と、少なくとも一つのドライバ信号に基づき、上記電力増幅手段を駆動するための少なくとも一つのドライバ手段と、交流（ＡＣ）入力電力を受電し、少なくとも一つのレール電圧設定値に基づき、少なくとも一つのレール電圧を上記電力増幅手段に入力するための電力供給手段と、上記少なくとも一つのレール電圧設定値および上記少なくとも一つのドライバ信号を設定するための制御手段とを備えている。

【0010】

さらに他の形態において、上述のシステムは、一つ以上のプロセッサで実行されるコンピュータプログラムによって実現される。上記コンピュータプログラムは、メモリに限らず、不揮発性データストレージ、および／または、他の好適な有形的な記憶媒体といった、有形的なコンピュータ可読媒体に保存されてよい。

【0011】

本開示のさらなる適用可能範囲が、以降の詳細な説明によって明らかになる。詳細な説明および特定の実施例は、例証を意図したものであり、本開示の範囲を制限することを意図したものではないことが理解されるであろう。

【0012】

［図面の簡単な説明］
詳細な説明および以下の添付図面から、本開示がさらに十分に理解されるであろう。

【0013】

図１は、本開示の原則に基づいた、典型的なマルチチャンネル高周波（ＲＦ）プラズマチャンバシステムの機能ブロック図である。

【0014】

図２は、本開示の原則に基づいた、典型的なシングルドライブ、シングルレール、デュアルチャンネルの高周波発生器システムの機能ブロック図である。

【0015】

図３は、本開示の原則に基づいた、典型的なシングルドライブ、デュアルレール、デュアルチャンネルの高周波発生器システムの機能ブロック図である。

【0016】

図４は、本開示の原則に基づいた、典型的なデュアルドライブ、シングルレール、デュアルチャンネルの高周波発生器システムの機能ブロック図である。

【0017】

図５は、本開示の原則に基づいた、典型的なデュアルドライブ、デュアルレール、デュアルチャンネルの高周波発生器システムの機能ブロック図である。

【0018】

図６および図７は、本開示の原則に基づいた、典型的な制御モジュールの機能ブロック図である。

【0019】

［詳細な説明］
以下の記載は、本質的には単に例を示すだけのものであり、その開示、出願、使用を制限する意図は決してない。明瞭化のために、同一の参照番号は、同一の部材を特定するために、図面中で使用される。ここで用いられる、Ａ、Ｂ、Ｃのうちの少なくとも一つという語句は、非排他的論理和（ｏｒ）による論理式（Ａ ｏｒ Ｂ ｏｒ Ｃ）を意味するものと解釈される。ある方法におけるステップは、本開示の原則を変更することなく、異なった順序で実行されてよいことが理解される。

【0020】

ここで用いられる、モジュールという用語は、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、電気回路、一つ以上のソフトウェアまたはファームウェアのプログラムを実行するプロセッサ（共有プロセッサ、専用プロセッサ、グループプロセッサ）およびメモリ、組み合わせ論理回路、および／または、上述の機能を実現する他の好適な構成要素を指す。

【0021】

ここで、図１を見ると、典型的なマルチチャンネル高周波（ＲＦ）プラズマチャンバシステム１００を実現する機能ブロック図が示されている。図１はデュアルチャンネル高周波プラズマチャンバシステムを示しているが、本開示の原則は二つ以上のチャンネルを備えた高周波発生器システムに適用される。

【0022】

マルチチャンネル高周波（ＲＦ）発生器モジュール１０２は、交流（ＡＣ）入力電力を受電し、上記交流入力電力を用いて高周波出力を生成する。例えば、上記交流入力電力は、約４８０Ｖの交流（ＶＡＣ）または別の好適な電圧の三相交流電力であってよい。議論のために、マルチチャンネル高周波発生器モジュール１０２は、二つの高周波出力を生成するものとして以降記述される（つまり、デュアルチャンネル高周波発生器モジュールである）。しかし、マルチチャンネル高周波発生器モジュール１０２は、より多くの数の高周波出力を生成してよい。例えば、マルチチャンネル高周波発生器モジュール１０２は、プラズマチャンバ１０６のような、一つ以上のプラズマチャンバの中に備えられたプラズマ電極ごとに、高周波出力を生成してよい。

【0023】

マルチチャンネル高周波発生器モジュール１０２のような、一つのマルチチャンネル高周波発生器モジュールを用いて、複数の高周波出力を生成することにより、上記高周波出力の調整が可能となる。さらに具体的に言うと、一つのマルチチャンネル高周波発生器モジュールを用いて、上記複数の高周波出力を生成することにより、上記高周波出力の周波数、位相、および／または大きさを、ほぼ等しくすることができる。

【0024】

一つの高周波発生器は、通常一つの高周波出力を生成するので、複数の高周波出力を利用するシステムにおいて使用される構成要素（つまり部品）の数は、マルチチャンネル高周波発生器モジュール１０２のような、マルチチャンネル高周波発生器を用いることによって低減することができる。部品数の増加に伴い、システム信頼性は一般的に低下するので、マルチチャンネル高周波発生器を使用することによって、信頼性を向上させることができる。さらに、マルチチャンネル高周波発生器のコストは、同数の高周波出力を生成するために必要なシングルチャンネル高周波増幅器分のコストよりも低い。

【0025】

整合モジュール１１０は、上記高周波出力を受信し、上記高周波出力をプラズマチャンバ１０６に入力するのに先立ち、各高周波出力のインピーダンス整合を行う。マルチチャンネル高周波発生器モジュール１０２は、整合モジュール１１０を制御してよい。さらに具体的に言うと、マルチチャンネル高周波発生器モジュール１０２は、整合モジュール１１０がインピーダンス整合を行う範囲を制御してよい。

【0026】

整合モジュール１１０は、上記高周波出力を、プラズマチャンバ１０６内に備えられたプラズマ電極にそれぞれ入力する（図２〜図５を参照）。上記プラズマ電極への上記高周波出力の入力は、例えば、薄膜蒸着システム、薄膜エッチングシステム、および他の好適なシステムにおいて行われる。高周波出力は、他の好適なシステムにおいて使用されてもよい。

【0027】

マルチチャンネル高周波発生器モジュール１０２は、出力制御モジュール１４０と、ユーザインターフェースモジュール１４４と、共通励起（ＣＥＸ）モジュール１４８と、高周波生成モジュール１５２とを備えていてよい。マルチチャンネル高周波発生器モジュール１０２は、第一センサモジュール１５６と、第二センサモジュール１６０と、整合制御モジュール１６４とを備えていてもよい。

【0028】

出力制御モジュール１４０は、高周波生成モジュール１５２によって生成される高周波出力に応じた入力電力設定値（Ｐ Ｓｅｔ）を受信する。この高周波出力はプラズマ電極に供給される。上記入力電力設定値は、例えば、ユーザインターフェースモジュール１４４または別の好適なソースによって供給されてよい。上記入力電力設定値の別の好適なソースは、例えば、ユニバーサルスタンダード（ＵＳ）２３２接続、イーサネット（登録商標）接続、ワイヤレス接続、またはフロントパネル入力によって供給される、診断入力またはユーザ入力を備えていてよい。外部ソース（図示せず）は、出力制御モジュール１４０で使用可能な高周波信号（ＣＥＸ Ｉｎ）を入力してもよい。上記高周波信号は、出力されるか、ＣＥＸモジュール１４８による入力または出力（ＣＥＸ Ｏｕｔ）に対して利用されてもよい。例えば、上記高周波信号は、一つ以上の他のプラズマチャンバ（図示せず）向けの高周波出力を生成する、一つ以上の他のマルチチャンネル高周波発生器モジュールへ出力されてよい。

【0029】

第一センサモジュール１５６および第二センサモジュール１６０は、高周波生成モジュール１５２によって生成された、第一高周波出力および第二高周波出力の電圧および電流をそれぞれ測定することができる。第一センサモジュール１５６および第二センサモジュール１６０は、出力制御モジュール１４０へ、上記電圧および電流を示す信号をそれぞれ入力することができる。例えば、第一センサモジュール１５６および第二センサモジュール１６０は、高周波カプラ、プローブ、または別の好適なタイプのセンサをそれぞれ備えていてよい。他の形態において、第一センサモジュール１５６および第二センサモジュール１６０は、上記第一高周波出力および第二高周波出力に関連した、第一入射電力／第二入射電力と第一反射電力／第二反射電力とを示す信号をそれぞれ出力することができる。入射電力は、供給される電力の合計と言える。反射電力は、反射される電力の合計と言える。第一センサモジュール１５６および第二センサモジュール１６０の上記出力は、フィードバック信号と言える。上記フィードバック信号は、デジタル信号またはアナログ信号であってよい。

【0030】

第一センサモジュール１５６からの上記フィードバック信号のうちの一つ以上に基づき、出力制御モジュール１４０は、上記第一高周波出力に応じた第一入射電力を決定することができる。出力制御モジュール１４０は、第二センサモジュール１６０からの上記フィードバック信号のうちの一つ以上に基づき、上記第二高周波出力に応じた第二入射電力を決定することができる。出力制御モジュール１４０は、第一センサモジュール１５６および第二センサモジュール１６０からそれぞれ出力されるフィードバック信号のうちの一つ以上に基づき、第一反射係数および第二反射係数を決定することができる。

【0031】

出力制御モジュール１４０は、第一入射電力／第二入射電力と第一反射係数／第二反射係数とにそれぞれ基づいたフィードバックアプローチを用いて、第一高周波出力および第二高周波出力の生成を制御する。さらに具体的に言うと、出力制御モジュール１４０は、一つ以上のレール電圧設定値、および／または一つ以上のドライバ制御信号を、高周波生成モジュール１５２へ入力する。高周波生成モジュール１５２は、上記レール電圧設定値に基づき、一つ以上のレール電圧（つまり、電力増幅器へ入力される電圧）を制御し、上記ドライバ制御信号に基づき、電力増幅器の駆動を制御する。

【0032】

ここで、図２を見ると、典型的なシングルレール、シングルドライブ、デュアルチャンネルの高周波発生器システム２００の機能ブロック図が示されている。電力供給モジュール２０２は、上記交流入力電力を受電する。電力供給モジュール２０２は、レール電圧設定値（Ｒａｉｌ Ｓｅｔ）に基づき、第一電力増幅器２０６および第二電力増幅器２０８へ入力されるレール電圧（Ｒａｉｌ）を調整する。本開示の目的に関して、レール電圧は所定の電力増幅器に入力される電圧と言える。

【0033】

分配モジュール２１４は、ドライバ信号（Ｄｒｉｖｅｒ）を受信し、上記ドライバ信号から、第一ドライバ信号および第二ドライバ信号（Ｄｒｉｖｅｒ１およびＤｒｉｖｅｒ２）を生成する。ドライバ２１０は分配モジュール２１４へドライバ信号を入力する。ドライバ２１０は、前置増幅器を備えていてもよい。分配モジュール２１４は、第一ドライバ信号および第二ドライバ信号を、第一電力増幅器２０６および第二電力増幅器２０８へそれぞれ入力する。

【0034】

上記第一ドライバ信号および第二ドライバ信号は、第一電力増幅器２０６および第二電力増幅器２０８をそれぞれ駆動する。第一電力増幅器２０６および第二電力増幅器２０８は、各電力増幅器に入力される上記ドライバ信号および上記レール電圧に基づき、高周波出力をそれぞれ生成する。例えば、図２の典型的な実施形態において、第一電力増幅器２０６は、上記第一ドライバ信号および上記レール電圧に基づき、第一高周波出力を生成し、第二電力増幅器２０８は、上記第二ドライバ信号および上記レール電圧に基づき、第二高周波出力を生成する。

【0035】

第一センサモジュール１５６は、上記第一高周波出力の電圧および電流（Ｖ１およびＩ１）を測定し、その測定結果を出力制御モジュール１４０へ入力することができる。第二センサモジュール１６０は、上記第二高周波出力の電圧および電流（Ｖ２およびＩ２）を測定し、その測定結果を出力制御モジュール１４０へ入力することができる。上記第一高周波出力および第二高周波出力は、プラズマチャンバ１０６の第一プラズマ電極２２０および第二プラズマ電極２２４へ、それぞれ入力される。上記第一高周波出力および第二高周波出力は、第一プラズマ電極２２０および第二プラズマ電極２２４へ入力されるのに先立ち、図１の整合モジュール１１０へ入力されてよい。

【0036】

出力制御モジュール１４０は、パラメータ決定モジュール２４０と、フィードバックモジュール２４４と、最大選択モジュール２４８と、制御モジュール２５２とを備えていてよい。図示されていないが、パラメータ決定モジュール２４０は、アナログ・デジタル（Ａ／Ｄ）コンバータと、マルチプレクサと、決定モジュールとを備えていてよい。図示されていないが、上記Ａ／Ｄコンバータおよび上記マルチプレクサは、あるいは、パラメータ決定モジュール２４０の外部に設けられてよい。

【0037】

上記Ａ／Ｄコンバータは、第一センサモジュール１５６および第二センサモジュール１６０からの上記フィードバック信号を、上記測定されたパラメータに応じたデジタル値へとそれぞれ変換することができる。上記Ａ／Ｄコンバータは、上記フィードバック信号がデジタル信号である場合には、省略可能である。上記マルチプレクサは、第一センサモジュール１５６および第二センサモジュール１６０のうちの一方の測定結果に関連するチャンネルを選択し、そのデジタル値を処理または格納することができる。上記マルチプレクサは、第一センサモジュール１５６および第二センサモジュール１６０のうちのもう一方に関連するチャンネルを選択し、それらのデジタル値を処理または格納することができる。上記マルチプレクサは、全てのチャンネルの値が処理または格納されるまで、このプロセスを継続することができる。例えば、上記マルチプレクサは、時分割マルチプレクサ（ＴＤＭ）、周波数分割マルチプレクサ（ＦＤＭ）、または別の好適なマルチプレクサを備えていてよい。

【0038】

パラメータ決定モジュール２４０は、上記第一高周波出力に応じた第一反射係数（Γ１）を決定する。パラメータ決定モジュール２４０は、上記第二高周波出力に応じた第二反射係数（Γ２）を決定する。パラメータ決定モジュール２４０は、第一センサモジュール１５６および第二センサモジュール１６０からの上記フィードバック信号のうちの一つ以上に基づき、上記第一反射係数および上記第二反射係数をそれぞれ決定することができる。パラメータ決定モジュール２４０は、上記第一高周波出力の第一入射電力（ＰＦｗｄ１）、および上記第二高周波出力の第二入射電力（ＰＦｗｄ２）をもそれぞれ決定する。上記第一入射電力および上記第二入射電力は、それぞれ、第一供給電力および第二供給電力とも言える。様々な形態において、パラメータ決定モジュール２４０は、上記第一高周波出力および上記第二高周波出力のそれぞれに応じた反射電力をも決定することができる。

【0039】

フィードバックモジュール２４４は、上記第一入射電力および上記第二入射電力に基づき、全入射電力（ＰＦｗｄ）を決定する。例として、フィードバックモジュール２４４は、以下の関係式を用いて、上記全入射電力を決定することができる。

【0040】

【数1】

【0041】

ここで、ＰＦｗｄは上記全入射電力である。ＰＦｗｄ_Ｎは、Ｎ番目の高周波出力による入射電力である。Γ_Ｎは、上記Ｎ番目の高周波出力に応じて決定される反射係数である。Ｎは１より大きい整数である。

【0042】

別の例として、フィードバックモジュール２４４は、上記第一入射電力と上記第二入射電力の平均に基づき、上記全入射電力を決定することができる。例えば、二つの高周波出力を備えたシステムに対して、フィードバックモジュール２４４は、以下の等式を用いて、上記全入射電力を決定することができる。

【0043】

【数2】

【0044】

別の例として、フィードバックモジュール２４４は、以下の関係式を用いて、上記全入射電力を決定することができる。

【0045】

【数3】

【0046】

別の例として、フィードバックモジュール２４４は、二つの高周波出力を備えたシステムに対して、以下の等式を用いて、上記全入射電力を決定することができる。

【0047】

【数4】

【0048】

別の例として、フィードバックモジュール２４４は、二つの高周波出力を備えたシステムに対して、以下の等式を用いて、上記全入射電力を決定することができる。

【0049】

【数5】

【0050】

最大選択モジュール２４８は、上記第一反射係数および上記第二反射係数を受信する。最大選択モジュール２４８は、上記第一反射係数と上記第二反射係数とを比較し、それらのうちの大きい方を決定する。最大選択モジュール２４８は、上記第一反射係数および上記第二反射係数のうちの上記大きい方を、最大反射係数（ΓＭａｘ）として出力する。これにより、出力制御モジュール１４０は、より高い反射係数を備えたチャンネルに対する反応性が良くなる。

【0051】

制御モジュール２５２は、上記レール電圧設定値を決定し、ドライバ制御信号（Ｄｒｉｖｅｒ Ｓｅｔ）を生成する。制御モジュール２５２は、上記最大反射係数に基づき、上記ドライバ制御信号を生成することができる（図６の実線を参照）。制御モジュール２５２は、上記第一反射係数および上記第二反射係数に基づき、第一ドライバ制御信号および第二ドライバ制御信号を生成し、上記第一ドライバ信号と上記第二ドライバ信号とを組み合わせ、ドライバ制御信号とすることができる（図６の点線を参照）。ドライバ２１０は、上記ドライバ制御信号に基づき、上記ドライバ信号を生成する。

【0052】

制御モジュール２５２は、上記入力電力設定値（Ｐ ｓｅｔ）および上記最大反射係数に基づき、入射電力設定値を決定する。制御モジュール２５２は、上記入射電力設定値と上記入射電力（ＰＦｗｄ）との差に基づき、誤差を決定する。制御モジュール２５２は、上記誤差に基づき、上記レール電圧設定値（Ｒａｉｌ Ｓｅｔ）を決定する。

【0053】

ここで、図３を見ると、典型的なデュアルレール、シングルドライブ、デュアルチャンネルの高周波発生器システム３００の機能ブロック図が示されている。電力供給モジュール３０２は、上記交流入力電力を受電する。電力供給モジュール３０２は、第一レール電圧設定値および第二レール電圧設定値（Ｒａｉｌ １ ＳｅｔおよびＲａｉｌ ２ Ｓｅｔ）にそれぞれ基づき、第一電力増幅器２０６および第二電力増幅器２０８へ入力される第一レール電圧および第二レール電圧（Ｒａｉｌ １およびＲａｉｌ ２）を調整する。

【0054】

制御モジュール３５２は、ドライバ２１０へドライバ制御信号（Ｄｒｉｖｅｒ Ｓｅｔ）を入力し、電力供給モジュール３０２へ上記第一レール電圧設定値および第二レール電圧設定値を入力する。図３の制御モジュール３５２は、図２の制御モジュール２５２と類似の方法、または同一の方法で、上記ドライバ制御信号を生成することができる。制御モジュール３５２（図７を参照）は、上記第一反射係数および上記第二反射係数にそれぞれ基づき、上記第一高周波出力および上記第二高周波出力に応じた、第一高周波出力設定値および第二高周波出力設定値を決定する。制御モジュール３５２は、上記電力設定値（ＰＦｗｄ）にさらに基づき、第一入射電力設定値および第二入射電力設定値を決定する。

【0055】

制御モジュール３５２は、上記第一入射電力設定値と上記第一入射電力との差に基づき、上記第一高周波出力に応じた第一誤差を決定する。制御モジュール３５２は、上記第二入射電力設定値と上記第二入射電力との差に基づき、上記第二高周波出力に応じた第二誤差を決定する。制御モジュール３５２は、上記第一誤差および上記第二誤差にそれぞれ基づき、上記第一レール電圧設定値および第二レール電圧設定値を決定する。

【0056】

ここで、図４を見ると、典型的なシングルレール、デュアルドライブ、デュアルチャンネルの高周波発生器システム４００の機能ブロック図が示されている。第一電力増幅器２０６および第二電力増幅器２０８は、自身に入力される上記ドライバ信号および上記レール電圧に基づき、高周波出力をそれぞれ生成する。例えば、図４の典型的な実施形態において、第一電力増幅器２０６は、第一ドライバ信号（Ｄｒｉｖｅｒ １）および上記レール電圧に基づき、第一高周波出力を生成する。第二電力増幅器２０８は、第二ドライバ信号（Ｄｒｉｖｅｒ ２）および上記レール電圧に基づき、第二高周波出力を生成する。

【0057】

制御モジュール４５２は、電力供給モジュール２０２へ、レール電圧設定値（Ｒａｉｌ Ｓｅｔ）を入力する。制御モジュール４５２は、第一ドライバ２１１および第二ドライバ２１２へ、第一ドライバ制御信号および第二ドライバ制御信号（Ｄｒｉｖｅｒ １ ＳｅｔおよびＤｒｉｖｅｒ ２ Ｓｅｔ）をそれぞれ入力する。制御モジュール４５２は、図２の制御モジュール２５２と類似の方法、または同一の方法で、上記レール電圧設定値を決定することができる。制御モジュール４５２は、第一反射係数および上記第二反射係数にそれぞれ基づき、上記第一ドライバ制御信号および上記第二ドライバ制御信号を生成する。

【0058】

ここで、図５を見ると、典型的なデュアルレール、デュアルドライブ、デュアルチャンネルの高周波発生器システム５００の機能ブロック図が示されている。電力供給モジュール５０２は、上記交流入力電力を受電する。電力供給モジュール５０２は、第一レール電圧設定値および第二レール電圧設定値（Ｒａｉｌ １ ＳｅｔおよびＲａｉｌ ２ Ｓｅｔ）に基づき、第一電力増幅器２０６および第二電力増幅器２０８へ入力される第一レール電圧および第二レール電圧（Ｒａｉｌ １およびＲａｉｌ ２）を調整する。

【0059】

第一電力増幅器２０６および第二電力増幅器２０８は、自身に入力される上記ドライバ制御信号および上記レール電圧に基づき、高周波出力をそれぞれ生成する。例えば、図５の典型的な実施形態において、第一電力増幅器２０６は、第一ドライバ信号（Ｄｒｉｖｅｒ １）および上記第一レール電圧に基づき、第一高周波出力を生成する。第二高周波増幅器２０８は、第二ドライバ信号（Ｄｒｉｖｅｒ ２）および上記第二レール電圧に基づき、第二高周波出力を生成する。

【0060】

制御モジュール５５２は、第一ドライバ２１１および第二ドライバ２１２へ、第一ドライバ制御信号および第二ドライバ制御信号（Ｄｒｉｖｅｒ １ ＳｅｔおよびＤｒｉｖｅｒ ２ Ｓｅｔ）をそれぞれ入力する。第一ドライバ２１１および第二ドライバ２１２は、上記第一ドライバ制御信号および上記第二ドライバ制御信号にそれぞれ基づき、上記第一ドライバ信号および上記第二ドライバ信号を生成する。制御モジュール５５２は、電力供給モジュール５０２へ、上記第一レール電圧設定値および上記第二レール電圧設定値をも入力する。制御モジュール５５２は、図３の制御モジュール３５２と類似の方法、または同一の方法で、上記第一レール電圧設定値および上記第二レール電圧設定値を決定することができる。制御モジュール５５２は、図４の制御モジュール４５２と類似の方法、または同一の方法で、上記第一ドライバ制御信号および上記第二ドライバ制御信号を決定することができる。

【0061】

ここで、図６を見ると、典型的な制御モジュール６５２の機能ブロック図が示されている。図２の制御モジュール２５２および図４の制御モジュール４５２は、制御モジュール６５２と類似または同一のものであってよく、あるいは、制御モジュール６５２と類似の方法、または同一の方法で動作してよい。制御モジュール６５２は、シングルレール、および／またはシングルドライブ、マルチチャンネルの高周波発生器システムを制御することができる。シングルレール、デュアルドライブ、マルチチャンネルの高周波発生器システム、または、デュアルレール、シングルドライブ、マルチチャンネルの高周波発生器システムの場合、制御モジュール６５２の一部は、制御モジュール７５２の一部に組み込まれてもよい。制御モジュール７５２は、図７の典型的な実施形態に関連して以下で議論される。制御モジュール６５２は、ドライバ制御モジュール６０２と、絶対値モジュール６０６と、電力制限モジュール６１０と、誤差モジュール６１４と、レール電圧制御モジュール６１８とを備えていてよい。

【0062】

ドライバ制御モジュール６０２は、上記最大反射係数および上記入力電力設定値に基づき、ドライバ制御信号（Ｄｒｉｖｅｒ Ｓｅｔ）を生成する。他の形態において、ドライバ制御モジュール６０２は、上記最大反射係数および上記レール電圧設定値に基づき、上記ドライバ制御信号を生成することができる。上記ドライバ制御信号は、ドライバ２１０のような、ドライバまたはドライバ／前置増幅器へ入力されてよい。上記ドライバは、上記ドライバ制御信号に基づき、ドライバ信号を生成する。分配モジュール２１４のようなスプリッタは、上記ドライバ信号から、第一ドライバ信号および第二ドライバ信号を生成し、第一電力増幅器２０６および第二電力増幅器２０８のような、第一電力増幅器および第二電力増幅器へ、上記第一ドライバ信号および上記第二ドライバ信号を入力する。

【0063】

絶対値モジュール６０６は、上記最大反射係数の大きさ（つまり絶対値）（｜ΓＭａｘ｜）を決定することができる。電力制限モジュール６１０は、上記入力電力設定値および上記最大反射係数の絶対値に基づき、入射電力設定値（ＰＦｗｄ Ｓｅｔ）を決定する。他の形態において、絶対値モジュール６０６は省略可能であり、電力制限モジュール６１０は、上記最大反射係数（複素数形式）および上記入力電力設定値に基づき、上記入射電力設定値を決定することができる。

【0064】

誤差モジュール６１４は、上記入射電力設定値および入射電力（ＰＦｗｄ）に基づき、入射電力誤差（ＰＦｗｄ Ｅｒｒｏｒ）を決定する。さらに具体的に言うと、誤差モジュール６１４は、上記入射電力設定値と上記入射電力の差に基づき、上記入射電力誤差を決定する。上記入射電力は、フィードバックモジュール２４４によって供給されてよい。

【0065】

レール電圧制御モジュール６１８は、上記入射電力誤差に基づき、レール電圧設定値（Ｒａｉｌ Ｓｅｔ）を決定する。例えば、レール電圧制御モジュール６１８は、上記入射電力誤差を上記レール電圧設定値に関係付ける関数または写像に基づき、上記レール電圧設定値を決定することができる。

【0066】

別の様々な形態において、制御モジュール６５２は、第一ドライバ制御モジュール６２２と、第二ドライバ制御モジュール６２６と、結合器モジュール６３０とを備えていてよい。第一ドライバ制御モジュール６２２は、上記第一反射係数および上記入力電力設定値に基づき、第一ドライバ制御信号（Ｄｒｉｖｅｒ １ Ｓｅｔ）を決定することができる。第二ドライバ制御モジュール６２６は、上記第二反射係数および上記入力電力設定値に基づき、第二ドライバ制御信号（Ｄｒｉｖｅｒ ２ Ｓｅｔ）を決定することができる。他の形態において、第一ドライバ制御モジュール６２２および第二ドライバ制御モジュール６２６は、上記第一反射係数と上記第二反射係数のそれぞれ、および上記レール電圧設定値に基づき、上記第一ドライバ制御信号および上記第二ドライバ制御信号を決定することができる。

【0067】

結合器モジュール６３０は、上記第一ドライバ制御信号、および／または上記第二ドライバ制御信号に基づき、ドライバ制御信号（Ｄｒｉｖｅｒ Ｓｅｔ）を決定することができる。例えば、結合器モジュール６３０は、上記ドライバ制御信号を上記第一ドライバ制御信号と上記第二ドライバ制御信号のうちの小さい方に設定する、上記第一ドライバ制御信号と上記第二ドライバ制御信号との可変の線形結合に基づき上記ドライバ制御信号を決定する、または別の好適な方法で上記ドライバ制御信号を決定することができる。

【0068】

ここで、図７を見ると、制御モジュール７５２の典型的な形態の機能ブロック図が示されている。図３の制御モジュール３５２および図５の制御モジュール５５２は、制御モジュール７５２と類似または同一のものであってよい。制御モジュール７５２は、デュアルレール、および／またはデュアルドライブ、マルチチャンネルの高周波発生器システムを制御することができる。

【0069】

制御モジュール７５２は、第一ドライバ制御モジュール７０２と、第二ドライバ制御モジュール７０６と、絶対値モジュール７１０と、第一電力制限モジュール７１４と、第二電力制限モジュール７１８と、第一誤差モジュール７２２と、第二誤差モジュール７２６と、第一レール電圧制御モジュール７３０と、第二レール電圧制御モジュール７３４とを備えていてよい。第一ドライバ制御モジュール７０２および第二ドライバ制御モジュール７０６は、上記第一反射係数と上記第二反射係数のそれぞれ、および上記入力電力設定値に基づき、第一ドライバ制御信号および第二ドライバ制御信号（Ｄｒｉｖｅｒ １ ＳｅｔおよびＤｒｉｖｅｒ ２ Ｓｅｔ）を決定することができる。上記第一ドライバ制御信号および上記第二ドライバ制御信号は、第一ドライバ２１１および第二ドライバ２１２のような、第一ドライバおよび第二ドライバへ入力されてよい。第一ドライバおよび第二ドライバは、上記第一ドライバ制御信号および上記第二ドライバ制御信号に基づきドライバ信号を生成し、第一電力増幅器２０６および第二電力増幅器２０８のような、第一電力増幅器および第二電力増幅器へ、上記第一ドライバ信号および上記第二ドライバ信号を入力する。

【0070】

絶対値モジュール７１０は、上記第一反射係数および上記第二反射係数の絶対値（｜Γ１｜および｜Γ２｜）を決定することができる。第一電力制限モジュール７１４および第二電力制限モジュール７１８は、上記第一反射係数の絶対値および上記第二反射係数の絶対値にそれぞれ基づき、第一入射電力設定値および第二入射電力設定値（ＰＦｗｄ１ ＳｅｔおよびＰＦｗｄ２ Ｓｅｔ）を決定する。第一電力制限モジュール７１４および第二電力制限モジュール７１８は、上記入力電力設定値にさらに基づき、上記第一入射電力設定値および上記第二入射電力設定値を決定することができる。他の形態において、絶対値モジュール７１０は省略可能であり、第一電力制限モジュール７１４および第二電力制限モジュール７１８は、上記第一反射係数および上記第二反射係数（複素数形式）にそれぞれ基づき、上記第一入射電力設定値および上記第二入射電力設定値を決定することができる。

【0071】

第一誤差モジュール７２２および第二誤差モジュール７２６は、上記第一入射電力設定値と上記第二入射電力設定値、および第一入射電力と第二入射電力（ＰＦｗｄ１とＰＦｗｄ２）にそれぞれ基づき、第一入射電力誤差と第二入射電力誤差（ＰＦｗｄ１ ＥｒｒｏｒとＰＦｗｄ２ Ｅｒｒｏｒ）を決定する。さらに具体的に言うと、第一誤差モジュール７２２および第二誤差モジュール７２６は、上記第一入射電力設定値と上記第一入射電力との差、および上記第二入射電力設定値と上記第二入射電力との差にそれぞれ基づき、上記第一入射電力誤差および上記第二入射電力誤差を決定する。上記入射電力は、パラメータ決定モジュール２４０によって供給されてよい。

【0072】

第一レール電圧制御モジュール７３０および第二レール電圧制御モジュール７３４は、上記第一入射電力誤差および上記第二入射電力誤差にそれぞれ基づき、第一レール電圧設定値および第二レール電圧設定値（Ｒａｉｌ １ ＳｅｔおよびＲａｉｌ ２ Ｓｅｔ）を決定する。例えば、第一レール電圧設定モジュール７３０および第二レール電圧設定モジュール７３４は、上記第一入射電力誤差を上記第一レール電圧設定値に、上記第二入射電力誤差を上記第二レール電圧設定値に、それぞれ関係付ける関数または写像に基づき、上記第一レール電圧設定値および上記第二レール電圧設定値を決定する。

【0073】

本開示の幅広い説明は、様々な形でなされてよい。従って、当業者にとっては、図面、本明細書、および以下の特許請求の範囲を検討すれば、他の変更は明白なものとなるから、本開示は特定の実施例を含んでいるが、本開示の正確な範囲は制限されない。

【図面の簡単な説明】

【0074】

【図1】本開示の原則に基づいた、典型的なマルチチャンネル高周波（ＲＦ）プラズマチャンバシステムの機能ブロック図である。

【図2】本開示の原則に基づいた、典型的なシングルドライブ、シングルレール、デュアルチャンネルの高周波発生器システムの機能ブロック図である。

【図3】本開示の原則に基づいた、典型的なシングルドライブ、デュアルレール、デュアルチャンネルの高周波発生器システムの機能ブロック図である。

【図4】本開示の原則に基づいた、典型的なデュアルドライブ、シングルレール、デュアルチャンネルの高周波発生器システムの機能ブロック図である。

【図5】本開示の原則に基づいた、典型的なデュアルドライブ、デュアルレール、デュアルチャンネルの高周波発生器システムの機能ブロック図である。

【図6】本開示の原則に基づいた、典型的な制御モジュールの機能ブロック図である。

【図7】本開示の原則に基づいた、典型的な制御モジュールの機能ブロック図である。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】