特許5964573磁気トンネル接合構造体の製造方法及びこれを利用する磁気メモリ素子の製造方法

発明の名称　磁気トンネル接合構造体の製造方法及びこれを利用する磁気メモリ素子の製造方法

出願人　三星電子株式会社　（識別番号 390019839）

　　　　特許公開件数ランキング 102 位（295件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 114 位（233件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-5964573

公報発行日　2016年8月3

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-5964573

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