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公報発行日 2016年8月10
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【図1】本発明の硬質皮膜の形成に使用し得るアークイオンプレーティング装置の一例を示す正面図である。
【図2】本発明の硬質皮膜形成時にアーク放電式蒸発源に印加するパルスアーク電流波形の一例を示すグラフである。
【図3】実施例1の硬質皮膜被覆工具の断面を示す走査型電子顕微鏡写真(倍率:25,000倍)である。
【図4】実施例1の(AlTiW)NO皮膜の断面3ヶ所のTiの結合状態を示すX線光電子分光スペクトルを示すグラフである。
【図5】実施例1の(AlTiW)NO皮膜の断面3ヶ所のWの結合状態を示すX線光電子分光スペクトルを示すグラフである。
【図6】実施例1の(AlTiW)NO皮膜の断面3ヶ所のAlの結合状態を示すX線光電子分光スペクトルを示すグラフである。
【図7】実施例1の(AlTiW)NO皮膜のX線回折パターンを示すグラフである。
【図8】WC基超硬合金基体と硬質皮膜との間に改質層を有する実施例1の硬質皮膜被覆部材(インサート)における改質層近傍の断面を示す透過型電子顕微鏡写真(倍率:3,600,000倍)である。
【図9(a)】図8の透過型電子顕微鏡写真の概略図である。
【図9(b)】改質層の平均厚さを求める方法を示す概略図である。
【図10】実施例1の改質層のナノビーム回折像から結晶構造を解析した結果を示す図である。
【図11】実施例1の(AlTiW)NO皮膜のナノビーム回折像から結晶構造を解析した結果を示す一例である。
【図12】実施例1の改質層の断面のエネルギー分散型X線分析により得られたスペクトルを示すグラフである。
【図13】実施例1の(AlTiW)NO皮膜の制限視野回折像を示す写真である。
【図14】本発明の硬質皮膜被覆部材を構成するインサート基体の一例を示す斜視図である。
【図15】インサートを装着した刃先交換式回転工具の一例を示す概略図である。
【図16】実施例1の(AlTiW)NO皮膜の表面を示す走査型電子顕微鏡写真(倍率:3,000倍)である。
【図17】比較例19の(AlTiW)NO皮膜の表面を示す走査型電子顕微鏡写真(倍率:3,000倍)である。
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