(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
【発明を実施するための形態】
【0010】
(第1の実施形態)
第1の実施形態について
図1および
図2を参照して説明する。
図1に示すように、インバータ装置1は、三相交流電源2を入力する端子R,S,Tを備え、端子R,S,Tには整流器3が接続されている。この整流器3は、端子R,S,Tに入力された三相交流電源2の交流電源を入力し整流する。この整流器3の出力は主電源線N1およびN2に与えられている。この主電源線N1およびN2間には主回路コンデンサC1およびC2が直列接続されており、主回路コンデンサC1およびC2は整流器3の整流出力を平滑化し直流電力(直流電圧)を出力する。主回路コンデンサC1およびC2はそれぞれ数千μF程度(例えば6800μF)に設定されている。主回路コンデンサC1およびC2を複数直列接続しているが、これは整流器3による整流電圧がより高くても耐圧を確保できるようにするためである。
【0011】
この直流電力はDCDCコンバータ4に入力されている。DCDCコンバータ4は、入力された直流電力を電圧変換し、制御用直流電源V1について出力ノードN3を通じて制御回路5に供給する。主回路コンデンサC1およびC2が平滑化した直流電力はインバータ主回路6にも与えられている。インバータ主回路6は、入力した直流電力について制御回路5が出力するPWM制御信号に基づいて交流変換し三相交流電力をモータ7に供給する。
【0012】
通常動作時に、複数の主回路コンデンサC1およびC2の互いの電圧バランスを保つため、バランス回路8が主回路コンデンサC1およびC2の各端子間に接続されている。このバランス回路8は主回路コンデンサC1およびC2の電圧バラつきを補正するように構成されている。
【0013】
バランス回路8は、放電制御用スイッチ(制御スイッチ相当)9、直列抵抗10、および電圧安定化回路11を組み合わせて構成される。直列抵抗10は、主電源線N1及びN2間に、放電制御用スイッチ9の固定接点9a及び可動接点9cを介して抵抗Ra1乃至Ra4を直列接続して構成されている。本実施形態では、これらの抵抗Ra1乃至Ra4は、例えば互いに同一の抵抗値に設定されており、抵抗Ra2及びRa3間に放電制御用スイッチ9が接続されている。なお、抵抗Ra1乃至Ra4は、それぞれ例えば数百kΩ(例えば360kΩ)程度の抵抗値に設定されている。
【0014】
放電制御用スイッチ9は、前記の固定接点9aおよび可動接点9cの他に固定接点9bを備える。この放電制御用スイッチ9は、例えばaタイプのリレースイッチを用いて構成されるもので、通常動作時には固定接点9aおよび可動接点9cが導通接続され、放電制御回路12から放電指令信号が与えられると、固定接点9a側から固定接点9b側に接続を切換える。したがって、直列抵抗10は、通常動作時には抵抗Ra1〜Ra4が直列接続され、その後、放電制御回路12から放電指令信号が与えられると、抵抗Ra1及びRa2と抵抗Ra3及びRa4とが分断される。放電制御用スイッチ9は半導体スイッチを用いても良い。
【0015】
電圧安定化回路11は直列抵抗10の後段に接続されている。この電圧安定化回路11は、主電源線N1及びN2間に、第1通電抵抗となる抵抗Rc1、NPNトランジスタ(第1トランジスタ)Qbのコレクタエミッタ間、PNPトランジスタ(第2トランジスタ)Qaのエミッタコレクタ間、第2通電抵抗となる抵抗Rc2を直列接続すると共に、各トランジスタQb、Qaのベースエミッタ間に抵抗Rd1、Rd2をそれぞれ接続して構成される。
【0016】
また、トランジスタQaおよびQbのエミッタが共通接続されると共に、当該共通接続点が主回路コンデンサC1およびC2の共通接続点に接続されている。抵抗Rc1および抵抗Rc2は例えば互いに同一抵抗値に設定されると共に、抵抗Rd1と抵抗Rd2は例えば互いに同一抵抗値に設定されている。なお、抵抗Rc1、Rc2はそれぞれ数十kΩ(例えば28kΩ)の抵抗値に設定されており、抵抗Rd1、Rd2はそれぞれ数十kΩ(例えば180kΩ)の抵抗値に設定されている。本実施形態では、10が直列抵抗、Ra1+Ra2が第1抵抗、Ra3+Ra4が第2抵抗、Rc1が第1通電抵抗、Rc2が第2通電抵抗に相当する。
【0017】
他方、端子R,S,T及びDCDCコンバータ4の出力には、放電制御回路12が接続されている。放電制御回路12は、これらの端子R,S,Tの電源入力信号、整流器3の出力電圧(主電源線N1−N2間端子電圧V0)、及び/又は、DCDCコンバータ4の出力電圧V1、を入力し放電制御用スイッチ9に放電指令信号を出力する。
【0018】
放電制御回路12は、例えば、3相交流電源2を整流する整流器、各種抵抗、各種トランジスタ(例えばPNPトランジスタ、NPNトランジスタ、FET)などにより構成されるもので、例えば3相交流電源2の出力が遮断されることで、電源入力が所定の閾値電圧より低下したり、主電源線N1およびN2間の出力電圧V0、又は、DCDCコンバータ4の出力電圧V1が閾値電圧より低下したことを検出すると、放電制御用スイッチ9に放電指令信号を出力する。
【0019】
上記構成の作用について説明する。主回路コンデンサC1およびC2は大容量の電解コンデンサを用いることが多く、また、主回路コンデンサC1およびC2の共通接続ノードN4の電圧Vc2は、当該コンデンサC1及びC2の漏れ電流のバラつき差に応じて理想的な電圧(=V0/2)とは異なることが多い。そこで、本実施形態においてはバランス回路8が設けられている。
【0020】
前述したように、電源投入後の通常動作時には、放電制御用スイッチ9が可動接点9cと固定接点9aとを接続しており、直列抵抗10(Ra1及びRa2並びにRa3及びRa4)は全て直列接続されている。すると、主電源線N1およびN2間に供給される直流電圧が直列抵抗10に印加され、各トランジスタQb及びQaのベース(制御端子)にバイアス電圧Vaを与える。抵抗Ra1+Ra2:抵抗Ra3+Ra4の抵抗比が1:1に設定されていれば、このバイアス電圧Vaは主電源線N1およびN2間の直流電圧V0の1/2となる。
【0021】
主回路コンデンサC1およびC2は互いに同一容量値のものが用いられていれば、理想的にはノードN4の電圧Vc2は主電源線N1およびN2間電圧V0の1/2となる。すると、各トランジスタQb、Qaのベースエミッタ間電圧は0となるため、トランジスタQa、Qbは共にオフとなり、トランジスタQa、Qbは共に電流が流れることはない。
【0022】
しかし、各主回路コンデンサC1及びC2の素子間のバラつきに応じて、例えば主回路コンデンサC1の漏れ電流が主回路コンデンサC2の漏れ電流に比較して大きいと、主回路コンデンサC1の端子間電圧Vc1が主回路コンデンサC2の端子間電圧Vc2より小さくなり、ノードN4の電圧Vc2が理想的な電圧(=V0/2)から上昇する。この場合、
図1の回路構成によれば、トランジスタQbがオフしたままトランジスタQaがオンすることで抵抗Rc2に電流が流れ、電圧Vc2を小さくすることで理想的な電圧(=V0/2)に近付ける。
【0023】
逆に、主回路コンデンサC1の漏れ電流が主回路コンデンサC2の漏れ電流に比較して小さいと、主回路コンデンサC1の端子間電圧Vc1が主回路コンデンサC2の端子間電圧Vc2より大きくなり、ノードN4の電圧Vc2が理想的な電圧(=V0/2)から下降する。この場合、トランジスタQaがオフしたままトランジスタQbがオンすることで抵抗Rc1に電流が流れ、電圧Vc2を大きくすることで標準電圧(=V0/2)に近付ける。
【0024】
したがって、主回路コンデンサC1及びC2の漏れ電流のバラつき具合がどのような態様になったとしても、ノードN4の電圧を理想的な電圧(=V0/2)に近付けることができる。さて、例えば三相交流電源2の電源入力が遮断されると、放電制御回路10が放電制御用スイッチ9に放電指令信号を与える。放電制御スイッチ9は、可動接点9cの接続を固定接点9a側から固定接点9b側に切換える。
【0025】
すると、トランジスタQbのベース電圧は、主電源線N1の電圧に急激に引き寄せられる。このとき、トランジスタQaのベース電圧は、電圧Vaから電圧Va1(>Va)に上昇する。また同時に、トランジスタQaのベース電圧は、主電源線N2の電圧に急激に引き寄せられる。このとき、トランジスタQbのベース電圧は、電圧Vaから電圧Va2(<Va)に下降する。すると、各トランジスタQb、Qaのベースエミッタ間に当該トランジスタの閾値電圧以上の電圧がほぼ同時に印加され、トランジスタQb、Qaは同時にオンする。
【0026】
主回路コンデンサC1の蓄積電荷は主に抵抗Rc1およびトランジスタQbのコレクタエミッタ間を通じて放電され、主回路コンデンサC2の蓄積電荷は主にトランジスタQaおよび抵抗Rc2を通じて放電される。これにより例えば三相交流電源2の電源入力が遮断されたとしても、主回路コンデンサC1およびC2の蓄積電荷を安全に放電できる。
【0027】
図2は、放電指令前後の主電源線N1及びN2間の電圧V0と各コンデンサC1、C2の端子電圧Vc1、Vc2の放電特性を示す。なお、後述実施形態の
図4、
図6に示す特性では、横軸の時間スケール、縦軸の電圧スケール共に同一目盛で図示しているが、
図2に示す放電特性によれば、後述実施形態の
図4、
図6に示す放電特性よりも素早く放電できることがわかる。
【0028】
本実施形態によれば、通常動作時にはトランジスタQa、Qbがオンオフ動作することで、主回路コンデンサC1及びC2の共通接続ノードN4の電圧Vc2をほぼV0/2に保ちながら、電源遮断時には、放電制御用スイッチ9により直列抵抗10を複数に分断することで、電圧安定化回路11による複数の主回路コンデンサC1及びC2の電圧安定状態を崩している。
【0029】
具体的には、トランジスタQbのベース電圧を、電圧Vaから電圧Va1に上昇切換えすると同時に、トランジスタQaのベース電圧を電圧Vaから電圧Va2に下降切換えしている。すると、トランジスタQa、Qbが同時に且つ急激にオンすることで主回路コンデンサC1及びC2の蓄積電荷を急速放電できる。これにより、電源遮断したときに、主回路コンデンサC1及びC2の蓄積電荷を急速放電できる。
【0030】
(第2実施形態)
図3乃至
図6は、第2実施形態を示すもので、前述実施形態と異なるところは、バランス回路の構成を変更したところにある。前述実施形態と同一又は類似部分については同一又は類似符号(例えば100を加算した符号)を付して必要に応じて説明を省略し、異なる部分を中心に説明する。
【0031】
図3に示すように、バランス回路108は、主電源線N1及びN2間に、2つの直列抵抗110a、110bを並列接続した抵抗回路を備える。直列抵抗110aは抵抗Ra1乃至Ra4を直列接続して構成される。直列抵抗110bは抵抗Rb1乃至Rb5を直列接続して構成される。これらの抵抗Ra1乃至Ra4、及び、抵抗Rb1乃至Rb4は互いに同一の抵抗値に設定されている。抵抗Rb5は必ずしも抵抗Rb1〜Rb4と同一抵抗値に設定される必要はない。
【0032】
抵抗Ra1乃至Ra4および抵抗Rb1乃至Rb4の抵抗値はそれぞれ数百kΩ程度(例えば360kΩ)に設定され、抵抗Rb5の抵抗値もまた数百kΩ程度(例えば180kΩ)に設定されている。抵抗値比は、抵抗Ra1+Ra2の抵抗値:抵抗Ra3+Ra4の抵抗値=1:1、抵抗Ra1+Ra2+Ra3の抵抗値:抵抗Ra4の抵抗値=3:1に設定されている。
【0033】
本実施形態では、110aが第1直列抵抗、110bが第2直列抵抗、Ra1+Ra2が第3抵抗、Ra3+Ra4が第4抵抗、Rb1+Rb2が第5抵抗、Rb3+Rb4が第6抵抗、Rb5が第7抵抗に相当する。
【0034】
また、バランス回路108は、2つの直列抵抗110a、110bの後段に電圧安定化回路111を備える。この電圧安定化回路111は、前述実施形態の電圧安定化回路11の構成を主とし、各トランジスタQb、Qaのエミッタベース間にそれぞれ逆並列接続された保護ダイオードDb、Daを備える。
【0035】
抵抗Ra1及びRa2による直列抵抗と、抵抗Ra3及びRa4による直列抵抗との共通接続点N5は、トランジスタQaのベースに接続されている。また、抵抗Rb1及びRb2による直列抵抗と、抵抗Rb3乃至Rb5による直列抵抗との共通接続点N6は、トランジスタQbのベースに接続されている。
【0036】
保護ダイオードDb、Daは、主回路コンデンサC1、C2の端子間電圧にアンバランスが生じた場合や、主回路コンデンサC1、C2の何れかが何らかの影響によってショートモードとなり、当該端子間電圧にアンバランスが生じたときに、インバータ装置1の他の部分に当該異常が拡大しないようにするために設けられる。
【0037】
例えば、主回路コンデンサC1がショートすると、電圧Vc2=電圧V0となるため、トランジスタQbのベースエミッタ間に逆バイアスがかかる。このときの影響でトランジスタQbが異常となる可能性があるため保護ダイオードDbを設ける。逆もまた同様であり、トランジスタQaのベースエミッタ間には保護ダイオードDaが設けられている。
【0038】
なお、前述実施形態の
図1の構成では、主回路コンデンサC1及びC2の電圧分担が崩れたとしてもトランジスタQb、Qaのベースエミッタ間に逆バイアスを生じることはないため、
図1に示す回路構成では本実施形態の保護ダイオードDb、Daを設ける必要はない。
【0039】
放電制御用スイッチ109は、例えば所謂c接点タイプのリレースイッチを用いて構成されており、その可動接点9cが、抵抗Ra4及びRb5の共通接続点(主電源線N2)に接続され、その固定接点9aは抵抗Rb5の他端子に接続されている。また、放電制御用スイッチ9の固定接点9bは抵抗Ra4の他端子に接続されている。
【0040】
通常動作時には、放電制御用スイッチ109の可動接点9cは固定接点9a側に接続されている。すると、トランジスタQb、Qaのベース電圧は互いに電圧Va(=V0/2)で同一電圧となる。
【0041】
前述実施形態と同様に、漏れ電流のバラつきに応じて主回路コンデンサC1の端子間電圧Vc1が大きくなるときには、ノードN4の電圧Vc2が下降するためトランジスタQbがオンし抵抗Rc1に通電されることでノードN4の電圧Vc2を上昇させるようにする。逆に、主回路コンデンサC1の端子間電圧Vc1が小さくなるときには、ノードN4の電圧Vc2が上昇するためトランジスタQaがオンし抵抗Rc2に通電されることでノードN4の電圧Vc2は下降する。これにより電圧バランスを保つことができる。
【0042】
放電制御回路12が放電指令信号を放電制御用スイッチ109に与えると、放電制御用スイッチ109は、可動接点9cの接続を固定接点9a側から固定接点9b側に切換える。
【0043】
したがって、電源遮断時に放電制御用スイッチ109の接続が固定接点9b側に切換えられると、ノードN6の電圧は上昇すると同時にノードN5の電圧は下降する。すなわち、トランジスタQbのベースに電圧Va3(>V0/2)が与えられると同時に、トランジスタQaのベースに電圧Va4(<V0/2)が与えられる。すると、各トランジスタQb、Qaのベースエミッタ間に当該トランジスタの閾値電圧以上の電圧が印加され、トランジスタQb、Qaは同時にオンする。
【0044】
主回路コンデンサC1の蓄積電荷は主に抵抗Rc1およびトランジスタQbのコレクタエミッタ間を通じて放電され、主回路コンデンサC2の蓄積電荷は主にトランジスタQaおよび抵抗Rc2を通じて放電される。これにより、例えば三相交流電源2の電源入力が遮断されたとしても、主回路コンデンサC1およびC2の蓄積電荷を安全に放電できる。このような
図3の回路構成を用いたとしても、前述実施形態と同様に主回路コンデンサC1およびC2の蓄積電荷を安全に放電できる。
【0045】
図4は、放電指令前後の主電源線N1及びN2間の電圧V0と各コンデンサC1、C2の端子電圧Vc1、Vc2の放電特性を示す。なお、前述実施形態の
図2、後述の
図6に示す特性では、横軸の時間スケール、縦軸の電圧スケール共に同一目盛で図示している。本実施形態では、後述の
図6に示す放電特性より素早く放電できることがわかる。
【0046】
図5は
図1又は
図3の比較対象回路を示し、
図6は
図5の回路構成の放電特性を示す。
図5に示すバランス回路208は、フォトモスリレー209を用いて構成され、電源遮断時には、2つの直列抵抗210a、210bのうち一の直列抵抗210aの抵抗分圧バランスのみを変更するようにしている。
【0047】
バランス回路208の構成を説明する。直列抵抗210aは抵抗Ra1乃至Ra4を直列接続して構成されると共に、直列抵抗210bは抵抗Rb1乃至Rb4を直列接続して構成され、ノーマリーオフタイプのフォトモスリレー209の一次側を放電制御回路12に接続すると共に、その二次側を抵抗Ra4の両端子に接続して構成されている。また、2つ並列接続された直列抵抗210a、210bの後段には、電圧安定化回路111と同一回路構成の電圧安定化回路211が接続されている。
【0048】
直列抵抗210bの分圧電圧Va(=V0/2)がトランジスタQbのベースに与えられる。また、通常動作時には、フォトモスリレー209の二次側が開放されるため、直列抵抗210aの分圧電圧Va(=V0/2)がトランジスタQaのベースに与えられる。よって、前述実施形態と同様に各主回路コンデンサC1及びC2の電圧バランスを保つことができる。
【0049】
電源遮断時には、放電制御回路12からフォトモスリレー209に放電指令信号(フォトダイオードの非通電信号)が与えられるが、このときフォトモスリレー209は二次側を通電オンする。すると、抵抗Ra4の端子間が短絡され、まずトランジスタQaのベース電圧が下降し、トランジスタQaがオンする。このタイミングではトランジスタQbはオフ状態を保持しているが、トランジスタQaがオンし続けるため、主回路コンデンサC2の蓄積電荷がまず放電される。
【0050】
すると、ノードN4の電圧は低下し、トランジスタQbのベースエミッタ間電圧が閾値電圧以上になるとトランジスタQbが遅れてオンする。すると、主回路コンデンサC1の蓄積電荷も放電される。このような動作により主回路コンデンサC1及びC2の蓄積電荷を安全に放電できる。
【0051】
図6の放電特性に示すように、主回路コンデンサC1の端子間電圧Vc1は主回路コンデンサC2の端子間電圧Vc2より遅れて下降していることがわかる。このトランジスタQa、Qbのオンタイミングのずれの影響等により、最終的な放電時間も
図6の放電特性が
図2、
図4の放電特性に比較して遅いことが確認されている。
【0052】
この
図5に示す回路構成を採用したときであっても、前述の回路構成(
図1、
図3)と同様に主回路コンデンサC1及びC2の蓄積電荷を安全に放電できるが、
図1、
図3に示す回路構成の方が放電時間を短縮できることが確認されている。
【0053】
本実施形態の
図3に示す回路構成によれば、電源遮断時には、直列抵抗110bによるノードN6の分圧電圧Vaの分圧比を第1分圧比(Rb1+Rb2:Rb3+Rb4+Rb5)に切換えると同時に、直列抵抗110aによるノードN5の分圧比を第2分圧比(Ra1+Ra2:Ra3)に切換えている。
【0054】
電圧動作としては、直列抵抗110bの分圧電圧Vaを電圧Va3に上昇させると同時に、直列抵抗110aの分圧電圧Vaを電圧Va4に下降させている。このため、各トランジスタQa及びQbを同時にオンさせることができ、複数の主回路コンデンサC1及びC2の放電時間を短縮できる。
【0055】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、各実施形態に示した構成、条件に限定されることはなく、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。