特許第5976013号(P5976013)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許5976013SOI構造体のデバイス層中の金属含有量の減少方法、およびこのような方法により製造されるSOI構造体
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  • 特許5976013-SOI構造体のデバイス層中の金属含有量の減少方法、およびこのような方法により製造されるSOI構造体 図000009
  • 特許5976013-SOI構造体のデバイス層中の金属含有量の減少方法、およびこのような方法により製造されるSOI構造体 図000010
  • 特許5976013-SOI構造体のデバイス層中の金属含有量の減少方法、およびこのような方法により製造されるSOI構造体 図000011
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  • 特許5976013-SOI構造体のデバイス層中の金属含有量の減少方法、およびこのような方法により製造されるSOI構造体 図000013
  • 特許5976013-SOI構造体のデバイス層中の金属含有量の減少方法、およびこのような方法により製造されるSOI構造体 図000014
  • 特許5976013-SOI構造体のデバイス層中の金属含有量の減少方法、およびこのような方法により製造されるSOI構造体 図000015
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