特許 5979654 チップヒューズ及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】5979654

(24)【登録日】2016年8月5日

(45)【発行日】2016年8月24日

(54)【発明の名称】チップヒューズ及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01H 85/175 20060101AFI20160817BHJP

   H01H 69/02 20060101ALI20160817BHJP

   H01H 85/34 20060101ALI20160817BHJP

【ＦＩ】

   H01H85/175

   H01H69/02

   H01H85/34

【請求項の数】10

【全頁数】19

(21)【出願番号】特願2014-537978(P2014-537978)

(86)(22)【出願日】2012年9月28日

(86)【国際出願番号】JP2012075009

(87)【国際公開番号】WO2014049809

(87)【国際公開日】20140403

【審査請求日】2015年8月21日

(73)【特許権者】

【識別番号】591100769

【氏名又は名称】釜屋電機株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100078499

【弁理士】

【氏名又は名称】光石 俊郎

(74)【代理人】

【識別番号】230112449

【弁護士】

【氏名又は名称】光石 春平

(74)【代理人】

【識別番号】100102945

【弁理士】

【氏名又は名称】田中 康幸

(74)【代理人】

【識別番号】100120673

【弁理士】

【氏名又は名称】松元 洋

(74)【代理人】

【識別番号】100182224

【弁理士】

【氏名又は名称】山田 哲三

(72)【発明者】

【氏名】山岸 克哉

(72)【発明者】

【氏名】清野 英樹

【審査官】 関 信之

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００７−０９５４６９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００３−１７３７２８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開昭６２−０５５８３２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−２１９０６３（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｈ ８５／１７５

Ｈ０１Ｈ ６９／０２

Ｈ０１Ｈ ８５／３４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

絶縁基板上に蓄熱層が形成され、この蓄熱層上にチップヒューズ長さ方向の両側の表電極部とこれらの表電極部の間のヒューズ要素部とからなるヒューズ膜が形成され、前記ヒューズ要素部上に保護膜が形成されているチップヒューズにおいて、
前記ヒューズ要素部の周囲を囲むように前記蓄熱層上及び前記表電極部上に矩形状の土手部が形成され、
前記土手部の内側に前記保護膜が形成されていることを特徴とするチップヒューズ。

【請求項2】

請求項１に記載のチップヒューズにおいて、
前記土手部におけるチップヒューズ長さ方向の両側の部分は、前記表電極部におけるチップヒューズ長さ方向の内側の端よりも、チップヒューズ長さ方向の外側に形成されていることを特徴とするチップヒューズ。

【請求項3】

請求項１又は２に記載のチップヒューズにおいて、
前記表電極部は、チップヒューズ長さ方向の外側の第１電極部と、チップヒューズ長さ方向の内側の第２電極部とからなり、且つ、前記第２電極部の幅が前記第１電極部の幅よりも狭くなっており、
前記土手部におけるチップヒューズ幅方向の両側の部分は、前記第２電極部におけるチップヒューズ幅方向の両側の端よりも、チップヒューズ幅方向の外側に形成されて前記蓄熱層上に設けられており、
前記蓄熱層と前記土手部は同じ材料によって形成されていることを特徴とするチップヒューズ。

【請求項4】

請求項３に記載のチップヒューズにおいて、
前記蓄熱層と前記土手部は同じ感光基含有の材料によって形成されていることを特徴とするチップヒューズ。

【請求項5】

請求項１〜４の何れか１項に記載のチップヒューズにおいて、
前記保護膜は、エポキシキ基含有のシリコーン系樹脂によって形成されていることを特徴とするチップヒューズ。

【請求項6】

請求項５に記載のチップヒューズにおいて、
前記保護膜上には、無機フィラー含有のシリコーン系樹脂によって他の保護膜が形成されていることを特徴とするチップヒューズ。

【請求項7】

請求項６に記載のチップヒューズにおいて、
前記他の保護膜は、前記保護膜よりも膜厚が薄く形成されていることを特徴とするチップヒューズ。

【請求項8】

請求項６又は７に記載のチップヒューズにおいて、
前記他の保護膜は透明であり、
前記保護膜と前記他の保護膜との間には、シリコーン系樹脂によって前記保護層上に形成されたマークが設けられていることを特徴とするチップヒューズ。

【請求項9】

請求項１〜８の何れか１項に記載のチップヒューズの製造方法であって、
前記蓄熱層上及び前記表電極部上に前記矩形状の土手部を形成する第１の工程と、
前記土手部の内側に前記保護膜を形成する第２の工程と
を有することを特徴とするチップヒューズの製造方法。

【請求項10】

請求項９に記載のチップヒューズの製造方法において、
前記第１の工程では、前記ヒューズ要素部上、前記表電極部上及び前記蓄熱層上にシート状の感光基含有の材料を貼り付け、このシート状の感光基含有の材料を紫外線で露光し現像することにより、前記矩形状の土手部を形成することを特徴とするチップヒューズの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明はチップヒューズ及びその製造方法に関するものである。

【背景技術】

【0002】

電子機器のプリント配線基板に表面実装される部品の一種として、従来から小型のヒューズであるチップヒューズが知られている。このチップヒューズによって前記プリント配線基板における電子回路の過電流破壊を防止する。

【0003】

図１２には従来のチップヒューズ１の断面図を示す。同図に示すように、アルミナ基板である絶縁基板２の表面２ａにはエポキシ系樹脂によって蓄熱層（接着層）３が形成され、この蓄熱層３上に銅のヒューズ膜４が形成されている。即ち、絶縁基板２とヒューズ膜４との間に蓄熱層３を介在させることによって、ヒューズ膜４が絶縁基板２に接触しないようになっている。このため、チップヒューズ１への通電時にヒューズ要素部４ｂに生じる熱が、絶縁基板２に放熱されずに蓄熱層３に蓄熱される。

【0004】

ヒューズ膜４は、チップヒューズ１の長さ方向（図１２の左右方向：以下、これを単にチップヒューズ長さ方向と称する）の両側の表電極部４ａと、これらの表電極部４ａの間のヒューズ要素部（ヒューズエレメント）４ｂとからなるものである。ヒューズ要素部４ｂは表電極部４ａに比べて幅の狭い部分であり、チップヒューズ１に過電流が流れたときにヒューズ要素部４ｂに生じる熱で溶断する溶断部である。ヒューズ要素部４ｂには、拡散防止のためにめっき膜５、溶断の助長のためにめっき膜６が設けられている。めっき膜５はニッケル膜であり、電気めっき法によって銅のヒューズ膜４上に形成されている。めっき膜６は錫膜であり、電気めっき法によってニッケル膜５上に形成されている。

【0005】

そして、ヒューズ要素部４ｂ（錫膜６）上には、エポキシ系樹脂によってアンダーコートである第１の保護膜７が形成されている。また、この第１の保護膜７上にはエポキシ系樹脂によって第１のオーバーコートである第２の保護膜８が形成され、この第２の保護膜８上にはエポキシ系樹脂によって第２のオーバーコートである第３の保護膜９が形成されている。第３の保護膜９の表面９ａには、レーザーマーキングによってマーク１０が形成されている。このマーク１０は、チップヒューズ１の定格電流などを表している。

【0006】

絶縁基板２の裏面２ｂにおけるチップヒューズ長さ方向の両側の部分２ｂ−１には、銀系樹脂によって裏電極１１が形成されている。絶縁基板２におけるチップヒューズ長さ方向の両側の端面２ｃには、銀系樹脂によって端面電極１２が形成されている。端面電極１２は表電極部４ａから裏電極１１に亘って形成されており、表電極部４ａと裏電極１１を電気的に接続している。

【0007】

また、端面電極１２にはめっき膜１３，１４，１５が設けられている。めっき膜１３は銅膜であり、電気めっき法によって端面電極１２上に形成されている。めっき膜１４はニッケル膜であり、電気めっき法によって銅膜１３上に形成されている。めっき膜１５は錫膜であり、電気めっき法によってニッケル膜１４上に形成されている。これらのめっき膜１３，１４，１５は表電極部４ａから絶縁基板２の裏面２ｂに亘って形成され、端面電極１２及び裏電極１１を全体的に覆っている。

【0008】

なお、チップヒューズが開示されている先行技術文献としては、例えば下記の特許文献１〜３がある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0009】

【特許文献1】特開平１０−３０８１６０号公報

【特許文献2】特開平１０−３０８１６１号公報

【特許文献3】特開昭６３−１４１２３３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0010】

近年、電子機器に対する更なる小型化や信頼性向上などの要求にともなってチップヒューズに対しても、更なる遮断性能の向上が要求されている。チップヒューズの遮断性能には、遮断前後の外観の変化や遮断時の持続アークなどがある。遮断性能の高いチップヒューズとは、遮断後でも飛散物を抑えるとともに遮断前の外観を維持することができ、且つ、遮断時における持続アークの時間が短いものである。

【0011】

かかる遮断性能を確認するため、上記従来のチップヒューズ１に対して試験条件を変えて次のような遮断試験Ａ，Ｂを行った。

【0012】

遮断試験Ａは３２Ｖ、５０Ａでの遮断試験である。この遮断試験Ａが行われたチップヒューズ１の遮断試験前の抵抗値は０．０２９Ωである。図示は省略するが、遮断試験Ａを実施した結果、遮断時間は０．３８ｍｓであった。そして、持続アークが少し見られ、且つ、外観上はヒューズ要素部４ｂが溶断したときの衝撃（圧力）で保護膜７，８，９の一部が破壊されて飛散し、この保護膜７，８，９の破壊部の周縁にヒューズ要素部４ｂの溶融物４ｂ−１が付着した状態となった。エポキシ系樹脂によって形成された保護膜７，８，９は比較的硬いため、前記衝撃によって破壊され易い。

【0013】

遮断試験Ｂは７６Ｖ、５０Ａでの遮断試験である。この遮断試験Ｂが行われたチップヒューズ１の遮断試験前の抵抗値は０．０２９Ωである。遮断試験Ｂを実施した結果、図１０（ａ）に示すように遮断時間は０．５５ｍｓであり、０．２ｍｓ程度の長い持続アークが見られた。また、外観上は図１１に示すようにヒューズ要素部４ｂが溶断したときの衝撃（圧力）で保護膜７，８，９の一部が破壊されて飛散し、この保護膜７，８，９の破壊部１６の周縁にヒューズ要素部４ｂの溶融物４ｂ−１が付着した状態となった。

【0014】

従って本発明は上記の事情を鑑み、外観の維持や持続アークの低減などの遮断性能の向上を図ることができるチップヒューズ及びその製造方法を提供することを課題とする。

【課題を解決するための手段】

【0015】

上記課題を解決する第１発明のチップヒューズは、絶縁基板上に蓄熱層が形成され、この蓄熱層上にチップヒューズ長さ方向の両側の表電極部とこれらの表電極部の間のヒューズ要素部とからなるヒューズ膜が形成され、前記ヒューズ要素部上に保護膜が形成されているチップヒューズにおいて、
前記ヒューズ要素部の周囲を囲むように前記蓄熱層上及び前記表電極部上に矩形状の土手部が形成され、
前記土手部の内側に前記保護膜が形成されていることを特徴とする。

【0016】

また、第２発明のチップヒューズは、第１発明のチップヒューズにおいて、
前記土手部におけるチップヒューズ長さ方向の両側の部分は、前記表電極部におけるチップヒューズ長さ方向の内側の端よりも、チップヒューズ長さ方向の外側に形成されていることを特徴とする。

【0017】

また、第３発明のチップヒューズは、第１又は第２発明のチップヒューズにおいて、
前記表電極部は、チップヒューズ長さ方向の外側の第１電極部と、チップヒューズ長さ方向の内側の第２電極部とからなり、且つ、前記第２電極部の幅が前記第１電極部の幅よりも狭くなっており、
前記土手部におけるチップヒューズ幅方向の両側の部分は、前記第２電極部におけるチップヒューズ幅方向の両側の端よりも、チップヒューズ幅方向の外側に形成されて前記蓄熱層上に設けられており、
前記蓄熱層と前記土手部は同じ材料によって形成されていることを特徴とする。

【0018】

また、第４発明のチップヒューズは、第３発明のチップヒューズにおいて、
前記蓄熱層と前記土手部は同じ感光基含有の材料によって形成されていることを特徴とする。

【0019】

また、第５発明のチップヒューズは、第１〜第４発明の何れか１つのチップヒューズにおいて、
前記保護膜は、エポキシキ基含有のシリコーン系樹脂によって形成されていることを特徴とする。

【0020】

また、第６発明のチップヒューズは、第５発明のチップヒューズにおいて、
前記保護膜上には、無機フィラー含有のシリコーン系樹脂によって他の保護膜が形成されていることを特徴とする。

【0021】

また、第７発明のチップヒューズは、第６発明のチップヒューズにおいて、
前記他の保護膜は、前記保護膜よりも膜厚が薄く形成されていることを特徴とする。

【0022】

また、第８発明のチップヒューズは、第６又は第７発明のチップヒューズにおいて、
前記他の保護膜は透明であり、
前記保護膜と前記他の保護膜との間には、シリコーン系樹脂によって前記保護層上に形成されたマークが設けられていることを特徴とする。

【0023】

また、第９発明のチップヒューズの製造方法は、第１〜第８発明の何れか１つのチップヒューズの製造方法であって、
前記蓄熱層上及び前記表電極部上に前記矩形状の土手部を形成する第１の工程と、
前記土手部の内側に前記保護膜を形成する第２の工程と
を有することを特徴とする。

【0024】

また、第１０発明のチップヒューズの製造方法は、第９発明のチップヒューズの製造方法において、
前記第１の工程では、前記ヒューズ要素部上、前記表電極部上及び前記蓄熱層上にシート状の感光基含有の材料を貼り付け、このシート状の感光基含有の材料を紫外線で露光し現像（フォトエッチング）することにより、前記矩形状の土手部を形成することを特徴とするチップヒューズの製造方法。

【発明の効果】

【0025】

第１発明のチップヒューズによれば、絶縁基板上に蓄熱層が形成され、この蓄熱層上にチップヒューズ長さ方向の両側の表電極部とこれらの表電極部の間のヒューズ要素部とからなるヒューズ膜が形成され、前記ヒューズ要素部上に保護膜が形成されているチップヒューズにおいて、前記ヒューズ要素部の周囲を囲むように前記蓄熱層上及び前記表電極部上に矩形状の土手部が形成され、前記土手部の内側に前記保護膜が形成されていることを特徴としているため、保護膜を形成する際に当該保護膜を形成するための材料（例えばエポキシキ基含有のシリコーン系樹脂）が周辺に流れて広がろうとするのを、矩形状の土手部によって堰き止めることができる。従って、保護膜は十分に確保される。更に保護膜の端部においても膜厚が薄くなることがなく十分な厚さの膜厚が確保されるため、ヒューズ要素部が溶断したときの衝撃（圧力）によって前記保護膜が破壊されるのを防止することができる。

【0026】

第２発明のチップヒューズによれば、第１発明のチップヒューズにおいて、前記土手部におけるチップヒューズ長さ方向の両側の部分は、前記表電極部におけるチップヒューズ長さ方向の内側の端よりも、チップヒューズ長さ方向の外側に形成されていることを特徴としているため、土手部におけるチップヒューズ長さ方向の両側の部分がヒューズ要素部の端部に覆い被さることはない。このため、ヒューズ要素部が溶断したときの衝撃（圧力）によって土手部が破壊されるおそれはない。

【0027】

第３発明のチップヒューズによれば、第１又は第２発明のチップヒューズにおいて、前記表電極部は、チップヒューズ長さ方向の外側の第１電極部と、チップヒューズ長さ方向の内側の第２電極部とからなり、且つ、前記第２電極部の幅が前記第１電極部の幅よりも狭くなっており、前記土手部におけるチップヒューズ幅方向の両側の部分は、前記第２電極部におけるチップヒューズ幅方向の両側の端よりも、チップヒューズ幅方向の外側に形成されて前記蓄熱層上に設けられており、前記蓄熱層と前記土手部は同じ材料によって形成されていることを特徴としているため、土手部におけるチップヒューズ幅方向の両側の部分が全体的に蓄熱層上に設けられて蓄熱層に密着する。このため、土手部は密着性が高くなって剥離が確実に防止される。

【0028】

第４発明のチップヒューズによれば、第３発明のチップヒューズにおいて、前記蓄熱層と前記土手部は同じ感光基含有の材料によって形成されていることを特徴としているため、感光基含有の材料によって形成された土手部が、同じ感光基含有の材料によって形成された蓄熱層に確実に密着する。

【0029】

第５発明のチップヒューズによれば、第１〜第４発明の何れか１つのチップヒューズにおいて、前記保護膜は、エポキシキ基含有のシリコーン系樹脂によって形成されていることを特徴としており、このエポキシキ基含有のシリコーン系樹脂によって形成された保護膜は、エポキシ系樹脂によって形成された従来の保護膜に比べて柔らく弾性があるため、ヒューズ要素部が溶断したときの衝撃（圧力）を吸収することができるため、前記衝撃によって破壊されにくい。

【0030】

第６発明のチップヒューズによれば、第５発明のチップヒューズにおいて、前記保護膜上には、無機フィラー含有のシリコーン系樹脂によって他の保護膜が形成されていることを特徴としており、この無機フィラー含有のシリコーン系樹脂によって形成された他の保護膜はエポキシキ基含有のシリコーン系樹脂によって形成された保護膜に比べて硬く耐摩擦性・耐ブロッキング性が優れており、製造装置に引っ掛かり難く剥離もし難い。このため、チップヒューズの生産性が向上する。しかも、シリコーン系樹脂によって形成された他の保護膜は、同じシリコーン系樹脂によって形成された保護膜に対する密着性が高いため、剥がれにくい。更に、無機フィラー含有のシリコーン系樹脂によって他の保護膜を形成したことにより、製品としての強度を向上させることができる。

【0031】

第７発明のチップヒューズによれば、第６発明のチップヒューズにおいて、前記他の保護膜は、前記保護膜よりも膜厚が薄く形成されていることを特徴としており、この他の保護膜は、無機フィラー含有のシリコーン系樹脂で形成して硬くしただけではなく保護膜よりも膜厚を薄くすることによって前記保護膜の弾性を確保させているため、ヒューズ要素部が溶断したときの衝撃（圧力）を吸収し、前記衝撃によって破壊されるのを防止することもできる。

【0032】

第８発明のチップヒューズによれば、第６又は第７発明のチップヒューズにおいて、前記他の保護膜は透明であり、前記保護膜と前記他の保護膜との間には、シリコーン系樹脂によって前記保護層上に形成されたマークが設けられていることを特徴としており、保護膜とマークと他の保護膜が全体的にシリコーン系樹脂によって形成されているため、相互の密着性が高くて剥がれにくく、且つ、ヒューズ要素部が溶断したときの衝撃（圧力）吸収性も高くて破壊されにくい。従って、マークや保護膜を維持することができる。

【0033】

第９発明のチップヒューズの製造方法によれば、第１〜第８発明の何れか１つのチップヒューズの製造方法であって、前記蓄熱層上及び前記表電極部上に前記矩形状の土手部を形成する第１の工程と、前記土手部の内側に前記保護膜を形成する第２の工程とを有することを特徴としているため、第２の工程で保護膜を形成する際に当該保護膜を形成するための材料（例えばエポキシキ基含有のシリコーン系樹脂）が周辺に流れて広がろうとするのを、第１の工程で形成した矩形状の土手部によって堰き止めることができる。従って、保護膜は端部においても膜厚が薄くなることがなく十分な厚さの膜厚が確保されるため、ヒューズ要素部が溶断したときの衝撃（圧力）によって前記保護膜が破壊されるのを防止することができる。

【0034】

第１０発明のチップヒューズの製造方法によれば、第９発明のチップヒューズの製造方法において、前記第１の工程では、前記ヒューズ要素部上、前記表電極部上及び前記蓄熱層上にシート状の感光基含有の材料を貼り付け、このシート状の感光基含有の材料を紫外線で露光し現像（フォトエッチング）することにより、前記矩形状の土手部を形成することを特徴としているため、スクリーン印刷などによって土手部を形成した場合に比べて、土手部は厚さが均一になり、保護層を形成する材料の流れを堰き止める面である内側面が絶縁基板の表面に対して垂直になるため、より確実に保護層の端部の膜厚を確保することができる。

【図面の簡単な説明】

【0035】

【図1】本発明の実施の形態例に係るチップヒューズの断面図（図２のＢ−Ｂ線矢視断面）である。

【図2】本発明の実施の形態例に係るチップヒューズの上面図（図１のＡ方向矢視図）である。

【図3】本発明の実施の形態例に係るチップヒューズの上面図であって、第１の保護膜と、第２の保護膜と、マークと、端面電極と、端面電極上の銅膜、ニッケル膜及び錫膜とを除いた状態を示す図である。

【図4】（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施の形態例に係るチップヒューズの製造工程における絶縁基板スクライブ工程、蓄熱層形成工程、ヒューズ膜形成工程を示す図である。

【図5】（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施の形態例に係るチップヒューズの製造工程におけるヒューズ膜形成工程を示す図である。

【図6】（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施の形態例に係るチップヒューズの製造工程におけるヒューズ要素部形成工程を示す図である。

【図7】（ａ），（ｂ）は本発明の実施の形態例に係るチップヒューズの製造工程における土手部形成工程を示す図である。

【図8】（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施の形態例に係るチップヒューズの製造工程における第１の保護膜形成工程、マーク形成工程、第２の保護膜形成工程、その他の工程を示す図である。

【図9】土手部を形成しない場合のチップヒューズの断面図である。

【図10】（ａ）は従来のチップヒューズに対して遮断試験Ｂを実施したときの当該チップヒューズの遮断時間（持続アーク時間を含む）を示すグラフ、（ｂ）は本発明のチップヒューズに対して遮断試験Ｃを実施したときの当該チップヒューズの遮断時間（持続アークは見られない）を示すグラフである。

【図11】従来のチップヒューズに対して遮断試験Ｂを実施したときの当該チップヒューズの外観を示す図である。

【図12】従来のチップヒューズの断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0036】

以下、本発明の実施の形態例を図面に基づいて詳細に説明する。

【0037】

まず、図１〜図３に基づき、本発明の実施の形態例に係るチップヒューズ２１の構造について説明する。
なお、図３では図１に示されている第１の保護膜２８と、第２の保護膜２９と、マーク３０と、端面電極３２と、端面電極３２上の銅膜３３、ニッケル膜３４及び錫膜３５とを除いた状態を示している。また、図３ではヒューズ要素部（ヒューズエレメント）２４ｂ及び表電極部２４ａ（第２電極部２４ａ−２）におけるニッケル膜２５及び錫膜２６の一部を破断して示し、図４（ｄ）では銅箔５２の一部を破断して示し、図５（ａ）では銅箔５２及び感光性フィルム５３の一部を破断して示している。

【0038】

図１〜図３に示すように、アルミナ基板である絶縁基板２２の表面２２ａには感光基含有のエポキシ系樹脂によって蓄熱層（接着層）２３が形成され、この蓄熱層２３上に銅のヒューズ膜２４が形成されている。即ち、絶縁基板２２とヒューズ膜２４との間に蓄熱層２３を介在させることによって、ヒューズ膜２４が絶縁基板２２に接触しないようになっている。このため、チップヒューズ２１への通電時にヒューズ要素部２４ｂに生じる熱が、絶縁基板２２に放熱されずに蓄熱層２３に蓄熱される。

【0039】

ヒューズ膜２４は、チップヒューズ２１の長さ方向（図１〜図３の左右方向：以下、これを単にチップヒューズ長さ方向と称する）の両側の表電極部２４ａと、これらの表電極部２４ａの間のヒューズ要素部２４ｂとからなるものである。ヒューズ要素部２４ｂは表電極部２４ａに比べて幅、即ちチップヒューズ２１の幅方向（図２，図３の上下方向：以下、これを単にチップヒューズ幅方向と称する）の幅の狭い部分であり、チップヒューズ２１に過電流が流れたときにヒューズ要素部２４ｂに生じる熱で溶断する溶断部である。なお、ヒューズ要素部２４ｂは、図示例ではチップヒューズ長さ方向に直線状に延びた形状になっているが、これに限定するものでなく、所望の溶断特性などに応じた適宜の形状（例えばジグザク状など）にすることができる。

【0040】

また、ヒューズ要素部２４ｂには、拡散防止のためにめっき膜２５、溶断の助長のためにめっき膜２６が設けられている。めっき膜２５はニッケル膜であり、電気めっき法によって銅のヒューズ膜２４上に形成されている。めっき膜２６は錫膜であり、電気めっき法によってニッケル膜２５上に形成されている。

【0041】

表電極部２４ａは、チップヒューズ長さ方向の外側の第１電極部２４ａ−１と、チップヒューズ長さ方向の内側の第２電極部２４ａ−２とからなり、且つ、第１電極部２４ａ−１の幅（チップヒューズ幅方向の幅）Ｗ１（図３）よりも第２電極部２４ａ−２の幅（チップヒューズ幅方向の幅）Ｗ２（図３）のほうが狭くなっている。なお、めっきされたニッケル膜２５と錫膜２６は、抵抗値のばらつきを調整するため、ヒューズ要素部２４ｂだけでなく表電極部２４ａの第２電極部２４ａ−２にも設けられている。第２電極部２４ａ−２の幅Ｗ２が第１電極部２４ａ−１の幅Ｗ１に比べてが狭いため、ニッケル膜２５及び錫膜２６をめっき後の膜厚のばらつきや抵抗値のばらつきを調整することができる。

【0042】

そして、本実施の形態例のチップヒューズ２１には感光基含有のエポキシ系樹脂によって土手部（ダム）２７が形成されている。土手部２７は矩形状（即ち図２及び図３に示すように上面視が矩形状）のものであり、ヒューズ要素部２４ｂの周囲を囲むように蓄熱層２３上及び表電極部２４ａ上に形成されている。

【0043】

更に詳述すると、矩形状の土手部２７は、チップヒューズ長さ方向の両側の部分２７ａと、チップヒューズ幅方向の両側の部分２７ｂとからなるものである。

【0044】

チップヒューズ幅方向の両側の部分２７ｂは、チップヒューズ長さ方向に直線状に延びており、表電極部２４ａ（第２電極部２４ａ−２）におけるチップヒューズ幅方向の両側の端２４ａ−３よりもチップヒューズ幅方向の外側に形成されている。従って、チップヒューズ幅方向の両側の部分２７ｂは、チップヒューズ長さ方向の中央部２７ｂ−１が蓄熱層２３上に形成されているだけでなく、チップヒューズ長さ方向の両側の端部２７ｂ−２も蓄熱層２３上に形成されており、全体的に蓄熱層２３に密着している。

【0045】

チップヒューズ長さ方向の両側の部分２７ａは、チップヒューズ幅方向に直線状に延び、且つ、チップヒューズ幅方向の両端の内側２７ａ−１が曲線になっており、表電極部２４ａ上に形成されている。また、チップヒューズ長さ方向の両側の部分２７ａは、表電極部２４ａ（第２電極部２４ａ−２）におけるチップヒューズ長さ方向の内側の端２４ａ−４（即ち表電極部２４ａとヒューズ要素部２４ｂとの境界位置）よりもチップヒューズ長さ方向の外側に形成されている。なお、図示例では、チップヒューズ長さ方向の両側の部分２７ａが、表電極部２４の第１電極部２４ａ−１上と第２電極部２４ａ−２上とに跨って形成されている。

【0046】

矩形状の土手部２７の内側には、エポキシキ基含有のシリコーン系樹脂によってアンダーコートである黒色の第１の保護膜２８が形成されている。即ち、第１の保護膜２８は矩形状の土手部２７の内側面２７ｃ（図１）に沿って形成されている。第１の保護膜２８はヒューズ要素部２４ｂ（錫膜２６）上に形成され、更には表電極部２４ａ（第２電極部２４ａ−２）上及び蓄熱層２３上にも形成されており、ヒューズ要素部２４ｂ（錫膜２６）の全体と表電極部２４ａ（第２電極部２４ａ−２）の一部分と蓄熱層２３の一部分とを覆っている。このエポキシキ基含有のシリコーン系樹脂によって形成された第１の保護膜２８は、エポキシ系樹脂によって形成された従来の保護膜に比べて柔らかく弾性がある。

【0047】

第１の保護膜２８上には、無機フィラー含有（例えばシリカ粉とアルミナ粉を含有）のシリコーン系樹脂によって透明なオーバーコートである第２の保護膜２９が形成されている。この無機フィラー含有のシリコーン系樹脂によって形成された第２の保護膜２９は、エポキシキ基含有のシリコーン系樹脂によって形成された第１の保護膜２８に比べて硬いため、第１の保護膜２８よりも膜厚を薄くすることによって弾性を持たせている。

【0048】

また、第１の保護膜２８と第２の保護膜２９との間には、シリコーン系樹脂によって乳白色のマーク３０が形成されている。即ち、第１の保護膜２８上にマーク３０が形成され、このマーク３０を覆うようにして第１の保護膜２８上に第２の保護膜２９が形成されている。第２の保護膜２９が透明であるため、マーク３０は第２の保護膜２９の上から透けて見える。このマーク３０は、チップヒューズ２１の定格電流などを表している。

【0049】

絶縁基板２２の裏面２２ｂにおけるチップヒューズ長さ方向の両側の部分２２ｂ−１には、銀系樹脂によって裏電極３１が形成されている。
絶縁基板２２におけるチップヒューズ長さ方向の両側の端面２２ｃには、銀系樹脂によって端面電極３２が形成されている。端面電極３２は、表電極部２４ａから裏電極３１に亘って形成されており、表電極部２４ａと裏電極３１を電気的に接続している。

【0050】

また、端面電極３２にはめっき膜３３，３４，３５が設けられている。めっき膜３３は銅膜であり、電気めっき法によって端面電極３２上に形成されている。めっき膜３４はニッケル膜であり、電気めっき法によって銅膜３３上に形成されている。めっき膜３５は錫膜であり、電気めっき法によってニッケル膜３４上に形成されている。これらのめっき膜３３，３４，３５は土手部２７から絶縁基板２２の裏面２２ｂに亘って形成され、端面電極３２及び裏電極３１を全体的に覆っている。

【0051】

次に、図１〜図９に基づき、本発明の実施の形態例に係るチップヒューズ２１の製造工程について説明する。

【0052】

まず、絶縁基板スクライブ工程では、図４（ａ）に示すように、シート状の絶縁基板（アルミナ基板）２２の表面２２ａにレーザースクライブ法により、平行な複数本の第１スリット４１と、平行な複数本の第２スリット４２とを互いに直交するように形成する。その結果、個片領域４３が縦横に複数連なった状態となり、１つの個片領域４３が１個のチップヒューズ２１に対応している。第１スリット４１及び第２スリット４２は、シート状の絶縁基板２２を短冊状に切断し、更に各個片領域４３に分割するためのものである。

【0053】

以後、絶縁基板２２を第１スリット４１及び第２スリット４２で分割するまでは、各工程が複数の個片領域４３に対して実施されるが、図４の（ｂ）〜（ｄ）、図５の（ａ）〜（ｄ）、図６の（ａ）〜（ｄ）、図７の（ａ），（ｂ）、図８の（ａ）〜（ｄ）には、１つの個片領域４３に相当する部分のみを示している。

【0054】

次の蓄熱層形成工程では、まず、図４（ｂ）に示すように蓄熱層２３を形成するための材料であるＢステージ状態のシート状の感光基含有の材料５１を、絶縁基板２２の上に貼り付ける（ラミネートする）。
なお、このシート状の感光基含有の材料５１を貼り付ける方法としては、１枚又は複数枚の絶縁基板２２に合わせた大きさに予め形成されているシート状の感光基含有の材料５１を当該１枚又は複数枚の絶縁基板２２の上に貼り付ける方法や、大きなシート状の感光基含有の材料５１を１枚又は複数枚の絶縁基板２２に合わせた大きさに切断して当該１枚又は複数枚の絶縁基板２２の上に貼り付ける方法や、ロール状に巻かれている感光基含有の材料５１を引き出してシート状にして１枚又は複数枚の絶縁基板２２の上に貼り付ける方法などがある。
続いて、絶縁基板２２上に貼り付けたシート状の感光基含有の材料５１を、マスク（図示省略）を介して紫外線（ＵＶ）で露光し現像（フォトエッチング）することにより、図４（ｃ）に示すようなパターンの蓄熱層２３を形成する。

【0055】

ここでは蓄熱層２３を形成するためのシート状の感光基含有の材料５１として、シート状もしくはロール状に形成された感光基含有のエポキシ系樹脂を用いた。なお、その他にも、蓄熱層２３を形成するためのシート状の感光基含有の材料５１としては、感光基を含有するポリイミド、シリコーン系樹脂、ポリエステル、アクリルポリマーなどをシート状もしくはロール状に形成したものを用いることもできる。

【0056】

次のヒューズ膜形成工程では、まず、図４（ｄ）に示すようにヒューズ膜２４を形成するための材料である銅箔５２を、蓄熱層２３上に貼り付ける。
続いて、図５（ａ）に示すようにマスクとなる感光性フィルム（レジスト）５３を、銅箔５２上に貼り付け、この感光性フィルム５３を紫外線で露光し現像（フォトエッチング）することにより、図５（ｂ）に示すようなパターンにする。
続いて、図５（ｃ）に示すように銅箔５２をエッチング（パターニング）し、その後、感光性フィルム５３を剥がす。かくして、図５（ｄ）に示すようなパターンのヒューズ膜２４、即ち先述のとおり、幅の広い第１電極部２４ａ−１と幅の狭い第２電極部２４ａ−２とからなる両側の表電極部２４ａと、これらの表電極部２４ａの間のヒューズ要素部２４ｂとを有する構造のヒューズ膜２４が形成される。

【0057】

次のヒューズ要素部形成工程では、図６（ａ）に示すようにマスクとなるレジスト５４を、表電極部２４ａの第１電極部２４ａ−１の上にスクリーン印刷する。
この状態で電気めっき法によりニッケルめっきと錫めっきとを順次行うことによって、図６（ｂ）に示すようにレジスト５４が施されていないヒューズ要素部２４ｂの全体及び表電極部２４ａの第２電極部２４ａ−２の上にめっき膜であるニッケル膜２５と錫膜２６とを形成する。
その後、図６（ｃ）に示すようにレジスト５４を剥がして、めっき膜２５，２６が施されていない表電極部２４ａの第１電極部２４ａ−１を露出させる。

【0058】

そして、次の土手部形成工程では、まず、図７（ａ）に示すように土手部２７を形成するための材料であるシート状に形成されたＢステージ状態の感光基含有の材料５５を、ヒューズ要素部２４ｂ上、表電極部２４ａ上及び蓄熱層２３上に貼り付ける（ラミネートする）。
なお、このシート状の感光基含有の材料５５を貼り付ける方法としては、１枚又は複数枚の絶縁基板２２に合わせた大きさに予め形成されているシート状の感光基含有の材料５５を当該１枚又は複数枚の絶縁基板２２におけるヒューズ要素部２４ｂ上、表電極部２４ａ上及び蓄熱層２３上に貼り付ける方法や、大きなシート状の感光基含有の材料５５を１枚又は複数枚の絶縁基板２２に合わせた大きさに切断して当該１枚又は複数枚の絶縁基板２２におけるヒューズ要素部２４ｂ上、表電極部２４ａ上及び蓄熱層２３上に貼り付ける方法や、ロール状に巻かれている感光基含有の材料５５を引き出してシート状にして１枚又は複数枚の絶縁基板２２におけるヒューズ要素部２４ｂ上、表電極部２４ａ上及び蓄熱層２３上に貼り付ける方法などがある。
続いて、ヒューズ要素部２４ｂ上、表電極部２４ａ上及び蓄熱層２３上に貼り付けたシート状の感光基含有の材料５５を、マスク（図示省略）を介して紫外線（ＵＶ）で露光し現像（フォトエッチング）することにより、図７（ｂ）に示すようなパターンの土手部２７を形成する。即ち先述のとおり、チップヒューズ長さ方向の両側の部分２７ａとチップヒューズ幅方向の両側の部分２７ｂとからなる矩形状であって、チップヒューズ幅方向の両側の部分２７ｂが蓄熱層２３上に形成され、チップヒューズ長さ方向の両側の部分２７ａが表電極部２４ａ上に形成された構造の土手部２７が形成される。

【0059】

ここでは土手部２７を形成するためのシート状の感光基含有の材料５５として、シート状もしくはロール状に形成された感光基含有のエポキシ系樹脂を用いた。なお、その他にも、土手部２７を形成するためのシート状の感光基含有の材料５５としては、感光基を含有するポリイミド、シリコーン系樹脂、ポリエステル、アクリルポリマーなどをシート状もしくはロール状に形成したものを用いることができる。
感光基含有の材料５５によって形成した土手部２７は、紫外線を照射して硬化させる。このとき土手部２７は収縮して厚さが薄くなる。このため、本実施の形態例では、１枚の厚さが２０〜６０μｍであるシート状の感光基含有の材料５５を複数枚重ねて貼り付けた後に紫外線で露光し現像（フォトエッチング）して土手部２７を形成し、この土手部２７に紫外線を照射して硬化させる。このことによって製品化されたときには、５〜１００μｍの土手部２７の厚みを確保するようにしている。

【0060】

次の第１の保護膜形成工程では、図８（ａ）に示すようにエポキシキ基含有のシリコーン系樹脂を用いて黒色の第１の保護膜２８を、スクリーン印刷により矩形状の土手部２７の内側に形成する。

【0061】

エポキシキ基含有のシリコーン系樹脂は流動性が高いため、もし、土手部２７が形成されていなければ、前記シリコーン系樹脂がスクリーン印刷後に周辺に流れて広がってしまうため、図９に示すように第１の保護膜２８は端部２８ａの膜厚が薄くなってしまう。
これに対して本実施の形態例では土手部２７が形成されており、スクリーン印刷後に周辺に流れて広がろうとする前記シリコーン系樹脂の流れを土手部２７（内側面２７ｃ）によって堰き止めることができるため、図１に示すように第１の保護膜２８は端部２８ａにおいても、膜厚が薄くなることはなく、十分な厚さの膜厚が確保される。

【0062】

エポキシキ基含有のシリコーン系樹脂によって形成された第１の保護膜２８は、エポキシ系樹脂によって形成された従来の保護膜に比べて柔らかく弾性があることから、ヒューズ要素部２４ｂが溶断したときの衝撃（圧力）を吸収することができるため、前記衝撃によって破壊されにくい。
しかも、エポキシキ基含有のシリコーン系樹脂によって形成された第１の保護膜２８は、土手部２７によって端部２８ａの膜厚も確保されるため、前記衝撃によって端部２８ａが破壊されるおそれもない。
また、エポキシキ基含有のシリコーン系樹脂によって形成された第１の保護膜２８は、エポキシキ基を含有していないシリコーン系樹脂によって生成された保護膜に比べて粘りがあるため、前記衝撃によって穴が開きにくい。

【0063】

次のマーク形成工程では、図８（ｂ）に示すようにシリコーン系樹脂を用いて乳白色のマーク３０を、スクリーン印刷により第１の保護膜２８上に形成する。乳白色のマーク３０を形成するためのシリコーン系樹脂としては、例えば酸化アルミニウム、シリカ、カーボンブラック、ジメチルシクロシロキサンなどを成分とするもの用いることができる。

【0064】

次の第２の保護膜形成工程では、図８（ｃ）に示すように無機フィラー含有（例えばシリカ粉とアルミナ粉を含有）のシリコーン系樹脂を用いて透明な第２の保護膜２９を、スクリーン印刷によりマーク３０を覆うようにして第１の保護膜２８上に形成する。

【0065】

仮に第２の保護膜２９を第１の保護膜２８と同様の柔らかなものにした場合には、第２の保護膜２９が製造装置に引っ掛かり易く剥離もし易くなるため、チップヒューズの生産性が低下する。これに対して本実施の形態例では第２の保護膜２９を無機フィラー含有のシリコーン系樹脂で形成して比較的硬くしたため、製造装置に引っ掛かり難く剥離もし難いため、チップヒューズの生産性が向上する。しかも、シリコーン系樹脂によって形成された第２の保護膜２９は、同じシリコーン系樹脂によって形成された第１の保護膜２８に対する密着性が高いため、剥がれにくい。
また、第２の保護膜２９は、無機フィラー含有のシリコーン系樹脂で形成して硬くし、第１の保護膜２８よりも膜厚を薄くすることによって第１の保護膜２８の弾性を確保させており、ヒューズ要素部２４ｂが溶断したときの衝撃（圧力）を吸収し、前記衝撃によって破壊されるのを防止することもできる。

【0066】

以後は、裏電極形成工程、一次分割工程、端面電極形成工程、二次分割工程、端面電極めっき工程などが順次実施される。

【0067】

裏電極形成工程では、銀系樹脂を用いて裏電極３１を、スクリーン印刷により絶縁基板２２の裏面２２ｂに形成する（図１）。
次の一次分割工程では、シート状の絶縁基板２２を第１スリット４１（図４（ａ））に沿って分割することにより、短冊状にする。
次の端面電極形成工程では、銀系樹脂、ニッケル・クロム系、チタン系もしくは金系を用いて端面電極３２を、印刷、ディップもしくはスパッタリングにより絶縁基板２２の端面２２ｃに表電極部２４ａから裏電極３１に亘って形成する（図１）。
次の二次分割工程では、短冊状の絶縁基板２２を第２スリット４２（図４（ａ））に沿って分割することにより、各個片領域４３にする。
次の端面電極めっき工程では、電気めっき法により銅めっきとニッケルめっきと錫めっきとを順次行うことによって銅膜３３とニッケル膜３４と錫膜３５を土手部２７から絶縁基板２２の裏面２２ｂに亘って形成し、これらのめっき膜３３，３４，３５によって端面電極３２及び裏電極３１を全体的に覆う。

【0068】

かくして、図１及び図８（ｄ）に示すようなチップヒューズ２１が製造される。

【0069】

以上のように、本実施の形態例のチップヒューズ２１によれば、絶縁基板２２上に蓄熱層２３が形成され、この蓄熱層２３上にチップヒューズ長さ方向の両側の表電極部２４ａとこれらの表電極部２４ａの間のヒューズ要素部２４ｂとからなるヒューズ膜が形成され、ヒューズ要素部２４ｂ上（図示例ではヒューズ要素部２４ｂの錫膜２６上）に保護膜が形成されているチップヒューズ２１において、ヒューズ要素部２４ｂの周囲を囲むように蓄熱層２３上及び表電極部２４ａ上に矩形状の土手部２７が形成され、土手部２７の内側に第１の保護膜２８が形成されていることを特徴としているため、第１の保護膜２８を形成する際に当該第１の保護膜２８を形成するための材料であるエポキシキ基含有のシリコーン系樹脂が周辺に流れて広がろうとするのを、矩形状の土手部２７によって堰き止めることができる。従って、第１の保護膜２８は端部２８ａにおいても膜厚が薄くなることがなく十分な厚さの膜厚が確保されるため、ヒューズ要素部２４ｂが溶断したときの衝撃（圧力）によって端部２８ａを含み、第１の保護膜２８が破壊されるのを防止することができる。

【0070】

これに対して、もし、土手部２７が形成されていなければ、図９に示すように第１の保護膜２８の端部２８ａの膜厚が薄くなってしまうため、この端部２８ａが特にヒューズ要素部２４ｂが溶断したときの衝撃（圧力）によって破壊され易くなる。

【0071】

また、本実施の形態例のチップヒューズ２１によれば、土手部２７におけるチップヒューズ長さ方向の両側の部分２７ａは、表電極部２４ａにおけるチップヒューズ長さ方向の内側の端２４ａ−４よりも、チップヒューズ長さ方向の外側に形成されていることを特徴としているため、土手部２７におけるチップヒューズ長さ方向の両側の部分２７ａがヒューズ要素部２４ｂの端部に覆い被さることはない。このため、ヒューズ要素部が溶断したときの衝撃（圧力）によって土手部２７が破壊されるおそれはない。

【0072】

また、本実施の形態例のチップヒューズ２１によれば、表電極部２４ａは、チップヒューズ長さ方向の外側の第１電極部２４ａ−１と、チップヒューズ長さ方向の内側の第２電極部２４ａ−２とからなり、且つ、第２電極部２４ａ−２の幅Ｗ２が第１電極部２４ａ−１の幅Ｗ１よりも狭くなっており、土手部２７におけるチップヒューズ幅方向の両側の部分２７ｂは、第２電極部２４ａ−２におけるチップヒューズ幅方向の両側の端２４ａ−３よりも、チップヒューズ幅方向の外側に形成されて蓄熱層２３上に設けられており、蓄熱層２３と土手部は同じ材料（感光基含有のエポキシ系樹脂）によって形成されていることを特徴としているため、土手部２７におけるチップヒューズ幅方向の両側の部分２７ｂが全体的に蓄熱層２３上に設けられて蓄熱層２３に密着する。このため、土手部２７は密着性が高くなって剥離が確実に防止される。

【0073】

また、本実施の形態例のチップヒューズ２１によれば、第１の保護膜２８は、エポキシキ基含有のシリコーン系樹脂によって形成されていることを特徴としており、このエポキシキ基含有のシリコーン系樹脂によって形成された第１の保護膜２８は、エポキシ系樹脂によって形成された従来の保護膜に比べて柔らく弾性があるため、ヒューズ要素部２４ｂが溶断したときの衝撃（圧力）を吸収することができるため、前記衝撃によって破壊されにくい。

【0074】

また、本実施の形態例のチップヒューズ２１によれば、第１の保護膜２８上には、無機フィラー含有のシリコーン系樹脂によって第２の保護膜２９が形成されていることを特徴としており、この無機フィラー含有のシリコーン系樹脂によって形成された第２の保護膜２９はエポキシキ基含有のシリコーン系樹脂によって形成された第１の保護膜２８に比べて硬く耐摩擦性・耐ブロッキング性が優れており、製造装置に引っ掛かり難く剥離もし難い。このため、チップヒューズ２１の生産性が向上する。しかも、シリコーン系樹脂によって形成された第２の保護膜２９は、同じシリコーン系樹脂によって形成された第１の保護膜２８に対する密着性が高いため、剥がれにくい。更に、無機フィラー含有のシリコーン系樹脂によって第２の保護膜２９を形成したことにより、製品としての強度を向上させることができる。

【0075】

また、本実施の形態例のチップヒューズ２１によれば、第２の保護膜２９は、第１の保護膜２８よりも膜厚が薄く形成されていることを特徴としており、この第２の保護膜２９は、無機フィラー含有のシリコーン系樹脂で形成し第１の保護膜２８よりも膜厚を薄くすることによって第１の保護膜２８の弾性を確保させているため、ヒューズ要素部２４ｂが溶断したときの衝撃（圧力）を吸収し、前記衝撃によって破壊されるのを防止することもできる。

【0076】

また、本実施の形態例のチップヒューズ２１によれば、第２の保護膜２９は透明であり、第１の保護膜２８と第２の保護膜２９との間には、シリコーン系樹脂によって第１の保護膜２８上に形成されたマーク３０が設けられていることを特徴としており、第１の保護膜２８とマーク３０と第２の保護膜２９が全体的にシリコーン系樹脂によって形成されているため、相互の密着性が高くて剥がれにくく、且つ、ヒューズ要素部２４ｂが溶断したときの衝撃（圧力）吸収性も高くて破壊されにくい。
なお、仮にエポキシ系樹脂によってマーク３０を形成した場合には、シリコーン系樹脂によって形成された第１の保護膜２８との密着性が悪いため、マーク３０が剥がれ落ちるおそれがある。また、エポキシ系樹脂によって形成したマーク３０は硬く、ヒューズ要素部２４ｂが溶断したときの衝撃（圧力）によって破壊され易いため、第１の保護膜２８をエポキシキ基含有のシリコーン系樹脂で形成して前記衝撃の吸収性を高めた効果が低減してしまう。

【0077】

また、本実施の形態例のチップヒューズ２１の製造方法によれば、蓄熱層２３上及び表電極部２４ａ上に矩形状の土手部２７を形成する土手部形成工程（第１の工程）と、土手部２７の内側に第１の保護膜２８を形成する第１の保護膜形成工程（第２の工程）とを有することを特徴としているため、第１の保護膜形成工程（第２の工程）で第１の保護膜２８を形成する際に当該第１の保護膜２８を形成するための材料（エポキシキ基含有のシリコーン系樹脂）が周辺に流れて広がろうとするのを、土手部形成工程（第１の工程）で形成した矩形状の土手部２７によって堰き止めることができる。従って、第１の保護膜２８は端部２８ａにおいても膜厚が薄くなることがなく十分な厚さの膜厚が確保されるため、ヒューズ要素部２４ａが溶断したときの衝撃（圧力）によって端部２８ａを含み第１の保護膜２８が破壊されるのを防止することができる。

【0078】

また、本実施の形態例のチップヒューズ２１の製造方法によれば、土手部形成工程（第１の工程）では、ヒューズ要素部２４ｂ上、表電極部２４ａ上及び蓄熱層２３上にシート状の感光基含有の材料５５を貼り付け、このシート状の感光基含有の材料５５を紫外線で露光し現像（フォトエッチング）することにより、矩形状の土手部２７を形成することを特徴としているため、スクリーン印刷などによって土手部を形成した場合に比べて、土手部２７は厚さが均一になり、第１の保護膜２８を形成するエポキシキ基含有のシリコーン系樹脂の流れを堰き止める面である内側面２７ｃが絶縁基板２２の表面２２ａに対して垂直になるため、より確実に第１の保護膜２８の端部２８ａの膜厚を確保することができる。

【0079】

ここで、本実施の形態例のチップヒューズ２１に対して行った遮断試験Ｃの結果について説明する。

【0080】

遮断試験Ｃは７６Ｖ、５０Ａでの遮断試験である。この遮断試験Ｃが行われたチップヒューズ２１の遮断試験前の抵抗値は０．０３２Ωである。遮断試験Ｃを実施した結果、図１０（ｂ）に示すように遮断時間は０．１４ｍｓであり、持続アークは見られなかった。また、外観上は、遮断後（ヒューズ要素部２４ｂが溶断後）も保護膜２８，２９が破壊されておらず、遮断前のチップヒューズ２１の外観（図２に示すような状態）が維持された。

【産業上の利用可能性】

【0081】

本発明はチップヒューズ及びその製造方法に関するものであり、チップヒューズに対する外観の維持や持続アークの低減などの遮断性能の向上を図る場合に適用して有用なものである。

【符号の説明】

【0082】

２１ チップヒューズ
２２ 絶縁基板（アルミナ基板）
２２ａ 表面
２２ｂ 裏面
２２ｂ−１ チップヒューズ長さ方向の裏面の両側の部分
２２ｃ 端面
２３ 蓄熱層（接着層）
２４ ヒューズ膜
２４ａ 表電極部
２４ａ−１ 第１電極部
２４ａ−２ 第２電極部
２４ａ−３ チップヒューズ幅方向の両側の端
２４ａ−４ チップヒューズ長さ方向の内側の端
２４ｂ ヒューズ要素部
２５ めっき膜（ニッケル膜）
２６ めっき膜（錫膜）
２７ 土手部（ダム）
２７ａ チップヒューズ長さ方向の両側の部分
２７ａ−１ チップヒューズ幅方向の両端の内側
２７ｂ チップヒューズ幅方向の両側の部分
２７ｂ−１ チップヒューズ長さ方向の中央部
２７ｂ−２ チップヒューズ長さ方向の両側の端部
２７ｃ 内側面
２８ 第１の保護膜
２８ａ 端部
２９ 第２の保護膜
３０ マーク
３１ 裏電極
３２ 端面電極
３３ めっき膜（銅膜）
３４ めっき膜（ニッケル膜）
３５ めっき膜（錫膜）
４１ 第１スリット
４２ 第２スリット
４３ 個片領域
５１ シート状の感光基含有の材料
５２ 銅箔
５３ 感光性フィルム
５４ レジスト
５５ シート状の感光基含有の材料

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】