特許第5988030号(P5988030)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許5988030大径Ti3SiC2層状粒子を含む粉体、大径Ti3Si1−xC2ナノシート及びそれらの製造方法
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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】5988030
(24)【登録日】2016年8月19日
(45)【発行日】2016年9月7日
(54)【発明の名称】大径Ti3SiC2層状粒子を含む粉体、大径Ti3Si1−xC2ナノシート及びそれらの製造方法
(51)【国際特許分類】
   C01B 31/30 20060101AFI20160825BHJP
【FI】
   C01B31/30
【請求項の数】4
【全頁数】15
(21)【出願番号】特願2012-222048(P2012-222048)
(22)【出願日】2012年10月4日
(65)【公開番号】特開2014-73934(P2014-73934A)
(43)【公開日】2014年4月24日
【審査請求日】2015年10月2日
(73)【特許権者】
【識別番号】301023238
【氏名又は名称】国立研究開発法人物質・材料研究機構
(72)【発明者】
【氏名】佐藤 仁俊
(72)【発明者】
【氏名】目 義雄
(72)【発明者】
【氏名】ミシュラ ムリナリニ
(72)【発明者】
【氏名】平野 洋人
(72)【発明者】
【氏名】エスチリ メイディ
(72)【発明者】
【氏名】鈴木 達
【審査官】 佐溝 茂良
(56)【参考文献】
【文献】 特表2003−517991(JP,A)
【文献】 特開2004−107152(JP,A)
【文献】 特表2009−538814(JP,A)
【文献】 中国特許第102153347(CN,B)
【文献】 MISHRA Mrinalini et al.,Facile Exfolaitaion of 2D Nanosheets from layered MAX phase Carbide: Ti3SiC2 ,日本セラミックス協会年会講演予稿集,2012年 3月19日,P.183
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
C01B 31/30
JSTPlus(JDreamIII)
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
平均粒子径30μm以上50μm以下のTi粒子と、平均粒子径5μm以上20μm以下のSi粒子と、平均粒子径1μm以上5μm以下のTiC粒子と、平均粒子径30μm以上50μm以下のAl粒子を、モル比がTiC:Ti:Si:Al=2:2:1.2:0.3となるように混合後、不活性ガス雰囲気中、1100℃以上1300℃以下の温度範囲で無加圧加熱してから、解砕又は粉砕して、TiSiC無加圧加熱体粉末を作製する工程と、
平均粒子径が30μm以上50μm以下のTi粒子と、平均粒子径が5μm以上20μm以下のSi粒子と、平均粒子径が1μm以上5μm以下のTiC粒子を、モル比がTiC:Ti:Si=2:2:1.2となるように混合した大径化用混合粉末を、前記TiSiC無加圧加熱体粉末に対して10重量部以上50重量部以下の範囲で混合後、不活性ガス雰囲気中、1300℃以上1400℃以下の温度範囲で無加圧加熱してから、解砕又は粉砕して、大径TiSiC層状粒子を含む粉体を製造する工程と、を有することを特徴とする大径TiSiC層状粒子を含む粉体の製造方法。
【請求項2】
化学式TiSi1−x(0<x<1)で表される材料からなり、
平面視最大径が150nm超で、厚さが150nm以下であることを特徴とする大径TiSi1−xナノシート。
【請求項3】
大径TiSiC層状粒子を含む粉体であって、粒度分布における累積体積が10%となる粒子径D10%が1.6μm以上、かつ累積体積が50%となる粒子径D50%が2.8μm以上かつ累積体積が90%となる粒子径D90%が5.0μm以上である粉体をアルカリ水溶液に浸漬する工程と、
前記粉体を浸漬したアルカリ水溶液に超音波照射する工程と
を包含し、
前記アルカリ水溶液に浸漬する工程は、5時間以上24時間以下前記粉体を前記アルカリ水溶液に浸漬し、次いで、6時間以上撹拌し、12時間以上放置した後、前記粉体を浸漬したアルカリ水溶液のpHを6〜8の範囲に調整し、
前記超音波照射する工程は、1時間以上10時間以下の累積照射時間となるよう前記粉体を浸漬したアルカリ水溶液に超音波照射することを特徴とする大径TiSi1−xナノシートの製造方法。
【請求項4】
前記アルカリ水溶液は、水酸化ナトリウム水溶液である、請求項3に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、大径TiSiC層状粒子を含む粉体、大径TiSi1−xナノシート及びそれらの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
ナノシートは、シート状物質であり、厚みがナノメートルオーダーと薄いのに対して、シート面内方向の径がその厚みの数百倍以上と長い物質である。金、白金等の金属や、酸化ガリウム、酸化チタン等の酸化物からなるナノシートがある。例えば、機能性セラミックス・ナノシートは、化粧品、窓のコーティング、記憶媒体などへの応用が検討されている。これらの応用のために、大径のナノシートが求められている。
【0003】
ナノシートの形成方法として、層状物質(層状粒子)を層ごとに分離する方法がある。
例えば、TiSiC粉末、すなわち、TiSiC層状粒子からナノシートを作製できる。TiSiC層状粒子は、Si層がTiC八面体に挟まれてなるTiSiC結晶構造で構成されたナノオーダーの厚さを有する板状粒子が積層されてなり、これを化学処理かつ解砕することにより、ナノシートを作製できる。
【0004】
特許文献1には、TiC粉末を1重量%以下とした条件下、Ti、Si、TiCの混合粉末を1200〜1400℃の範囲で真空加熱することにより、高純度なTiSiC粉末を製造できることが記載されている。
特許文献2には、1000℃〜1800℃に加熱して、M相を有する材料を形成する方法が記載されている。これに基づき、Kanthal社はTiSiCセラミックス(粉末と焼結体:商品名Maxthal312)を商品化している。
【0005】
本発明者は、Arガス雰囲気、1気圧の条件下、1200〜1400℃の温度範囲で加熱して、高純度なTiSiC粉末を得た。しかし、この手法で作製した層状粒子は十分に成長せず、D10%径が1.6〜1.9μm、D50%径が2.8〜3.0μm、D90%径が4.0〜4.5μmと小さかった。そのため、この層状粒子を層分離して形成したナノシートも、最大径が100nm程度と小さかった(非特許文献1、2)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開2004−107152号公報
【特許文献2】米国特許第6461989号明細書
【非特許文献】
【0007】
【非特許文献1】Mrinalini Mishra、Yoshio Sakka、Mehdi Estili、and Chungfeng Hu、2D Nanosheets exfoliated from layered MAX phase Carbide、TSAC−6(The 6th International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics) June 26−28, 2012, Co−organized by Local Organizing Committee of National Institute for Materials Science, Materials and Structures Laboratory, Tokyo Institute of Technology.(講演番号1P−P−14)
【非特許文献2】Mrinalini Mishra、Yoshio Sakka、Mehdi Estili、and Chungfeng Hu、Facile Exfolaitaion of 2D Nanosheets from layered MAX phase Carbide:Ti3SiC2、2012年年会 講演予稿集 2012年3月19日―21日、日本セラミックス協会,P183(2C26)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
本発明は、大径TiSiC層状粒子を含む粉体、大径TiSi1−xナノシート及びそれらの製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明者は、上記事情を鑑みて、試行錯誤して、上記手法で得られたTiSiC粉末を、Ti、Si、TiCの混合粉末(TiC:Ti:Si=2:2:1.2、モル比)と均一混合してから、1300〜1400℃の範囲で、不活性ガス雰囲気中、無加圧加熱することにより、層状粒子を顕著に成長させることができ、粒度分布における累積体積が10%となる粒子径D10%が1.6μm以上、かつ累積体積が50%となる粒子径D50%が2.8μm以上かつ累積体積が90%となる粒子径D90%が5.0μm以上である大径TiSiC層状粒子を含む粉体とすることができることを見出した。更に、大径TiSiC層状粒子を層分離させることにより、平面視最大径が150nm超で、厚さが150nm以下の大径TiSi1−xナノシートの作製に成功して、本発明を完成した。
本発明は、以下の構成を有する。
【0010】
(1)粒度分布における累積体積が10%となる粒子径D10%が1.6μm以上、かつ累積体積が50%となる粒子径D50%が2.8μm以上かつ累積体積が90%となる粒子径D90%が5.0μm以上であることを特徴とする大径TiSiC層状粒子を含む粉体。
(2)不純物として含まれるTiC濃度が1重量%以下であることを特徴とする(1)に記載の大径TiSiC層状粒子を含む粉体。
【0011】
(3)平均粒子径30μm以上50μm以下のTi粒子と、平均粒子径5μm以上20μm以下のSi粒子と、平均粒子径1μm以上5μm以下のTiC粒子と、平均粒子径30μm以上50μm以下のAl粒子を、モル比がTiC:Ti:Si:Al=2:2:1.2:0.3となるように混合後、不活性ガス雰囲気中、1100℃以上1300℃以下の温度範囲で無加圧加熱してから、解砕又は粉砕して、TiSiC無加圧加熱体粉末を作製する工程と、平均粒子径が30μm以上50μm以下のTi粒子と、平均粒子径が5μm以上20μm以下のSi粒子と、平均粒子径が1μm以上5μm以下のTiC粒子を、モル比がTiC:Ti:Si=2:2:1.2となるように混合した大径化用混合粉末を、前記TiSiC無加圧加熱体粉末に対して10重量部以上50重量部以下の範囲で混合後、不活性ガス雰囲気中、1300℃以上1400℃以下の温度範囲で無加圧加熱してから、解砕又は粉砕して、大径TiSiC層状粒子を含む粉体を製造する工程と、を有することを特徴とする大径TiSiC層状粒子を含む粉体の製造方法。
【0012】
(4)化学式TiSi1−x(0<x<1)で表される材料からなり、平面視最大径が150nm超で、厚さが150nm以下であることを特徴とする大径TiSi1−xナノシート。
(5)(1)又は(2)に記載の大径TiSiC層状粒子を含む粉体をアルカリ水溶液に浸漬してから、超音波照射することを特徴とする大径TiSi1−xナノシートの製造方法
【発明の効果】
【0013】
本発明の大径TiSiC層状粒子を含む粉体は、粒度分布における累積体積が10%となる粒子径D10%が1.6μm以上、かつ累積体積が50%となる粒子径D50%が2.8μm以上かつ累積体積が90%となる粒子径D90%が5.0μm以上である構成なので、大径TiSiC層状粒子を提供でき、これを用いて大径TiSi1−xナノシートを容易に製造できる。
【0014】
本発明の大径TiSiC層状粒子を含む粉体の製造方法は、平均粒子径30μm以上50μm以下のTi粒子と、平均粒子径5μm以上20μm以下のSi粒子と、平均粒子径1μm以上5μm以下のTiC粒子と、平均粒子径30μm以上50μm以下のAl粒子を、モル比がTiC:Ti:Si:Al=2:2:1.2:0.3となるように混合後、不活性ガス雰囲気中、1100℃以上1300℃以下の温度範囲で無加圧加熱してから、解砕又は粉砕して、TiSiC無加圧加熱体粉末を作製する工程と、平均粒子径が30μm以上50μm以下のTi粒子と、平均粒子径が5μm以上20μm以下のSi粒子と、平均粒子径が1μm以上5μm以下のTiC粒子を、モル比がTiC:Ti:Si=2:2:1.2となるように混合した大径化用混合粉末を、前記TiSiC無加圧加熱体粉末に対して10重量部以上50重量部以下の範囲で混合後、不活性ガス雰囲気中、1300℃以上1400℃以下の温度範囲で無加圧加熱してから、解砕又は粉砕して、大径TiSiC層状粒子を含む粉体を製造する工程と、を有する構成なので、粒度分布における累積体積が10%となる粒子径D10%径が1.6μm以上、かつ累積体積が50%となる粒子径D50%径が2.8μm以上かつ累積体積が90%となる粒子径D90%が5.0μm以上である大径TiSiC層状粒子を含む粉体を容易に製造できる。
【0015】
本発明の大径TiSi1−xナノシートは、化学式TiSi1−x(0<x<1)で表される材料からなり、平面視最大径が150nm超で、厚さが150nm以下である構成なので、均一な大径TiSi1−xナノシートを提供できる。
【0016】
本発明の大径TiSi1−xナノシートの製造方法は、先に記載の大径TiSiC層状粒子を含む粉体をアルカリ水溶液に浸漬してから、超音波照射する構成なので、先に記載の大径TiSiC層状粒子をナノシート作製用の原料粉末として用い、これを層分離させて、均一な大径TiSi1−xナノシートを容易に製造できる。
【図面の簡単な説明】
【0017】
図1】本発明の大径TiSiC層状粒子を含む粉体の一例を示す拡大模式図である。
図2】本発明の実施形態である大径TiSiC層状粒子の一例を示す図であって、(a)は平面図であり、(b)は(a)のA−A’線における断面図である。
図3図2のB部拡大図である。
図4】本発明の大径TiSiC層状粒子を含む粉体の製造方法の一例を示すフローチャート図である。
図5】本発明の実施形態である大径TiSi1−xナノシートの一例を示す図であって、(a)は平面図であり、(b)は(a)のD−D’線における断面図である。
図6図5のE部拡大図である。
図7】実施例1の第1の粉末(大径TiSiC層状粒子を含む粉体)の電子顕微鏡写真である。
図8】実施例1の第2の粉末(大径TiSi1−xナノシート)の電子顕微鏡写真である。
図9】実施例1の第2の粉末(大径TiSi1−xナノシート)の透過型電子顕微鏡写真である。
図10】実施例1の第2の粉末(大径TiSi1−xナノシート)の電子線回折分析結果である。
図11】実施例1の第2の粉末(大径TiSi1−xナノシートを含む粉体)のXRDパターンである。
図12】実施例4の第1の粉末(大径TiSiC層状粒子)の電子顕微鏡写真である。
図13】比較例1の粒子の電子顕微鏡写真である
図14】比較例1のナノシートの透過型電子顕微鏡写真である。
【発明を実施するための形態】
【0018】
(本発明の実施形態)
以下、添付図面を参照しながら、本発明の実施形態である大径TiSiC層状粒子を含む粉体、大径TiSi1−xナノシート及びそれらの製造方法について説明する。
【0019】
<大径TiSiC層状粒子を含む粉体>
図1は、本発明の実施形態である大径TiSiC層状粒子を含む粉体の一例を示す拡大模式図である。
図1に示すように、大径TiSiC層状粒子を含む粉体1は、様々な形状、大きさのTiSiC層状粒子を含むが、平面視最大径が150nm超の大径TiSiC層状粒子を含み、粒度分布における累積体積が10%となる粒子径D10%が1.6μm以上、かつ累積体積が50%となる粒子径D50%が2.8μm以上かつ累積体積が90%となる粒子径D90%が5.0μm以上とされている。
このTiSiC層状粒子で構成された粉末は、固結凝集がほとんどなく、容易に大径TiSiC層状粒子に解砕できる。さらに、微細層状粒子の含有率を少なくすることにより、安定して、本発明の一つである大径TiSi1−xナノシートを製造できる。固結凝集は、それぞれの粒子表面の一部が焼結によって強く結合している状態を示し、固結凝集が強いと容易にそれぞれの層状粒子に解砕できない。
【0020】
図2は、本発明の実施形態である大径TiSiC層状粒子の一例を示す図であって、(a)は平面図であり、(b)は(a)のA−A’線における断面図である。
図2(a)に示すように、本発明の実施形態である大径TiSiC層状粒子10は、平面視略多角形状の層状粒子である。平面視略多角形状に限られるものではなく、平面視楕円形状等であってもよい。長径dx、短径dy、厚さdzとされている。
【0021】
図2(b)に示すように、大径TiSiC層状粒子10は、板状部21、22、23、24、25、26が積層されてなる。6つの板状部が積層された構成を示したが、板状部の数はこれに限られるものではない。
図3は、図2のB部拡大図である。
図3に示すように、板状部21は、TiSiC単一相からなり、Si層がTiC八面体に挟まれてなるTiSiC結晶構造を有している。
不純物として含まれるTiC濃度が1重量%以下であることが好ましい。
【0022】
<大径TiSiC層状粒子を含む粉体の製造方法>
図4は、本発明の実施形態である大径TiSiC層状粒子を含む粉体の製造方法の一例を示すフローチャート図である。
図4に示すように、本発明の実施形態である大径TiSiC層状粒子を含む粉体の製造方法は、TiSiC無加圧加熱体粉末作製工程S1と、大径TiSiC層状粒子を含む粉体製造工程S2と、を有する。
【0023】
(TiSiC無加圧加熱体粉末作製工程S1)
この工程では、まず、平均粒子径30μm以上50μm以下のTi粒子と、平均粒子径5μm以上20μm以下のSi粒子、平均粒子径1μm以上5μm以下のTiC粒子、平均粒子径30μm以上50μm以下のAl粒子を、モル比がTiC:Ti:Si:Al=2:2:1.2:0.3となるように混合する。
【0024】
平均粒子径30μm未満、50μm超のTi粒子を用いた場合、平均粒子径5μm未満、15μm超のSi粒子を用いた場合、平均粒子径1μm未満、5μm超のTiC粒子を用いた場合、及び平均粒子径30μm未満、50μm超のAl粒子を用いた場合にはいずれも、未反応の材料が残留したり、分解生成物が析出して、TiSiC単一相を得ることができない。
【0025】
モル比はTiC:Ti:Si:Al=2:2:1.2:0.3とする。それぞれの値で、±10%以内となる範囲としてもよい。
なお、Al粒子は酸素ゲッターであり、製造工程において、自らが酸化し、TiSiCの酸化を防止して、不純物の発生を抑制する。
【0026】
次に、不活性ガス雰囲気中、前記混合粉末を、1100℃以上1300℃以下の温度範囲で無加圧加熱してから、解砕又は粉砕して、TiSiC無加圧加熱体粉末を作製する。
【0027】
不活性ガスとは、例えば、アルゴンガスである。酸素含有ガス雰囲気では、TiSiCの酸化が生じる。
【0028】
無加圧加熱温度が、1100℃以上1300℃以下の範囲内であることが好ましい。これにより、TiSiC単一相からなるTiSiC無加圧加熱体粉末を作成することができる。1100℃未満では、未反応の材料が残留する。1300℃超では、得られた粉末の固結凝集が強く解砕が容易ではない。1200℃以上1300℃以下とすることがより好ましい。1200℃以上1250℃以下とすることがさらに好ましい。
【0029】
解砕は、例えば、Al乳鉢ですりつぶして、粉体化する処理である。また、粉砕は、例えば、ヘキサン溶媒に分散して、400rpmで、10h、遊星ボールミルを用い、粉体化する処理である。解砕に比べ、粉砕では、粒子径をより小さくできる。
解砕又は粉砕により、平均粒子径10μm未満のTiSiC無加圧加熱体粉末を作製する。
【0030】
TiSiC無加圧加熱体粉末の平均粒子径が、1.0μm以上3.0μm以下の範囲内であることが好ましい。
一方、平均粒子径1.0μm未満では、大径化困難となる。また、平均粒子径3.0μm超では、大径化用混合粉末の均一混合が困難となる。
【0031】
(大径TiSiC層状粒子を含む粉体製造工程S2)
この工程では、平均粒子径が30μm以上50μm以下のTi粒子と、平均粒子径が5μm以上20μm以下のSi粒子と、平均粒子径が1.0μm以上5.0μm以下のTiC粒子を、モル比がTiC:Ti:Si=2:2:1.2となるように混合した大径化用混合粉末を、前記TiSiC無加圧加熱体粉末に対して10重量部以上50重量部以下の範囲で混合後、不活性ガス雰囲気中、1300℃以上1400℃以下の温度範囲で無加圧加熱してから、解砕又は粉砕して、大径TiSiC層状粒子を含む粉体を製造する。
【0032】
1300℃未満では、大径化が困難であり、大径TiSiC層状粒子を作成できない。1400℃がTiSiCの分解温度なので、1400℃超ではTiSiCの分解が生じる場合がある。
【0033】
また、前記TiSiC無加圧加熱体粉末に対して大径化用混合粉末を混合する割合を10重量部未満又は50重量部超の範囲とすると、大径化できずに、微小粒子が残存する。
【0034】
以上の工程により、粒度分布における累積体積が10%となる粒子径D10%が1.6μm以上、かつ累積体積が50%となる粒子径D50%が2.8μm以上かつ累積体積が90%となる粒子径D90%が5.0μm以上である大径TiSiC層状粒子からなる粉体を製造することができる。
【0035】
<大径TiSi1−xナノシート>
図5は、本発明の実施形態である大径TiSi1−xナノシートの一例を示す図であって、(a)は平面図であり、(b)は(a)のD−D’線における断面図である。
図5(a)に示すように、本発明の実施形態である大径TiSi1−xナノシート30は、平面視略多角形状のシート状材料である。平面視略多角形状に限られるものではなく、平面視楕円形状等であってもよい。長径dx、短径dy、厚さdzとされている。
平面視最大径dxが150nm超で、厚さdzが150nm以下である。
均一なナノシートとするためには、平面視最大径dxは、150nm超5μm以下とし、厚さdzは、50nm以上100nm以下とすることがより好ましい。
【0036】
図6は、図5(b)のE部拡大図である。
図6に示すように、大径TiSi1−xナノシート30は、化学式TiSi1−x(0<x<1)単一相からなり、Si層がTiC八面体に挟まれてなるTiSiC結晶構造を有している。Si欠陥を有している。
不純物として含まれるTiC濃度が1重量%以下であることが好ましい。
【0037】
<大径TiSi1−xナノシートの製造方法>
本発明の実施形態である大径TiSi1−xナノシートの製造方法は、アルカリ水溶液浸漬工程と、超音波照射工程と、を有する。
【0038】
(アルカリ水溶液浸漬工程)
この工程では、本発明の実施形態である大径TiSiC層状粒子を含む粉体1をアルカリ水溶液に浸漬する。
アルカリ水溶液としては、例えば、5モル%水酸化ナトリウム(NaOH)水溶液を用いる。水酸化ナトリウムにより、Ti−Si結合の弱い部分が切断され、大径TiSiC層状粒子のSi層からSiイオンが溶出され、Si層に欠陥が生じる。
【0039】
浸漬時間は、5時間以上とすることが好ましく、6時間以上24時間以下とすることがより好ましい。
浸漬後、例えば、6時間撹拌してから、12時間放置する。
攪拌時間、放置時間はこれに限られるものではないが、一定の大きさのナノシートを剥離させるためには、6時間以上撹拌することが好ましく、10時間以上攪拌することがより好ましい。また、12時間以上放置することが好ましく、20時間以上放置することがより好ましい。
放置後、蒸留水でpH6〜8の範囲になるまで洗浄する。
【0040】
(超音波照射工程)
この工程では、Ti−Si結合の弱い部分が切断された後、超音波照射を行う。
超音波照射時間は、層分離を十分行うためには、1時間以上とすることが好ましく、製造工程を短時間にして、層分離をより十分行うためには、3時間以上10時間以下とすることがより好ましい。
例えば、超音波照射を45分、蒸留水で洗浄、を所定の累積照射時間に到達するまで繰り返す。
【0041】
超音波照射すると、層状粒子が互いに衝突し、結合力が弱まった層で剥離する。
剥離はすべてのSi層で生じる可能性があるが、層状分子を構成する板状部ごとに、まず、剥離が生ずると考えられる。板状部それぞれが、ナノシートを形成する。例えば、平面視最大径dxが150nm超で、厚さdzが150nm以下の板状部21が、大径TiSi1−xナノシート30とされる。
【0042】
本発明の実施形態である大径TiSiC層状粒子を含む粉体、大径TiSi1−xナノシート及びそれらの製造方法は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で、種々変更して実施することができる。本実施形態の具体例を以下の実施例で示す。しかし、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【実施例】
【0043】
(実施例1)
まず、TiC(3μm、高純度化学)、Ti(35μm、高純度化学)、Si(5μm、No.600、山石金属)、Al(30μm、高純度化学)の混合粉末(TiC:Ti:Si:Al=2:1:1.2:0.3、モル比)をAr気流中、1200℃で焼成し、Al乳鉢で解砕して、混合粉末(TSC粉末)を得た。
【0044】
XRD(X−ray diffraction)で、得られた粉末はTiSiC単一相であることを確認した。なお、AlはTi、Si、TiCよりも酸化しやすく、Ti、Si、TiCの酸化を防ぐために添加した。
【0045】
次に、50重量部の混合粉末(TSC粉末)を、50重量部のTiC、Ti、Siからなる別の混合粉末(TiC:Ti:Si=2:1:1.2、モル比:以下、SP粉末という。)と、均一混合した。Ar気流中、1400℃で、無加圧焼成(無加圧加熱)し、Al乳鉢で解砕して、実施例1の第1の粉末(大径TiSiC層状粒子を含む粉体)が得られた。
【0046】
得られた粉末について、XRD、電子顕微鏡観察を行った。
XRDの結果から、得られた粉末は、TiSiC単一相であることを確認した。
図7は、実施例1の第1の粉末(大径TiSiC層状粒子)の電子顕微鏡写真(二次電子像)である。層状に著しく成長した大径TiSiC層状粒子を観察できた。
【0047】
電子顕微鏡観察結果から、500個の粒子の長軸と短軸の長さを測定し、その平均を粒子径と定義した。
次に、前記粒子の半径Rを用いて、V=(4πR)/3から、500個の粒子それぞれの体積(容量)Vを(n=1〜500、自然数)算出した。
次に、500個の粒子の体積の合計VSUMを算出した。
次に、500個の粒子それぞれについて、(V/VSUM)(%)を算出した。
次に、xとして粒子径R、yとして累積体積分布(V/VSUM)(%)(0〜100%)として、xyプロットして、容量の累積分布曲線を作成した。
次に、容量の累積分布曲線から、累積体積分布(V/VSUM)(%)=90%のときの粒子径を90%累積径(D90%)とし、累積体積分布(V/VSUM)(%)=50%のときの粒子径を50%累積径(D50%)とし、累積体積分布(V/VSUM)(%)=10%のときの粒子径を10%累積径(D10%)として算出した。
【0048】
表1に、実施例1の第1の粉末(大径TiSi1−x層状粒子を含む粉体)の実験条件、実験結果(粒度分布)を記載した。なお、実施例2〜6及び比較例1〜5についても合わせて記載している。
【0049】
【表1】
【0050】
次に、5モル%水酸化ナトリウム水溶液、500mLに0.5gの層状に成長したTiSiC粉末を添加し、6時間撹拌した。12時間放置した後、蒸留水で洗浄、をpH7になるまで繰り返した。その後、超音波照射を累計で6時間行った。
その後、乾燥して、実施例1の第2の粉末(大径TiSi1−xナノシートを含む粉体)が得られた。
【0051】
次に、乾燥後の実施例1の第2の粉末(大径TiSi1−xナノシートを含む粉体)を電子顕微鏡観察した。
図8は、実施例1の第2の粉末(大径TiSi1−xナノシートを含む粉体)の電子顕微鏡写真である。実施例1の粉末はナノシートの凝集物であった。厚さ約100〜130nmのナノシートを確認できた。
【0052】
次に、乾燥後の実施例1の第2の粉末(大径TiSi1−xナノシートを含む粉体)を超音波分散したコロイド溶液を用いて、透過型電子顕微鏡観察を行った。平面視最大径dxが150nm超の均一な大径TiSi1−xナノシートを多く観察できた。平面視径が1μm以上の大きさのナノシートも観測できた。
図9は、実施例1の第2の粉末(大径TiSi1−xナノシートを含む粉体)の透過型電子顕微鏡写真である。層状に著しく成長し、平面視径が1μm以上の大きさのナノシートを観測できている。
【0053】
図10は、実施例1の第2の粉末(大径TiSi1−xナノシートを含む粉体)の電子線回折分析結果であり、図11は、実施例1の第2の粉末(大径TiSi1−xナノシートを含む粉体)のXRDパターンである。表2は、実施例1の第2の粉末(大径TiSi1−xナノシートを含む粉体)の化学分析の定量分析結果である。TiSi0.8に相当する。これらの結果から、実施例1の第2の粉末に含まれるナノシートがTiSi1−Xからなることを確認した。
【0054】
【表2】
【0055】
(実施例2)
焼成温度を1350℃とした他は実施例1と同様にして、実施例2の第1の粉末(大径TiSiC層状粒子を含む粉体)を得た。
【0056】
XRDで、得られた粉末は、TiSiC単一相であることを確認した。また、電子顕微鏡により、層状に成長した粒子であることを確認した。
実施例1と同様にして、容量の累積分布曲線を作成し、90%累積径(D90%)、50%累積径(D50%)、10%累積径(D10%)を算出した。
【0057】
(実施例3)
焼成温度を1300℃とした他は実施例1と同様にして、実施例3の第1の粉末(大径TiSiC層状粒子を含む粉体)を得た。
【0058】
XRDで、得られた粉末は、TiSiC単一相であることを確認した。また、電子顕微鏡により、層状に成長した粒子であることを確認した。
実施例1と同様にして、90%累積径(D90%)、50%累積径(D50%)、10%累積径(D10%)を算出した。結果を表1に示した。
【0059】
(実施例4)
60重量部の混合粉末(TSC粉末)と40重量部のSP粉末を用い、焼成温度を1300℃とした他は実施例1と同様にして、実施例4の第1の粉末(大径TiSiC層状粒子を含む粉体)を得た。
XRDで、得られた粉末は、TiSiC単一相であることを確認した。
図12は、実施例4の第1の粉末(大径TiSiC層状粒子を含む粉体)の電子顕微鏡写真(二次電子像)である。層状に成長した粒子であることを確認した。
実施例1と同様にして、90%累積径(D90%)、50%累積径(D50%)、10%累積径(D10%)を算出した。
【0060】
(実施例5)
70重量部の混合粉末(TSC粉末)と30重量部のSP粉末を用い、焼成温度を1300℃とした他は実施例1と同様にして、実施例5の第1の粉末(大径TiSiC層状粒子を含む粉体)を得た。
XRDで、得られた粉末は、TiSiC単一相であることを確認した。
実施例1と同様にして、90%累積径(D90%)、50%累積径(D50%)、10%累積径(D10%)を算出した。
【0061】
(実施例6)
90重量部の混合粉末(TSC粉末)と10重量部のSP粉末を用い、焼成温度を1300℃とした他は実施例1と同様にして、実施例6の第1の粉末(大径TiSiC層状粒子を含む粉体)を得た。
XRDで、得られた粉末は、TiSiC単一相であることを確認した。
実施例1と同様にして、90%累積径(D90%)、50%累積径(D50%)、10%累積径(D10%)を算出した。
【0062】
(比較例1)
TiC(3μm、高純度化学)、Ti(35μm、高純度化学)、Si(5μm、山石金属)、Al(38μm、高純度化学)の混合粉末(TiC:Ti:Si:Al=2:1:1.2:0.3、モル比)をAr気流中、1200℃で焼成し、Al乳鉢で解砕して、比較例1の第1の粉末(TiSiC粉末)を得た。
これは、公知の方法で作製した粉末である。
【0063】
XRDで、得られた粉末は、TiSiC単一相であることを確認した。
図13は、比較例1の第1の粉末の電子顕微鏡写真(二次電子像)である。
実施例1と同様にして、90%累積径(D90%)、50%累積径(D50%)、10%累積径(D10%)を算出した。
【0064】
5モル%水酸化ナトリウム水溶液、500mLに0.5gの比較例1の第1の粉末(TiSiC粉末)を添加し、6時間撹拌してから、12時間放置した。
次に、超音波照射を45分行い、蒸留水で洗浄することをpH7になるまで繰り返した。
その後、乾燥して、比較例1の第2の粉末が得られた。
乾燥後の粉末を用いて、透過型電子顕微鏡観察を行った。
図14は、比較例1の第2の粉末の透過型電子顕微鏡写真である。
また、得られた粉末は、電子線回折分析からTiCであることを確認した。
【0065】
(比較例2)
比較例1における焼成温度を1300℃とした以外は、比較例1と同様に作製した。これは公知の方法で作製した粉末である。比較例1で得た粉末に比べて、わずかに大径化しているが、十分ではない。さらに、比較例1で得た粉末に比べて、固結凝集が進行し、解砕が比較的困難であった。
【0066】
(比較例3)
比較例1における焼成温度を1400℃とした以外は、比較例1と同様に作製した。これは公知の方法で作製した粉末である。比較例1で得た粉末に比べて、わずかに大径化しているが、十分ではない。さらに、比較例1で得た粉末に比べて、固結凝集が進行し、解砕が困難であった。
【0067】
(比較例4)
焼成温度を1200℃とした他は実施例1と同様にして、比較例4の第1の粉末を得た。
XRDで、得られた粉末は、TiSiC単一相であることを確認した。
実施例1と同様にして、90%累積径(D90%)、50%累積径(D50%)、10%累積径(D10%)を算出した。
【0068】
(比較例5)
95重量部の混合粉末(TSC粉末)と5重量部のSP粉末を用い、焼成温度を1300℃とした他は実施例1と同様にして、比較例5の第1の粉末(大径TiSiC層状粒子を含む粉体)を得た。
XRDで、得られた粉末は、TiSiC単一相であることを確認した。
実施例1と同様にして、90%累積径(D90%)、50%累積径(D50%)、10%累積径(D10%)を算出した。
【産業上の利用可能性】
【0069】
本発明の大径TiSiC層状粒子を含む粉体及び大径TiSi1−xナノシートは、導電性、耐酸化性、耐熱性に優れ、酸素含有雰囲気中、100℃以上900℃以下で使用する導電材料として最適に用いることができる。さらに、強磁場中電気泳動法などで配向堆積させることにより、薄い導電材料のパターニングも可能な将来性のある材料である。よって、本発明は、電子材料産業、電子部品・機器産業等において利用可能性がある。
【符号の説明】
【0070】
1…大径TiSiC層状粒子を含む粉体、10…大径TiSiC層状粒子、21、22、23、24、25、26…板状部、30…大径TiSi1−xナノシート。
図1
図2
図3
図4
図5
図6
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図10
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