(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
前記昇圧回路は、クロック信号を計数して所要の複数の桁の出力に基づいて前記複数相のチャージクロック信号を生成するカウンタを有し、前記カウンタは前記Y電極毎の複数のパルス波形による駆動サイクル単位で計数値が初期化される、請求項1記載のタッチセンサパネルコントローラ。
複数のY電極とX電極によって複数の交点に容量が形成されたタッチセンサパネルの前記Y電極を駆動する駆動回路及び前記X電極から信号を入力して前記交点の容量の容量値を検出する検出回路を有するタッチセンサパネルコントローラと、
複数の走査電極と信号電極との交差部分に表示セルが配置されたアクティブマトリクス型のディスプレイパネルに表示駆動電圧を供給するディスプレイドライバと、
昇圧回路と、を有する半導体装置であって、
前記駆動回路は前記Y電極毎に複数のパルス波形を印加してY電極の駆動を行い、
前記昇圧回路は、前記駆動回路、前記検出回路及び前記ディスプレイドライバを動作させるための電源電圧を生成し、複数相のチャージクロック信号のパルス変化に同期してチャージポンプ動作を行い、
前記複数相のチャージクロック信号は前記Y電極毎の複数のパルス波形による駆動サイクル単位で初期化される、半導体装置。
前記昇圧回路は、クロック信号を計数して所要の複数の桁の出力に基づいて前記複数相のチャージクロック信号を生成するカウンタを有し、前記カウンタは前記Y電極毎の複数のパルス波形による駆動サイクル単位で計数値が初期化される、請求項3記載の半導体装置。
前記第1の駆動回路及び第2の駆動回路は、前記第1のパルス波形のハイレベル期間を前記第2のパルス波形のハイレベル期間内とし、前記第1のパルス波形のハイレベルの幅を前記第2のパルス波形のハイレベルの幅に比べて小さくする、請求項5記載の半導体装置。
前記第1のパルス波形の変化タイミングは、前記第2のパルス波形の立ち上がりタイミングに対して、ウェイト時間を経過した時間と、前記第2のパルス波形の立ち下がりタイミングに対して、セット時間を経過する前の時間と、によって前記第1の駆動回路に設定される、請求項7記載の半導体装置。
【発明を実施するための形態】
【0016】
1.実施の形態の概要
先ず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。代表的な実施の形態についての概要説明で括弧を付して参照する図面中の参照符号はそれが付された構成要素の概念に含まれるものを例示するに過ぎない。
【0017】
〔1〕<TPに対する交流駆動パルスのローレベルが負電圧>
本発明の代表的な実施の形態に係るタッチセンサパネルコントローラ(3)は、複数のY電極(Y1〜YM)とX電極(X1〜XN)によって複数の交点に容量が形成されたタッチセンサパネルの前記Y電極を駆動する駆動回路(300)と、前記X電極から信号を入力して前記交点の容量の容量値を検出する検出回路(301)と、前記駆動回路及び前記検出回路を制御する制御部(308)とを有する。前記駆動回路はローレベルが負電圧とされたパルス状の交流駆動電圧を前記Y電極に印加する。
【0018】
これによれば、Y電極を高電圧のパルス状交流駆動電圧で駆動することにより、1回のパルス駆動によって前記交点の容量に蓄積される電荷量が増えるので、信号成分を拡大でき高いS/N比を得ることができる。また交流駆動電圧のローレベルを負電圧とすることにより、例えばディスプレイパネルのように駆動電圧に負電圧を用いる回路の動作電源を流用して容易に高電圧を得ることができるようになる。
【0019】
〔2〕<負電圧のレベルが外部から選択可能>
項1のタッチセンサパネルコントローラにおいて、前記制御回路は、外部から与えられる選択データ(VGLVLのデータ)に基づいて前記負電圧のレベルを決定する。
【0020】
これによれば、例えばディスプレイドライバのような他の回路の近傍にタッチセンサパネルコントローラが配置される場合を想定したとき、交流駆動電圧は当該他の回路に与えられるノイズになることと当該他の回路から与えられるノイズに対する耐性との双方を勘案して、最適なレベルの負電圧を選択することが可能になる。
【0021】
〔3〕<LCD駆動電圧を考慮したTPの交流駆動パルスの電圧>
本発明の別の実施の形態に係る半導体装置はタッチセンサパネルコントローラ(3)とディスプレイドライバ(4)とを有する。タッチセンサパネルコントローラは複数のY電極(Y1〜YM)とX電極(X1〜XN)によって複数の交点に容量(Cxy)が形成されたタッチセンサパネル(1)の前記Y電極を駆動すると共に前記X電極から信号を入力して前記交点の容量の容量値を検出する。ディスプレイドライバは、複数の走査電極(G1〜G640)と信号電極(D1〜D1440)との交差部分に表示セルが配置されたアクティブマトリクス型のディスプレイパネル(2)に表示駆動電圧を供給する。前記タッチセンサパネルコントローラは、ローレベルが負電圧のパルス状の交流駆動電圧を前記Y電極に印加する駆動回路(300)を有する。
【0022】
これによれば、Y電極を高電圧のパルス状交流駆動電圧で駆動することにより1回のパルス駆動によって前記交点の容量に蓄積される電荷量が増えるので信号成分を拡大でき高いS/N比を得ることができる。また交流駆動電圧のローレベルを負電圧とすることにより、ディスプレイドライバのように駆動電圧に負電圧を用いる回路の動作電源を流用して交流駆動のための高電圧を容易に得ることができるようになる。
【0023】
〔4〕<ディスプレイドライバの昇圧回路による電圧を交流駆動電圧に適用>
項3の半導体装置において、前記ディスプレイドライバは、前記走査電極と前記信号電極の駆動に用いる複数の電圧を生成する昇圧回路(400)を有する。前記駆動回路は前記交流駆動電圧のハイレベルとローレベルの双方又は一方の電圧に前記昇圧回路で生成された電圧(VYL)を用いる。
【0024】
これによれば、ディスプレイドライバの昇圧電圧を流用することにより、タッチセンサパネルコントローラに専用の昇圧回路を設けなくても、また、外部に駆動電圧の供給回路を設けなくても、容易に交流駆動電圧を得ることができるようになる。
【0025】
〔5〕<負電圧のレベルが外部から選択可能>
項3の前記タッチセンサパネルコントローラは、外部から与えられる選択データ(VGLVLのデータ)に基づいて前記負電圧のレベルを決定する制御部を更に有する。
【0026】
これによれば、交流駆動電圧がディスプレイドライバに与えるノイズの大小と当該ディスプレイドライバから与えられるノイズに対する耐性とを勘案して、最適なレベルの負電圧を選択することが可能になる。
【0027】
〔6〕<シングルチップ又はマルチチップ>
項3の半導体装置において、前記タッチセンサパネルコントローラ(3)と前記ディスプレイドライバ(4)は共通の半導体基板に形成されたシングルチップ又は別々の半導体基板に形成されたマルチチップを有する。
【0028】
マルチチップで構成することにより、制御対象とするタッチセンサパネル及びディスプレイパネルに対してタッチセンサパネルコントローラ及び前記ディスプレイドライバの選択幅が増え、シングルチップで構成することにより小型化に資することができる。
【0029】
〔7〕<TPのY電極駆動波形とディスプレイパネルの走査電極駆動波形の干渉防止>
本発明の更に別の実施の形態に係る半導体装置は、タッチセンサパネルコントローラ(3)とディスプレイドライバ(4)とを有する。タッチセンサパネルコントローラは、複数のY電極(Y1〜YM)とX電極(X1〜XN)によって複数の交点に容量(Cxy)が形成されたタッチセンサパネル(1)の前記Y電極を駆動すると共に前記X電極から信号を入力して前記交点の容量の容量値を検出する。ディスプレイドライバは、複数の走査電極(G1〜G640)と信号電極(D1〜D1440)との交差部分に表示セルが配置されたアクティブマトリクス型のディスプレイパネル(2)に表示駆動電圧を供給する。前記タッチセンサパネルコントローラは前記Y電極に第1のパルス波形を印加する第1の駆動回路(300)を有し、前記ディスプレイドライバは、前記液晶ディスプレイパネルの前記走査電極に第2のパルス波形を印加する第2の駆動回路(AMPvf)を有する。前記第1の駆動回路及び第2の駆動回路は、前記第1のパルス波形のハイレベル期間を前記第2のパルス波形のハイレベル期間内とし、前記第1のパルス波形のハイレベルの幅を前記第2のパルス波形のハイレベルの幅に比べて小さくする(
図18参照)。
【0030】
これによれば、タッチセンサパネルコントローラによる制御に際して、ディスプレイパネルの走査電極の電圧変化タイミングに着目すると、そのタイミングでY電極は非パルス駆動期間、即ちX電極による非検出期間(チャージ期間)とされるから、走査電極の電圧変化によって生ずるノイズはY電極のパルス駆動期間で行われるX電極の検出動作に影響を与えない。また、ディスプレイドライバによる制御に際して、タッチセンサパネルのY電極の電圧変化タイミングに着目すると、Y電極の駆動パルス(第1パルス波形)の立ち下がりタイミングは表示セルに与えられる信号電圧が確定される走査電極の駆動パルス(第2パルス波形)の立下りタイミングからずれるから、Y電極の電圧変化によって生ずるノイズが表示セルで確定する信号電圧に影響を与えない。要するに、タッチセンサパネルコントローラを用いたタッチ検出能力が低下したりディスプレイドライバによる表示性能が劣化したりする事態を回避することができる。
【0031】
〔8〕<ディスプレイパネルの駆動タイミング基準でTPのY電極駆動波形を制御>
項7の半導体装置において、前記第2の駆動回路は前記ディスプレイパネルの駆動タイミングを基準に第2のパルス波形を生成する。前記第1の駆動回路は前記ディスプレイパネルの駆動タイミングを基準に、前記第1のパルス波形のハイレベル期間が前記第2のパルス波形のハイレベル期間内に設定され、前記第1のパルス波形のハイレベルの幅が前記第2のパルス波形のハイレベルの幅に比べて小さく設定された、第2のパルス波形を生成する(
図8参照)。
【0032】
これによれば、前記第2のパルス波形を基準にするから、それに対する第1のパルス波形を容易に生成することができる。
【0033】
〔9〕<走査電極の駆動パルス波形に対する変化タイミングの設定>
項8の半導体装置において、前記第1のパルス波形の変化タイミングは、前記第2のパルス波形の立ち上がりタイミングに対して、ウェイト時間を経過した時間(t1)と、前記第2のパルス波形の立ち下がりタイミングに対して、セット時間を経過する前の時間(t3)と、によって前記第1の駆動回路に設定される。
【0034】
これによれば、第2のパルス波形に対する第1のパルス波形をパラメータを用いて容易に決定することができる。
【0035】
〔10〕<チャージポンプのチャージクロックをY電極毎に初期化>
本発明の更に別の実施の形態に係るタッチセンサパネルコントローラ(3A)は、複数のY電極(Y1〜YM)とX電極(X1〜XN)によって複数の交点に容量(Cxy)が形成されたタッチセンサパネル(1)の前記Y電極を駆動する駆動回路(300)と、前記X電極から信号を入力して前記交点の容量の容量値を検出する検出回路(301)と、前記駆動回路及び前記検出回路を動作させるための電源電圧を生成する昇圧回路(309)とを有する。前記駆動回路は前記Y電極毎に複数のパルス波形を印加してY電極の駆動を行なう。前記昇圧回路は、複数相のチャージクロック信号(CCK1〜CCK4)のパルス変化に同期してチャージポンプ動作を行う。前記複数相のチャージクロック信号は前記Y電極毎の複数のパルス波形による駆動サイクル単位(YNSCAN_ST)で初期化される。
【0036】
これによれば、昇圧回路のチャージポンプ動作の回数を決定する複数相のチャージクロック信号のクロック変化回数は前記Y電極に対する一定のパルス駆動期間毎に一定になるから、昇圧回路の昇圧動作によるノイズの重畳量は毎回一定になり、ノイズのばらつきによってタッチ検出精度が低下することを防止することができる。単なるフィードバック制御形態の昇圧回路を用いた場合にはY電極に対する一定のパルス駆動期間毎に発生するチャージポンプ動作回数は不定になり、ノイズのばらつきによる影響を受けることになる。
【0037】
〔11〕<チャージクロックを生成するカウンタの初期化>
項10のタッチセンサパネルコントローラにおいて、前記昇圧回路はクロック信号を計数して所要の複数桁の出力に基づいて前記複数相のチャージクロック信号を生成するカウンタ(410)を有し、前記カウンタは前記Y電極毎の複数のパルス波形による駆動サイクル単位(YNSCAN_ST)で初期化される。
【0038】
これによれば、上記カウンタを用いることにより、所要のチャージクロック信号の生成と初期化を容易に実現することができる。
【0039】
〔12〕<チャージポンプのチャージクロックをY電極毎に初期化>
本発明の更に別の実施の形態に係る半導体装置はタッチセンサパネルコントローラ(3)、ディスプレイドライバ(4)及び昇圧回路(700)を有する。前記タッチセンサパネルコントローラは、複数のY電極(Y1〜YM)とX電極(X1〜XN)によって複数の交点に容量(Cxy)が形成されたタッチセンサパネル(1)の前記Y電極を駆動する駆動回路(300)及び前記X電極から信号を入力して前記交点の容量の容量値を検出する検出回路(301)を有する。前記ディスプレイドライバは、複数の走査電極(G1〜G640)と信号電極(D1〜D1440)との交差部分に表示セルが配置されたアクティブマトリクス型のディスプレイパネル(2)に表示駆動電圧を供給する。前記駆動回路は前記Y電極毎に複数のパルス波形を印加してY電極の駆動を行う。前記昇圧回路は、前記駆動回路、前記検出回路及び前記ディスプレイドライバを動作させるための電源電圧を生成し、複数相のチャージクロック信号(CCK1〜CCK4)のパルス変化に同期してチャージポンプ動作をおこなう。前記複数相のチャージクロック信号は前記Y電極毎の複数のパルスによる駆動サイクル単位(YNSCAN_ST)で初期化される。
【0040】
これによれば、項10と同様の作用効果を奏する。ただし、ここで言及する昇圧回路はタッチセンサパネルコントローラに専用化されるものに限定されず、ディスプレイドライバへの動作電源の供給に兼用されるものであってよい。
【0041】
〔13〕<チャージクロックを生成するカウンタの初期化>
項12の半導体装置において、前記昇圧回路は、クロック信号を計数して所要の複数の桁の出力に基づいて前記複数相のチャージクロック信号を生成するカウンタ(410)を有し、前記カウンタは前記Y電極毎の複数のパルス波形による駆動サイクル単位で計数値が初期化される。
【0042】
これによれば項11と同様の作用効果を有する。
【0043】
2.実施の形態の詳細
実施の形態について更に詳述する。
【0044】
≪実施の形態1≫
図1には本発明が適用された表示及び入力装置の全体的な構成を示す説明図である。同図に示される表示及び入力装置は例えばPDAや携帯電話機などの携帯端末の一部を構成し、タッチセンサパネル(TP)1、ディスプレイパネルとしての液晶ディスプレイパネル(DSP)2、タッチセンサパネルコントローラ(TPC)3、及びディスプレイドライバとしての液晶ドライバ(DSPD)4を備える。
【0045】
タッチセンサパネルコントローラ3は、サブシステム用のマイクロプロセッサ(SMPU)5の制御に基づいてタッチセンサパネル1を駆動してそのX電極とY電極の交点の容量のアレイから順次信号を取得して蓄積し、蓄積した信号を当該サブシステム用のマイクロプロセッサ5に返していく。サブシステム用のマイクロプロセッサ5とはホストプロセッサ6に対してサブシステムを構成するためのマイクロプロセッサであることを意味する。
【0046】
タッチセンサパネル1は透過性(透光性)の電極や誘電体膜を用いて構成され、例えばビットマップ表示形態の液晶ディスプレイ2の表示面に重ねて配置される。ホストプロセッサ(HMPU)6は表示データを生成し、液晶表示ドライバ4はホストプロセッサ6から受け取った表示データを液晶ディスプレイ2に表示するための表示制御を行う。
【0047】
サブシステムのマイクロプロセッサ5はタッチセンサパネルコントローラ3から受け取った信号に対してディジタルフィルタ演算を行い、これによってノイズが除去された信号に基づいてタッチセンサパネル3上で接触イベントが発生したときの座標を演算してホストプロセッサ6に与える。例えばホストプロセッサ6は液晶表示ドライバ4に与えて表示させた表示画面とサブシステムのマイクロプロセッサ5から与えられた座標データとの関係から、タッチセンサパネル1による入力を解析する。
【0048】
図2にはタッチセンサパネルの電極構成が例示される。タッチセンサパネル1は横方向に形成された多数のY電極Y1〜YMと、縦方向に形成された多数のX電極X1〜XNとが相互に電気的に絶縁されて構成される。各電極はその延在方向の途中が方形状に成形されて容量電極を構成する。X電極に接続する容量電極とY電極に接続する容量電極とによって交点の容量(交点容量)が形成される。Y電極Y1〜YMは線順にパルスが印加されて駆動される。
【0049】
図3にはディスプレイパネル2の電極構成が例示される。同図に示されるディスプレイパネル2の表示サイズは例えば480RGB×640の規模とされる。ディスプレイパネル2は横方向に形成された走査電極としてのゲート電極G1〜G640と縦方向に形成された信号電極としてのドレイン電極D1〜D1440とが配置され、その交点部分には選択端子が対応する走査電極に接続され、入力端子が対応する信号電極に接続された多数の表示セルが配置される。ゲート電極G1〜G640は電極の配列順にパルスが印加されて駆動される。
【0050】
図4にはタッチセンサパネルコントローラ3の全体的な構成が例示される。タッチセンサパネルコントローラ1は駆動回路(YDRV)300、検出回路としての積分回路(INTGR)301、サンプルホールド回路(SH)302、セレクタ(SLCT)303、AD変換回路(ADC)304、RAM305、バスインタフェース回路(BIF)306、及びシーケンス制御回路(SQENC)308を有する。
【0051】
駆動回路300はY電極Y1〜YMをパルス状の交流駆動電圧によって電極の配列順に駆動する。要するにX電極とY電極の交点に形成される容量を走査駆動する。積分回路301は走査駆動された交点容量から順次検出信号を入力してその信号電荷を蓄積する。セレクタ303は積分回路で積分された電荷信号をX電極(X1〜XN)毎に選択し、選択された電荷信号はAD変換回路304で検出データに変換される。変換された検出データはRAM305に蓄積される。RAM305に蓄積された検出データはバスインタフェース回路306を介してサブシステムのマイクロプロセッサ5に供給され、ディジタルフィルタ演算及び座標演算に供される。
【0052】
シーケンス制御回路308は制御信号Csig1〜Csig6を用いて駆動回路300、積分回路301、サンプルホールド回路302、セレクタ303、AD変換回路304及びバスインタフェース回路306の動作を制御し、また、制御信号Csig7によってRAM305のアクセス制御を行う。特に制限されないが、駆動回路300がY電極に出力する複数の駆動電圧Vbst、積分回路301が入力するX電極の初期化電圧VHSP、及びその他の電源電圧 VICはタッチセンサパネルコントローラ3の外部から供給される。
【0053】
図5にはタッチセンサパネル1の等価回路と検出回路としての積分回路301の一例が示される。タッチセンサパネルには、Y電極Y1〜YMとX電極X1〜XN電極がマトリクス状に配置され、その交点には、交点容量Cxyが形成される。
【0054】
積分回路301は、X電極X1〜XNをチャージするための電源VHSPと、X電極X1〜XNへの電源VHSPのチャージを制御するスイッチSW2、オペアンプAMPit、積分コンデンサCs、積分コンデンサCsをリセットするためのスイッチSW1によって構成される。なおスイッチSW1は検出に使用するコンデンサCsに重畳された電荷をリセットするスイッチであり、スイッチSW2はX電極X1〜XNに電源VHSPをチャージするためのスイッチである。
【0055】
図6にはY電極Y1〜YMへの入力波形の一例が示される。同図に例示されるようにY電極Y1〜YMには電極の配列順にパルス状に交流駆動電圧が入力される。ここでは、交流駆動電圧はY電極1本あたり9回パルス変化される例を便宜的に示す。
【0056】
図7にはY電極Y1〜YMへの入力パルス電圧と積分回路301による検出動作のタイミングが例示される。まず、スイッチSW2がオン状態にされて、X電極Xn(n=1〜N)を電源VHSPにチャージする非検出状態aに遷移させ、スイッチSWS1をオン状態にして、コンデンサCsをリセットする。次に、スイッチSW1とスイッチSW2をオフ状態にして、検出待受状態bに遷移する。検出待受状態bでは、X電極Xnは、電源VHSPに接続されない状況になり、仮想接地の構成である積分回路301で電圧レベルが保持される。そして、検出待受状態bに遷移した後に、Y電極Y1に振幅Vyの立ち上がりパルスを入力する(他のY電極Y2〜YMはローレベルに固定)。その結果、Y電極Y1上の交点容量Cxyを介してX電極Xnに電荷(=Vy×Cxy)が移動して検出回路301に入力され、オペアンプAMPitの出力VOUTnが変化する。なお、指でタッチすることで該当する交点容量Cxyが容量値Cf減少するため、例えば、タッチしたX電極がX2だとした場合、X電極X2のオペアンプAMPitに入力される電荷はVy×(Cxy−Cf)となり、オペアンプAMPitの出力VOUT2は高電位になる。このVOUTn(n=1〜N)をAD変換回路304でデジタル値の検出データに変換して、座標演算などに供せられる。
【0057】
図8には液晶ディスプレイパネル2の等価回路と液晶ドライバ4駆動回路が例示される。液晶ディスプレイパネル2は、ゲート電極G1〜G640とドレイン電極D1〜D1440がマトリクス状に配置され、その交点部分には、TFT(Thin Film Transistor)スイッチが形成される。TFTスイッチのソース側にはサブピクセルとなる液晶容量LCDの液晶画素電極Sが接続され、その液晶容量LCDの反対側の電極は共通電極(COM)になっている。ドレイン電極D1〜D1440には夫々ボルテージフォロアを構成するオペアンプAMPvfの出力が結合される。例えばドレイン電極D1のオペアンプAMPvfには赤色に対応する階調電圧VDR1、ドレイン電極D2のオペアンプAMPvfには緑色に対応する階調電圧VDG1が供給される。
【0058】
図9にはゲート電極G1〜G640への入力波形が例示される。ゲート電極G1〜G640には電極の配列順でゲートパルスが入力される。
【0059】
図10にはゲート電極に印加されるゲートパルスとドレイン電極に印加される階調電圧とのタイミング波形が例示される。例えば、ゲート電極G1に振幅Vgのゲートパルスを入力し、ゲート電極G1上のTFTスイッチをオン状態にする。その後、ドレイン電極D1からTFTスイッチを介して選択された液晶画素電極Sに階調電圧VDR1を印加する。液晶画素電極Sの入力電圧はゲートパルスが立ち下がるタイミングで確定される。共通電極COMには基準電圧が印加されており、TFTスイッチがオフした後、1フレームの間、液晶容量LCDには基準電圧COMと階調電圧VDR1が保持されて、表示輝度が規定される。
【0060】
図11には液晶ディスプレイ2のゲート電極及びドレイン電極に対する駆動波形とタッチセンサパネル1のY電極に対する駆動波形が例示される。タッチセンサパネル1において、Y電極に供給される駆動電圧のパルス振幅は大きい方が、信号成分を拡大できて高いS/N比(信号ノイズ比)を得ることができるということが知られている。ここで、液晶ドライバ4のゲート電極に対する駆動波形は、ハイレベルVGHが9V、ローレベルVGLが−15であることに着目し、本実施の形態では、液晶ドライバ4の内部で生成される電源電圧Vbstを基準にタッチセンサパネル1の駆動パルス電圧を生成するものとした。例えば前記電源電圧Vbstは、−15V,−5V,5V,9Vである。タッチセンサパネル1の駆動パルス電圧は例えばローレベルVYLが−15V,ハイレベルVYHが9Vである。これにより、タッチセンサパネル1と液晶ドライバ4の電源回路若しくは昇圧回路を共通化することができ、更には、電源電圧毎の安定化容量若しくは昇圧容量などの外付け部品数の削減が可能となる。
【0061】
図12にはY電極の駆動パルス電圧をレジスタ設定によって可変にする場合のレジスタ値と電圧との対応関係が例示される。ここではY電極を駆動する交流駆動電圧の駆動パルスの内、ローレベルVYLを設定するレジスタと電圧レベルの一例が示される。駆動パルスのハイレベルVYHは例えば9Vに固定し、駆動パルスのローレベルVYLを2ビットのレジスタVGLVLでプログラマブルに設定できるようにされる。レジスタVGLVLは
図4に例示されるシーケンス制御回路308に備えられた制御レジスタ(CREG)320の一部として構成され、当該レジスタVGLVLの設定内容は制御信号Csig1の一部として駆動回路300に与えられる。
【0062】
上述の電圧範囲であれば、液晶ドライバ4で採用している既存のトランジスタプロセスでタッチセンサパネルコントローラ3を構成することができ、余計なプロセス開発などによるコスト増加が必要ない。当然、液晶ドライバ4の電源回路若しくは昇圧回路で生成される電源電圧をY電極駆動のための駆動パルスの電源電圧の全部または一部に兼用することができる。
図12に例では−9Vの電圧は−5Vと−15Vを用いてタッチセンサパネルコントローラ3の内部で生成するものとする。
【0063】
さらに、
図11及び
図12に例示されるように、最大で24Vの電位差を有するY電極の高電圧駆動パルスは、前述したようにタッチセンサパネル1に関しては、高S/N比が期待できるが、一方でタッチセンサパネル1と組み合わせて使用する液晶ディスプレイ2に対しては、ノイズ源になる可能性がある。ここで、ノイズ源としての液晶ディスプレイ2の表示への影響度は、タッチセンサパネル1と液晶ディスプレイ2との実装方法により異なることに着目し、本実施の形態では、前述の如くレジスタVGLVLに対する設定にしたがって高S/N比と表示劣化の回避を両立するパルス振幅Vy(=VYH−VYL)を調整することが可能になる。
【0064】
図13には液晶ドライバ4とタッチセンサパネルコントローラ3への電源系が例示される。同図においてそれぞれ別々の半導体チップに形成された液晶ドライバ4とタッチセンサパネルコントローラ3の駆動電圧は前述の通り共通化されている。高電圧を発生する昇圧回路400は前述の通り液晶ドライバ4が備える。電圧AVDD(5V)は
図5で説明したVHSPを生成する電源などに用いられる。
図14のように液晶ドライバ4とタッチセンサパネルコントローラ3が別々に昇圧回路400,309を備える場合に比べて、安定化容量Cpに代表される外付け部品が少なくて済む。
【0065】
図16には昇圧回路309を備えたタッチセンサパネルコントローラ3Aの例が示される。
図4に比べて昇圧回路(VBST)309が設けられた点が相違され、その他の構成は
図4と同じであり、それと同一参照符号を付してその詳細な説明は省略する。昇圧回路309はシーケンス制御回路308から供給される制御信号Csig8にしたがって、外部電圧VCIから昇圧電圧Vbst、VHSPを生成する。タッチセンサパネルコントローラ3Aが専用の昇圧回路309を備えることにより、Y電極の駆動パルス電圧の選択幅が液晶ドライバ4の昇圧回路400による昇圧電圧の制限を受けずに広くなる。
【0066】
図15にはディスプレイドライバ4とタッチセンサパネルコントローラ3をシングルチップで構成したドライバデバイス7が例示される。このドライバデバイス7はディスプレイドライバ4とタッチセンサパネルコントローラ3に共用される昇圧回路700を有する。昇圧回路700は5V、−5V、9V−15Vを生成してディスプレイドライバ4とタッチセンサパネルコントローラ3に供給する。
図12で説明したY電極に対するパルス電圧のレジスタ設定を考慮する場合には昇圧回路700は更に−9Vの電圧出力機能を備えるとよい。
【0067】
図17には
図15のドライバデバイス7の具体例が示される。
図4に比べて昇圧回路(VBST)700と液晶ドライバ4が設けられた点が相違され、その他の構成は
図4と同じであり、それと同一参照符号を付してその詳細な説明は省略する。昇圧回路700は液晶ドライバ7から供給される制御信号Csig10にしたがって、外部電圧VCIから昇圧電圧Vbst、VHSPを生成する。デバイスドライバ7の称呼は、その機能が液晶ドライバ主体であれば液晶ドライバ、タッチセンサパネルコントローラ主体であればタッチセンサパネルコントローラなどと呼ばれる性質のデバイスである。1チップで構成することによりこれを適用するシステムの小型化に資することができる。
【0068】
≪実施の形態2≫
次に本発明の実施の形態2として、液晶ディスプレイの駆動波形とタッチセンサパネルの駆動パルス波形との関係について説明する。実施の形態1ではタッチセンサパネル1のY電極Y1〜YMへの駆動パルスの電圧を高電圧化することによって検出感度の向上若しくは高S/N化を実現した。Y電極Y1〜YMへの高電圧化された駆動パルスは液晶ディスプレイパネル2や液晶ドライバ4に対してノイズとなる場合が想定される。本実施の形態2では、Y電極への駆動パルスの高電圧化によるタッチセンサパネルの高S/N比と液晶ディスプレイパネルの表示劣化の回避とを両立するのに好適な制御タイミングを提供するものである。
【0069】
図18には液晶ディスプレイパネルの駆動波形とタッチセンサパネルのY電極駆動パルス波形の関係が例示される。
【0070】
タッチセンサパネルの制御においては、液晶ディスプレイのゲート電極及びドレイン電極の電圧変化タイミングに着目し、そのタイミングでX電極は、非検出期間(VHSPチャージ期間)に遷移するように制御する。また、液晶ディスプレイの制御においては、タッチセンサパネルのY電極の電圧変化タイミングに着目し、Y電極の駆動パルスの立ち下がりタイミングが、階調電圧が決定されるゲートパルス立下りタイミングより一定期間前になるように設定する。
【0071】
上記タイミング関係によれば、Y電極Y1〜YMの駆動パルス波形(第1のパルス波形)のハイレベル期間がゲート電極G1〜G640(第2のパルス波形)のハイレベル期間内とされ、前記第1のパルス波形のハイレベルの幅が前記第2のパルス波形のハイレベルの幅に比べて小さくされる。これによれば、タッチセンサパネルコントローラ3による制御に際して、ディスプレイパネル2の走査電極G1〜G640の電圧変化タイミングに着目すると、そのタイミングでY電極Y1〜YMは非パルス駆動期間、即ちX電極X1〜XNによる非検出期間(チャージ期間)とされるから、走査電極G1〜G640の電圧変化によって生ずるノイズはY電極Y1〜YMのパルス駆動期間で行われるX電極X1〜XNの検出動作に影響を与えない。また、ディスプレイドライバ4による制御に際して、タッチセンサパネルのY電極Y1〜YMの電圧変化タイミングに着目すると、Y電極Y1〜YMの駆動パルス(第1パルス波形)の立ち下がりタイミングは表示セルに与えられる信号電圧が確定される走査電極の駆動パルス(第2パルス波形)の立下りタイミング(
図18にTa)からずれる。よって、Y電極Y1〜YMの電圧変化によって生ずるノイズは表示セルで確定する信号電圧に影響を与えない。要するに、タッチセンサパネルコントローラ3を用いたタッチ検出能力が低下したりディスプレイドライバ4による表示性能が劣化したりする事態を回避することができる。
【0072】
図18の例は液晶ディスプレイ2に対する1走査期間に1回Y電極に駆動パルスを印加する場合を示してあり、この場合にはY電極の駆動パルスのハイレベル期間は、ゲートパルスのハイレベル期間に包含されて設定されることになる。この場合のY電極の駆動パルスのタイミングは、内蔵する基準クロック(例えば4MHz)と、1走査期間を規定する信号(例えばHsyncのような水平同期信号)と、
図18に例示するパラメータt1、t2、t3とによって容易に規定することができる。タッチセンサパネルコントローラ3、3Aのシーケンス制御回路308は、前記基準クロック(例えば4MHz)、Hsyncのような水平同期信号、及びパラメータt1、t2、t3を受け取ることによって、
図18に例示されるようなY電極に対するパルス駆動タイミングを制御することができる。パラメータt1、t2、t3はサブシステム用のマイクロプロセッサ5が制御レジスタ320に初期設定すればよい。
【0073】
図19にはパラメータt1、t2、t3の設定レジスタTwait,Tydrv,Tsetと設定値に応じた設定時間の例が示される。設定レジスタTwait,Tydrv,Tsetは制御レジスタ320の一部で構成される。
【0074】
特に図示は省略するが、実施の形態2においても実施の形態1で説明したすべての構成を適用可能である。その場合には実施の形態1において、
図18で例示的に説明したようにゲート電極の駆動波形に対するY電極のパルス駆動波形を制御するためのパラメータや水平同期信号などをシーケンス制御回路が取得できるように信号経路などを設けておけばよい。
【0075】
≪実施の形態3≫
実施の形態3では昇圧回路による昇圧動作タイミングをタッチセンサパネルによる検出動作に最適化する構成について説明する。
【0076】
図20には昇圧回路400の一例が示される。チャージポンプ回路400は、例えば、4MHzの基準クロックCLKをカウントして所要の複数桁の出力に基づいて複数相のチャージクロック信号CCK1、CCK2,CCK3、CCK4を出力するカウンタ410を備え、カウンタ410から出力されるチャージクロック信号CCK1〜CCK4によってスイッチ制御されるスイッチ素子DC1_SW1〜DC1_SW4、DC2_SW1〜DC2_SW4と、スイッチ素子DC1_SW1〜DC1_SW4、DC2_SW1〜DC2_SW4のスイッチ動作に同期して電荷移動が行われる容量素子C11,C12と、を有する。前記カウンタ410はタイミングパルスYNSCAN_STによってその計数値が0に初期化される。タイミングパルスYNSCAN_STはタッチセンサパネルコントローラ3のタイミング制御回路308が生成してカウンタ410に供給する。
【0077】
図21にはタッチセンサパネルコントローラ3による検出動作と昇圧回路による昇圧動作のタイミングが例示される。タイミング信号YNSCAN_STはY電極毎の複数の駆動パルス波形の先頭に同期してパルス変化される。即ち、タッチパネルセンサコントローラ3は、タッチセンサパネルのY電極Y1〜YMに印加する駆動パルスの先頭を示すタイミング信号YNSCAN_STを生成する。昇圧回路400は、カウンタ410が例えば4MHzの基準クロックCLKをカウントして得られるカウント値に応じたチャージクロック信号CCK1、CCK2,CCK3、CCK4の変化に同期して昇圧動作を行うものであり、タイミング信号YNSCAN_STがハイレベルにされる毎にカウンタ410の計数値は0に初期化される。この結果、タッチ検出動作の開始を示すタイミング信号YNSCAN_STがハイレベルに遷移する度に、昇圧回路400の内部状態が同一化され、昇圧動作に伴う電源電圧のゆれ回数(昇圧回数)をY電極Y1〜YMの何れの駆動期間においても同一にすることができる。
図8では、夫々のY電極Ym(m=1〜M)の検出期間における昇圧回数が16.5回になった場合を一例とする。その結果、各Y電極の検出期間に対して、昇圧回路の昇圧動作に起因するノイズ重畳量が均一化され、タッチセンサパネル1に対して高S/N比を実現することが可能になる。
【0078】
実施の形態3ではタッチセンサパネル1の検出動作サイクルとの関係に基づいて昇圧回路400の昇圧動作タイミングを説明したが、第2の実施の形態例で説明したように、タッチセンサパネル1の検出動作に液晶ディスプレイパネル2の駆動制御を同期させれば、液晶ディスプレイパネル2とタッチセンサパネル1と昇圧回路400との動作を同期化することができ、タッチセンサパネル1における検出動作の高S/N比と液晶ディスプレイパネル2における表示品質の劣化回避との双方を両立するうえで有益となる。
【0079】
上記昇圧回路の構成は別の昇圧回路309,700にも適用可能である。カウンタ410の初期化はY電極毎の検出動作の終了を示すタイミング信号に同期して行ってもよい。更にはY電極の複数パルス波形による駆動サイクル単位で一定のタイミングであればどのタイミングで行ってもよい。
【0080】
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
【0081】
例えば、夫々の実施の形態は互いに組み合わせて実施することが可能である。タッチセンサパネルのサイズは5インチや7インチ程度の小型なものから15インチ程度の大型のものまで、本発明を適用することができる。本発明はタッチセンサパネルコントローラ内蔵の液晶ドライバ、液晶ドライバ内蔵のタッチセンサパネルコントローラとしても実現する事ができる。本発明に係る半導体装置はシングルチップであっても、マルチチップであってもよく、マルチチップの場合にはシステム・イン・パッケージのようなモジュールデバイスとして実現されてもよい。
【0082】
また、シングルチップの場合には、タッチセンサパネルコントローラと、液晶ドライバだけでなく、サブシステム用のマイクロプロセッサ5まで含むのでも構わないし、マルチチップの場合には、タッチセンサパネルコントローラ3とサブシステム用のマイクロプロセッサ5からなるチップと、液晶ドライバの2チップ構成であっても構わない。
【0083】
さらに、本発明では、検出回路の一例として積分回路を挙げて説明したが、Y電極にパルスを入力する検出方式であれば、本発明は適用可能である。