特許第6001768号(P6001768)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許6001768NU型及びPI型のバナジウム補償型SISiC単結晶及びその結晶成長方法
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  • 特許6001768-NU型及びPI型のバナジウム補償型SISiC単結晶及びその結晶成長方法 図000008
  • 特許6001768-NU型及びPI型のバナジウム補償型SISiC単結晶及びその結晶成長方法 図000009
  • 特許6001768-NU型及びPI型のバナジウム補償型SISiC単結晶及びその結晶成長方法 図000010
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  • 特許6001768-NU型及びPI型のバナジウム補償型SISiC単結晶及びその結晶成長方法 図000012
  • 特許6001768-NU型及びPI型のバナジウム補償型SISiC単結晶及びその結晶成長方法 図000013
  • 特許6001768-NU型及びPI型のバナジウム補償型SISiC単結晶及びその結晶成長方法 図000014
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