特許第6005945号(P6005945)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2015.5.11 β版

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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】6005945
(24)【登録日】2016年9月16日
(45)【発行日】2016年10月12日
(54)【発明の名称】複合電子部品
(51)【国際特許分類】
   H01F 27/00 20060101AFI20160929BHJP
   H01F 17/00 20060101ALI20160929BHJP
【FI】
   H01F15/00 D
   H01F17/00 D
【請求項の数】6
【全頁数】19
(21)【出願番号】特願2012-23659(P2012-23659)
(22)【出願日】2012年2月7日
(65)【公開番号】特開2012-212857(P2012-212857A)
(43)【公開日】2012年11月1日
【審査請求日】2014年11月18日
(31)【優先権主張番号】特願2011-60140(P2011-60140)
(32)【優先日】2011年3月18日
(33)【優先権主張国】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000004064
【氏名又は名称】日本碍子株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100077665
【弁理士】
【氏名又は名称】千葉 剛宏
(74)【復代理人】
【識別番号】100116676
【弁理士】
【氏名又は名称】宮寺 利幸
(74)【復代理人】
【識別番号】100149261
【弁理士】
【氏名又は名称】大内 秀治
(74)【復代理人】
【識別番号】100136548
【弁理士】
【氏名又は名称】仲宗根 康晴
(74)【復代理人】
【識別番号】100136641
【弁理士】
【氏名又は名称】坂井 志郎
(72)【発明者】
【氏名】大平 直人
(72)【発明者】
【氏名】下河 夏己
(72)【発明者】
【氏名】山口 浩文
(72)【発明者】
【氏名】七瀧 努
【審査官】 井上 健一
(56)【参考文献】
【文献】 特開2002−057036(JP,A)
【文献】 特開2002−100947(JP,A)
【文献】 実開平06−029128(JP,U)
【文献】 特開2007−214166(JP,A)
【文献】 特開平11−243034(JP,A)
【文献】 特開平06−176967(JP,A)
【文献】 特開平10−092691(JP,A)
【文献】 米国特許第05985414(US,A)
【文献】 特開2000−208943(JP,A)
【文献】 特表2011−529278(JP,A)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
H01F 27/00
H01F 17/00
H01G 4/40
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
内部に導電体を備えた誘電体部と内部に導電体を備えた磁性体部とを有する複合電子部品において、
金属材料からなる層が中間層として前記誘電体部と前記磁性体部との間に配置され
前記中間層の周囲を取り囲むプレート状の形状を有する第1の接合層を有することを特徴とする複合電子部品。
【請求項2】
請求項1記載の複合電子部品において、
前記中間層と前記第1の接合層とに接して配置された第2の接合層をさらに有することを特徴とする複合電子部品。
【請求項3】
請求項2記載の複合電子部品において、
前記第2の接合層は、前記中間層及び前記第1の接合層と前記磁性体部との間に配置されていることを特徴とする複合電子部品。
【請求項4】
請求項2又は3記載の複合電子部品において、
前記第2の接合層に接触して形成された第3の接合層をさらに有することを特徴とする複合電子部品。
【請求項5】
請求項1〜4のいずれか1項に記載の複合電子部品において、
前記中間層が前記誘電体部の導電体を構成する材料または元素と同じ材料または元素、或いは、前記磁性体部の導電体を構成する材料または元素と同じ材料または元素からなることを特徴とする複合電子部品。
【請求項6】
請求項1〜5のいずれか1項に記載の複合電子部品において、
前記誘電体部の導電体と前記磁性体部の導電体とが同じ材料または元素から構成されていることを特徴とする複合電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、複合電子部品に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献1に複合電子部品であるLC複合部品が記載されている。このLC複合部品は、誘電材料からなる部分(以下この部分を「誘電体部」という)と磁性材料からなる部分(以下この部分を「磁性体部」という)とを特定の材料からなる部分(以下この部分を「中間部分」という)を介して互いに接合することによって形成されている。なお、このLC複合部品では、誘電体部の内部には導電体からなる複数対の電極が設けられ、当該誘電体部がコンデンサとして機能し、磁性体部の内部には導電体からなるコイルが形成され、当該磁性体部がインダクタとして機能する。
【0003】
ところで、特許文献1に記載の複合電子部品の誘電体部は、SiO、Al、CaOなどを含有する結晶化ガラスにNi−Cu−Zn系フェライトを含有する材料から構成されている。一方、特許文献1に記載の複合電子部品の磁性体部は、磁性フェライト粉末から構成されている。このため、これら誘電体部の熱膨張率と磁性体部の熱膨張率とは互いに異なる。したがって、仮にこれら誘電体部と磁性体部とを中間部分を介することなく互いに直接接合し、これら接合された誘電体部と磁性体部とを焼成し、これら焼成された誘電体部と磁性体部とを冷却した場合、この冷却段階において誘電体部と磁性体部との接合領域にクラックが発生する可能性があるし、これら誘電体部と磁性体部とが互いから剥がれてしまう可能性もある。そこで、特許文献1では、上記中間部品を構成する材料としてガラスが使用され、これによって中間部品の熱膨張率が焼成された誘電体部および磁性体部の冷却段階における誘電体部の収縮と磁性体部の収縮との間の差を吸収する熱膨張率とされている。
【0004】
また、特許文献2にも複合電子部品が記載されている。この複合電子部品も、誘電体部と磁性体部とを中間部分を介して互いに接合することによって形成されている。なお、この複合電子部品でも、誘電体部の内部には導電体からなる複数対の電極が設けられ、当該誘電体部がコンデンサとして機能し、磁性体部の内部には導電体からなるコイルが形成され、当該磁性体部がインダクタとして機能する。そして、特許文献2に記載の複合電子部品の誘電体部は、TiOやBaなどのセラミックから構成されている。一方、特許文献2に記載の複合電子部品の磁性体部は、磁性酸化物フェライトから構成されている。このため、特許文献1に記載の複合電子部品と同様に、特許文献2に記載の複合電子部品においても誘電体部の熱膨張率と磁性体部の熱膨張率とは互いに異なる。そこで、特許文献2では、上記中間部品を構成する材料としてガラス、アルミナ、および、フェライトのうちの1つと誘電体部を構成する材料とを混合した材料が使用され、これによって中間部品の熱膨張率が焼成された誘電体部および磁性体部の冷却段階における誘電体部の収縮と磁性体部の収縮との間の差を吸収する熱膨張率とされている。
【0005】
また、特許文献3にも複合電子部品が記載されている。この複合電子部品も、誘電体部と磁性体部とを中間部分を介して互いに接合することによって形成されている。なお、この複合電子部品でも、誘電体部の内部には導電体からなる複数対の電極が設けられ、当該誘電体部がコンデンサとして機能し、磁性体部の内部には導電体からなるコイルが形成され、当該磁性体部がインダクタとして機能する。そして、特許文献3に記載の複合電子部品の誘電体部は、例えば、Ti系セラミックから構成される。一方、特許文献3に記載の複合電子部品の磁性体部は、例えば、Ni−Cu−Zn系磁性フェライトから構成される。このため、特許文献1に記載の複合電子部品と同様に、特許文献3に記載の複合電子部品においても誘電体部の熱膨張率と磁性体部の熱膨張率とは互いに異なる。そこで、特許文献3では、上記中間部品を構成する材料としてFe−Zn−Cu系非磁性フェライトとホウ珪酸亜鉛系ガラスとが使用され、これによって中間部品の熱膨張率が焼成された誘電体部および磁性体部の冷却段階における誘電体部の収縮と磁性体部の収縮との間の差を吸収する熱膨張率とされている。
【0006】
このように、特許文献1〜3では、互いに熱膨張率が異なる誘電体部と磁性体部とを接合する場合、焼成された誘電体部および磁性体部の冷却段階におけるこれら誘電体部の収縮と磁性体部の収縮との間の差を吸収する熱膨張率を備えた中間部分を介して誘電体部と磁性体部とを互いに接合することによってこれら誘電体部と磁性体部とを良好に接合するようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0007】
【特許文献1】特開昭58−172804号公報
【特許文献2】特公昭59−33247号公報
【特許文献3】特許4020886号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
ところで、上述したように誘電体部と磁性体部とを中間部分を介して互いに接合することによって形成される複合電子部品では、当該複合電子部品が焼成されるときに誘電体部を構成する材料の一部が磁性体部の内部に拡散したり、磁性体部を構成する材料の一部が誘電体部の内部に拡散したり、中間部分を構成する材料の一部が誘電体部の内部または磁性体部の内部に拡散したりすることがある。そして、これら拡散が生じると中間部分を介した誘電体部と磁性体部との間の接合強度が十分に確保されない可能性がある。また、誘電体部や中間部分を構成する材料の一部が磁性体部の内部に拡散すれば、磁性体部の特性を低下させることになりかねないし、磁性体部や中間部分を構成する材料の一部が誘電体部の内部に拡散すれば、誘電体部の特性を低下させることにもなりかねない。
【0009】
こうした誘電体部、磁性体部、および、中間部分の間における材料の拡散を抑制する対策を講じていない特許文献1および2に記載の複合電子部品では、上述したように誘電体部と磁性体部との間の接合強度が十分に確保されない可能性が高く、また、誘電体部や磁性体部の特性が低下する可能性が高い。
【0010】
一方、特許文献3に記載の複合電子部品では、中間部分におけるZnの含有量を磁性体部におけるZnの含有量よりも多くすることによって、磁性体部に含有されるZnが誘電体部に拡散することを抑制するようにしている。つまり、これによれば、磁性体部と誘電体部との間に介在する中間部分におけるZnの含有量が磁性体部におけるそれよりも多いことから、磁性体部に含有されるZnが誘電体部に拡散することが中間部分によって抑制されるのである。しかしながら、中間部分によって拡散が抑制される材料はZnに限られる。ところが、誘電体部や磁性体部にはZn以外の材料または元素も含有されており、こうした材料または元素の拡散を中間部分によって抑制することができない。そして、こうした材料または元素の拡散が誘電体部と磁性体部との間で生じても、誘電体部と磁性体部との間の接合強度が十分に確保されなかったり、誘電体部や磁性体部の特性が低下したりすることになる。
【0011】
そこで、本発明の目的は、内部に導電体を備えた誘電体部と内部に導電体を備えた磁性体部とを有する複合電子部品において、誘電体部の導電体を包囲する部分を構成する材料または元素が磁性体部の内部に拡散することを抑制し、或いは、磁性体部の導電体を包囲する部分を構成する材料または元素が誘電体部の内部に拡散することを抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【0012】
本願の発明は、内部に導電体を備えた誘電体部と内部に導電体を備えた磁性体部とを有する複合電子部品に関する。そして、本発明では、金属材料からなる層が中間層として誘電体部と磁性体部との間に配置されている。
【0013】
これによれば、本発明の複合電子部品が焼成されるときに誘電体部の導電体を包囲する部分を構成する材料または元素(以下これら材料および元素をまとめて「誘電体材料」という)が磁性体部の内部に拡散しようとしてもその拡散が上記中間層によって抑制される。すなわち、誘電体材料が磁性体部の内部に拡散することが抑制される。また、本発明の複合電子部品が焼成されるときに磁性体部の導電体を包囲する部分を構成する材料または元素(以下これら材料および元素をまとめて「磁性体材料」という)が誘電体部の内部に拡散しようとしてもその拡散が上記中間層によって抑制される。すなわち、磁性体材料が誘電体部の内部に拡散することが抑制される。そして、これによれば、誘電体部と磁性体部との間の接合強度として十分に高い強度が確保され、誘電体部や磁性体部の特性として十分に高い特性が確保される。
【0014】
また、上記発明において、前記中間層が前記誘電体部の導電体を構成する材料または元素と同じ材料または元素、或いは、前記磁性体部の導電体を構成する材料または元素と同じ材料または元素からなる。
【0015】
これによれば、中間層が誘電体部の導電体を構成する材料または元素と同じ材料または元素、或いは、磁性体部の導電体を構成する材料または元素と同じ材料または元素から構成されるので、本発明の複合電子部品が製造されやすいものとなる。
【0016】
また、上記発明において、前記誘電体部の導電体と前記磁性体部の導電体とが同じ材料または元素から構成されている。
【0017】
これによれば、中間層を構成する材料または元素が誘電体部の導電体を構成する材料または元素とも磁性体部の導電体を構成する材料または元素とも同じであるので、本発明の複合電子部品が製造されやすいものとなる。
【0018】
また、上記発明において、前記誘電体部および中間層に対する接合強度が予め定められた強度よりも高くなる材料から構成された層が接合層として前記誘電体部と前記中間層との間に配置されており、或いは、前記磁性体部および中間層に対する接合強度が予め定められた強度よりも高くなる材料から構成された層が接合層として前記磁性体部と前記中間層との間に配置されている。
【0019】
これによれば、誘電体部および中間層に対する接合強度が予め定められた強度よりも高くなる材料から構成された接合層が誘電体部と中間層との間に配置されている場合、上記中間層と誘電体部との間の接合強度が低く、ひいては、上記中間層を介した誘電体部と磁性体部との間の接合強度が低いとしても上記接合層と誘電体部および中間層との間の接合強度が比較的高いことから、上記接合層を介して誘電体部と磁性体部との間の接合強度として比較的高い強度が確保される。一方、磁性体部および中間層に対する接合強度が予め定められた強度よりも高くなる材料から構成された接合層が誘電体部と磁性体部との間に配置されている場合、上記中間層と磁性体部との間の接合強度が低く、ひいては、上記中間層を介した誘電体部と磁性体部との間の接合強度が低いとしても上記接合層と磁性体部および中間層との間の接合強度が比較的高いことから、上記接合層を介して誘電体部と磁性体部との間の接合強度として比較的高い強度が確保される。
【図面の簡単な説明】
【0020】
図1】第1実施形態の複合電子部品の斜視図である。
図2図1の一点鎖線Sで示されている面に沿った第1実施形態の複合電子部品の縦断面図である。
図3】第2実施形態の複合電子部品の斜視図である。
図4図3の一点鎖線Sで示されている面に沿った第2実施形態の複合電子部品の縦断面図である。
図5】第1実施形態の複合電子部品の製造手順の一例を示した図である。
図6】第1実施形態の複合電子部品の製造手順の別の一例を示した図である。
図7】第1実施形態の複合電子部品の製造手順のさらに別の一例を示した図である。
図8】第2実施形態の複合電子部品の製造手順の一例を示した図である。
図9】第2実施形態の複合電子部品の製造手順の別の一例を示した図である。
図10】第2実施形態の複合電子部品の製造手順のさらに別の一例を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【0021】
(第1実施形態)
以下、本発明の複合電子部品の実施形態について説明する。本発明の複合電子部品の1つの実施形態(以下「第1実施形態」)が図1の斜視図および図2の縦断面図に示されている。図1および図2において、10が第1実施形態の複合電子部品を示している。図1に示されているように、複合電子部品10は直方体の形状を有している。また、図1および図2に示されているように、複合電子部品10は、その構成要素として、誘電体部11、磁性体部12、中間層13、第1接合層14(第2の接合層)、第2接合層15(第1の接合層)、および、外部電極16A〜16Hを有する。誘電体部11および磁性体部12は直方体の形状を有している。また、中間層13、および、第1接合層14も直方体の形状を有しているが、これら層はその厚みが比較的薄いことからプレート状をしているとも言える。また、第2接合層15は、中間層13の周囲を取り囲むプレート状の形状を有している。
【0022】
次に、複合電子部品10の上述した構成要素について詳細に説明する。なお、以下の説明では、便宜上、図2の紙面上で見て上方を「上」、同様に下方を「下」、同様に左を「左」、同様に右を「右」と称することとする。
【0023】
図2に示されているように、誘電体部11は複数の導電体11Cと本体11Bとを有する。本体11Bは導電体11Cを包囲している。云い方を換えれば、導電体11Cは本体11Bの内部、つまり、誘電体部11の内部に配置されている。各導電体11Cはプレート状をしている。また、導電体11Cは互いに並行に配置されており、複数対の導電体がそれぞれ所定の外部端子と接続される。したがって、誘電体部11はコンデンサとして機能する。つまり、誘電体部11の内部には複数のコンデンサが形成され、それぞれが所定の外部端子と接続されている。
【0024】
誘電体部11の本体11BはBaTiO系の誘電体材料、TiO系の誘電体材料などの誘電体材料から構成される。また、誘電体部11の導電体11CはAg、Cuなどの金属材料、つまり、導電性材料から構成される。
【0025】
図2に示されているように、磁性体部12は複数の導電体12Cと本体12Bとを有する。本体12Bは導電体12Cを包囲している。云い方を換えれば、導電体12Cは本体12Bの内部、つまり、磁性体部12の内部に配置されている。各導電体12Cはコイル状をしている。各導電体12Cにおいて、各コイルの端部が磁性体部12の壁面に露出しており、一例では、各コイルを形成している導電体12Cの一方の端部が電極16Aあるいは16Cに接続され、他方の端部が電極16Dあるいは16Fに接続されている。したがって、磁性体部12はインダクタとして機能する。つまり、磁性体部12の内部には複数のインダクタが形成され、それぞれが所定の外部端子と接続されている。
【0026】
磁性体部12の本体12BはNi−Cu−Zn系のフェライト材料、Mn−Zn系のフェライト材料などの磁性材料から構成される。また、磁性体部12の導電体12CはAg、Cuなどの金属材料、つまり、導電性材料から構成される。
【0027】
図2に示されているように、中間層13は誘電体部11と第1接合層14との間に配置されていると共に第2接合層15によって包囲されている。図2で見て中間層13の左側にある第2接合層15の部分を「第2接合層の左側部分」と称し、参照符号15Lを付すと共に、中間層13の右側にある第2接合層15の部分を「第2接合層の右側部分」と称し、参照符号15Rを付したとき、図2で見ると、中間層13は誘電体部11と第1接合層14と第2接合層の左側部分15Lと第2接合層の右側部分15Rとの間に配置されているとも言える。そして、中間層13は、その上壁面全体が誘電体部11の本体11Bの下壁面の一部に接触し、その下壁面全体が第1接合層14の上壁面の一部に接触し、その端面全体が第2接合層15内端面全体に接触している。つまり、中間層13の上壁面は誘電体部11の本体11Bの下壁面のうち誘電体部11の壁面に近い領域を除く領域の下壁面にのみ接触しており、中間層13の下壁面は第1接合層14の上壁面のうち誘電体部11の壁面に近い領域を除く領域の上壁面にのみ接触している。そして、中間層13の外端面全体が第2接合層15の内端面に接触していることから、中間層13は複合電子部品10の壁面には露出しておらず、外部端子電極16A〜16Hには接触していない。中間層13はAg、Cuなどの金属材料から構成される。
【0028】
図2に示されているように、第1接合層14は中間層13と第2接合層15と磁性体部12との間に配置されている。そして、第1接合層14は、その上壁面の一部が中間層13の下壁面全体および第2接合層15の下壁面全体に接触し、その下壁面全体が磁性体部12の本体12Bの上壁面全体に接触している。つまり、第1接合層14の上壁面はその周辺領域において第2接合層15の下壁面全体に接触し、この周辺領域を除く領域において中間層13の下壁面全体に接触している。また、第1接合層14の端面は複合電子部品10の壁面に露出し、各外部端子電極16A〜16Hに接触している。第1接合層14はBa−Ti−Zn系の誘電体材料などの誘電体材料とホウ珪酸亜鉛系のガラスなどのガラスとCuOとが混合された材料から構成される。
【0029】
図2に示されているように、第2接合層15は誘電体部11と第1接合層14との間に配置され、中間層13を包囲している。そして、第2接合層15は、その上壁面全体が誘電体部11の本体11Bの下壁面の一部に接触し、その内端面全体が中間層13の外端面全体に接触し、その下壁面全体が第1接合層14の上壁面の一部に接触している。また、第2接合層の外端面は複合電子部品10の壁面に露出し、外部端子電極16A〜16Hに接触している。第2接合層15はBa−Ti−Zn系の誘電体材料などの誘電体材料とホウ珪酸亜鉛系のガラスなどのガラスとCuOとが混合された材料から構成される。つまり、第2接合層15は第1接合層13を構成する材料と同じ組成の材料から構成される。しかしながら、第2接合層15を構成する材料中の誘電体材料の割合とガラスの割合とCuOの割合とがそれぞれ第1接合層14を構成する材料中のそれらの割合と同じであってもよいし、第2接合層15を構成する材料中のガラスの割合とCuOの割合とがそれぞれ第1接合層14を構成する材料中のそれら割合よりも大きくてもよい。
【0030】
ところで、第1実施形態の複合電子部品10は、誘電体部11、磁性体部12、中間層13、第1接合層14、および、第2接合層15を上述した位置関係でもって組み立てることによって積層体を作製し、この積層体を焼成することによって焼成体を作製し、この焼成体に外部電極16A〜16Hを形成することによって製造される。
【0031】
ここで、上記積層体の焼成中、誘電体部11の本体11Bを構成する材料または元素(以下これら材料および元素をまとめて「誘電体材料」という)の一部が磁性体部12の内部に拡散しようとする。ここで、中間層13が設けられていない場合、誘電体材料が第1接合層14を通って磁性体部12の内部に拡散してしまう。すると、この拡散した材料が最終的に製造される複合電子部品10における第1接合層14と磁性体部12との間の接合強度を低下させてしまうし、最終的に製造される複合電子部品10における磁性体部12の電気的な特性も低下させてしまう。さらに、元素拡散によって誘電体部11の組成も変化してしまい、誘電体部11の焼結性や電気的な特性をも低下させてしまう。中間層13を設けず(したがって、第2接合層15も設けず)に誘電体部11と磁性体部12との間に第1接合層14のみを配置してこれら誘電体部11、磁性体部12、および、第1接合層14からなる積層体を焼成した実験では、磁性体部12にも第1接合層14にも多数の気孔が見られ、第1接合層14と磁性体部12との間の接合強度が低く、また、誘電体部11および磁性体部12の電気的な特性も低かった。このように多数の気孔が見られたのは、誘電体材料が第1接合層14および磁性体部12の内部に拡散したことによって、第1接合層14を構成する材料および磁性体部12の本体12Bを構成する材料の焼結が十分に進行しなかったためであると推察される。
【0032】
しかしながら、第1実施形態では、中間層13が設けられており、この中間層13が金属材料から構成され、つまり、中間層13が金属結合からなる構造を有していることから、誘電体材料は中間層13内を拡散することができない。その結果、第1接合層14を介した磁性体部12の内部への誘電体材料の拡散が抑制される。このため、最終的に製造される複合電子部品10における第1接合層14と磁性体部12との間の接合強度(ひいては、誘電体部11と磁性体部12との間の接合強度)として十分に高い強度が確保されると共に誘電体部11および磁性体部12の電気的な特性として十分に高い特性が確保される。第1実施形態に従って誘電体部11、磁性体部12、第1接合層14、第2接合層15、および、中間層13からなる積層体を焼成した実験では、磁性体部12、および、第1接合層14に見られる気孔は殆どなく、第1接合層14と磁性体部12との間の接合強度が高く、また、誘電体部11および磁性体部12の電気的な特性も高かった。
【0033】
一方、上記積層体の焼成中、磁性体部12の本体12Bを構成する材料または元素(以下これら材料および元素をまとめて「磁性体材料」という)の一部が誘電体部11の内部に拡散しようとする。ここで、中間層13が設けられていない場合、磁性体材料が第1接合層14を通って誘電体部11の内部に拡散してしまう。すると、この拡散した磁性体材料が最終的に製造される複合電子部品10における第1接合層14と誘電体部11との間の接合強度を低下させてしまうし(中間層13が設けられていない場合、第2接合層15も設けられず、第1接合層14の上壁面が誘電体部11の下壁面に直接接触することになる)、最終的に製造される複合電子部品10における誘電体部11の電気的な特性も低下させてしまう。さらに、元素拡散によって磁性体部12の組成も変化してしまい、磁性体部12の焼結性や電気的な特性をも低下させてしまう。中間層13を設けず(したがって、第2接合層15も設けず)に誘電体部11と磁性体部12との間に第1接合層14のみを配置してこれら誘電体部11、磁性体部12、および、第1接合層14の積層体を焼成した実験では、誘電体部11にも第1接合層14にも多数の気孔が見られ、第1接合層14と誘電体部11との間の接合強度が低く、また、誘電体部11および磁性体部12の電気的な特性も低かった。このように多数の気孔が見られたのは、磁性体材料が第1接合層14および誘電体部11の内部に拡散したことによって第1接合層14を構成する材料および誘電体部11の本体11Bを構成する材料の焼結が十分に進行しなかったためであると推察される。
【0034】
しかしながら、第1実施形態では、中間層13が設けられており、この中間層13が金属材料から構成され、つまり、中間層13が金属結合からなる構造を有していることから、磁性体材料は中間層13内を拡散することができない。その結果、第1接合層14を介した誘電体部11の内部への磁性体材料の拡散が抑制される。このため、最終的に製造される複合電子部品10における中間層13を介した第1接合層14と誘電体部11との間の接合強度(ひいては、磁性体部12と誘電体部11との間の接合強度)として十分に高い強度が確保されると共に誘電体部11および磁性体部12の電気的な特性として十分に高い特性が確保される。第1実施形態に従って誘電体部11、磁性体部12、第1接合層14、第2接合層15、および、中間層13からなる積層体を焼成した実験では、誘電体部11、および、第1接合層14に見られる気孔は殆どなく、第1接合層14と中間層13との間の接合強度、および、中間層13と誘電体部11との間の接合強度が高く、また、誘電体部11および磁性体部12の電気的な特性も高かった。
【0035】
なお、第1実施形態では、誘電体部11の導電体11Cを構成する材料(すなわち、誘電体部の導電体材料)と磁性体部12の導電体12Cを構成する材料(すなわち、磁性体部の導電体材料)とが同じであることから、中間層13を構成する材料は誘電体部の導電体材料とも磁性体部の導電体材料とも同じである。しかしながら、第1実施形態に含まれる思想は、誘電体部の導電体材料と磁性体部の導電体材料とが互いに異なる場合にも適用可能であり、それによって、一定の効果が得られる。詳細には、誘電体部の導電体材料と磁性体部の導電体材料とが互いに異なる場合、誘電体部の導電体材料と同じ材料によって中間層13を構成してもよいし、磁性体部の導電体材料と同じ材料によって中間層13を構成してもよい。
【0036】
また、誘電体部11の本体11Bを構成する材料、誘電体部11の導電体11Cを構成する材料、磁性体部12の本体12Bを構成する材料、磁性体部12の導電体12Cを構成する材料、および、第1接合層14を構成する材料の少なくとも1つが第1実施形態の材料とは異なる場合に第1実施形態に含まれる思想を適用し、それによって一定の効果を得ることもできる。なお、この場合、誘電体部11と磁性体部12との間の接合強度、ならびに、誘電体部11および磁性体部12の電気的な特性に関して一定の効果が得られるだけでなく、誘電体部11および磁性体部12の電気的な特性以外の特性に関しても一定の効果が得られることもある。
【0037】
また、誘電体部11の本体11Bを構成する材料、誘電体部11の導電体11Cを構成する材料、磁性体部12の本体12Bを構成する材料、磁性体部12の導電体12Cを構成する材料、および、第1接合層14を構成する材料にもよるが、中間層13と第1接合層14との位置関係が第1実施形態の位置関係とは逆になっている場合に第1実施形態に含まれる思想を適用し、それによって一定の効果を得ることもできる。つまり、第1接合層14が誘電体部11と中間層13と第2接合層15との間に配置されており、中間層13が第1接合層14と磁性体部12との間に配置されていると共に第2接合層15によって包囲されている場合に第1実施形態に含まれる思想を適用し、それによって一定の効果を得ることもできる。
【0038】
また、第1接合層14と磁性体部11との間に別の接合層が配置されている場合に第1実施形態に含まれる思想を適用し、それによって一定の効果を得ることもできる。
【0039】
また、誘電体部11の本体11Bを構成する材料、誘電体部11の導電体11Cを構成する材料、磁性体部12の本体12Bを構成する材料、および、磁性体部12の導電体12Cを構成する材料にもよるが、第1接合層14が設けられておらず、中間層13が誘電体部11と磁性体部12との間に配置されていると共に第2接合層15によって包囲されている場合に第1実施形態に含まれる思想を適用し、それによって一定の効果を得ることもできる。
【0040】
また、第1実施形態では、中間層13が金属材料から構成されており、中間層13が導電性を有することから、中間層13を外部電極16A〜16Hに接触させないようにする必要があり、また、中間層13を外部環境に露出させないことが好ましいことから、第2接合層15が中間層13を包囲している。しかしながら、中間層13を外部電極16A〜16Hに接触させないような素子または外部電極の構成であれば、或いは、中間層13を外部環境に露出させないようにする必要がなければ、第2接合層15が設けられていなくてもよい。
【0041】
また、中間層13が誘電体材料(すなわち、誘電体部11の本体11Bを構成する材料)が磁性体部12の内部に拡散することを抑制し、磁性体材料(すなわち、磁性体部12の本体12Bを構成する材料)が誘電体部11の内部に拡散することを抑制する働きをすることから、中間層13は拡散抑制層であるとも言える。
【0042】
もちろん、中間層13は金属材料であり、塑性変形の特性を持つため、上記積層体の焼成後に当該焼成体が冷却されるときの誘電体部11の収縮率と磁性体部12の収縮率との差を吸収し、冷却された焼成体内にクラックが生じることを抑制する働きもある。また、誘電体部11と磁性体部12の中間の熱膨張率を有し、両者の収縮率の差を吸収する働きを第1接合層14および第2接合層15も有しており、或いは、この働きを第1接合層14および第2接合層15も有するように第1接合層14および第2接合層15を構成する材料を選択することが好ましい。
【0043】
また、第1実施形態では、中間層13を構成する材料として誘電体部11の導電体11Cを構成する材料が使用され、或いは、磁性体部12の導電体12Cを構成する材料が使用されている。しかしながら、中間層13を構成する材料として、中間層13に望まれる特性に応じて誘電体部11の導電体11Cまたは磁性体部12の導電体12Cを構成する材料以外の金属材料、或いは、誘電体部11の導電体11Cを構成する材料とそれ以外の材料とが使用され、或いは、磁性体部12の導電体12Cを構成する材料とそれ以外の材料とが使用されてもよい。
【0044】
なお、第1実施形態に従った誘電体部11の本体11Bを構成する材料、磁性体部12の本体12Bを構成する材料、第1接合層14を構成する材料、および、第2接合層15を構成する材料として採用可能な材料の具体例として以下のものが挙げられる。すなわち、誘電体部11の本体11Bを構成する材料として、45〜50mol%のBaOと、45〜50mol%のTiOを主成分とし、副成分として0.5〜2mol%のZnOと、0.1〜0.5mol%のMnOと、2〜5mol%のCuOと、1〜3mol%のBiを含むBaTiO系の誘電体材料が採用可能である。また、このとき、磁性体部12の本体12Bを構成する材料として、46〜49mol%のFeと、16〜32mol%のZnOと、10〜24mol%のNiOと、7〜12mol%のCuOと、を主成分とし、副成分として0.1〜1mol%のMnOを含むNi−Cu−Zn系のフェライト材料が採用可能である。また、このとき、第1接合層14を構成する材料として、8〜12mol%のBaOと、53〜57mol%のTiOと、30〜35mol%のZnOを主成分とし、副成分として0.5〜2mol%のMnOと、0〜0.5mol%のAlと、0〜0.1mol%のZrOと、0〜0.01mol%のFeと、0〜0.01mol%のSiOを含むBa−Ti−Zn系の誘電体材料を100重量%とし、この材料に対して、61〜65重量%のZnOと、25〜30重量%のBと、7〜9重量%のSiOと、0.1〜0.5重量%のAlとからなるホウ珪酸亜鉛ガラスを2.5〜5重量%添加し、CuOを6〜10重量%添加した混合物が採用可能である。また、このとき、第2接合層15を構成する材料として、第1接合層14に関連して説明したBa−Ti−Zn系の誘電体と同じ組成を有する誘電体材料を100重量%とし、第1接合層14に関連して説明したホウ珪酸亜鉛ガラスと同じ組成を有するホウ珪酸亜鉛ガラスを2.5〜7.5重量%添加し、CuOを6〜12重量%添加した混合物が採用可能である。
【0045】
なお、第1実施形態に鑑みたとき、誘電体部11の導電体11Cを構成する材料または元素と同じ材料または元素によって構成された中間層13を誘電体部11と磁性体部12との間に配置し、或いは、磁性体部12の導電体12Cを構成する材料または元素と同じ材料または元素によって構成された中間層13を誘電体部11と磁性体部12との間に配置すれば、誘電体部11と磁性体部12との間の接合強度として十分に高い強度が確保され、誘電体部11および磁性体部12の電気的な特性として十分に高い特性が確保されるとも言える。この観点からは、中間層13が設けられず(したがって、第2接合層15も設けられず)、誘電体部11の導電体11Cの1つが誘電体部11の下壁面に露出し、つまり、誘電体部11の下壁面が導電体11Cの下壁面によって構成されており、この導電体11Cの下壁面に第1接合層14の上壁面が接触すると共に第1接合層14の下壁面に磁性体部12の上壁面が接触するように第1接合層14および磁性体部12が設けられたとしても、誘電体部11の下壁面に露出した導電体11Cが中間層13の働きをし、誘電体部11と磁性体部12との間の接合強度として十分に高い強度が確保され、誘電体部11および磁性体部12の電気的な特性として十分に高い特性が確保されると言える。
【0046】
(第2実施形態)
次に、第1実施形態において第1接合層14と磁性体部11との間に別の接合層が配置されている場合に本発明を適用した実施形態(以下「第2実施形態」)の複合電子部品について説明する。第2実施形態の複合電子部品が図3の斜視図および図4の縦断面図に示されている。図3および図4において、20が第2実施形態の複合電子部品を示している。図3に示されているように、複合電子部品20は直方体の形状を有している。また、図3および図4に示されているように、複合電子部品20は、その構成要素として、誘電体部21、磁性体部22、中間層23、第1接合層24(第2の接合層)、第2接合層25(第1の接合層)、第3接合層27(第3の接合層)、および、外部電極26A〜26Hを有する。誘電体部21および磁性体部22は直方体の形状を有している。また、中間層23、第1接合層24、および、第3接合層27も直方体の形状を有しているが、これら層はその厚みが比較的薄いことからプレート状をしているとも言える。また、第2接合層25は、中間層23の周囲を取り囲むプレート状の形状を有している。
【0047】
次に、複合電子部品20の上述した構成要素について詳細に説明する。なお、以下の説明では、便宜上、図4の紙面上で見て上方を「上」、同様に下方を「下」、同様に左を「左」、同様に右を「右」と称することとする。
【0048】
図4に示されているように、誘電体部21は複数の導電体21Cと本体21Bとを有する。なお、導電体21Cの構成は第1実施形態の導電体11Cの構成と同じであり、本体21Bの構成は第1実施形態の本体11Bの構成と同じであるから、これら導電体21Cおよび本体21Bの更なる説明は省略する。
【0049】
図4に示されているように、磁性体部22は複数の導電体22Cと本体22Bとを有する。なお、導電体22Cの構成は第1実施形態の導電体12Cの構成と同じであり、本体22Bの構成は第1実施形態の本体12Bの構成と同じであるから、これら導電体22Cおよび本体22Bの更なる説明は省略する。
【0050】
図4に示されているように、中間層23は誘電体部21と第1接合層24との間に配置されていると共に第2接合層25によって包囲されている。なお、中間層23のその他の構成は第1実施形態の中間層13の構成と同じであるから、中間層23の更なる説明は省略する。
【0051】
図4に示されているように、第1接合層24は中間層23と第2接合層25と第3接合層27との間に配置されている。そして、第1接合層24は、その上壁面の一部が中間層23の下壁面全体および第2接合層25の下壁面全体に接触し、その下壁面全体が第3接合層27の上壁面全体に接触している。つまり、第1接合層24の上壁面はその周辺領域において第2接合層25の下壁面全体に接触し、この周辺領域を除く領域において中間層23の下壁面全体に接触している。また、第1接合層24の端面は複合電子部品20の壁面に露出し、各外部端子電極26A〜26Hに接触している。第1接合層24はBa−Ti−Zn系の誘電体材料などの誘電体材料とホウ珪酸亜鉛系のガラスなどのガラスとCuOとが混合された材料から構成される。
【0052】
図4に示されているように、第2接合層25は誘電体部21と第1接合層24との間に配置され、中間層13を包囲している。なお、第2接合層25のその他の構成は第1実施形態の第2接合層15の構成と同じであるから、第2接合層25の更なる説明は省略する。
【0053】
図4に示されているように、第3接合層27は第1接合層24と磁性体部22との間に配置されている。そして、第3接合層27は、その上壁面全体が第1接合層24の下壁面全体に接触し、その下壁面全体が磁性体部22の本体22Bの上壁面全体に接触している。また、第3接合層27の外端面は複合電子部品20の壁面に露出し、各外部端子電極26A〜26Hに接触している。第3接合層27は第1接合層24を構成する誘電体材料と磁性体部22の本体22Bを構成する磁性材料との混合物から構成される。つまり、第3接合層27は第1接合層24の組成と磁性体部22の本体22Bの組成との中間の組成を有している。
【0054】
このように第1接合層24と磁性体部22との間にこれらの組成の中間の組成を有する第3接合層27を配置することによって第1接合層24と磁性体部22とをさらに高い接合強度でもって接合することができる。
【0055】
また、第2実施形態の複合電子部品20は、誘電体部21、磁性体部22、中間層23、第1接合層24、第2接合層25、および、第3接合層27を上述した位置関係でもって組み立てることによって積層体を作製し、この積層体を焼成することによって焼成体を作製し、この焼成体に外部電極26A〜26Hを形成することによって製造される。
【0056】
ここで、上記積層体の焼成中、誘電体部21の本体21Bを構成する材料または元素(以下これら材料および元素をまとめて「誘電体材料」という)の一部が磁性体部22の内部に拡散しようとする。しかしながら、誘電体材料は中間層23内を拡散することができない。その結果、第1接合層24および第3接合層27を介した磁性体部22の内部への誘電体材料の拡散が抑制される。このため、最終的に製造される複合電子部品20における第1接合層24と第3接合層27との間の接合強度、および、第3接合層27と磁性体部22との間の接合強度(ひいては、誘電体部21と磁性体部22との間の接合強度)として十分に高い強度が確保されると共に誘電体部21および磁性体部22の電気的な特性として十分に高い特性が確保される。
【0057】
一方、上記積層体の焼成中、磁性体部22の本体22Bを構成する材料または元素(以下これら材料および元素をまとめて「磁性体材料」という)の一部が誘電体部21の内部に拡散しようとする。しかしながら、磁性体材料は中間層13内を拡散することができない。その結果、第3接合層27および第1接合層24を介した誘電体部21の内部への磁性体材料の拡散が抑制される。このため、最終的に製造される複合電子部品20における中間層23を介した第1接合層24と誘電体部21との間の接合強度(ひいては、磁性体部22と誘電体部21との間の接合強度)として十分に高い強度が確保されると共に誘電体部21および磁性体部22の電気的な特性として十分に高い特性が確保される。
【0058】
なお、第2実施形態に鑑みたとき、誘電体部21の導電体21Cを構成する材料または元素と同じ材料または元素によって構成された中間層23を誘電体部21と磁性体部22との間に配置し、或いは、磁性体部22の導電体22Cを構成する材料または元素と同じ材料または元素によって構成された中間層23を誘電体部21と磁性体部22との間に配置すれば、誘電体部21と磁性体部22との間の接合強度として十分に高い強度が確保され、誘電体部21および磁性体部22の電気的な特性として十分に高い特性が確保されるとも言える。この観点からは、中間層23が設けられず(したがって、第2接合層25も設けられず)、誘電体部21の導電体21Cの1つが誘電体部21の下壁面に露出し、つまり、誘電体部21の下壁面が導電体21Cの下壁面によって構成されており、この導電体21Cの下壁面に第1接合層24の上壁面が接触すると共に第1接合層24の下壁面に第3接合層27の上壁面が接触すると共に第3接合層27の下壁面に磁性体部22の上壁面が接触するように第1接合層24、第3接合層27、および、磁性体部22が設けられたとしても、誘電体部21の下壁面に露出した導電体21Cが中間層23の働きをし、誘電体部21と磁性体部22との間の接合強度として十分に高い強度が確保され、誘電体部21および磁性体部22の電気的な特性として十分に高い特性が確保されると言える。
【0059】
また、中間層23が誘電体材料(すなわち、誘電体部21の本体21Bを構成する材料)が磁性体部22の内部に拡散することを抑制し、磁性体材料(すなわち、磁性体部22の本体22Bを構成する材料)が誘電体部21の内部に拡散することを抑制する働きをすることから、中間層23は拡散抑制層であるとも言える。
【0060】
もちろん、中間層23は金属材料であり、塑性変形の特性を持つため、上記積層体の焼成後に当該焼成体が冷却されるときの誘電体部21の収縮率と磁性体部22の収縮率との差を吸収し、冷却された焼成体内にクラックが生じることを抑制する働きもある。また、誘電体部11と磁性体部12の中間の熱膨張率を有し、両者の収縮率の差を吸収する働きを第1接合層24、第2接合層25、および、第3接合層27も有しており、或いは、この働きを第1接合層24、第2接合層25、および、第3接合層27も有するように第1接合層24、第2接合層25、および、第3接合層27を構成する材料を選択することが好ましい。
【0061】
また、第2実施形態では、中間層23を構成する材料として誘電体部21の導電体21Cを構成する材料が使用され、或いは、磁性体部22の導電体22Cを構成する材料が使用されている。しかしながら、中間層23を構成する材料として、中間層23に望まれる特性に応じて誘電体部21の導電体21Cまたは磁性体部22の導電体22Cを構成する材料以外の金属材料が使用され、或いは、誘電体部21の導電体21Cを構成する材料とそれ以外の材料とが使用され、或いは、磁性体部22の導電体22Cを構成する材料とそれ以外の材料とが使用されてもよい。
【0062】
ところで、第1実施形態および第2実施形態の複合電子部品において、誘電体部11および磁性体部12は、公知のテープ積層法で作製されても良く、ゲルキャスト法で作製されてもよい。ゲルキャスト法とは、セラミックス粉末を含むスラリーを型に流し込み、そのスラリーをその型の中で硬化またはゲル化させることにより、流動性を失った成形体を作製するセラミックス粉末の成形の手法をいう。ゲルキャスト法は、スラリーが流動性を失った後に分散媒が蒸発するので、成形収縮が小さいという特徴を有する。このため、厚肉の導電体をセラミックス成形体に埋設するときにゲルキャスト法を用いると、成形収縮によるクラック等の損傷がない成形体を得ることができる。
【0063】
ゲルキャスト法によるセラミックス成形体の作製に使用するスラリーは、セラミックス粉末を分散させた分散媒に硬化剤およびゲル化剤等を添加することにより準備される。硬化剤(ゲル化剤)は、樹脂硬化物(樹脂ゲル化物)の前駆体と、樹脂硬化物の前駆体の硬化(ゲル化)を開始または促進させる硬化開始/促進剤(ゲル化開始/促進剤)と、を含む。
【0064】
分散媒は、水、無極性有機溶媒および極性有機溶媒等から選択される。分散媒として選択される有機溶媒には、メタノール、エタノールおよびイソプロピルアルコール等の低級アルコール類、高級アルコール、アセトン、ヘキサン、ベンゼン、トルエンおよびエチレングリコール等のジオール類、グリセリン等のトリオール類、グルタル酸ジメチル等の多塩基酸エステル、トリアセチン等の2個以上のエステル基を有するエステル類、ポリカルボン酸エステル等のポリエステル系化合物、リン酸エステル、アミン縮合物、ならびに、ノニオン系特殊アミド化合物等がある。分散媒は、純物質および混合物のいずれであってもよい。
【0065】
樹脂硬化物を構成する樹脂は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂およびウレタン樹脂等から選択される。樹脂は、分散媒との相溶性が高く分散媒との反応性が低い物質から選択される。エポキシ樹脂としては、エチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプリピレングリコールおよびグリセリンジグリシジルエーテル等を構成モノマーとして含む重合体が選択される。アクリル樹脂としては、アクリルアミド、メタクリル酸、N−ヒドロキシメチルアクリルアミドおよびアクリル酸アンモニウム塩等を構成モノマーとして含む重合体が選択される。ウレタン樹脂としては、MDI(4,4−ジフェニルメタンジイソシアネート)系イソシアネート、HDI(ヘキサメチレンジイソシアネート)系イソシアネート、TDI(トリレンジイソシアネート)系イシソアネート、IPDI(イソホロンジイソシアネート)系イソシアネートおよびイソチオシネート等を構成モノマーとして含む重合体が選択される。
【0066】
硬化開始/促進剤は、同硬化開始/促進剤と樹脂硬化物の前駆体との反応性を考慮して選択される。硬化開始/促進剤は、テトラメチルエチレンジアミン、トリエチレンジアミン、ヘキサンジアミンおよびエチレンジアミン等の重合体のポリアルキレンポリアミン、1−(2−アミノエチル)ピペラジン等のペラジン類、ポリオキシプロピレンジアミン等のポリエーテルアミン、N,N´−メチレンビスアクリルアミド、6−ジメチルアミノ−1−ヘキサノール、過硫酸アンモニウム、ならびに、過酸化水素等から選択される。
【0067】
例えば、分散媒としてトリアセチンとグルタル酸ジメチルとの混合物、ゲル化剤としてポリメチレンポリフェニルポリイソシアネートおよびエチレングリコールが選択される。分散媒には、分散性を向上するためにカルボン酸共重合体およびアクリル酸共重合体等の分散剤がさらに添加されてもよいし、硬化(ゲル化)させる反応を促進するために6−ジメチルアミノ−1−ヘキサノール等の触媒がさらに添加されてもよい。
【0068】
ゲルキャスト法は、スラリーに含有させることのできる誘電体や磁性体のセラミックス粉末の含有量を広範に調整できるという特長を持つ。スラリーのセラミックス粉末の含有量により、焼成時の焼成収縮量が制御できるので、誘電体部11と磁性体部12の一方または両方をゲルキャスト法で作製することにより、焼成時の収縮量をお互いにあわせることが容易となり、焼成されるときにそれらが互いから剥れることを抑制でき、それらの一体化に有利となる。
【0069】
(製造手順)
次に、第1実施形態の複合電子部品の製造手順の一例について説明する。この製造手順が図5に示されている。図5の(A)に示されているように、誘電体部11が用意され、この誘電体部11の下壁面の所定の領域に中間層13が印刷によって設けられる。次いで、図5の(B)に示されているように、誘電体部11の下壁面の所定の領域に第2接合層15が印刷によって設けられる。次いで、図5の(C)に示されているように、中間層13の下壁面全体および第2接合層15の下壁面全体に第1接合層14が印刷によって設けられる。これによって、部分積層体10Aが作製される。一方、図5の(D)に示されているように、磁性体部12が用意される。そして、図5の(E)に示されているように、部分積層体10Aの下壁面全体(より具体的には、第1接合層14の下壁面全体)と磁性体部12の上壁面全体とが互いに接触するようにこれら部分積層体10Aと磁性体部12とが互いに組み立てられ、一軸プレスまたはCIP(冷間静水等方圧プレス:Cold Isostatic Press)によってプレスされることによって図5の(F)に示されているように積層体10Bが作製される。次いで、積層体10Bが最終的に1つの複合電子部品10を構成する個別の積層体に切断され、これら個別の積層体が焼成された後に冷却され、外部電極16A〜16Hが設けられることによって複合電子部品10が製造される。
【0070】
次に、第1実施形態の複合電子部品の製造手順の別の一例について説明する。この製造手順が図6に示されている。図6の(A)に示されているように、誘電体部11が用意され、この誘電体部11の下壁面の所定の領域に中間層13が印刷によって設けられる。次いで、図6の(B)に示されているように、誘電体部11の下壁面の所定の領域に第2接合層15が印刷によって設けられる。これによって、部分積層体10Aが作製される。一方、図6の(C)に示されているように、磁性体部12が用意され、この磁性体部12の上壁面全体に第1接合層14が印刷によって設けられる。これによって、部分積層体10Bが作製される。そして、図6の(D)に示されているように、部分積層体10Aの下壁面全体(より具体的には、中間層13の下壁面全体と第2接合層15の下壁面全体)と部分積層体10Bの上壁面全体(より具体的には、第1接合層14の上壁面全体)とが互いに接触するようにこれら部分積層体10A、10Bが互いに組み立てられ、一軸プレスまたはCIP(冷間静水等方圧プレス:Cold Isostatic Press)によってプレスされることによって図6の(E)に示されているように積層体10Cが作製される。次いで、積層体10Cが最終的に1つの複合電子部品10を構成する個別の積層体に切断され、これら個別の積層体が焼成された後に冷却され、外部電極16A〜16Hが設けられることによって複合電子部品10が製造される。
【0071】
次に、第1実施形態の複合電子部品の製造手順のさらに別の一例について説明する。この製造手順が図7に示されている。図7の(A)に示されているように、第1接合層14が用意される。次いで、図7の(B)に示されているように、第1接合層14の上壁面の所定の領域に中間層13が印刷によって設けられる。次いで、図7の(C)に示されているように、第1接合層14の上壁面の所定の領域に第2接合層15が印刷によって設けられる。これによって、部分積層体10Aが作製される。一方、図7の(D)に示されているように、誘電体部11が用意される。一方、図7の(E)に示されているように、磁性体部12が用意される。そして、図7の(F)に示されているように、部分積層体10Aの上壁面全体(より具体的には、中間層13の上壁面全体と第2接合層15の上壁面全体)と誘電体部11の下壁面全体とが互いに接触すると共に部分積層体10Aの下壁面全体(より具体的には、第1接合層14の下壁面全体)と磁性体部12の上壁面全体とが互いに接触するようにこれら部分積層体10A、誘電体部11、および、磁性体部12が互いに組み立てられ、一軸プレスまたはCIP(冷間静水等方圧プレス:Cold Isostatic Press)によってプレスされることによって図7の(G)に示されているように積層体10Bが作製される。次いで、積層体10Bが最終的に1つの複合電子部品10を構成する個別の積層体に切断され、これら個別の積層体が焼成された後に冷却され、外部電極16A〜16Hが設けられることによって複合電子部品10が製造される。
【0072】
次に、第2実施形態の複合電子部品の製造手順の一例について説明する。この製造手順が図8に示されている。図8の(A)に示されているように、誘電体部21が用意され、この誘電体部21の下壁面の所定の領域に中間層23が印刷によって設けられる。次いで、図8の(B)に示されているように、誘電体部21の下壁面の所定の領域に第2接合層25が印刷によって設けられる。次いで、図8の(C)に示されているように、中間層23の下壁面全体および第2接合層25の下壁面全体に第1接合層24が印刷によって設けられる。次いで、図8の(D)に示されているように、第1接合層24の下壁面全体に第3接合層27が印刷によって設けられる。これによって、部分積層体20Aが作製される。一方、図8の(E)に示されているように、磁性体部22が用意される。そして、図8の(F)に示されているように、部分積層体20Aの下壁面全体(より具体的には、第3接合層27の下壁面全体)と磁性体部22の上壁面全体とが互いに接触するようにこれら部分積層体20Aと磁性体部22とが互いに組み立てられ、一軸プレスまたはCIP(冷間静水等方圧プレス:Cold Isostatic Press)によってプレスされることによって図8の(G)に示されているように積層体20Bが作製される。次いで、積層体20Bが最終的に1つの複合電子部品20を構成する個別の積層体に切断され、これら個別の積層体が焼成された後に冷却され、外部電極26A〜26Hが設けられることによって複合電子部品20が製造される。
【0073】
次に、第2実施形態の複合電子部品の製造手順の別の一例について説明する。この製造手順が図9に示されている。図9の(A)に示されているように、誘電体部21が用意され、この誘電体部21の下壁面の所定の領域に中間層23が印刷によって設けられる。次いで、図9の(B)に示されているように、誘電体部21の下壁面の所定の領域に第2接合層25が印刷によって設けられる。これによって、部分積層体20Aが作製される。一方、図9の(C)に示されているように、磁性体部22が用意され、この磁性体部22の上壁面全体に第3接合層27が印刷によって設けられる。次いで、図9の(D)に示されているように、第3接合層27の上壁面全体に第1接合層24が印刷によって設けられる。これによって、部分積層体20Bが作製される。そして、図9の(E)に示されているように、部分積層体20Aの下壁面全体(より具体的には、中間層23の下壁面全体と第2接合層25の下壁面全体)と部分積層体20Bの上壁面全体(より具体的には、第1接合層24の上壁面全体)とが互いに接触するようにこれら部分積層体20A、20Bが互いに組み立てられ、一軸プレスまたはCIP(冷間静水等方圧プレス:Cold Isostatic Press)によってプレスされることによって図9の(F)に示されているように積層体20Cが作製される。次いで、積層体20Cが最終的に1つの複合電子部品20を構成する個別の積層体に切断され、これら個別の積層体が焼成された後に冷却され、外部電極26A〜26Hが設けられることによって複合電子部品20が製造される。
【0074】
次に、第2実施形態の複合電子部品の製造手順のさらに別の一例について説明する。この製造手順が図10に示されている。図10の(A)に示されているように、第1接合層24が用意される。次いで、図10の(B)に示されているように、第1接合層24の上壁面の所定の領域に中間層23が印刷によって設けられる。次いで、図10の(C)に示されているように、第1接合層24の上壁面の所定の領域に第2接合層25が印刷によって設けられる。これによって、部分積層体20Aが作製される。一方、図10の(D)に示されているように、誘電体部21が用意される。一方、図10の(E)に示されているように、第3接合層27が用意される。一方、図10の(F)に示されているように、磁性体部22が用意される。そして、図10の(G)に示されているように、部分積層体20Aの上壁面全体(より具体的には、中間層23の上壁面全体と第2接合層25の上壁面全体)と誘電体部21の下壁面全体とが互いに接触すると共に部分積層体20Aの下壁面全体(より具体的には、第1接合層24の下壁面全体)と第3接合層27の上壁面全体とが互いに接触すると共に第3接合層27の下壁面全体と磁性体部22の上壁面全体とが互いに接触するようにこれら部分積層体20A、誘電体部21、第3接合層27、および、磁性体部22が互いに組み立てられ、一軸プレスまたはCIP(冷間静水等方圧プレス:Cold Isostatic Press)によってプレスされることによって図10の(H)に示されているように積層体20Bが作製される。次いで、積層体20Bが最終的に1つの複合電子部品20を構成する個別の積層体に切断され、これら個別の積層体が焼成された後に冷却され、外部電極26A〜26Hが設けられることによって複合電子部品20が製造される。
【符号の説明】
【0075】
10、20…複合電子部品、11、21…誘電体部、11C、21C…導電体、12、22…磁性体部、12C、22C…導電体、13、23…中間層(拡散抑制層)、14、24…第1接合層、15、25…第2接合層、16A〜16H、26A〜26H…外部電極、27…第3接合層
図1
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図10