特許 6010612 絶縁体層を整列させるための位置合わせ機構を含むコンデンサ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6010612

(24)【登録日】2016年9月23日

(45)【発行日】2016年10月19日

(54)【発明の名称】絶縁体層を整列させるための位置合わせ機構を含むコンデンサ

(51)【国際特許分類】

   H01G 2/02 20060101AFI20161006BHJP

   H01G 4/35 20060101ALI20161006BHJP

   H01G 4/12 20060101ALI20161006BHJP

【ＦＩ】

   H01G1/02 Z

   H01G4/42 321

   H01G4/12 346

【請求項の数】3

【全頁数】21

(21)【出願番号】特願2014-513638(P2014-513638)

(86)(22)【出願日】2012年5月29日

(65)【公表番号】特表2014-520393(P2014-520393A)

(43)【公表日】2014年8月21日

(86)【国際出願番号】US2012039826

(87)【国際公開番号】WO2012166709

(87)【国際公開日】20121206

【審査請求日】2015年2月6日

(31)【優先権主張番号】13/149,600

(32)【優先日】2011年5月31日

(33)【優先権主張国】US

(73)【特許権者】

【識別番号】507020152

【氏名又は名称】メドトロニック，インコーポレイテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100140109

【弁理士】

【氏名又は名称】小野 新次郎

(74)【代理人】

【識別番号】100075270

【弁理士】

【氏名又は名称】小林 泰

(74)【代理人】

【識別番号】100101373

【弁理士】

【氏名又は名称】竹内 茂雄

(74)【代理人】

【識別番号】100118902

【弁理士】

【氏名又は名称】山本 修

(74)【代理人】

【識別番号】100147511

【弁理士】

【氏名又は名称】北来 亘

(72)【発明者】

【氏名】イヤー，ラジェシュ・ヴイ

【審査官】 佐久 聖子

(56)【参考文献】

【文献】 特開平０７−００６９３２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０１−３１２８１９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特表２００７−５３６７６０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０００−２６０６６１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０６−０８５４８５（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｇ ２／０２− ２／０６、 ２／１０、

４／００− ４／４０、１３／００−１７／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

コンデンサ構造において、
少なくとも１つのフィードスルー開口を画定している表面を備えるコンデンサであって、前記表面はコンデンサ位置合わせ機構を備えている、コンデンサと、
前記表面へ付着されているセラミック絶縁体層であって、当該セラミック絶縁体層は、少なくとも１つのフィードスルー開口を画定していてセラミック絶縁体層位置合わせ機構を含んでおり、前記コンデンサ位置合わせ機構と当該セラミック絶縁体層位置合わせ機構が協働して、前記セラミック絶縁体層を前記コンデンサに実質的に整列させるとともに、前記セラミック絶縁体層に画定されている前記少なくとも１つのフィードスルー開口を前記コンデンサの前記表面に画定されている少なくとも１つのフィードスルー開口と実質的に整列させる、セラミック絶縁体層とを備えており、
前記コンデンサ位置合わせ機構は、位置合わせ開口、又は、前記表面から実質的に垂直に延びる位置合わせ突起を備えており、
前記表面は外周を備えており、前記突起は前記外周の一部分に沿って延びている、コンデンサ構造。

【請求項2】

前記セラミック絶縁体層位置合わせ機構は、前記セラミック絶縁体層の外周の或る形状を備えている、請求項１のコンデンサ構造。

【請求項3】

フィードスルー組立体において、
フェルール開口を画定しているフェルールと、
導体と、
請求項１又は２に記載のコンデンサ構造とを備えているフィードスルー組立体。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

[0001]本開示は、コンデンサ構造に、より厳密には電気フィードスルー組立体中に使用されるコンデンサ構造に、関する。

【背景技術】

【0002】

[0002]電気フィードスルーは、電子デバイスの密封シールされたハウジングの内部とハウジングの外の点までの間の電気経路を提供する。例えば、植え込み式医療装置（ＩＭＤ）は、ＩＭＤのハウジング内の電気回路構成とハウジングの外のリード、電極、又はセンサの間に電気接続を作るのに１つ又はそれ以上の電気フィードスルーを使用することがある。フィードスルーは、ハウジングの開口部内に取り付けられているフェルールと、フェルールを通って延びている導体と、導体を支持しフェルールから電気的に絶縁している絶縁シールと、を備えていよう。

【0003】

[0003]ＩＭＤには、ＩＭＤを出てゆく導体それぞれに１つのフィードスルーを含んでいるものもある。ＩＭＤ内のエレクトロニクスが小型化されるにつれ、ＩＭＤのハウジングもまた小型化されてゆこう。一部の実施形では、ＩＭＤへ連結されている外部リード、電極、又はセンサの数が増えている。場合によっては、単導体フィードスルーはもはや一部のＩＭＤで使用されなくなっている。複数の導体（例えば、２つ、３つ、又は４つ、或いはそれ以上）用にＩＭＤハウジングを貫く密封経路を提供するべく多導体フィードスルーが開発されている。一部の多導体フィードスルーは、フェルール内に取り付けられているセラミック基板を含んでおり、セラミック基板は、当該セラミック基板に又は基板を貫いて形成されている複数の導電経路を含んでいよう。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】米国特許出願公開第２０１０／０２８４１２４号

【発明の概要】

【0005】

[0004]概して、本開示は、コンデンサと、コンデンサの表面へ付着されたセラミック絶縁体層と、を含んでいるコンデンサ構造に向けられている。幾つかの例では、コンデンサは、複数のフィードスルー開口を含んでいるモノリシック円盤状コンデンサとされている。コンデンサは少なくとも１つのコンデンサ位置合わせ機構を含み、セラミック絶縁体層は少なくとも１つの１セラミック絶縁体層位置合わせ機構を含んでいる。例えばコンデンサとセラミック絶縁体層を互いに接触させる場合に、少なくとも１つのコンデンサ位置合わせ機構と少なくとも１つのセラミック絶縁体層位置合わせ機構は協働してセラミック絶縁体層とコンデンサを実質的に整列させることができる。例えば、セラミック絶縁体層は、コンデンサ中の複数のフィードスルー開口に対応している複数のフィードスルー開口を含んでいよう。コンデンサとセラミック絶縁体層の位置合わせ機構は、コンデンサに形成されている複数のフィードスルー開口とセラミック絶縁体層に形成されている複数のフィードスルー開口の整列をやり易くすることであろう。幾つかの例では、コンデンサとセラミック絶縁体層を整列させた後、セラミック絶縁体層はコンデンサの表面へ積層されている。幾つかの例では、セラミック絶縁体層は、コンデンサの内径とコンデンサの外径の間又はコンデンサに形成されている隣り合う開口に受け入れられている隣り合う導体同士の間のアーク放電の可能性を低減する若しくは実質的に防止することであろう。

【0006】

[0005]１つの態様では、本開示は、少なくとも１つのフィードスルー開口を画定している表面を備えるコンデンサと、当該表面へ付着されたセラミック絶縁体層と、を含んでいるコンデンサ構造に向けられている。開示のこの態様によれば、表面はコンデンサ位置合わせ機構を備え、セラミック絶縁体層はセラミック絶縁体層位置合わせ機構を含んでいる。加えて、コンデンサ位置合わせ機構とセラミック絶縁体層位置合わせ機構は協働してセラミック絶縁体層をコンデンサに実質的に整列させる。

【0007】

[0006]別の態様では、本開示は、フェルール開口を画定するフェルールと、導体と、フェルール開口内に配置されたコンデンサ構造と、を含んでいるフィードスルー組立体に向けられている。開示のこの態様によれば、コンデンサ構造は、コンデンサフィードスルー開口を画定している表面を備えるコンデンサと、当該表面へ付着されたセラミック絶縁体層と、を含んでいる。表面は、少なくとも１つのコンデンサ位置合わせ機構を備え、セラミック絶縁体層は、セラミック絶縁体層位置合わせ機構と、少なくとも１つのコンデンサフィードスルー開口と実質的に整列したセラミック絶縁体層フィードスルー開口と、を含んでいる。また、コンデンサ位置合わせ機構とセラミック絶縁体層位置合わせ機構は協働してセラミック絶縁体層をコンデンサに実質的に整列させており、導体はコンデンサフィードスルー開口及びセラミック絶縁体層フィードスルー開口を通っている。

【0008】

[0007]更なる態様では、本開示は、コンデンサの第１の表面上に形成されている少なくとも１つのコンデンサ位置合わせ機構を、セラミック絶縁体層に形成されている少なくとも１つのセラミック絶縁体層位置合わせ機構と実質的に整列させる段階、を含んでいる方法に向けられている。開示のこの態様によれば、方法は、更に、少なくとも１つのコンデンサ位置合わせ機構と少なくとも１つのセラミック絶縁体層位置合わせ機構とを実質的に整列させた状態でセラミック絶縁体層を第１の表面へ接触させる段階と、セラミック絶縁体層を第１の表面へ付着させる段階と、を含んでいる。
本願発明の実施形態は、例えば、以下の通りである。
［形態１］
コンデンサ構造において、
少なくとも１つのフィードスルー開口を画定している表面を備えるコンデンサであって、前記表面はコンデンサ位置合わせ機構を備えている、コンデンサと、
前記表面へ付着されているセラミック絶縁体層であって、当該セラミック絶縁体層はセラミック絶縁体層位置合わせ機構を含んでおり、前記コンデンサ位置合わせ機構と当該セラミック絶縁体層位置合わせ機構が協働して前記セラミック絶縁体層を前記コンデンサに実質的に整列させる、セラミック絶縁体層と、を備えているコンデンサ構造。
［形態２］
前記コンデンサ位置合わせ機構は、位置合わせ開口を備えている、形態１のコンデンサ構造。
［形態３］
前記コンデンサ位置合わせ機構は、前記表面から実質的に垂直に延びる位置合わせ突起を備えている、形態１のコンデンサ構造。
［形態４］
前記表面は外周を備えており、前記突起は前記外周の一部分に沿って延びている、形態３のコンデンサ構造。
［形態５］
前記セラミック絶縁体層位置合わせ機構は、前記セラミック絶縁体層の外周の或る形状を備えている、形態３のコンデンサ構造。
［形態６］
前記セラミック絶縁体層は、少なくとも１つのフィードスルー開口を画定しており、前記少なくとも１つのコンデンサ位置合わせ機構と前記少なくとも１つのセラミック絶縁体層位置合わせ機構が実質的に整列したとき、前記セラミック絶縁体層に画定されている前記少なくとも１つのフィードスルー開口は、前記コンデンサの前記表面に画定されている前記少なくとも１つのフィードスルー開口と実質的整列にある、形態１から形態５の何れかのコンデンサ構造。
［形態７］
前記セラミック絶縁体層は、低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）又は高温同時焼成セラミック（ＨＴＣＣ）のうち少なくとも一方を備えている、形態１から形態６の何れかのコンデンサ構造。
［形態８］
フィードスルー組立体において、
フェルール開口を画定しているフェルールと、
導体と、
形態１−形態７の何れかのコンデンサ構造と、を備えているフィードスルー組立体。
［形態９］
方法において、
コンデンサの第１表面上に形成されている少なくとも１つのコンデンサ位置合わせ機構をセラミック絶縁体層に形成されている少なくとも１つのセラミック絶縁体層位置合わせ機構と実質的に整列させる段階と、
前記少なくとも１つのコンデンサ位置合わせ機構と前記少なくとも１つのセラミック絶縁体層位置合わせ機構を実質的に整列させた状態で前記セラミック絶縁体層を前記第１表面へ接触させる段階と、
前記セラミック絶縁体層を前記第１表面へ付着させる段階と、を備えている方法。
［形態１０］
前記少なくとも１つのセラミック絶縁体層位置合わせ機構は少なくとも１つの位置合わせ開口を備え、前記少なくとも１つのコンデンサ位置合わせ機構は少なくとも１つのコンデンサ位置合わせ開口を備え、前記方法は、更に、前記少なくとも１つのコンデンサ位置合わせ開口に位置合わせピンを設置する段階を含み、前記少なくとも１つのコンデンサ位置合わせ機構と前記少なくとも１つのセラミック絶縁体層位置合わせ機構を実質的に整列させた状態で前記セラミック絶縁体層を前記第１表面へ接触させる段階は、前記セラミック絶縁体層を前記第１表面へ接触させ、当該セラミック絶縁体層の前記少なくとも１つの位置合わせ開口を前記少なくとも１つの位置合わせピンの周りに設置する段階を備えている、形態９の方法。
［形態１１］
前記少なくとも１つのセラミック絶縁体層位置合わせ機構は少なくとも１つの位置合わせ開口を備え、前記少なくとも１つのコンデンサ位置合わせ機構は少なくとも１つの位置合わせ突起を備え、前記少なくとも１つのコンデンサ位置合わせ機構と前記少なくとも１つのセラミック絶縁体層位置合わせ機構を実質的に整列させた状態で前記セラミック絶縁体層を前記第１表面へ接触させる段階は、前記セラミック絶縁体層を前記第１表面へ接触させ、当該セラミック絶縁体層の前記少なくとも１つの位置合わせ開口を前記少なくとも１つの位置合わせ突起の周りに設置する段階を備えている、形態９の方法。
［形態１２］
前記少なくとも１つのセラミック絶縁体層位置合わせ機構はセラミック絶縁体層外周を備え、前記少なくとも１つのコンデンサ位置合わせ機構は前記コンデンサの外周に沿った少なくとも１つの位置合わせ突起を備え、前記少なくとも１つのコンデンサ位置合わせ機構と前記少なくとも１つのセラミック絶縁体層位置合わせ機構を実質的に整列させた状態で前記セラミック絶縁体層を前記第１表面へ接触させる段階は、前記セラミック絶縁体層を前記第１表面へ接触させ、前記セラミック絶縁体層外周を前記少なくとも１つの位置合わせ突起と係合させる段階を備えている、形態９の方法。
［形態１３］
前記コンデンサの前記第１表面上に形成されている前記少なくとも１つのコンデンサ位置合わせ機構を前記セラミック絶縁体層に形成されている前記少なくとも１つのセラミック絶縁体層位置合わせ機構と実質的に整列させる段階の前に、前記セラミック絶縁体層に少なくとも１つのフィードスルー開口を切る段階を更に備えている、形態９から形態１２の何れかの方法。
［形態１４］
前記セラミック絶縁体層を前記第１表面へ付着させる段階は、前記セラミック絶縁体層を前記第１表面へ接着する段階を備えている、形態９から形態１３の何れかの方法。
［形態１５］
前記セラミック絶縁体層を前記第１表面へ付着させる段階は、約８００℃乃至約９００℃の温度及び約８００ｐｓｉ乃至約１５００ｐｓｉの圧力で、前記セラミック絶縁体層を前記コンデンサへ積層する段階を備えている、形態９から形態１３の何れかの方法。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】[0008]円盤状コンデンサと付着されたセラミック絶縁性層とを含んでいる一例としての濾波型フィードスルー組立体の断面図である。

【図2】[0009]コンデンサとセラミック絶縁体層を含む一例としてのコンデンサ構造の、セラミック絶縁体層がコンデンサへ付着される前の斜視図である。

【図3】[0010]コンデンサとセラミック絶縁体層を含む別の一例としてのコンデンサ構造の、セラミック絶縁体層がコンデンサへ付着される前の斜視図である。

【図4】[0011]コンデンサとセラミック絶縁体層を含む別の一例としてのコンデンサ構造の、セラミック絶縁体層がコンデンサへ付着される前の斜視図である。

【図5】[0012]コンデンサとセラミック絶縁体層を含む別の一例としてのコンデンサ構造の、セラミック絶縁体層がコンデンサへ付着される前の斜視図である。

【図6】[0013]コンデンサとセラミック絶縁体層を含む別の一例としてのコンデンサ構造の、セラミック絶縁体層がコンデンサへ付着される前の斜視図である。

【図7】[0014]一例としてのコンデンサ構造を形成するのに使用することのできる一例としての技法を示している流れ図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

[0015]概して、本開示は、コンデンサと、コンデンサの表面へ付着されたセラミック絶縁体層と、を含んでいるコンデンサ構造に向けられている。幾つかの例では、コンデンサは、複数のフィードスルー開口を含んでいるモノリシック円盤状コンデンサとされている。コンデンサは少なくとも１つのコンデンサ位置合わせ機構を含み、セラミック絶縁体層は少なくとも１つのセラミック絶縁体層位置合わせ機構を含んでいる。例えばセラミック絶縁体層とコンデンサを互いに接触させる場合に、少なくとも１つのコンデンサ位置合わせ機構と少なくとも１つの絶縁体層位置合わせ機構は協働してセラミック絶縁体層とコンデンサを整列させることができる。例えば、セラミック絶縁体層は、コンデンサ中の複数のフィードスルー開口に対応している複数のフィードスルー開口を含んでいよう。コンデンサとセラミック絶縁体層の位置合わせ機構は、協働して、コンデンサに形成されている複数のフィードスルー開口とセラミック絶縁体層に形成されている複数のフィードスルー開口を実質的に整列させることであろう。幾つかの例では、ひとたびコンデンサとセラミック絶縁体層が実質的に整列したら、セラミック絶縁体層はコンデンサの表面へ積層される。

【0011】

[0016]幾つかの症例では、ＩＭＤが患者内部の刺激される及び／又は診断される標的組織とは異なった場所に植え込まれる。ＩＭＤは、ＩＭＤから標的組織に置かれている電極又はセンサまで延びる電気導体を含んでいるリードへ電気的に連結されていよう。ＩＭＤでは、電気導体は、フィードスルーを通っているか、又はフィードスルーを通して導電経路へ電気的に連結されている。リード導体は、電磁干渉（ＥＭＩ）を含む電磁信号を収集するアンテナの役目を果たす。電磁信号は、リード導体に沿って、フィードスルーを通り、ＩＭＤ内の回路構成まで伝送されることであろう。場合によっては、電磁信号が正常なＩＭＤ動作に干渉することがある。

【0012】

[0017]リード導体によって伝導される迷走電磁信号に起因するＥＭＩは、コンデンサをフィードスルー組立体内に組み入れることによって解決を図ることができよう。コンデンサは、ローパスフィルタの役目を果たし、相対的に高い周波数の電磁信号を大地（例えば、ＩＭＤのハウジング）へ伝送し、相対的に低い周波数の信号をＩＭＤ内の回路構成へ通す。幾つかの例では、フィードスルー組立体は、多導体フィードスルーと、複数のリード導体に適応するコンデンサ又はコンデンサアレイと、を含んでいる。コンデンサ又はコンデンサアレイは、多導体フィードスルーを通る導電経路のそれぞれがコンデンサ又はコンデンサアレイ中の対応する導電経路へ電気的に連結され更にそれぞれの導電経路の周り及び多導体フィードスルーとフェルールの間に密封シールを提供するように多導体フィードスルーへ付着されていよう。

【0013】

[0018]他の例では、ＩＭＤは、ＩＭＤハウジング上に形成されている１つ又はそれ以上の電極を含んでいる（例えば、リード無しＩＭＤ）。幾つかの実施形では、リード無しＩＭＤは、電極をリード無しＩＭＤ内の回路構成へ接続する導体が通っているフィードスルー組立体を含んでいよう。ここに記載されているコンデンサ構造及びフィードスルー組立体は、リード無しＩＭＤで利用することもできる。

【0014】

[0019]図１は、本開示の幾つかの態様によるコンデンサ構造１２を含む濾波型フィードスルー組立体１０の一例の断面図である。図１に示されている例では、コンデンサ構造１２は、コンデンサ１４と、コンデンサ１４の第１表面２０へ付着された第１セラミック絶縁体層１６と、コンデンサ１４の第２表面２２へ付着された第２セラミック絶縁体層１８と、を含んでいる。図１に描かれている例では、コンデンサ１４は、図２−図６に描かれているモノリシック円盤状コンデンサのうちの１つの様なモノリシック円盤状コンデンサである。とはいえ、コンデンサ１４がモノリシック円盤状コンデンサである例以外の他の例も考えられる。

【0015】

[0020]図１には描かれていないが、コンデンサ１４は少なくとも１つのコンデンサ位置合わせ機構を含み、第１セラミック絶縁体層１６は少なくとも１つのセラミック絶縁体位置合わせ機構を含み、第２セラミック絶縁体層１８は少なくとも１つのセラミック絶縁体位置合わせ機構を含むものであってもよい。コンデンサ位置合わせ機構及びセラミック絶縁体位置合わせ機構の例は、図２−図６を参照しながら説明されている。更に以下に説明されている様に、その様な位置合わせ機構は、第１セラミック絶縁体層１６及び／又は第２セラミック絶縁体層１８をコンデンサ１４の表面へ実質的に整列させるべく協働するものである。

【0016】

[0021]図１は、コンデンサ構造１２が利用されている濾波型フィードスルー組立体１０の１つの例である。とはいえ、コンデンサ構造１２は、他のフィードスルー組立体、例えば多極の密封シールされたフィードスルーとモノリシック円盤状コンデンサの様な多極コンデンサとを含んでいる多極フィードスルー組立体など、で使用されてもよい。コンデンサ組立体１２を利用することのできる他のフィードスルー組立体の例が、２００９年５月６日に「コンデンサ組立体及び関連方法」の名称で出願されている同時係属の同一出願人による米国特許出願公開第２０１０／０２８４１２４号に記載されている。

【0017】

[0022]図１に示されている様に、濾波型フィードスルー組立体１０は、導体２６（端子ピン又はフィードスルーピンと称されることもある）を通して延ばす開口を画定しているフェルール２４を含んでいる。フェルール２４は、ＩＭＤのハウジングに形成されている開口内に取り付けることのできる材料で形成されている。幾つかの例では、フェルール２４が形成されている材料は、電気伝導性材料でもある。フェルール２４を作ることのできる材料の例には、チタン、ニオブ、白金、モリブデン、ジルコニウム、タンタル、バナジウム、タングステン、イリジウム、ロジウム、レニウム、オスミウム、ルテニウム、パラジウム、銀、及びそれらの合金、混合物、及び組合せ、が挙げられよう。

【0018】

[0023]フェルール２４によって画定されている開口内に、継手絶縁体部分組立体３０が配置されている。継手絶縁体部分組立体３０は、導体２６をフェルール２４に対して固定すると共に導体２６をフェルール２４から電気的に絶縁する。継手絶縁体部分組立体３０は、更に、導体２６とフェルール２４の間に密封シールを形成している。

【0019】

[0024]継手絶縁体部分組立体３０は、図示の例では、３つの構成要素、即ち、絶縁体リング３２と、金製であってもよいとされる導体絶縁体ろう付け部３４と、絶縁体フェルールろう付け部３６と、を含んでいる。絶縁体リング３２は、電気絶縁セラミックの様な電気絶縁性材料から作ることができる。導体絶縁体ろう付け部３４及び絶縁体フェルールろう付け部３６は、例えば、金、白金、白金合金、又はニッケル−金合金を含んでいてもよい。幾つかの例では、導体絶縁体ろう付け部３４及び絶縁体フェルールろう付け部３６は同じ組成を含んでおり、また一方他の例では、導体絶縁体ろう付け部３４は絶縁体フェルールろう付け部３６とは異なった組成を含んでいよう。フェルール２４がＩＭＤのハウジングへ付着されたとき、フェルール２４の（図１に示されている向きで）下側部分と絶縁体リング３２の一部分は、体液に曝されることになる。導体絶縁体ろう付け部３４は導体２６と絶縁体リング３２の間に密封シールを形成し、絶縁体フェルールろう付け部３６は絶縁体リング３２とフェルール２４の間に密封シールを形成することができる。フェルール２４と絶縁体リング３２と導体２６の間に形成される密封シールは、体液がＩＭＤのハウジングの内部の中へ進入するのを防止することであろう。

【0020】

[0025]導体２６は、ＩＭＤのハウジング内の回路構成からＩＭＤのハウジングの外の１つ又はそれ以上のリードワイヤへの導電経路を提供する。上述の様に、これらのリードワイヤは、ＩＭＤ内の回路構成の動作に干渉しかねないＥＭＩ信号を収集するアンテナの役目を果たすものである。コンデンサ１４は、導体２６がコンデンサ１４に形成された開口２３を通るようにして導体２６の周りに配置させることができる。幾つかの例では、コンデンサ１４は、チタン酸バリウムの様な複数のセラミック層（図示せず）を、それら層上に形成されている導電性活性電極１９及び接地電極２１であって、例えばそれらの層を積重又は積層する前に層上へ電極１９、２１の材料である例えば銀、銀−パラジウム、又は銀−白金を印刷するなどして形成されている導電性活性電極１９及び設置電極２１と一体に、含んでいよう。１つの例では、活性電極１９は、開口２３の円周上に形成されている第１導電性被覆１５へ電気的に接続している。第１導電性被覆１５は、開口２３の円周の少なくとも一部分に形成されていてもよく、幾つかの例では、開口２３の実質的に全周囲に形成されている。幾つかの例では、第１導電性被覆１５は、コンデンサ１４の実質的に全長さを延びていてもよいが、他の例では、第１導電性被覆１５がコンデンサ１４の全長さより短く延びていることもあろう。第１導電性被覆１５は、例えば、銀、銀−パラジウム、銀−白金、又は別の電気伝導性材料で形成することができる。第１導電性被覆１５は導体２６へ電気伝導性はんだ又はエポキシを使用して電気的に接続されていよう。

【0021】

[0026]接地電極２１は、以下に更に詳細に説明されている様に、共通の大地へ、第２導電性被覆１７を介するなどして、電気的に接続されている。第１導電性被覆１５と同様、第２導電性被覆は、例えば、銀、銀−パラジウム、銀−白金、又は別の電気伝導性材料で形成することができる。第２導電性被覆１７は、コンデンサ１４の外周の少なくとも一部分に形成されていてもよく、幾つかの例では、コンデンサ１４の実質的に全外周に形成されている。幾つかの例では、第２導電性被覆１７は、コンデンサ１４の実質的に全長さを延びていてもよいが、他の例では、第２導電性被覆１７がコンデンサ１４の全長さより短く延びていることもあろう。図１には示されていないが、第２導電性被覆１７は、フェルール２４へ、例えば、電気伝導性のはんだ、エポキシ、又はレーザー溶接の様な溶接技法を使用して、電気的に接続されていよう。

【0022】

[0027]フェルール２４が電気伝導性材料で作られている場合、導体２６とＩＭＤのハウジング（図示せず）の間には、コンデンサ１４及びフェルール２４を介して、導電経路が存在することであろう。コンデンサ１４には、相対的に高い周波数の電気信号である例えば相対的に高い周波数のＥＭＩ信号がコンデンサ１４によって濾波され、フェルール２４を介してＩＭＤのハウジングへ通される、という結果をもたらす電気特性が選択されていてもよい。コンデンサ１４の電気特性は、更に、コンデンサ１４が相対的に低い周波数の電気信号である例えば心臓活動又は神経活動の様な感知される生理学的パラメータを表す信号を濾波しないように選択されてもよく、そうすると、これらの相対的に低い周波数の信号はコンデンサ１４によって通過させられ、導体２６によってＩＭＤのハウジング内の回路構成へ伝導される。

【0023】

[0028]幾つかの濾波型フィードスルー組立体１０では、コンデンサ１２は、第１表面２０及び／又は第２表面２２上に、エポキシ又は別の電気絶縁性ポリマーで形成されている電気絶縁性被覆を含んでいよう。但し、上述の様に、幾つかの例では、導体２６は第１導電性被覆１５へはんだを使用して電気的に接続されていてもよい。同様に、第２導電性被覆１７が、追加的又は代替的に、フェルール２４へはんだを使用して接続されていてもよい。鉛ベースのはんだの様な一部のはんだは、相対的に低い溶融温度を有していよう。幾つかの実施形では、鉛ベースのはんだが、鉛ベースのはんだよりも高い溶融温度を有する無鉛はんだと置き換えられている。幾つかの例では、はんだ（無鉛又は鉛ベース）は、エポキシ又は他の電気絶縁性ポリマーの軟化、溶融、又は分解の温度より上の共融点を有していることもあり、その場合、エポキシ又は他の電気絶縁性ポリマーはコンデンサ構造１２での使用にあまり望ましくないであろう。

【0024】

[0029]第１セラミック絶縁体層１６及び第２セラミック絶縁体層１８は、電気絶縁セラミックで形成することができる。幾つかの例では、第１セラミック絶縁体層１６及び／又は第２セラミック絶縁体層１８は、低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）又は高温同時焼成セラミック（ＨＴＣＣ）を含んでいる。第１セラミック絶縁体層１６及び／又は第２セラミック絶縁体層１８は、シート又は膜として形成され、それが所望の形状へ切断され、次いで第１表面２０及び／又は第２表面へそれぞれ積層されるか又はそれ以外のやり方で付着されていてもよい。ＬＴＣＣは、約１０００℃未満の焼結温度を有するセラミック材料である。ＬＴＣＣの１つの例は、アルミナとガラスの混合物である。幾つかの例では、ガラスは、カルシア−アルミナ−シリカ−ホウ素酸化物ガラスを含んでいよう。一例では、ＬＴＣＣは、アルミナ約９０重量％乃至約９５重量％とガラス約５重量％乃至約１０重量％の混合物を含んでいよう。ＨＴＣＣは、約１０００℃よりも高い焼結温度を有するセラミック材料である。ＨＴＣＣの一例には、アルミナ層が挙げられよう。第１セラミック絶縁体層１６及び／又は第２セラミック絶縁体層１８には、他の電気絶縁性セラミックスも使用することができる。

【0025】

[0030]第１セラミック絶縁体層１６及び第２セラミック絶縁体層１８は、より高い共融温度を有するはんだの使用を（層１６、１８の性能に影響を及ぼすこと無く）可能にするので、鉛ベースはんだの無鉛はんだとの置き換えが促進される。上述の様に、幾つかの例では、はんだは、導体２６を第１導電性被覆１５へ電気的に接続するのに、及び／又は第２導電性被覆１７をフェルール２４へ電気的に接続するのに使用されている。幾つかの例では、第１セラミック絶縁体層１６及び／又は第２セラミック絶縁体層１８は、コンデンサ１４の第１表面２０及び第２表面２２へ直接的又は間接的にそれぞれ付着されている膜として提供されている。例えば、第１セラミック絶縁体層１６及び／又は第２セラミック絶縁体層１８は、コンデンサ１４の第１表面２０及び第２表面２２へ、接着剤を使用して接着されていてもよい。他の例では、第１セラミック絶縁体層１６及び／又は第２セラミック絶縁体層１８は、コンデンサ１４の第１表面２０及び第２表面２２へ、熱及び／又は圧力を使用して積層されていてもよい。

【0026】

[0031]幾つかの例では、コンデンサ１４の表面（例えば、第１表面２０又は第２表面２２）は、電気伝導性であってもよい。他の例では、第１導電性被覆１５及び／又は第２導電性被覆１７が、コンデンサの第１表面２０及び／又は第２表面２２まで延びていて、第１表面２０及び／又は第２表面２２に導電性材料を提供していてもよい。第１表面２０及び／又は第２表面２２に電気伝導性材料が在れば、導体２６及び／又は第１導電性被覆１５と第２導電性被覆１７の間、又は（例えば図２−図６の多極フィードスルーでの）コンデンサに形成された隣り合う開口に受け入れられている隣り合う導体同士の間、のアーク放電を許してしまう。例えば、ＩＭＤへ戻る１つ又はそれ以上のリードによって導体２６を介して伝導される一部の電気信号は相対的に高い電圧であるかもしれない。例えば、除細動ショックは、約７８０Ｖ乃至約８００Ｖの電圧を有していることもある。第１表面２０及び／又は第２表面２２のアークは、より高い電圧ではより起こり易い。

【0027】

[0032]第１セラミック絶縁体層１６及び／又は第２セラミック絶縁体層１８は、第１表面２０及び／又は第２表面２２にそれぞれ電気絶縁を提供することによってアーク放電を低減するか又は実質的に防止することができる。第１セラミック絶縁体層１６及び／又は第２セラミック絶縁体層１８のアーク発現低減化における有効性は、第１セラミック絶縁体層１６及び／又は第２セラミック絶縁体層１８が第１表面２０及び／又は第２表面２２の導電性部分をそれぞれどれ程完全に覆っているかによって影響されることであろう。例えば、第１セラミック絶縁体層１６及び／又は第２セラミック絶縁体層１８は、それらが第１導電性被覆１５及び第２導電性被覆１７の第１表面２０及び／又は第２表面２２で露出してしまう部分を実質的にくまなく覆っている場合には、アーク発現低減化により有効であろう。第１セラミック絶縁体層１６及び／又は第２セラミック絶縁体層１８は、膜として提供されているので、絶縁性膜を、第１表面２０及び／又は第２表面２２の外周及び第１表面２０及び／又は第２表面２２に形成されている開口２３の様な第１表面２０及び／又は第２表面２２の機構を実質的に再現するように、切断してもよいし又はそれ以外のやり方で整形してもよい。幾つかの実施形では、絶縁性膜は、第１表面２０及び／又は第２表面２２へ積層されるか又はそれ以外のやり方で付着される前に切断されるか又はそれ以外のやり方で整形されている。その様な実施形では、第１表面２０と第１セラミック絶縁体層１６の間及び／又は第２表面２２と第２セラミック絶縁体層１６の間の比較的精密な整列が、第１導電性被覆１５及び第２導電性被覆１７（又は第１表面２０及び／又は第２表面２２の他の導電性部分）の被覆率を向上させることであり、それによってアークを低減するか又は実質的に防止することができる。本開示の１つ又はそれ以上の例によれば、コンデンサ構造１２を組み立てる際のコンデンサ１４とセラミック絶縁体層１６及び／又は１８の整列をやり易くするために、コンデンサ位置合わせ機構とセラミック絶縁体層位置合わせ機構を採用することができる。

【0028】

[0033]図２は、モノリシック円盤状コンデンサ４２とセラミック絶縁体層４４とを含む一例としてのコンデンサ構造４０の、セラミック絶縁体層４４がコンデンサ４２へ付着される前の斜視図である。モノリシック円盤状コンデンサ４２は、図１を参照して説明されているコンデンサ１４と実質的に同じか又は類似であってもよく、例えば、モノリシック円盤状コンデンサ４２のセラミック層上に形成された複数の導電性活性電極１９と複数の導電性接地電極２１とを含んでいてもよい。モノリシック円盤状コンデンサ４２は、更に、フィードスルー開口５０ａ、５０ｂ、５０ｃ、及び５０ｄ（ひとまとめに「フィードスルー開口５０」）のうちの幾つか又は全部に第１導電性被覆１５と実質的に同じか又は類似の導電性被覆を含み、コンデンサ４２の外周側壁４３の少なくとも一部分に第２導電性被覆１５と実質的に同じか又は類似の導電性被覆を含んでいてもよい。明解さを期して、図２には、第１導電性被覆１５、第２導電性被覆１７、導電性活性電極１９、及び導電性接地電極２１は示されていない。また、図２−図６は単一のセラミック絶縁体層を描いているが、幾つかの例では、コンデンサ構造は、図１のコンデンサ構造１２の様な、第１セラミック絶縁体層及び第２セラミック絶縁体層を含んでいよう。コンデンサ構造が、第１及び第２のセラミック絶縁体層を含んでいる例では、一方又は両方の絶縁体層及び絶縁体層が付着している一方又は両方の表面は、ここに説明されている位置合わせ機構を含んでいよう。

【0029】

[0034]モノリシック円盤状コンデンサ４２は、コンデンサ外周４６を画定している第１表面４８を含んでいる。外周側壁４３がコンデンサ外周４６に沿って第１表面４８に接合している。第１表面４８は、モノリシック円盤状コンデンサ４２を実質的に通り抜けて第１表面４８とは反対側の第２表面（図示せず）まで延びている４つのフィードスルー開口５０（図１に描かれている開口２３に類似）を画定している。フィードスルー開口５０は、導体又は端子ピン（例えば、図１の導体２６）を受け入れるように構成されている。モノリシック円盤状コンデンサ４２は、図１では４つのフィードスルー開口５０を含んでいるが、モノリシック円盤状コンデンサ４２は、少なくとも１つ、少なくとも２つ、少なくとも３つ、など、他の数のフィードスルー５０を含んでいてもよい。

【0030】

[0035]第１表面４８は、更に、第１コンデンサ位置合わせ開口５２ａ及び第２コンデンサ位置合わせ開口５２ｂ（ひとまとめに「コンデンサ位置合わせ開口５４」）を画定している。コンデンサ位置合わせ開口５２は、セラミック絶縁体層４４のモノリシック円盤状コンデンサ４２の第１表面４８に対する整列をやり易くする位置合わせ機構である。コンデンサ位置合わせ開口５２は、モノリシック円盤状コンデンサ４２を少なくとも途中まで貫いて延びている空洞であってもよい。幾つかの例では、コンデンサ位置合わせ開口５２は、モノリシック円盤状コンデンサ４２を途中までしか貫いて延びておらず、一方、他の例では、コンデンサ位置合わせ開口５２は、モノリシック円盤状コンデンサ４２を第１表面４８から第１表面４８とは反対側の第２表面（図示せず）まで完全に貫いて延びている。幾つかの例では、モノリシック円盤状コンデンサ４２は、１つの位置合わせ開口を含んでいることもあれば、２つより多い位置合わせ開口を含んでいることもあろう。概して、モノリシック円盤状コンデンサ４２は、少なくとも１つの位置合わせ開口を含むものとすることができる。モノリシック円盤状コンデンサ４２が単一の位置合わせ開口を含んでいる一部の例では、位置合わせ開口（及び対応する位置合わせピン及びセラミック絶縁体層４４の位置合わせ開口）は、楕円形、矩形、方形、十字形、又は別の多角形形状の様な、非円形形状を含むものとすることができ、そうすれば、モノリシック円盤状コンデンサ４２とセラミック絶縁体層４４の整列は、例えばコンデンサ４２と層４４の直線整列と回転整列の両方が促されることによって、やり易くなるであろう。追加的又は代替的に、位置合わせ開口５２は、第１表面４８の図２に描かれている位置とは異なった位置に在ってもよい。

【0031】

[0036]示されている様に、第１位置合わせピン５４ａが第１コンデンサ位置合わせ開口５２ａに挿入され、第２位置合わせピン５４ｂが第２コンデンサ位置合わせ開口５２ｂに挿入されていてもよい。第１位置合わせピン５４ａと第２位置合わせピン５４ｂ（ひとまとめに「位置合わせピン５４」）は、セラミック絶縁体層４４の第１表面４８への積層時に、モノリシック円盤状コンデンサ４２及び／又はセラミック絶縁体層４４を溶融、軟化、又は融解させない材料で形成することができる。例えば、位置合わせピン５４は、タンタル、ニオブ、タンタル合金、又はニオブ合金、又はアルミナの様なセラミック系材料であって、セラミック絶縁体層４４が第１表面４８へ積層される温度よりも高い温度で焼結する高融点金属で形成することができる。

【0032】

[0037]コンデンサ位置合わせ開口５２及び位置合わせピン５４は、相補的な形状及び大きさを有するように形成されている。例えば、図２に示されている様に、コンデンサ位置合わせ開口５２は円形、位置合わせピン５４は円形断面を有する円筒形、とすることができる。他の例では、コンデンサ位置合わせ開口５２は、楕円形、矩形、方形、又は別の多角形形状の様な、別の形状を有するものとし、位置合わせピン５４は対応する断面形状を有するものとしてもよい。加えて、位置合わせピン５４の大きさ（例えば、直径、円周、又は外周囲）は、位置合わせピン５４の外周面がコンデンサ位置合わせ開口５２の外周とぴったり係合するか又は接触するように選択されよう。位置合わせピン５４とコンデンサ位置合わせ開口５２の間のぴったりした嵌まり合いは、セラミック絶縁体層４４の第１表面４８に対する整列をやり易くする。位置合わせピン５４は、セラミック絶縁体層４４が第１表面４８と接触に置かれたときに、セラミック絶縁体層４４を貫通して延びるのに十分な長さとすることができる。

【0033】

[0038]セラミック絶縁体層４４は、外周４５と、４つのフィードスルー開口５６ａ、５６ｂ、５６ｃ、及び５６ｄ（ひとまとめに「フィードスルー開口５６」）と、を画定している。加えて、セラミック絶縁体層４４は、第１セラミック絶縁体位置合わせ開口５８ａ及び第２セラミック絶縁体位置合わせ開口５８ｂ（ひとまとめに「位置合わせ開口５８」を画定している。フィードスルー開口５６及び位置合わせ開口５８の数、大きさ、及び位置は、単に例であり、セラミック絶縁体層４４の他の例は、異なった数、大きさ、及び／又は位置のフィードスルー開口５６及び位置合わせ開口５８を含んでいることもあろう。概して、セラミック絶縁体層４４は、モノリシック円盤状コンデンサ４２に形成されているフィードスルー開口５０の数と同じ数のフィードスルー開口５６を含むものとすることができる。

【0034】

[0039]位置合わせ開口５８とフィードスルー開口５６と外周４５の相対位置は、位置合わせ開口５８をコンデンサ位置合わせ開口５２に整列させたときに、フィードスルー開口５６がフィードスルー開口５０と実質的に整列し、外周４５が外周４６と実質的に整列するような相対位置である。このやり方では、位置合わせ開口５８とコンデンサ位置合わせ開口５２と位置合わせピン５４は協働してセラミック絶縁体層４４をモノリシック円盤状コンデンサ４２の第１表面４８に実質的に整列させる。

【0035】

[0040]セラミック絶縁体層４４の位置合わせ開口５８は、大きさ及び形状が、コンデンサ位置合わせ開口５２と実質的に同様である。例えば、位置合わせ開口５８は、円形、楕円形、矩形、方形、又は別の多角形形状とすることができる。コンデンサ位置合わせ開口５２に関連付けて説明されている様に、位置合わせピン５６と位置合わせ開口５８の間のぴったりした嵌まり合いがセラミック絶縁体層４４の第１表面４８に対する整列をやり易くする。

【0036】

[0041]コンデンサ構造４０を組み立てるに当たり、モノリシック円盤状コンデンサ４２には、コンデンサ４２の初期製造時か又は以降の機械加工工程時の何れかの時期に、フィードスルー開口５０及び位置合わせ開口５２が形成されることになる。フィードスルー開口５０及び位置合わせ開口５２を形成するのに、穿孔、レーザー切断、水ジェット切断、など、の様な各種技法が使用できよう。幾つかの例では、フィードスルー開口５０のうち少なくとも幾つかの開口の少なくとも一部分に第１導電性被覆１５が形成され、外周側壁４３の少なくとも一部分に第２導電性被覆１７が形成されよう。

【0037】

[0042]セラミック絶縁体層４４は、ＬＴＣＣ膜又はＨＴＣＣ膜の様なセラミック絶縁体膜から形成することができる。幾つかの例では、セラミック絶縁体層４４は、例えばレーザー切断を使用して、膜から切り出されてもよい。セラミック絶縁体層４４の形成時、フィードスルー開口５６及び位置合わせ開口５８が、例えばセラミック絶縁体層４４を切り出すのに使用されているのと同じプロセスを使用して、セラミック絶縁体層４４に形成されてもよい。切断プロセスは、コンピュータ数値制御（ＣＮＣ）機械の様なコンピュータによって制御させれば、外周４５、フィードスルー開口５６、及び位置合わせ開口５８の精密な相対的位置付けがやり易くなるであろう。

【0038】

[0043]次いで、位置合わせピン５４がコンデンサ位置合わせ開口５２に設置されると、位置合わせ開口５８を位置合わせピン５４と整列させた状態でセラミック絶縁体層４４が第１表面４８上に位置付けられる。位置合わせ開口５８と位置合わせピン５４と位置合わせ開口５２は協働してセラミック絶縁体層４４とモノリシック円盤状コンデンサ４２の第１表面４８を実質的に整列させる。例えば、フィードスルー開口５６及び外周４５を含むセラミック絶縁体層４４は、フィードスルー開口５０及び外周４６を含むモノリシック円盤状コンデンサ４２の第１表面４８に実質的に整列させられる。

【0039】

[0044]位置合わせされたら、セラミック絶縁体層４４は第１表面４８へ付着されてもよい。幾つかの実施形では、セラミック絶縁体層４４は、ポリイミド材料やガラス材料などの様な接着剤を使用して、第１表面４８へ接着されてもよい。他の例では、セラミック絶縁体層４４は、温度及び圧力を使用して、第１表面４８へ積層されてもよい。例えば、セラミック絶縁体層４４がＬＴＣＣを含んでいる場合、層４４は、約８００℃乃至約９００℃の温度及び約８００ポンド／平方インチ（ｐｓｉ）乃至約１５００ｐｓｉの圧力で、第１表面４８へ積層させることができる。セラミック絶縁体層４４が第１表面４８へ積層された後、位置合わせピン５４は抜かれてもよい。

【0040】

[0045]図３は、モノリシック円盤状コンデンサ６２とセラミック絶縁体層４４とを含む一例としてのコンデンサ構造６０の、セラミック絶縁体層４４がコンデンサ６２へ付着される前の斜視図である。図２に関連付けて説明されている様に、セラミック絶縁体層４４は、外周４５、フィードスルー開口５６、及び位置合わせ開口５８を画定している。

【0041】

[0046]モノリシック円盤状コンデンサ６２は、図２に関連付けて説明されている様に外周側壁４３に接合する外周４６を画定している第１表面４８を含んでいる。加えて、第１表面４８は４つのフィードスルー開口５０を画定している。図１のモノリシック円盤状コンデンサ４２に関連付けて説明されている第１表面４８によって画定される位置合わせ開口５２を含む代わりに、モノリシック円盤状コンデンサ６２は、第１表面４８上に形成されている第１位置合わせ突起６４ａ及び第２位置合わせ突起６４ｂ（ひとまとめに「位置合わせ突起６４」）を含んでいる。位置合わせ突起６４は、第１表面４８とセラミック絶縁体層４４の整列をやり易くするコンデンサ位置合わせ機構である。幾つかの例では、モノリシック円盤状コンデンサ６２は、１つの位置合わせ突起を含んでいることもあれば、２つより多い位置合わせ突起を含んでいることもあろう。概して、モノリシック円盤状コンデンサ６２は、少なくとも１つの位置合わせ突起を含むものとすることができる。以上に図２に関連付けて説明されている様に、幾つかの例では、単一の位置合わせ突起は、楕円形、方形、矩形、十字形、又は他の多角形の様な、非円形形状を含むものとすることができる。追加的又は代替的に、位置合わせ突起６２は、第１表面４８の図３に描かれている位置とは異なった位置に在ってもよい。

【0042】

[0047]幾つかの例では、位置合わせ突起６４は、モノリシック円盤状コンデンサ６２が形成される材料の１つで形成されている。例えば、位置合わせ突起６４は、チタン酸バリウムの様な、モノリシック円盤状コンデンサ６２に使用されている電気絶縁セラミック材料で形成されていてもよい。幾つかの例では、位置合わせ突起６４は、モノリシック円盤状コンデンサ６２の製造時に形成されよう。他の例では、位置合わせ突起６４は、モノリシック円盤状コンデンサ６２の製造とは切り離して、例えば、セラミック絶縁体層４４を第１表面４８へ付着させる前に、形成されてもよい。

【0043】

[0048]位置合わせ突起６４及び位置合わせ開口５８は、相補的な形状及び大きさを有するように形成されている。例えば、図３に示されている様に、位置合わせ突起６４は円形断面を有する円筒形、位置合わせ開口５８は円形、とすることができる。他の例では、位置合わせ突起６４は、楕円形、矩形、方形、又は別の多角形形状の様な、別の断面形状を有するものとし、位置合わせ開口５８は対応する形状を有するものとしてもよい。加えて、位置合わせ突起６４の大きさ（例えば、直径、円周、又は外周囲）は、位置合わせ開口５８の外周面が位置合わせ突起６４の外周とぴったり係合するか又は接触するように選択されよう。位置合わせ突起６４と位置合わせ開口５８の間のぴったりした嵌まり合いは、セラミック絶縁体層４４の第１表面４８に対する整列をやり易くする。位置合わせ突起６４は、セラミック絶縁体層４４が第１表面４８と接触に置かれたときに、セラミック絶縁体層４４を貫通して延びるのに十分な長さとすることができる。

【0044】

[0049]位置合わせ開口５８とフィードスルー開口５６と外周４５の相対位置は、位置合わせ開口５８を位置合わせ突起６４と合わせたときに、フィードスルー開口５６がフィードスルー開口５０と実質的に整列し、外周４５が外周４６と実質的に整列するような相対位置である。このやり方では、位置合わせ開口５８と位置合わせ突起６４は協働してセラミック絶縁体層４４をモノリシック円盤状コンデンサ６２の第１表面４８に実質的に整列させる。

【0045】

[0050]図４は、モノリシック円盤状コンデンサ７２とセラミック絶縁体層７４とを含む一例としてのコンデンサ構造７０の、セラミック絶縁体層７４がコンデンサ７２へ付着される前の斜視図である。

【0046】

[0051]モノリシック円盤状コンデンサ７２は、４つのフィードスルー開口５０を画定している第１表面７８を含んでいる。上述の様に、他の例では、第１表面７８は、別の数のフィードスルー開口５０を画定していることもあり、概して、少なくとも１つのフィードスルーを画定するものとすることができる。加えて、第１表面７８は、外周側壁７３に接合する外周７６を画定している。図２及び図３では、モノリシック円盤状コンデンサ４２、６２は、実質的に円盤状（例えば、長円形又は楕円形）の外周を画定していた。図４に示されている例では、モノリシック円盤状コンデンサ７２は、コンデンサ７２の円盤状の形状を中断させている第１突出部８６ａ及び第２突出部８６ｂ（ひとまとめに「突出部８６」）を含む外周７６を画定している。突出部８６は、外周側壁７３の一部であり、第１表面７８から第１表面７８とは反対側の第２表面（図示せず）まで延びている。

【0047】

[0052]第１表面７８の突出部８６の部分である部分には、第１位置合わせ突起８０ａ及び第２位置合わせ突起８０ｂ（ひとまとめに「位置合わせ突起８０」）が形成されている。位置合わせ突起８０は、図３を参照して説明されている位置合わせ突起６４に類似している。位置合わせ突起８０は、第１表面７８とセラミック絶縁体層７４の整列をやり易くするコンデンサ位置合わせ機構である。

【0048】

[0053]図４は、２つの突出部８６と２つの位置合わせ突起８０を含んでいるモノリシック円盤状コンデンサ７２を描いているが、他の例では、モノリシック円盤状コンデンサ７２は、２つより多い突出部８６及び／又は２つより多い位置合わせ突起８０を含んでいてもよい。幾つかの例では、突出部８６の各１つに位置合わせ突起８０が形成されて含まれている。追加的又は代替的に、１つ又はそれ以上の位置合わせ突起８０は、第１表面７８の一方の突出部８６の部分ではない部分に形成されていてもよい。

【0049】

[0054]幾つかの例では、突出部８６及び／又は位置合わせ突起８０は、モノリシック円盤状コンデンサ７２が形成される材料の１つで形成されている。例えば、突出部８６及び／又は位置合わせ突起８０は、チタン酸バリウムの様な、モノリシック円盤状コンデンサ７２に使用されている電気絶縁セラミック材料で形成されていてもよい。幾つかの例では、突出部８６及び／又は位置合わせ突起８０は、モノリシック円盤状コンデンサ７２の製造時に形成されよう。他の例では、突出部８６及び／又は位置合わせ突起８０は、モノリシック円盤状コンデンサ７２の製造とは切り離して、例えば、セラミック絶縁体層７４を第１表面７８へ付着させる前に、形成されてもよい。

【0050】

[0055]セラミック絶縁体層７４は、外周８８及び４つのフィードスルー開口５６を画定している。セラミック絶縁体層７４は、モノリシック円盤状コンデンサ７２の突出部８６と実質的に大きさが一致していてそれと整列している第１突出部８４ａ及び第２突出部８４ｂ（ひとまとめに「突出部８４」）を含んでいる。セラミック絶縁体層７４は、第１突出部８４ａに第１セラミック絶縁体位置合わせ開口８２ａを、そして第２突出部８４ｂに第２セラミック絶縁体位置合わせ開口８２ｂを、画定している。概して、セラミック絶縁体層７４は、モノリシック円盤状コンデンサ７２に形成されているフィードスルー開口５０、突出部８６、及び位置合わせ突起８０の数及び配置と同じ数及び配置のフィードスルー開口５６、突出部８４、及びコンデンサ位置合わせ開口８２を含むものとすることができる。図３の位置合わせ突起６４及び位置合わせ開口５８と同様に、位置合わせ突起８０及び位置合わせ開口８２は、相補的な形状及び大きさを有するように形成されている。突出部８４と位置合わせ開口８２とフィードスルー開口５６と外周８８の相対位置は、位置合わせ開口８２を位置合わせ突起８０に整列させたときに、フィードスルー開口５６がフィードスルー開口５０と実質的に整列し、外周８８が外周７６と実質的に整列するような相対位置である。このやり方では、位置合わせ開口８２と位置合わせ突起８０は協働してセラミック絶縁体層７４をモノリシック円盤状コンデンサ７２の第１表面７８に実質的に整列させる。

【0051】

[0056]図５は、モノリシック円盤状コンデンサ９２とセラミック絶縁体層９４とを含む一例としてのコンデンサ構造９０の、セラミック絶縁体層９４がコンデンサ９２へ付着される前の斜視図である。図５に描かれている例では、コンデンサ位置合わせ機構は、モノリシック円盤状コンデンサ９２の外周１０６の少なくとも一部分に沿ってモノリシック円盤状コンデンサ９２の第１表面９８から実質的に垂直に延びている第１位置合わせ突起１０２ａ及び第２位置合わせ突起１０２ｂ（ひとまとめに「位置合わせ突起１０２」）を含んでいる。セラミック絶縁体位置合わせ機構は、セラミック絶縁体層９４の外周９６を含んでいる。

【0052】

[0057]モノリシック円盤状コンデンサ９２は、４つのフィードスルー開口１００ａ、１００ｂ、１００ｃ、１００ｄ（ひとまとめに「フィードスルー開口１００」）を画定している第１表面９８を含んでいる。上述の様に、他の例では、第１表面９８は、別の数のフィードスルー開口１００を画定していることもあり、概して、少なくとも１つのフィードスルー開口を画定するものとすることができる。加えて、第１表面９８は、外周側壁９３に接合する外周１０６を画定している。外周側壁９３は、第１表面９８から第１表面９８とは実質的に反対側の第２表面（図示せず）まで延びている。図５に示されている例では、モノリシック円盤状コンデンサ９２は、第１表面９８から実質的に垂直（直角）に延びる位置合わせ突起１０２を画定している。図５では、位置合わせ突起１０２は、第１表面９８の外周１０６の湾曲部分に沿って走っている。他の例では、モノリシック円盤状コンデンサ９２は、２つより多い位置合わせ突起１０２を含んでいてもよいし、位置合わせ突起１０２の少なくとも１つは外周１０６に沿った異なった位置に在ってもよい。幾つかの例では、モノリシック円盤状コンデンサ９２は、外周１０６の少なくとも一部分に沿って形成されている単一突起を含んでいよう。幾つかの実施形では、単一突起は、外周１０６の実質的に全長さに沿って形成されていてもよい。概して、モノリシック円盤状コンデンサ９２は、外周１０６に沿って形成されている少なくとも１つの突出を含むものとすることができる。位置合わせ突起１０２は、第１表面９８から測定して少なくともセラミック絶縁体層９４の厚さと同じ程の高さを有するものとすることができる。

【0053】

[0058]セラミック絶縁体層９４は、外周９６、第１フィードスルー開口１０４ａ、第２フィードスルー開口１０４ｂ、第３フィードスルー開口１０４ｃ、及び第４フィードスル開口１０４ｄ（ひとまとめに「フィードスルー開口１０４」）を画定している。概して、セラミック絶縁体層９４は、モノリシック円盤状コンデンサ９２に形成されているフィードスルー開口１００の数及び配置と同じ数及び配置のフィードスルー開口１０４を含んでいる。

【0054】

[0059]セラミック絶縁体層９４の外周９６は、セラミック絶縁体層９４が第１表面９８を実質的に覆い、外周９６が位置合わせ突起１０２と実質的に整列するように形成され、そういう大きさである。例えば、図５に描かれている様に、外周９６は、第１段状部分１０８ａ、第２段状部分１０８ｂ、第３段状部分１０８ｃ、第４段状部分１０８ｄ（ひとまとめに「段状部分１０８」）を含んでいる。外周９６は、更に、第１曲線部分１１０ａ及び第２曲線部分１１０ｂ（ひとまとめに「曲線部分１１０」）と、第１直線部分１１２ａ及び第２直線部分１１２ｂ（ひとまとめに「直線部分１１２」）と、を含んでいる。第１段状部分１０８ａは第１曲線部分１１０ａと第１直線部分１１２ａに接続している。第２段状部分１０８ｂは第１直線部分１１２ａと第２曲線線部分１１０ｂに接続している。第３段状部分１０８ｃは第２曲線部分１１０ｂと第２直線部分１１２ｂに接続している。第４段状部分１０８ｃは第２直線部分１１２ｂと第１曲線部分１１０ａに接続している。

【0055】

[0060]段状部分１０８、曲線部分１１０、及び直線部分１１２は、セラミック絶縁体層９４が第１表面９８の実質的に全部を覆い、段状部分１０８と曲線部分１１０が位置合わせ突起１０２に接触してセラミック絶縁体９４と第１表面９８を実質的に整列させるような大きさ及び形状である。例えば、段状部分１０８及び曲線部分１１０は、モノリシック円盤状コンデンサ９２のフィードスルー開口１００とセラミック絶縁体層１０４のフィードスルー開口１０４を実質的に整列させるように位置合わせ突起１０２に接触するものとすることができる。このやり方では、外周９６と位置合わせ突起１０２は協働してセラミック絶縁体層９４をモノリシック円盤状コンデンサ９２の第１表面９８に実質的に整列させる。

【0056】

[0061]図２−図５に示されている例は、フィードスルー開口及び外周が、セラミック絶縁体層をモノリシック円盤状コンデンサと整列させる前に画定されているセラミック絶縁体層を描いているが、幾つかの例では、セラミック絶縁体層とモノリシック円盤状コンデンサは、セラミック絶縁体層に外周及び／又はフィードスルー開口を形成する前に整列させてもよい。図６は、モノリシック円盤状コンデンサ１２２とセラミック絶縁体層１２４とを含む一例としてのコンデンサ構造１２０の、セラミック絶縁体層１２４がコンデンサ１２２へ付着される前で且つセラミック絶縁体層１２４に外周及びフィードスルー開口が画定される前の斜視図である。

【0057】

[0062]図６に描かれている例では、モノリシック円盤状コンデンサ１２２は、外周側壁１２３に接合する外周１２６を画定している第１表面１２８を含んでいる。加えて、第１表面１２８は、４つのフィードスルー開口１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃ、１３０ｄ（ひとまとめに「フィードスルー開口１３０」）を画定している。モノリシック円盤状コンデンサ１２２は、第１表面１２８上に形成されている第１位置合わせ突起１３２ａ及び第２位置合わせ突起１３２ｂ（ひとまとめに「位置合わせ突起１３２」）を含んでいる。位置合わせ突起１３２は、図３に関連付けて説明されている位置合わせ突起６４及び／又は図４に関連付けて説明されている位置合わせ突起８０と同じか又は実質的に類似であってもよい。

【0058】

[0063]セラミック絶縁体層１２４は、第１位置合わせ開口１３４ａ及び第２位置合わせ開口１３４ｂ（ひとまとめに「位置合わせ開口１３４」）を画定している膜を含んでいる。位置合わせ突起１３２と位置合わせ開口１３４は、上述の様に、相補的な数、形状、及び大きさを有するように形成されている。

【0059】

[0064]位置合わせ開口１３４を位置合わせ突起１３２と整列させた後、セラミック絶縁体層1２４は第１表面１２８と接触に置かれる。位置合わせ開口１３４と位置合わせ突起１３２は協働してセラミック絶縁体層１２４をモノリシック円盤状コンデンサ１２２の第１表面１２８に実質的に整列させる。ひとたび第１表面１２８と接触したら、セラミック絶縁体層１２４は上述の様に第１表面１２８へ接着されるか又は積層されることになる。セラミック絶縁体層１２４を第１表面１２８へ積層した後、セラミック絶縁体層１２４のモノリシック円盤状コンデンサ１２２のフィードスルー開口１３０に実質的に対応する位置にフィードスルー開口が切られることになる。加えて、セラミック絶縁体層１２４は、モノリシック円盤状コンデンサ１２２の外周１２６に実質的に対応する外周を画定するように切断されることになる。幾つかの例では、セラミック絶縁体層１２４は、レーザー切断を使用して切断されてもよい。

【0060】

[0065]代わりに、セラミック絶縁体層１２４は、層１２４を第１表面１２８と接触に置いた後で第１表面１２８へ接着又は積層する前に切断されてもよい。ひとたびセラミック絶縁体層２１４の外周及びセラミック絶縁体層１２４のフィードスルー開口が切られたら、セラミック絶縁体層１２４は第１表面１２８へ接着、積層、又はそれ以外のやり方で付着させることができる。

【0061】

[0066]図２−図６は、主に、セラミック絶縁体層に形成されている位置合わせ開口とコンデンサから延びている位置合わせピン又は位置合わせ突起を説明しているが、他の例では、位置合わせ陥凹又は開口がコンデンサの表面に形成され、位置合わせ突起がセラミック絶縁体層側に形成されていてもよい。幾つかの例では、セラミック絶縁体層が位置合わせ開口と位置合わせ突起を両方含み、コンデンサが対応する位置合わせ突起と位置合わせ陥凹又は開口を含むようにすることもできる。追加的又は代替的に、図２−図６は別々の例として説明されているが、それぞれの図に記載されている位置合わせ機構が互いと組み合わせて使用されてもよい。例えば、コンデンサは、コンデンサの外周に沿ってコンデンサの表面から延びている突起（図６）を含み、且つコンデンサの外周から離れて形成されている突起（図３）を含んでいてもよい。

【0062】

[0067]図７は、本開示の幾つかの例によるコンデンサ構造を形成するのに使用することのできる一例としての技法を示している流れ図である。図７の一例としての技法は、主に、コンデンサ構造４０（図２）に関連付けて説明されているが、但し、本技法は、図３のコンデンサ構造６０、図４のコンデンサ構造７０、図５のコンデンサ構造９０、図６のコンデンサ構造１２０、又は他のコンデンサ構造に適用可能であろう。概して、本技法は、少なくとも１つのセラミック絶縁体層位置合わせ機構を少なくとも１つのコンデンサ位置合わせ機構（例えば、コンデンサ位置合わせ開口５２及び位置合わせピン５４）と整列させる段階（１４４）を含むものである。上述の様に、少なくとも１つのセラミック絶縁体層位置合わせ機構には、位置合わせ開口（例えば、位置合わせ開口５８、８２、１３４）、セラミック絶縁体層の外周（例えば、外周９６）、及び／又はセラミック絶縁体層の外周に形成されている機構（例えば、段状部分１０８及び曲線部分１１０）が含まれよう。少なくとも１つのコンデンサ位置合わせ機構には、例えば、コンデンサ位置合わせ開口５２及び位置合わせピン５４又は位置合わせ突起６４、８０、１０２、１３２が含まれよう。コンデンサ位置合わせ機構とセラミック絶縁体層位置合わせ機構は協働してセラミック絶縁体層をモノリシック円盤状コンデンサの表面に実質的に整列させる。

【0063】

[0068]ひとたび少なくとも１つのセラミック絶縁体層位置合わせ機構を少なくとも１つのコンデンサ位置合わせ機構と整列させたら（１４４）、セラミック絶縁体層４４をモノリシック円盤状コンデンサ４２の第１表面４８と接触に置き、第１表面４８へ付着させる（１４６）。上述の様に、セラミック絶縁体層４４は、第１表面４８へ接着又は積層させてもよい。例えば、セラミック絶縁体層４４がＬＴＣＣを含んでいる場合、層４４は約８００℃乃至約９００℃の温度及び約８００ポンドｐｓｉ乃至約１５００ｐｓｉの圧力で、第１表面４８へ積層させることができる。

【0064】

[0069]幾つかの例では、セラミック絶縁体層４２のフィードスルー開口５６及び外周４５は、セラミック絶縁体層４４をモノリシック円盤状コンデンサ４２へ積層する段階（１４６）の前に形成されてもよい。他の例では、セラミック絶縁体層４２のフィードスルー開口５６及び外周４５は、上述の様に、セラミック絶縁体層４４をモノリシック円盤状コンデンサ４２へ積層する段階（１４６）の後に形成されてもよい。

【実施例】

【0065】

[0070]ＬＴＣＣ組成を含んでいるセラミック絶縁体をモノリシック円盤状コンデンサの表面へ積層してコンデンサ構造を形成した。ＬＴＣＣ組成は、アルミナ約９０重量％乃至約９５重量％とガラス（ＣａＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３）約５重量％乃至約１０重量％を含有。ＬＴＣＣ組成を、約８００℃乃至約９００℃の温度及び約８００ｐｓｉ乃至約１５００ｐｓｉの圧力で、コンデンサへ積層した。

【0066】

[0071]次いで、コンデンサ構造をフィードスルー組立体に組み立てた。コンデンサ構造を、フィードスルー開口の中のフィードスルーピンへ、そしてコンデンサ外周に沿ってフィードスルーフェルールへ、はんだを使用して接続した。コンデンサを、フェルールへの電気接続を介して大地へ接続した。

【0067】

[0072]フィードスルー組立体に、−５５℃から１２５℃の間で５サイクルの熱ショック試験を課し、約１２５℃でフィードスルーピンとフェルールの間に１０００Ｖのバイアス電圧を印加してバーンインした。

【0068】

[0073]バーンイン調整の後、フィードスルー組立体を電気的に試験した。フィードスルー組立体に、フィードスルーピンと大地の間に１３００Ｖ、隣り合うフィードスルーピン同士の間に１０００Ｖを使って、パルス試験を課した。パルスの立ち上がり時間は約１乃至２マイクロ秒で、パルスの一時停止時間は約１８ミリ秒であった。

【0069】

[0074]フィードスルー組立体には、更に、誘電耐電圧試験を課した。フィードスルーピンと大地の間に１３００Ｖの電圧を印加し、隣り合うフィードスルーピン同士の間に１０００Ｖを印加した。電圧のそれぞれは、ピーク電圧で約５秒保持された。

【0070】

[0075]最後に、フィードスルー組立体に絶縁抵抗試験を課した。フィードスルーピンと大地の間に１３００Ｖの電圧を印加し、隣り合うフィードスルーピン同士の間に１０００Ｖを印加した。抵抗を測定したところ、３０ギガオームより大きかった。フィードスルー組立体及びコンデンサ構造は以上の試験全てに何の不具合もなく合格した。

【符号の説明】

【0071】

１０ 濾波型フィードスルー組立体
１２ コンデンサ構造
１４ コンデンサ
１５ 第１導電性被覆
１６ 第１セラミック絶縁体層
１７ 第２導電性被覆
１８ 第２セラミック絶縁体層
１９ 導電性活性電極
２０ コンデンサの第１表面
２１ 導電性接地電極
２２ コンデンサの第２表面
２３ コンデンサの開口
２４ フェルール
２６ 導体
３０ 継手絶縁体部分組立体
３２ 絶縁体リング
３４ 導体絶縁体ろう付け部
３６ 絶縁体フェルールろう付け部
４０ コンデンサ構造
４２ モノリシック円盤状コンデンサ
４３ コンデンサの外周側壁
４４ セラミック絶縁体層
４５ セラミック絶縁体層の外周
４６ コンデンサの外周
４８ コンデンサの第１表面
５０、５０ａ、５０ｂ、５０ｃ、５０ｄ フィードスルー開口
５２、５２ａ、５２ｂ コンデンサ位置合わせ開口
５４、５４ａ、５４ｂ 位置合わせピン
５６、５６ａ、５６ｂ、５６ｃ、５６ｄ フィードスルー開口
５８、５８ａ、５８ｂ セラミック絶縁体位置合わせ開口
６０ コンデンサ構造
６２ モノリシック円盤状コンデンサ
６４、６４ａ、６４ｂ 位置合わせ突起
７０ コンデンサ構造
７２ モノリシック円盤状コンデンサ
７３ コンデンサの外周側壁
７４ セラミック絶縁体層
７６ コンデンサの外周
７８ コンデンサの第１表面
８０、８０ａ、８０ｂ 位置合わせ突起
８２、８２ａ、８２ｂ 位置合わせ開口
８４、８４ａ、８４ｂ セラミック絶縁体層の突出部
８６、８６ａ、８６ｂ コンデンサの突出部
８８ セラミック絶縁体層の外周
９０ コンデンサ構造
９２ モノリシック円盤状コンデンサ
９３ コンデンサの外周側壁
９４ セラミック絶縁体層
９６ セラミック絶縁体層の外周
９８ コンデンサの第１表面
１００、１００ａ、１００ｂ、１００ｃ、１００ｄ フィードスルー開口
１０２、１０２ａ、１０２ｂ 位置合わせ突起
１０４、１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃ、１０４ｄ フィードスルー開口
１０６ コンデンサの外周
１０８、１０８ａ、１０８ｂ、１０８ｃ、１０８ｄ 段状部分
１１０、１１０ａ、１１０ｂ 曲線部分
１１２、１１２ａ、１１２ｂ 直線部分
１２０ コンデンサ構造
１２２ モノリシック円盤状コンデンサ
１２３ コンデンサの側壁
１２４ セラミック絶縁体層
１２６ コンデンサの外周
１２８ コンデンサの第１表面
１３０、１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃ、１３０ｄ フィードスルー開口
１３２、１３２ａ、３２ｂ 位置合わせ突起
１３４、１３４ａ、１３４ｂ 位置合わせ開口

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】