特許 6013309 装置、磁気素子およびデータライタ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6013309

(24)【登録日】2016年9月30日

(45)【発行日】2016年10月25日

(54)【発明の名称】装置、磁気素子およびデータライタ

(51)【国際特許分類】

   G11B 5/31 20060101AFI20161011BHJP

【ＦＩ】

   G11B5/31 D

   G11B5/31 Q

【請求項の数】3

【外国語出願】

【全頁数】10

(21)【出願番号】特願2013-246154(P2013-246154)

(22)【出願日】2013年11月28日

(65)【公開番号】特開2014-112455(P2014-112455A)

(43)【公開日】2014年6月19日

【審査請求日】2014年9月10日

(31)【優先権主張番号】13/689,337

(32)【優先日】2012年11月29日

(33)【優先権主張国】US

【前置審査】

(73)【特許権者】

【識別番号】500373758

【氏名又は名称】シーゲイト テクノロジー エルエルシー

【氏名又は名称原語表記】Ｓｅａｇａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ＬＬＣ

(74)【代理人】

【識別番号】110001195

【氏名又は名称】特許業務法人深見特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】エリック・シェーン・リンビル

(72)【発明者】

【氏名】ジェンファ・シュエ

(72)【発明者】

【氏名】エリック・ロジャー・メロチェ

(72)【発明者】

【氏名】フアチン・イン

(72)【発明者】

【氏名】ヨンファ・チェン

【審査官】 中野 和彦

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１１−２２７９８７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許出願公開第２００９／０１６８２４０（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 特開２０１０−１７６７３２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１２−０９９２０８（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ１１Ｂ ５／３１

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

連続的な第１のテーパ角が前縁と後縁とを接続する磁極側壁を有する書込磁極を含む装置であって、前記書込磁極は、第１および第２のシールド側壁がシールド突端にテーパされた状態で構成された側部シールドに近接し、前記シールド突端は前記書込磁極と前記側部シールドとの間において最も近い点であり、
前記シールド突端は、前記第１および第２のシールド側壁を接続する予め定められる長さの線形の側壁を含み、前記線形の側壁は、前記書込磁極の前記後縁に直交して向き付けられる、装置。

【請求項2】

連続的な第１のテーパ角が前縁と後縁とを接続する磁極側壁を有する書込磁極を含む磁気素子であって、前記書込磁極は、シールド突端にテーパされた第１および第２のシールド側壁とともに各々が構成された第１および第２の側部シールド間において、前記第１および第２の側部シールドから分離して配置され、前記シールド突端は前記書込磁極と前記側部シールドとの間において最も近い点であり、
前記第１および第２の側部シールドは、異なる総数のシールド側壁を有する、磁気素子。

【請求項3】

連続的な第１のテーパ角が前縁と後縁とを接続する磁極側壁を有する書込磁極を含む磁気素子であって、前記書込磁極は、シールド突端にテーパされた第１および第２のシールド側壁とともに各々が構成された第１および第２の側部シールド間において、前記第１および第２の側部シールドから分離して配置され、前記シールド突端は前記書込磁極と前記側部シールドとの間において最も近い点であり、
前記側部シールドの少なくとも１つは、異なる磁気モーメントをともなう複数の層を含む、磁気素子。

【発明の詳細な説明】

【発明の概要】

【課題を解決するための手段】

【0001】

概要
さまざまな実施例は、概して、高データビット密度データ保存環境において用いることが可能であるデータライタに向けられる。

【0002】

さまざまな実施例によれば、書込磁極は、磁極側壁と、前縁と後縁とを接続する連続的な第１のテーパ角とを有してもよい。書込磁極は、側部シールドに近接して位置決めされ、側部シールドは、第１および第２のシールド側壁が書込磁極と側部シールドとの間において最も近い点であるシールド突端にテーパされる状態で構成されてもよい。

【図面の簡単な説明】

【0003】

【図1】さまざまな実施例に従って構築され動作される例示的なデータ記憶装置の上面図ブロック図である。

【図2】図１のデータ記憶装置において用いることが可能である例示的な磁気素子の断面のブロック図である。

【図3】いくつかの実施例に従って構築された例示的な磁気素子の一部のＡＢＳ図ブロック図である。

【図4】さまざまな実施例に従って構築された例示的な磁気素子の一部のＡＢＳ図ブロック図である。

【図5】さまざまな実施例に従って構築された例示的な磁気素子の一部のＡＢＳ図ブロック図である。

【図6】いくつかの実施例に従って構築された例示的な磁気素子の一部のＡＢＳ図ブロック図である。

【図7】さまざまな実施例に従って行われる例示的な磁気素子製造ルーチンのためのフローチャート図である。

【発明を実施するための形態】

【0004】

詳細な記載
データ記憶装置がより大きなデータ記憶容量およびより高速のデータアクセス速度に向かって進むなか、さまざまな装置構成要素の物理的サイズおよび許容差が低減されるにつれて、逸脱する磁束の磁気遮蔽は製造上および動作上の性能の難点の急激な源になった。データビットが占めるデータトラックの最小化が隣接トラック干渉（ＡＴＩ）の形で特定の動作上の難点をもたらし得るが、書込磁極および磁気抵抗性積層のような磁気アクセス構造物に近接する側方磁気シールドの位置決めにより、アクセス構造物の磁気範囲を低減することによってＡＴＩを緩和してもよい。しかしながら、側方磁気シールドの追加は、磁気シールドが磁気アクセス構造物のために意図された磁化で飽和するにつれ、磁界および磁気勾配損失に苦しむ場合がある。従って、磁界および勾配を減少させずに形状係数が低減されたデータ記憶装置において実現することが可能である磁気シールド構成に対する継続的な産業需要がある。

【0005】

したがって、さまざまな実施例が、概して、書込磁極が磁極側壁を有し、連続的な第１のテーパ角が前縁と後縁とを接続する、磁気素子の構成であって、書込磁極は、側部シールドに近接して位置決めされ、側部シールドは、第１および第２のシールド側壁が書込磁極と側部シールドとの間において最も近い点であるシールド突端にテーパされる状態で構成される、磁気素子の構成に向けることが可能である。シールド突端の位置、およびシールド側壁の書込磁極に関してのシールド突端からの角度方向は、予め定められる磁気範囲を提供するように選択的に調整することが可能である。そのような調整された磁気シールド構成は、加えて、データビットアクセスに貢献する代りに、シールドを飽和させる磁束を緩和することが可能である。

【0006】

少なくとも１つの調整された磁気シールドが制限のないさまざまな環境において実施されてもよいが、図１は、一般的にさまざまな実施例に従って調整された磁気素子を利用することが可能である例示的なデータ記憶装置１００の上面図ブロック図を示す。データ記憶装置１００は、保存されたデータビット１０８が予め定められるデータトラック１１０上に位置する磁気記憶媒体１０６上のさまざまな位置上に、作動アセンブリ１０２が変換ヘッド１０４を位置決めすることが可能である、非限定的な構成において示される。記憶媒体１０６は、空気軸受面（ＡＢＳ）を生じさせるために使用中において回転する、１つ以上のスピンドルモータ１１２に取付けることが可能であり、ＡＢＳ上においては、作動アセンブリ１０２のスライダ部分１１４が、変換ヘッド１０４を含むヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）１１６を媒体１０６の予め定められる部分の上に位置決めするように飛行する。

【0007】

変換ヘッド１０４は、磁気ライタ、磁気応答性リーダおよび磁気シールドのような、それぞれ、記憶媒体１０６の選択されたデータトラック１１０からデータをプログラミングし、それを読取るよう動作する、１つ以上の変換素子とともに構成することが可能である。この態様で、作動アセンブリ１０２の制御された動きは、データを書込み、読取り、および書き換えるために、記憶媒体表面上で規定されたデータトラック１１０との変換器の整列と対応する。データビット１０８が、データトラック１１０において、より小さな径方向幅で、より稠密に位置決めされるようになるにつれて、ヘッド１０４は、近接するデータトラック１１０上でデータビットから意図せずして磁束を受けるかもしれず、それは、データ記憶装置１００の性能を損なう磁気騒音および干渉を誘導し得る。

【0008】

図２は、形状係数が低減されたデータトラックおよびより稠密に圧縮されたデータビットの影響を緩和するよう、磁気遮蔽とともに構築された、例示的な磁気素子１２０の断面のブロック図を示す。示されるように、磁気素子１２０は、磁気リーダ１２２およびライタ１２４のような、個々にまたは同時に動作して、図１の媒体１０６のような近接する記憶媒体にデータを書込むか、またはそれからデータを検索することが可能である、１つ以上のデータアクセス素子を含むことが可能である。各磁気素子１２２および１２４は、さまざまなシールドおよび変換素子から構築され、対応するデータ媒体に対してデータトラック１２６に沿ってデータの読取および書込を行なうように作用する。

【0009】

磁気読取素子１２２は、先頭シールドおよび後部シールド１３２および１３４間に配置された磁気抵抗層１３０を有する。一方、書込素子１２４は、書込磁極１３６および少なくとも１つのリターン磁極１３８を有し、近接する記憶媒体に予め定められる帯磁方向を与えるために書込回路を形成する。図２において示される書込素子１２４の非限定的な構成においては、２つのリターン磁極１３８は、各々、磁極１３６および１３８からの磁束が書込素子１２４の境界を越えて延在することを妨げる非磁性ギャップ層１４０および後部シールド１４２にそれぞれ接触するように近接する。各リターン磁極１３８は、さらに、書込磁極１３６および１３８の磁気分離を維持する絶縁材料１４４と接触する。

【0010】

磁気素子１２０のシールドは、図１のビット１０８のような外部ビットと遭遇するタイミングに関するそれらの位置によって特徴付けられる。言いかえれば、変換素子１２２および１２４の前に外部ビットに遭遇するシールドは「先頭」シールドであり、一方、変換素子の後でビットを見るシールドは「後部」シールドである。そのような特徴付けは、変換素子の「アップトラック」または「ダウントラック」との間の差に及び、なぜならば、磁気素子１２０のための移動の方向および外部ビットに依って、シールドは、先頭または後部のいずれか、およびアップトラックまたはダウントラックのいずれか、であり得るからである。

【0011】

磁気素子１２０は、Ｙ軸に沿って位置決めされた、磁束をアップトラックおよびダウントラック磁気ビットに到達することから払拭する複数個の遮蔽層を有する一方、増大したデータビット密度は、Ｚ軸に沿って付加的な遮蔽に対応する、より過密なデータトラック１２６に至っている。書込磁極１３６に関してＺ軸において側部シールドを追加することは、低減されたデータトラック１２６幅に従うように書込磁極１３６の磁気範囲を供し得るが、そのような追加は磁界振幅および勾配を減少させ得、なぜならば、磁化が、書込磁極を通って流れる代りに、側部シールドを飽和させるからである。磁界における低減は、動作上において、書込磁極１３６の磁気感度およびデータプログラミング効率を低減し得、それは、結果として、品質の下がった線形のデータビット密度容量およびサイドトラック消去の可能性の増大を生じ得、なぜならば、書込磁極が近接するデータトラック１２６のデータビットを意図せずしてプログラミングするからである。

【0012】

図３は、さまざまな実施例に従う書込磁極１５４の対向する側部において調整された側部シールド１５２を用いる、例示的な磁気素子１５０の一部のＡＢＳ図ブロック図を示す。各側部シールド１５２は、シールド突端１６０にテーパする第１のシールド側壁１５６および第２のシールド側壁１５８とともに構成され、一方、書込磁極１５４は、磁極本体１６６からアップトラックに位置決めされる磁極先端１６４にテーパする磁極側壁１６２を有する。図３は、概して、予め定められるトラックと整列するように示され、磁気素子１５０の底部部分はアップトラックであり、ダウントラック部分の前で素子１５０の頂部面でデータビットに遭遇することが理解される。

【0013】

磁極本体１６６からの磁極先端１６４への一様な書込ギャップ１６８をともなって側部シールド１５２を構成することを、シールド側壁１５８角度（Θ_１）を磁極側壁１６２角度（Θ_２）と一致するように構成することによって行なうことは、書込磁極１５４のために、制御された磁気範囲を提供することが可能であるが、磁束のための導管を提供して、書込磁極１５４を通して伝達される代りに、側部シールド１５２を飽和させるかもしれない。そのような磁気的な懸念を念頭に置いて、１つ以上の側部シールド１５２が示されるように構築され得、シールド突端１６０は、書込磁極１５４と側部シールド１５２との間における最も近い点である。Ｙ軸に沿ったシールド突端１６０の垂直位置、ならびにそれぞれのシールド側壁１５６および１５８のテーパ角（Θ_１＆Θ_３）を調整する能力は、書込磁極１５４と側部シールド１５２との間において容易な磁気導管を提供せずに、書込磁極１５４の磁気範囲を制御することが可能である。

【0014】

非限定的な例示として、各側部シールド１５２の構成は、シールド突端１６０は、前縁として特徴付けられ得る磁極先端１６４と、後縁として特徴付けられ得る磁極本体１６６との間に位置決めされ、シールド側壁１５６および１５８は、それぞれシールド突端１６０から異なる方向および角度（Θ_１＆Θ_３）で延在して、磁極側壁１６２からのシールド突端１６０への距離１７０が、磁極側壁１６２から第１のシールド側壁１５６または第２のシールド側壁１５８へのいずれの距離１７２および１７４よりも小さいように、なされてもよい。さまざまな実施例は、距離１７４を距離１７０の２倍であり距離１７２より大きくなるように調整して書込磁極１５４の磁気範囲を構成してサイドトラック消去および隣接トラック干渉の両方を低減する。

【0015】

磁極先端１６４に近いフリンジ磁界の存在は、サイドトラック消去状態において近接するデータトラックの意図しないプログラミングの一因と成り得る。そのような状態は、少なくとも、シールド側壁１５６の長さを調整して、アップトラックを、磁極先端１６４から、面１８０における磁極本体１６６の予め定められる幅１７８より大きくてもよい、予め定められる距離１７６を延在することによって、緩和されてもよい。シールド１５６および１５８および磁極側壁１６２のテーパ角（Θ_１、Θ_２およびΘ_３）ならびにシールド突端１６０の位置のような、幅広くさまざまな調整可能な磁気素子特性で、書込磁極１５４の磁気範囲は、特に形状係数が低減された高データビット密度記憶装置において、データ書込性能を増大することが可能である、多くの異なる形状に操作することが可能である。

【0016】

図４は、いくつかの実施例に従うさまざまな構造的特徴とともに調整された、例示的な磁気素子１９０の一部のＡＢＳ図ブロック図を示す。磁気素子１９０は、書込磁極１９２が側部シールド１９４と後部シールド１９６との間に配置され、それらは、各々、レターボックス１９８、シールド側壁２００および２０２、ならびに磁極側壁２０４のような、磁気範囲を変える構造物とともに構成される。書込磁極１９２は、線形の後縁２０４および湾曲した前縁磁極先端２０６とともに構成され、それらの間にはシールド突端２０８が位置決めされ、シールド側壁２００および２０２は、それから、各側壁２００および２０２を、前縁２０６および後縁２０４の境界を越えさせる長さで延在する。

【0017】

図３のシールドおよび磁極側壁でのように、さまざまな側壁２００、２０２および２０４は、前縁２０６、後縁２０４およびシールド突端２０８において磁極からシールドまでの異なる距離を可能にする無制限にさまざまな角度（Θ_１、Θ_２およびΘ_３）に調整することが可能である。さまざまな側壁の調整された角度および側部シールド１９４と書込磁極１９２との間におけるギャップのサイズにかかわらず、書込磁極１９２からダウントラックにレターボックス１９８を含むことは、磁極１９２から磁束損失を最小限にする一方で十分な磁気遮蔽を提供することが可能であり、それは、書込磁界勾配、振幅および利得を増大する。レターボックス１９８は、部分的に側部シールド１９４および後部シールド１９６から出て形成されるとして示されるが、そのような構成は、レターボックスを側部シールド１９４または後部シールド１９６のいずれかの一部として完全に組込むよう、随意に変更することが可能である。

【0018】

レターボックス１９８の位置および形状は、さまざまな実施例において、磁気遮蔽と書込磁極１９２の書込磁界利得および勾配との間の均衡を与えるように調整されてもよい。すなわち、幅２１０および書込磁極１９８からの距離２１２を、連続的に曲線的および矩形状などの全体的な形状とともに調整して、書込磁極１９２に対する、予め定められた遮蔽および磁気性能特性を提供してもよい。調整されたレターボックス１９８の追加は磁気オーバーシュートを低減することが可能であり、なぜならば、漂遊磁界が、少なくとも、書込磁極１９２に最も近い最長の側壁を有する調整されたシールド側壁２００および２０２によって提供された形状異方性によって低減されるからである。レターボックス１９８を、書込磁極１９２のそれぞれの前縁２０６および後縁２０４からのシールド突端２０８の先頭２１４および後部２１６の距離によって与えられるシールド突端２０８の調整された位置によって補足して、サイドトラック消去を低減し、磁気転移曲率を増大させてもよい。

【0019】

側部シールド１９４、書込磁極１９２およびレターボックス１９８の構成は、書込磁極１９２の選択された部分に対して予め定められる近くに遮蔽材料を位置決めすることが可能であり、磁気的絶縁材料がシールド１９４および１９６と書込磁極１９２との間に配置されることを可能する一方で、さまざまな磁気素子１９０構成要素を、形状、材料、サイズおよび位置に関してさらに調整して、書込磁極１９２の磁気範囲を操作しながら、最適化された書込磁場を提供してもよい。図５は、概してさまざまな実施例に従って調整された例示的な磁気素子２２０の一部のＡＢＳ図ブロック図を示す。磁気素子２２０は、２つを超えるシールド側壁を提供するように各々調整された側部シールド２２４間に配置される書込磁極２２２を有する。

【0020】

示されるように、書込磁極２２２は、実質的に台形形状を有し、対向する対面する磁極側壁２２６は前縁２２８および後縁２３０を接続する。各側部シールド２２４は、突端側壁２３８からなるシールド突端２３６から予め定められる角度においてテーパする第１のシールド側壁２３２および第２のシールド側壁２３４とともに構成される。図４のシールド突端２０８との比較においては、シールド突端２３６は、２つの表面の出会う点ではなく、他のシールド側壁２３２および２３４を接続する予め定められる長さ２４０を有する表面である。突端側壁２３８のための線形の表面、または代替的にいくつかの実施例において連続的に曲線的な表面の使用は、別の調整可能な構造的表面を提供し、それは、書込磁極２２２と側部シールド２２４との間の書込ギャップが、磁極側壁２２６に関して予め定められる距離２４２および２４４において変動することを可能にする。

【0021】

突端側壁２３８の形状および位置は、第１のシールド側壁２３２および第２のシールド側壁２３４が、仮にシールド側壁２３２および２３４が１点で出会った場合にシールド側壁を書込磁極２２２にあまりにも近く持って来る角度でテーパおよび延在することを可能にする。例えば、突端側壁２３８の長さは、第２のシールド側壁が、仮に突端側壁２３８の長さ２４０が存在しない場合よりも小さい角度でシールド突端２３６から延在することを可能にして、書込磁極２２２の後縁２３０に予め定められる距離を与えてもよい。そのようなより小さいシールド側壁角度は、いくつかの実施例においては、書込磁極２２２からの予め定められるダウントラック距離２４８で予め定められる側部シールド幅２４６を形成するように利用されてもよく、それは、レターボックス型書込磁界利得および勾配最適化の形成を、側部シールド２２４および／または後部シールド内へのレターボックスの付加的な製造なしに行なうことが可能である。

【0022】

さまざまなシールドおよび磁極側壁の調整によって可能な幅広くさまざまな遮蔽構成は、書込磁極２２２の対向する側部において構造を鏡映することに限定されない。図６は、概して、異なる側部シールド２６４および２６６構成がいくつかの実施例に従って構築された状態で、書込磁極２６２の磁気範囲を制御するためにどのように例示的な磁気素子２６０を調整することが可能であるかを示す。磁気素子２６０のＡＢＳ図は、異なる磁気遮蔽特性および構造上の向きを有する複数の異なる材料から積層として構築された第１の側部シールド２６４を示す。

【0023】

図６において示される例示において、第１の側部シールド２６４は、第１のシールド層２６８、第２のシールド層２７０、および第３のシールド層２７２を有し、第１のシールド層２６８、第２のシールド層２７０、および第３のシールド層２７２は、それぞれ、Ｙ軸に沿って異なる厚み２７４、２７６および２７８を有し、磁極側壁２８６（Θ_３）に関して異なる角度（Θ_１＆Θ_２）で向き付けられた異なるシールド側壁２８０、２８２および２８４を有する。いくつかの実施例は、側部シールド２６４と書込磁極２６２の前縁との間に先頭距離２８８を提供し、それは、側部シールド２６４と書込磁極２６２の後縁との間の後部距離２９０の半分であるように、シールド側壁２８０、２８２および２８４を構成する。先頭距離２８８を後部距離２９０の半分として構成することは、最小の隣接トラック干渉に関して最適化された書込磁界を提供することが可能である。

【0024】

第１の側部シールド２６４と書込磁極２６２との間の書込ギャップを増大させることは、異なる磁石モーメントを示す材料の使用によって補足することが可能である。例えば、第１の層２６８は、２．４テスラのような第１の予め定められるモーメントで構築することが可能であり、他方、第２の層２７０は、１．４テスラのような異なる第２の予め定められるモーメントを有し、第３の層２７２は１．０テスラのような異なる第３の予め定められるモーメントで構成される。異なる層２６８、２７０および２７２の変動する磁気モーメントは、書込磁界損失を最小限にし得、なぜならば、漂遊磁界が、特に先頭磁極先端２９２に近く、制御されるからである。サイズ、書込磁極２６２に対する位置、およびさまざまな側部シールド２６４積層の材料を調整する能力は、書込磁極２６２の磁気範囲の正確な明瞭度および磁気特性を可能にすることが可能である付加的な調整局面を提供する。

【0025】

複数の異なるシールド層２６８、２７０および２７２ならびに材料の使用は、正確な調整能力を提供することが可能である一方で、さらなる生産複雑性および処理が、積層された側部シールド構成の効果を打ち消すかもしれない。第２の側部シールド２６６は、どのようにして、単一の層および材料を、異なる角度方向（Θ_４、Θ_５、Θ_６、＆Θ_７）で構築された複数のシールド側壁２９４、２９６、２９８および３００で構築して、書込磁極２６２と第２の側部シールド２６６との間において最も近い点であるシールド突端３０２を形成することが可能であるかを示す。

【0026】

シールド突端３０２の位置は、磁極側壁２８６の任意の予め定められる部分の近くに位置決めされてもよいが、そのような予め定められる部分は、側部シールドが先頭磁極先端２９２からダウントラックにおいて平面を延在するときは、より書込磁極２６２の後部部分に向かってもよい。すなわち、シールド突端３０２の位置は、側部シールド２６６が延在するダウントラック距離３０４に応じて選択されてもよい。そのようなダウントラック距離３０４は、さらに、先頭距離３０６、突端距離３０８および後部距離３１０を変更して、磁気遮蔽を書込磁界利得および勾配と平衡を保って、予め定められる隣接トラック干渉およびサイドトラック消去緩和を与えてもよい。

【0027】

書込磁界およびデータビットプログラミング性能を最適化するのに可能な非限定的な側部シールド構成の多様性で、磁気素子の構築は、磁気動作を調整する一連の一般的および特定の判断を経ることが可能である。図７は、磁気素子の磁気遮蔽および書込磁場の性能を調整するためにさまざまな実施例に従って行われる例示的な磁気素子製造ルーチン３３０を提供する。初めに、ルーチン３３０は、ステップ３３２において予め定められる形状、側壁および磁極先端で書込磁極を構築する。

【0028】

判断３３４は、一方または両方の側部シールドが複数層積層として構築されるか否かを判断する。複数個の異なる側部シールド層が判断３３４から利用されることになる場合、ステップ３３６は、予め定められる材料、厚みおよびシールド側壁角度方向で各側部シールド層を連続的に形成する。対照的に、ステップ３３８は、単一の側部シールド層を設けて、シールド突端を、それから延在する予め定められる数のシールド側壁とともに形成する。さまざまな実施例は、シールド側壁を、書込磁極の前縁および後縁を越えて延在するように構成し、他の実施例は、前縁からの磁極側壁の長さの１０％、３０％または５０％のような、書込磁極の予め定められる部分に近く、シールド突端を位置決めする。

【0029】

書込磁極の対向する側部における側部シールドの形成は、ステップ３３６および３３８を一回または複数回行なうことを通して達成することが可能であることが注目されるべきである。書込磁極の対向する側部における側部シールドの形成は、ルーチン３３０を判断３４０に進め、そこでは、図４のレターボックス１９８のようなレターボックスの包含が企図される。ステップ３４２は、矩形、台形、および矩形形状のような、予め定められる形状、予め定められるサイズ、および書込磁極からの予め定められる距離を有するレターボックスを形成する。そのようなレターボックス構築は、一方または両方の側部シールド、および後でステップ３４４において設けられる後部シールドの処理を組込んでもよい。すなわち、レターボックスは、側部シールドまたは後部シールドに完全に組入れられてもよく、または側部シールドおよび後部シールドの両方によって与えられた表面の組合せからなってもよい。

【0030】

レターボックスが判断３４０において磁気素子に組入れられないという場合には、ステップ３４４は、内部のレターボックス開口部を形成せずに、書込磁極から予め定められる距離で後部シールドを設ける。ルーチン３３０のさまざまな判断およびステップを通して、磁気素子は、さまざまな側部シールド側壁、距離およびシールド突端位置の調整された構成を介して磁気遮蔽を書込磁界性能と平衡を保つことによって、性能に関して最適化することが可能である。例えば、シールド突端のテーパされたシールド側壁および位置を、書込磁極に関してさまざまな位置において構成して、サイドトラック消去および隣接トラック干渉のような、意図しない性能特性の危険性の低減または最小化と組み合わされた、より多い、またはより少ない磁気遮蔽を与え得る。

【0031】

しかしながら、図７において示されるルーチン３３０のさまざまなステップおよび判断は、必要ではなく、限定もされないことが注目されるべきであり、なぜならば、さまざまな判断およびステップを省略、変更および追加することが可能であるからである。例示として、判断３３４ならびにステップ３３６および３３８を複数回実行し、同様または異なる結果で、書込磁極の対向する側部側に位置決めされた側部シールドを構築することが可能である。

【0032】

予め定められる磁気遮蔽およびデータビットプログラミング性能を与えるように調整することが可能である側部シールドの構造上のありあまるほどのパラメータは、書込磁極の磁気範囲を制御することが可能である多数の考えられ得る側部シールド構成を示す。そのような側部シールド構成は、高められた磁界性能を、最適化された書込磁界利得および勾配とともに与えるように調整されてもよく、一方、他の構成は側部シールドの逸脱する磁界および磁気飽和から結果として生じる意図しない性能状態を最小限にするように調整されてもよい。書込磁極に対する側部シールドのさまざまな構造上の局面を調整することによりこれらのさまざまな性能特性の平衡を保つ能力は、特に、データビット密度が増大した、形状係数が低減されたデータ記憶装置に適合することに関して、側部シールド構築物の多用性を伝える。

【0033】

加えて、実施例は磁気プログラミングに向けられている一方で、主張された発明をデータ記憶装置適用例を含む任意の数の他の適用例において容易に利用することが可能であることが十分に理解される。この開示のさまざまな実施例の多数の特性および構成が、前述の記載において、さまざまな実施例の構造および機能の詳細とともに述べられたが、この詳細な記載は例示的であるのみであり、変更が詳細に、特にこの開示の原理内における部分の構造および構成の事項において、特許請求の範囲が表現される用語の広い一般的な意味によって示される十分な範囲にまで行なわれてもよいことも理解される。例えば、特定の要素は、この技術の精神および範囲から逸脱せずに、特定の適用例に依って変動してもよい。

【符号の説明】

【0034】

１５２ 側部シールド、１５４ 書込磁極、１５６ 第１のシールド側壁、１５８ 第２のシールド側壁、１６０ シールド突端、１６２ 磁極側壁、１６４ 前縁、１６６ 後縁、Θ_１，Θ_２，Θ_３ テーパ角。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】