特許 6014490 分断方法、及び分断装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6014490

(24)【登録日】2016年9月30日

(45)【発行日】2016年10月25日

(54)【発明の名称】分断方法、及び分断装置

(51)【国際特許分類】

   C03B 33/07 20060101AFI20161011BHJP

   B28D 5/00 20060101ALI20161011BHJP

   B23K 26/364 20140101ALI20161011BHJP

   G02F 1/1333 20060101ALI20161011BHJP

   G02F 1/13 20060101ALI20161011BHJP

   B23K 26/00 20140101ALI20161011BHJP

【ＦＩ】

   C03B33/07

   B28D5/00 Z

   B23K26/364

   G02F1/1333

   G02F1/13 101

   B23K26/00 G

【請求項の数】6

【全頁数】12

(21)【出願番号】特願2012-284053(P2012-284053)

(22)【出願日】2012年12月27日

(65)【公開番号】特開2014-125391(P2014-125391A)

(43)【公開日】2014年7月7日

【審査請求日】2015年9月29日

(73)【特許権者】

【識別番号】390000608

【氏名又は名称】三星ダイヤモンド工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000202

【氏名又は名称】新樹グローバル・アイピー特許業務法人

(72)【発明者】

【氏名】井上 修一

【審査官】 岡田 隆介

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１１−１４５４８９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００８−３０８３８０（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｃ０３Ｂ ３３／００−３３／１４

Ｂ２８Ｄ １／００−７／０４

Ｂ２３Ｋ ２６／００−２６／７０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

各第１面が外側を向くように積層される第１基板及び第２基板を有する積層板を分断する分断方法であって、
（ａ）前記第１基板の前記第１面において、前記第１基板の外周縁に到達しない少なくとも一方の端を有する第１スクライブ溝を形成するステップと、
（ｂ）前記第２基板の前記第１面において、前記第２基板の外周縁まで延びる両端を有する第２スクライブ溝を形成するステップと、
（ｃ）前記ステップ（ａ）及び（ｂ）の実行後、前記第１基板の前記第１面から前記積層板を押圧して前記第２スクライブ溝を中心に前記積層板を撓ませることによって、前記第２基板を前記第２スクライブ溝に沿って分断するステップと、
（ｄ）前記ステップ（ｃ）の実行後、前記第２基板の前記第１面から前記積層板を押圧して前記第１スクライブ溝を中心に前記積層板を撓ませることによって、前記第１基板を前記第１スクライブ溝に沿って分断するステップと、
を含む、分断方法。

【請求項2】

前記ステップ（ａ）において形成される前記第１スクライブ溝は、両端が前記第１基板の前記外周縁に到達しない、請求項１に記載の分断方法。

【請求項3】

前記ステップ（ａ）において、前記第１基板は、前記第１スクライブ溝から前記第１面と対向する第２面まで延びる亀裂が形成されない、請求項１又は２に記載の分断方法。

【請求項4】

前記第１スクライブ溝及び前記第２スクライブ溝の少なくとも一方は、レーザ加工によって形成される、請求項１から３のいずれかに記載の分断方法。

【請求項5】

各第１面が外側を向くように積層される第１基板及び第２基板を有する積層板を分断する分断方法であって、
（ａ）前記第１基板の前記第１面において、前記第１基板の外周縁に到達しない少なくとも一方の端を有する第１スクライブ溝を形成するステップと、
（ｂ）前記第２基板の前記第１面において、第２スクライブ溝を形成するステップと、
（ｃ）前記ステップ（ａ）及び（ｂ）の実行後、前記第１基板の前記第１面から前記積層板を押圧して前記第２スクライブ溝を中心に前記積層板を撓ませることによって、前記第２基板を前記第２スクライブ溝に沿って分断するステップと、
（ｄ）前記ステップ（ｃ）の実行後、前記第２基板の前記第１面から前記積層板を押圧して前記第１スクライブ溝を中心に前記積層板を撓ませることによって、前記第１基板を前記第１スクライブ溝に沿って分断するステップと、
を含み、
前記第１スクライブ溝及び前記第２スクライブ溝の少なくとも一方は、レーザ加工によって形成される、
分断方法。

【請求項6】

各第１面が外側を向くように積層される第１基板及び第２基板を有する積層板を分断する分断装置であって、
前記第１基板の前記第１面において、前記第１基板の外周縁に到達しない少なくとも一方の端部を有する第１スクライブ溝を形成する第１スクライブ溝形成部と、
前記第２基板の前記第１面において、前記第２基板の外周縁まで延びる両端を有する第２スクライブ溝を形成する第２スクライブ溝形成部と、
前記第１及び第２スクライブ溝が形成された前記積層板を、前記第１基板の前記第１面から押圧し、前記第２スクライブ溝を中心に前記積層板を撓ませることによって、前記第２基板を前記第２スクライブ溝に沿って分断する第１分断部と、
前記第２基板が分断された前記積層板を、前記第２基板の前記第１面から押圧し、前記第１スクライブ溝を中心に前記積層板を撓ませることによって、前記第１基板を前記第１スクライブ溝に沿って分断する第２分断部と、
を備える、分断装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、積層板を分断する分断方法、及び分断装置に関するものである。

【背景技術】

【0002】

液晶装置は、液晶層を間に介在するように第１基板と第２基板とがシール材によって貼り合わされる貼り合わせ基板によって構成される（例えば特許文献１）。この貼り合わせ基板は、生産性の観点から、まず大判の状態で作製され、これを分断して複数の貼り合わせ基板とする。この分断方法について詳細に説明すると、まず貼り合わせ基板の第１基板側の面にスクライブ溝を形成し、次に、第２基板側から貼り合わせ基板を押圧して撓ませ、第１基板をスクライブ溝に沿って分断する。続いて、貼り合わせ基板の第２基板側の面にスクライブ溝を形成し、次に、第１基板側から貼り合わせ基板を押圧して撓ませ、第２基板をスクライブ溝に沿って分断する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１２−２０３２３５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

上述した方法では、貼り合わせ基板の第１基板をスクライブ加工した後に分断加工し、その後に貼り合わせ基板の第２基板をスクライブ加工して分断加工する。このように上述した分断方法は、スクライブ加工と分断加工とが交互に繰り返し行われるため、生産性が悪い。

【0005】

本発明の課題は、効率的に積層板を分断することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

第１発明に係る分断方法は、各第１面が外側を向くように積層される第１基板及び第２基板を有する積層板を分断する分断方法であって、次のステップ（ａ）から（ｄ）を含む。ステップ（ａ）は、第１基板の第１面において、第１基板の外周縁に到達しない少なくとも一方の端を有する第１スクライブ溝を形成する。ステップ（ｂ）は、第２基板の第１面において、第２スクライブ溝を形成する。ステップ（ｃ）は、ステップ（ａ）及び（ｂ）の実行後、第１基板の第１面から積層板を押圧して第２スクライブ溝を中心に積層板を撓ませることによって、第２基板を第２スクライブ溝に沿って分断する。ステップ（ｄ）は、ステップ（ｃ）の実行後、第２基板の第１面から積層板を押圧して第１スクライブ溝を中心に積層板を撓ませることによって、第１基板を第１スクライブ溝に沿って分断する。

【0007】

この方法によれば、まず、ステップ（ａ）及び（ｂ）によって積層板の両面にスクライブ溝を形成してから、次にステップ（ｃ）及び（ｄ）によって、第１基板及び第２基板をそれぞれに形成されたスクライブ溝に沿って分断する。このように、積層板に対して、スクライブ加工と分断加工とをそれぞれまとめて行うことができるため、効率的に積層板を分断することができる。

【0008】

ところで、スクライブ加工と分断加工とをそれぞれまとめて行う場合、すなわち、積層板の両面にスクライブ溝を形成した後に、第１基板及び第２基板をそれぞれ分断する場合、一方の基板がスクライブ溝に沿って正確に分断されないことがある。例えば、積層板の両面にスクライブ溝を形成した後、まず第２基板を分断するために第２基板側が凸状になるように積層板を撓ませる。すると、第１基板にスクライブ溝が既に形成されているため、第２基板を分断するための工程において第１基板も分断されてしまうことがある。そして、第１基板は、スクライブ溝が形成された面が凹状となって撓むため、スクライブ溝に沿って分断されない可能性が高い。

【0009】

これに対して、上述した第１発明に係る分断方法では、第１基板に形成される第１スクライブ溝は、その少なくとも一方の端が第１基板の外周縁まで到達していない。このため、第２基板を分断するためのステップ（ｃ）を実行する際に、第１基板の第１面が凹状となって撓んでも、第１基板が分断されてしまうことを防ぐことができる。

【0010】

第２発明に係る分断方法は、第１発明の分断方法において、ステップ（ａ）によって形成される第１スクライブ溝は、両端が第１基板の外周縁に到達しない。この方法では、ステップ（ｃ）を実行した際に第１基板が過って分断されてしまうことをより確実に防ぐことができる。

【0011】

第３発明に係る分断方法は、第１又は第２発明の分断方法において、ステップ（ｂ）によって形成される第２スクライブ溝は、両端が第２基板の外周縁まで延びる。この方法によれば、第２基板は、ステップ（ｃ）によって容易に分断することができる。すなわち、ステップ（ｃ）の際に第２基板を分断するための押圧力を強くする必要がないため、第１基板が分断されてしまうことをより確実に防ぐことができる。

【0012】

第４発明に係る分断方法は、第１から第３発明のいずれかの分断方法において、ステップ（ａ）において、第１基板は、第１スクライブ溝から第１面と対向する第２面まで延びる亀裂が形成されない。

【0013】

この方法によれば、第１基板は、第２面に亀裂が形成されていないため、第２面側が凸状になるように撓んでも、分断されてしまうことを防ぐことができる。

【0014】

第５発明に係る分断方法は、第１から第４発明のいずれかの分断方法において、第１スクライブ溝及び前記第２スクライブ溝の少なくとも一方は、レーザ加工によって形成される。

【0015】

第６発明に係る分断装置は、各第１面が外側を向くように積層される第１基板及び第２基板を有する積層板を分断する分断装置であって、第１スクライブ溝形成部と、第２スクライブ溝形成部と、第１分断部と、第２分断部とを備える。第１スクライブ溝形成部は、第１基板の第１面において、第１基板の外周縁に到達しない少なくとも一方の端部を有する第１スクライブ溝を形成する。第２スクライブ溝形成部は、第２基板の第１面において、第２スクライブ溝を形成する。第１分断部は、第１及び第２スクライブ溝が形成された積層板を、第１基板の第１面から押圧し、第２スクライブ溝を中心に積層板を撓ませることによって、第２基板を第２スクライブ溝に沿って分断する。第２分断部は、第２基板が分断された積層板を、第２基板の第１面から押圧し、第１スクライブ溝を中心に積層板を撓ませることによって、第１基板を第１スクライブ溝に沿って分断する。

【0016】

この構成によれば、まず、第１及び第２スクライブ溝形成部によって積層板の両面にスクライブ溝を形成してから、次に第１及び第２分断部によって、第１基板及び第２基板をそれぞれに形成されたスクライブ溝に沿って分断する。このように、積層板に対して、スクライブ加工と分断加工とをそれぞれまとめて行うことができるため、効率的に積層板を分断することができる。

【0017】

また、第１基板に形成される第１スクライブ溝は、その少なくとも一方の端が第１基板の外周縁まで到達していない。このため、第１分断部によって第２基板を分断する際に、第１基板の第１面が凹状となって撓んでも、第１基板が分断されてしまうことを防ぐことができる。

【発明の効果】

【0018】

本発明によれば、効率的に積層板を分断することができる。

【図面の簡単な説明】

【0019】

【図1】分断装置の概略構成図。

【図2】第１基板の平面図。

【図3】第１基板の側面断面図。

【図4】第２基板の平面図。

【図5】第２基板の側面断面図。

【図6】第２基板を分断する様子を示す図。

【図7】第１基板を分断する様子を示す図。

【図8】変形例１の第１基板の平面図。

【図9】実施例及び比較例の基板を分断する様子を示す図。

【図10】参考例１及び２の基板を分断する様子を示す図。

【発明を実施するための形態】

【0020】

以下、本発明に係る分断方法及び分断装置の実施形態について図面を参照しつつ説明する。

【0021】

［貼り合わせ基板］
まず、分断対象である貼り合わせ基板（積層板の一例）について説明する。図１に示すように、貼り合わせ基板１０は、第１基板１１と、シール部材１３を介して第１基板１１に貼り合わされる第２基板１２とを有する。第１基板１１と第２基板１２との間は例えば液晶層を構成し、シール部材１３がその液晶層を囲む。

【0022】

第１基板１１は、第１面１１ａと、第１面１１ａと対向する第２面１１ｂとを有する。第１基板１１において、第１面１１ａは外側（図１上側）を向き、第２面１１ｂは第２基板１２と対向する。第２基板１２は、第１面１２ａと、第１面１２ａと対向する第２面１２ｂとを有する。第２基板１２において、第１面１２ａは外側（図１下側）を向き、第２面１２ｂは第１基板１１と対向する。なお、「外側」とは、上側に配置される第１基板１１では上方向を意味し、下側に配置される第２基板１２では下方向を意味する。すなわち、積層される際の相手側の基板が位置する方向と反対側の方向を意味する。

【0023】

［分断装置］
次に、分断装置について説明する。分断装置は、図１、図６、及び図７に示すように、貼り合わせ基板１０が載置されるテーブル２０、第１スクライブ溝形成部３０、第２スクライブ溝形成部４０、第１分断部５０（図６）、及び第２分断部６０（図７）を備える。

【0024】

図１に示すように、第１スクライブ溝形成部３０は、第１基板１１の第１面１１ａに第１スクライブ溝１１ｃを形成する。この第１スクライブ溝形成部３０は、照射部３１と、冷却部３２とを有し、第１スクライブ溝１１ｃが形成される方向に移動する。照射部３１は、レーザ発振器３１ａ、反射ミラー３１ｂ、及び集光レンズ３１ｃを有し、レーザビームを第１基板１１に向けて照射する。レーザ発振器３１ａは、第１基板１１に対して吸収性及び透過性を有する波長のレーザを出力する。反射ミラー３１ｂは、レーザ発振器３１ａからのレーザをテーブル２０側に導く。集光レンズ３１ｃは、焦点が第１基板１１の第１面１１ａ、又は第１面１１ａと第２面１１ｂとの間に位置するようにレーザを集光する。

【0025】

冷却部３２は、図示しない冷媒源から供給される冷媒を第１基板１１の第１面１１ａに対して、ノズル３２ａを介して噴射し、冷却スポットを形成する。

【0026】

第２スクライブ溝形成部４０は、第２基板１２の第１面１２ａに第２スクライブ溝１２ｃを形成する。この第２スクライブ溝形成部４０は、照射部４１及び冷却部４２を有する。照射部４１は、レーザ発振器４１ａ、反射ミラー４１ｂ、及び集光レンズ４１ｃを有し、冷却部４２は、ノズル４２ａを有する。なお、第２スクライブ溝形成部４０は、加工対象が第１基板１１ではなく第２基板１２である点のみが上述した第１スクライブ溝形成部３０と異なり、その他については第１スクライブ溝形成部３０と同じ構成であるため、その詳細な説明を省略する。

【0027】

図６に示すように、第１分断部５０は、第２基板１２を第２スクライブ溝１２ｃに沿って分断する。この第１分断部５０は、第１基板１１の第１面１１ａ上を押圧しながら転がるローラ５０ａと、ローラ５０ａを貼り合わせ基板１０側に押し込むシリンダ（図示省略）とを有する。

【0028】

図７に示すように、第２分断部６０は、第１基板１１を第１スクライブ溝１１ｃに沿って分断する。この第２分断部６０は、第１分断部５０と同様の構成であり、ローラ６０ａと、シリンダ（図示省略）とを有する。

【0029】

また、分断装置は、ここでは図示しないが、貼り合わせ基板１０の走査開始側の端部に、スクライブ溝の起点となる初期亀裂を形成するための初期亀裂形成手段が設けられる。初期亀裂形成手段としては、例えば、圧子、又はカッターホイール等の機械的ツールや、レーザ照射装置を挙げることができる。レーザ照射装置は、レーザアブレーション加工によって初期亀裂を形成する。

【0030】

［分断方法］
次に、貼り合わせ基板１０を分断する方法について説明する。まず、貼り合わせ基板１０をテーブル２１上に載置する。そして、初期亀裂形成手段を用いて、第１基板１１の第１面１１ａ、及び第２基板１２の第１面１２ａの各端部に、スクライブ溝の基点となる初期亀裂を形成する。

【0031】

次に、図１に示すように、第１スクライブ溝形成部３０の照射部３１が第１基板１１に対してレーザを照射する。なお、集光レンズ３１は、レーザの焦点を、第１基板１１の第１面１１ａ、又は第１面１１ａと第２面１１ｂとの間に位置させる。また、第１スクライブ溝形成部３０の冷却部３２は、レーザの照射と同時に、かつレーザが照射された領域に、冷却ノズル３２ａを介して冷却媒体を噴射する。

【0032】

ここで、レーザとして、第１基板１１に対して吸収性及び透過性を有する波長のレーザが用いられるので、レーザ照射によって、第１基板１１の表面及び内部が加熱される。一方で、レーザ照射領域に冷却媒体が噴射されて冷却されるため、基板内部には温度勾配が生じ、第１基板の表面には引張応力が生じ、内部には圧縮応力が生じる。これにより、第１基板１１に亀裂が生じる。

【0033】

以上のレーザスポット及び冷却スポットを分断予定ラインに沿って走査することにより、第１基板１１は、分断予定ラインに沿って亀裂が進展し、図２及び図３に示すような第１スクライブ溝１１ｃが形成される。ここで、初期亀裂が形成される位置を調整すること、並びにレーザスポット及び冷却スポットを第１基板１１の外周縁１１ｅまで走査させないことにより、第１スクライブ溝１１ｃは、その両端１１ｄが第１基板１１の外周縁１１ｅに到達しない。このため、第１スクライブ溝１１ｃの両端１１ｄと外周縁１１ｅとの間に間隔ｄが形成される。この間隔ｄは、２ｍｍ以上１０ｍｍ以下程度とすることが好ましく、３ｍｍ以上５ｍｍ以下程度とすることがより好ましい。

【0034】

第１スクライブ溝１１ｃは、第１基板１１の第１面１１ａから形成され、第２面１１ｂまで到達しない、いわゆるハーフカットである。第１スクライブ溝１１の深さは、特に限定されるものではないが、例えば第１基板１１の厚さの１０％以上２０％以下程度とすることができる。また、第１基板１１は、第１スクライブ溝１１ｃから第２面１１ｂまで延びる亀裂は形成されない。

【0035】

次に、第２スクライブ溝形成部４０によって、第２基板１２にも同様に第２スクライブ溝１２ｃを形成する。この第２スクライブ溝１２ｃは、図４及び図５に示すように、その両端が第２基板１２の外周縁１２ｅまで延び、また、第２スクライブ溝１２ｃから第２面１２ｂまで延びる亀裂１２ｆが形成されるが、それ以外については、第１スクライブ溝１１ｃと同じである。

【0036】

次に、図６に示すように、第１分断部５０は、第２基板１２を第２スクライブ溝１２ｃに沿って分断する。詳細には、シリンダによって貼り合わせ基板１０側に押し込まれるローラ５０ａが、第１基板１１側から貼り合わせ基板１０を押圧しながら、第１基板１１の第１面１１ａ上を転がる。なお、ローラ５０ａは、第２基板１２の第２スクライブ溝１２ｃと対応するラインに沿って、第１基板１１の第１面１１ａ上を転がる。これによって、貼り合わせ基板１０は、第２スクライブ溝１２ｃを中心に下側に凸状となって撓む。この結果、第２基板１２は、第２スクライブ溝１２ｃに沿って分断される。なお、この工程におけるローラ５０ａの押込量は、特に限定されるものではないが、第１基板１１を分断せずに第２基板１２のみを分断することができるよう、０．１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下とすることが好ましい。なお、押込量とは、ローラを貼り合わせ基板１０に向かって押し込む量であり、ローラが貼り合わせ基板１０を押圧せずに単に接しただけの状態を０ｍｍとする。

【0037】

次に、図７に示すように、第２分断部６０は、第１基板１１を第１スクライブ溝１１ｃに沿って分断する。詳細には、シリンダによって貼り合わせ基板１０側に押し込まれるローラ６０ａが、第２基板１２側から貼り合わせ基板１０を押圧しながら、第２基板１２の第１面１２ａ上を転がる。なお、ローラは、第１基板１１の第１スクライブ溝１１ｃと対応するラインに沿って、第２基板１２の第１面１２ａ上を転がる。これによって、貼り合わせ基板１０は、第１スクライブ溝１１ｃを中心に上側に凸状となる。この結果、第１基板１１は、第１スクライブ溝１１ｃに沿って分断される。以上によって、貼り合わせ基板１０は、第１スクライブ溝１１ｃ及び第２スクライブ溝１２ｃに沿って分断される。なお、本実施形態では、第１スクライブ溝１１ｃと第２スクライブ溝１２ｃとは対応する位置に形成される。

【0038】

［特徴］
（１）上述した実施形態に係る分断方法によれば、まず、貼り合わせ基板１０の両面１１ａ、１２ａにスクライブ溝１１ｃ、１２ｃを形成してから、次に、第１基板１１及び第２基板１２をそれぞれに形成されたスクライブ溝１１ｃ、１２ｃに沿って分断する。このように、貼り合わせ基板に対して、スクライブ加工と分断加工とをそれぞれまとめて行うことができるため、効率的に貼り合わせ基板１０を分断することができる。

【0039】

（２）第１基板１１に形成される第１スクライブ溝１１ｃは、その少なくとも一方の端１１ｄが第１基板１１の外周縁１１ｅまで到達していない。このため、第２基板１２を分断するため際に、第１基板１１の第１面１１ａが凹状となって撓んでも、第１基板１１が分断されてしまうことを防ぐことができる。

【0040】

（３）第２スクライブ溝１２ｃは、両端が第２基板１２の外周縁１２ｅまで延びるため、第２基板１２は容易に分断することができる。よって、第２基板１２を分断するための押圧力を強くする必要がないため、第２基板１２を分断する際に、第１基板１１が分断されてしまうことをより確実に防ぐことができる。

【0041】

（４）第１基板１１は、第１スクライブ溝１１ｃから第１面１１ａと対向する第２面１１ｂまで延びる亀裂が形成されないため、第２基板１２を分断する際に第２面側１１ｂが凸状になるように撓んでも、第１基板１１が分断されてしまうことを防ぐことができる。

【0042】

［変形例］
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。

【0043】

変形例１
第１基板１１に形成される第１スクライブ溝１１ｃは、図８に示すように、一方の端が第１基板１１の外周縁１１ｅに到達してもよい。

【0044】

変形例２
上記実施形態では、第２基板１２は、第２スクライブ溝１２ｃの両端が第２基板１２の外周縁１２ｅまで延びるが、一方の端部又は両端が第２基板１２の外周縁１２ｅまで到達していなくてもよい。

【0045】

変形例３
また、上記実施形態では、レーザ加工によってスクライブ溝を形成するが、スクライブ溝の形成方法は特にこれに限定されない。例えば、切断カッターなどの機械的ツールによってスクライブ溝を形成してもよい。

【0046】

変形例４
上記実施形態では、貼り合わせ基板１０にスクライブ溝を形成する、又は貼り合わせ基板１０を分断する際、第１及び第２スクライブ溝形成部３０、４０又は第１及び第２分断部５０，６０が移動するが、特にこれに限定されない。例えば、分断装置がテーブル移動機構をさらに備え、第１及び第２スクライブ溝形成部３０、４０、並びに第１及び第２分断部５０，６０は停止したまま、テーブル移動機構がテーブル２０のみを移動させることもできる。またさらには、第１及び第２スクライブ溝形成部３０、４０と、第１及び第２分断部５０、６０と、テーブル２０との全てを移動させて、貼り合わせ基板１０にスクライブ溝を形成したり、貼り合わせ基板１０を分断したりすることもできる。

【0047】

変形例５
第２スクライブ溝形成部４０を省略することができる。この場合、第１スクライブ溝形成部３０によって、第２スクライブ溝１２ｃを形成する。また、第２分断部６０も省略することができる。この場合、第１分断部５０によって、第１基板１１を分断する。

【実施例】

【0048】

以下に実施例及び比較例を示して、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、下記実施例に限定されるものではない。

【0049】

対象基板として、厚さ０．５ｍｍのソーダガラスである基板１を用いた。実施例の基板１には、深さ１２０μｍであって、両端が基板１の外周縁まで到達しないスクライブ溝１ｃを形成した。なお、スクライブ溝１ｃの両端と基板１の外周縁との距離ｄは、４ｍｍとした。比較例の基板１には、実施例の基板１と同じ方法で同じ深さのスクライブ溝１ｃを形成したが、このスクライブ溝１ｃの両端は基板１の外周縁まで延ばした。

【0050】

そして、図９に示すように、各基板１のスクライブ溝１が形成された面１ａ上をスクライブ溝１ｃに沿ってローラ５０ａを転がした。このときのローラ５０ａの押込量を基板１ごとに変化させて、各基板１が分断されたか否かを目視にて確認した結果を表１に示す。なお、表１において、「○」は基板１が分断されないことを意味し、「×」は基板１が分断されたことを意味する。

【0051】

表１に示すように、実施例の基板１は、押込量が１．０ｍｍであっても分断されなかった。これに対して、比較例の基板１は、押込量が０．１ｍｍで分断された。しかも、比較例の基板１は、全ての押込量において、スクライブ溝１ｃに沿った分断ではなかった。すなわち、比較例の基板１は、分断予定ラインではないラインで分断された。

【0052】

【表1】

【0053】

また、上記実施例と同じ構成の基板１を参考例１、上記比較例と同じ構成の基板１を参考例２とした。そして、図１０に示すように、各基板１のスクライブ溝１が形成された面１ａと対向する面１ｂ上をスクライブ溝１ｃに沿ってローラ５０ａを転がした。このときのローラ５０ａの押込量を基板１ごとに変化させて、各基板１が分断されたか否かを目視にて確認した結果を表２に示す。なお、表２において、「○」は基板１が完全に分断されたことを意味し、「×」は基板１が完全に分断されなかったこと、すなわち、基板１が一部のみしか分断されなかったことを意味する。参考例１の基板１は、スクライブ溝１ｃに沿って完全に分断されるために押込量が０．３ｍｍ必要であるのに対して、参考例２の基板１は、押込量が０．１ｍｍであればスクライブ溝１ｃに沿って完全に分断されることが分かる。

【0054】

【表2】

【符号の説明】

【0055】

１０ 貼り合わせ基板（積層板）
１１ 第１基板
１２ 第２基板
１１ａ、１２ａ 第１面
１１ｂ、１２ｂ 第２面
１１ｃ、１２ｃ スクライブ溝
１１ｄ 端部
１１ｅ、１２ｅ 外周縁
３０ 第１スクライブ溝形成部
４０ 第２スクライブ溝形成部
５０ 第１分断部
６０ 第２分断部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】