特許 6015145 ＩＣタグ及びＩＣタグの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6015145

(24)【登録日】2016年10月7日

(45)【発行日】2016年10月26日

(54)【発明の名称】ＩＣタグ及びＩＣタグの製造方法

(51)【国際特許分類】

   G06K 19/077 20060101AFI20161013BHJP

   G06K 19/04 20060101ALI20161013BHJP

   G06K 19/07 20060101ALI20161013BHJP

【ＦＩ】

   G06K19/077 156

   G06K19/077 144

   G06K19/077 148

   G06K19/04

   G06K19/07 230

【請求項の数】9

【全頁数】12

(21)【出願番号】特願2012-127343(P2012-127343)

(22)【出願日】2012年6月4日

(65)【公開番号】特開2013-250945(P2013-250945A)

(43)【公開日】2013年12月12日

【審査請求日】2015年5月21日

(73)【特許権者】

【識別番号】000003193

【氏名又は名称】凸版印刷株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100105854

【弁理士】

【氏名又は名称】廣瀬 一

(74)【代理人】

【識別番号】100116012

【弁理士】

【氏名又は名称】宮坂 徹

(72)【発明者】

【氏名】▲柳▼下 利明

(72)【発明者】

【氏名】山岡 経之介

【審査官】 甲斐 哲雄

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１１−０８１４７１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−０６７１１６（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ０６Ｋ １９／００−１９／１８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

積層された第１の樹脂シートと第２の樹脂シートとの間にインレットが介装されたＩＣタグであって、
前記第２の樹脂シートと前記インレットとの間に前記インレットに向けて突出した凸部を有する第３の樹脂シートを設けたことを特徴とするＩＣタグ。

【請求項2】

前記インレットは、前記第１の樹脂シートに形成した凹部と前記第３の樹脂シートの前記凸部とで挟持されていることを特徴とする請求項１に記載のＩＣタグ。

【請求項3】

前記凹部の底面の平面形状は、前記インレットの平面形状と合致しており、
前記凸部は、前記凹部に嵌合されていることを特徴とする請求項２に記載のＩＣタグ。

【請求項4】

前記第１の樹脂シート、前記第２の樹脂シート及び前記第３の樹脂シートを溶着することで前記インレットを封止することを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載のＩＣタグ。

【請求項5】

前記第２の樹脂シートと前記第３の樹脂シートとの間にクッション部を有することを特徴とする請求項１から請求項４の何れか一項に記載のＩＣタグ。

【請求項6】

前記第１の樹脂シート、前記第２の樹脂シート及び前記第３の樹脂シートは、同一の熱可塑性部材であることを特徴とする請求項１から請求項５の何れか一項に記載のＩＣタグ。

【請求項7】

第１の樹脂シートにインレットを配置する工程と、
前記第１の樹脂シートの前記インレットが配置された側に第２の樹脂シートを積層する工程と、
前記第２の樹脂シートを積層する工程前に、前記第２の樹脂シートと前記インレットとの間に前記インレットに向けて突出した凸部を有する第３の樹脂シートを設ける工程と、を備えることを特徴とするＩＣタグの製造方法。

【請求項8】

前記第２の樹脂シートを積層する工程後に、前記第１の樹脂シート、前記第２の樹脂シート及び前記第３の樹脂シートを溶着する溶着工程を備え、
前記溶着工程では、高周波ウェルダー加工が用いられることを特徴とする請求項７に記載のＩＣタグの製造方法。

【請求項9】

前記溶着工程では、前記第１の樹脂シート、前記第２の樹脂シート及び前記第３の樹脂シートを前記第１の樹脂シート側及び前記第２の樹脂シート側から第１の金型と第２の金型とで挟んで溶着し、前記溶着の際に前記第１の金型と前記第２の金型の挟む力を調整して、前記溶着した溶着部の外側が連なるようにすることを特徴とする請求項８に記載のＩＣタグの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、ＩＣタグ及びＩＣタグの製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

ＩＣタグの従来技術には、例えば特許文献１に記載されたものがある。また、特許文献１に記載の製造方法によれば、ＩＣタグをウェルダー加工して形成することができる。さらに、この製造方法によれば、インレットの大きさに対してＩＣタグの大きさをより小さく抑えることができる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１１−８１４７１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、従来技術に係るＩＣタグ３０（図６を参照）には、インレット４を収容するインレット収容部５内でインレット４が動いてしまい（即ち、インレット４を固定できず）、そのことによって製品の輸送時、ＩＣタグ３０の取り付け時にインレット４と外層部とがぶつかることで、音が鳴ってしまい不良品と扱われることがあるという問題がある。
本発明は、上記事情に鑑み、ＩＣタグのインレット収容部内でインレットの移動を抑えることができるＩＣタグ及びＩＣタグの製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0005】

上記課題を解決するための本発明の一態様は、積層された第１の樹脂シートと第２の樹脂シートとの間にインレットが介装されたＩＣタグであって、前記第２の樹脂シートと前記インレットとの間に前記インレットに向けて突出した凸部を有する第３の樹脂シートを設けたことを特徴とするＩＣタグである。
上記の構成であれば、第３の樹脂シートを設けなかった場合と比較して、インレット収容部が狭くなる。このため、インレット収容部内でインレットが移動するのを抑えることができる。よって、製品の輸送時、ＩＣタグの取り付け時にインレットと外層部とがぶつかることで、音が鳴ってしまい不良品と扱われる可能性を低減することができる。

【0006】

本発明の別の態様は、前記インレットが前記第１の樹脂シートに形成した凹部と前記第３の樹脂シートの前記凸部とで挟持されていることとしてもよい。
上記の構成であれば、インレットが第１の樹脂シートと第３の樹脂シートとで挟持されている。このため、インレット収容部内でインレットが移動するのをさらに抑えることができる。
本発明の別の態様は、前記第１の樹脂シート、前記第２の樹脂シート及び前記第３の樹脂シートを溶着することで前記インレットを封止することとしてもよい。
上記の構成であれば、第１の樹脂シート、第２の樹脂シート及び第３の樹脂シートの溶着によりインレットを封止することができる。

【0007】

本発明の別の態様は、前記第２の樹脂シートと前記第３の樹脂シートとの間にクッション部を有することとしてもよい。
上記の構成であれば、仮に外部からＩＣタグに力が加わったとしても、このクッション部で外部からの力を緩和できる。よって、ＩＣタグまたはインレットが破壊されるのを低減することができる。

【0008】

本発明の別の態様は、前記凹部の底面の平面形状が前記インレットの平面形状と合致しており、前記凸部が前記凹部に嵌合されていることとしてもよい。
上記の構成であれば、凹部の底面の平面形状がインレットの平面形状と合致している。よって、凹部の底面の平面形状がインレットの平面形状と合致していない場合と比較して、よりインレット収容部内でのインレットの移動を抑えることができる。また、上記の構成であれば、凹部と凸部とが嵌合しているので、ウェルダー前の状態（つまり、第１の樹脂シートと第３の樹脂シートとを積層させただけの状態）であっても、移動時等にインレットはインレット収容部内で移動しにくい。

【0009】

本発明の別の態様は、前記第１の樹脂シート、前記第２の樹脂シート及び前記第３の樹脂シートが同一の熱可塑性部材であることとしてもよい。
上記の構成であれば、第１の樹脂シート、第２の樹脂シート及び第３の樹脂シートが同一の熱可塑性部材であるので、各シートを別部材とした場合と比較して、製造のコストアップを避けることができる。

【0010】

本発明の別の態様は、第１の樹脂シートにインレットを配置する工程と、前記第１の樹脂シートの前記インレットが配置された側に第２の樹脂シートを積層する工程と、前記第２の樹脂シートを積層する工程前に、前記第２の樹脂シートと前記インレットとの間に前記インレットに向けて突出した凸部を有する第３の樹脂シートを設ける工程と、を備えることを特徴とするＩＣタグの製造方法である。
上記の方法であれば、第３の樹脂シートを設けなかった場合と比較して、インレット収容部を狭くすることができる。このため、インレット収容部内でインレットが移動するのを抑えることができる。よって、製品の輸送時、ＩＣタグの取り付け時にインレットと外層部とがぶつかることで発生する音を抑制したＩＣタグを製造することができる。

【0011】

本発明の別の態様は、前記第２の樹脂シートを積層する工程後に、前記第１の樹脂シート、前記第２の樹脂シート及び前記第３の樹脂シートを溶着する溶着工程を備え、前記溶着工程では、高周波ウェルダー加工が用いられることとしてもよい。
上記の方法であれば、インレットは高周波ウェルダー加工によって封止されているため、ラミネート封止の場合と異なり、インレットを封止する際にインレット収容部が変形しにくい。ゆえに、ＩＣタグの寸法が変わるのを防止することができる。

【0012】

本発明の別の態様は、前記溶着工程では、前記第１の樹脂シート、前記第２の樹脂シート及び前記第３の樹脂シートを前記第１の樹脂シート側及び前記第２の樹脂シート側から第１の金型と第２の金型とで挟んで溶着し、前記溶着の際に前記第１の金型と前記第２の金型の挟む力を調整して、前記溶着した溶着部の外側が連なるようにすることとしてもよい。
上記の方法であれば、溶着部の外側が連なるように溶着されているので、１枚のシート上に複数のＩＣタグが取り付けられている。このため、輸送時にＩＣタグが個々に分離してしまう懸念が解消され、梱包の手間が軽減される。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】本発明の実施形態に係るＩＣタグの構造を模式的に示す縦断面図。

【図2】本発明の実施形態に係るＩＣタグの製造方法を模式的に示す縦断面図。

【図3】１枚のシートに複数形成されたＩＣタグの形態を模式的に示す平面図。

【図4】本発明の実施形態に係るＩＣタグの製造方法の変形例を模式的に示す縦断面図。

【図5】実施例と比較例に係るＩＣタグの構造を模式的に示す縦断面図。

【図6】従来技術に係るＩＣタグの構造を模式的に示す縦断面図。

【発明を実施するための形態】

【0014】

以下、本発明の実施形態に係るＩＣタグについて、図１〜３を参照しつつ説明する。
（１）ＩＣタグ１０の構造
（１−１）構造
図１は、本発明の実施形態に係るＩＣタグ１０の構造を模式的に示す縦断面図である。
図１に示すように、本実施形態に係るＩＣタグ１０は、積層された上層１と下層３との間にインレット４が介装されたＩＣタグであって、下層３とインレット４との間にインレット４に向けて突出した凸部２ａを有する中間層２を備えたものである。なお、本実施形態では、上層１と中間層２との間の空間をインレット収納部５と呼ぶ。
本実施形態に係るＩＣタグ１０の直径はφ６ｍｍであり、ＩＣタグ１０の厚さは１．３ｍｍ〜１．５ｍｍ程度である。
以下、上述したＩＣタグ１０の各部分について説明する。なお、本実施形態では、「ＨＦ帯巻き線インレットのウェルダー封止ＩＣタグ」について説明する。

【0015】

（上層１）
上層１は熱可塑性樹脂で形成されており、その形状はシート状である。上層１に用いられる熱可塑性樹脂は、例えばＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）である。また、上層１の厚さは、例えば２００μｍである。なお、上層１の膜厚（層厚）は概ね均一である。
上層１には、後述するインレット４を収容する収容凹部１ａが形成されている。収容凹部１ａの深さは、後述するインレット４の厚さよりも深くなっている。また、収容凹部１ａの面（底面）１ｃの平面形状は、インレット４の平面形状と合致した形状をしている。なお、収容凹部１ａ内には、インレット４が一つ収容されている。

【0016】

（インレット４）
インレット４は、ＩＣチップとアンテナを有している。このＩＣチップは、例えばＨＦ帯に対応するチップ（例えばＩＳＯ１５６９３準拠品）である。そして、アンテナは、銅の巻き線であって、コイル寸法はφ４ｍｍである。また、アンテナの厚みは約２００μｍである。なお、インレット４の形状は、例えば円板状である。

【0017】

（中間層２）
中間層２は、上層１と同様の部材で形成されている。即ち、中間層２は熱可塑性樹脂で形成されており、その形状はシート状である。中間層２に用いられる熱可塑性樹脂は、例えばＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）である。また、中間層２の厚さは、例えば２００μｍである。なお、中間層２の膜厚（層厚）は、概ね均一である。
中間層２には、収容凹部１ａに嵌合可能な凸部２ａが形成されている。そして、凸部２ａは収容凹部１ａ内に配置されている。また、凸部２ａの面２ｂは、収容凹部１ａの面１ｃに対向している。なお、凸部２ａの面２ｂと収容凹部１ａの面１ｃとでインレット４は挟持されていてもよい。

【0018】

（下層３）
下層３は、上層１と同様の部材で形成されている。即ち、下層３は熱可塑性樹脂で形成されており、その形状はシート状である。下層３に用いられる熱可塑性樹脂は、例えばＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）である。また、下層３の厚さは、例えば２００μｍである。なお、下層３の膜厚（層厚）は、概ね均一である。
下層３は、中間層２を介して収容凹部１ａの開口部１ｂを覆っている。
収容凹部１ａの周囲には、上層１、中間層２及び下層３が積層されている。そして、この積層された３層が高周波ウェルダー加工により溶着されており、インレット４は封止されている。本実施形態では、この溶着した部分をウェルダー封止部７と呼ぶ。
なお、下層３と中間層２との間には空間が形成されていてもよい。本実施形態では、この空間をクッション部６と呼ぶ。

【0019】

（１−２）効果
以上のように、本実施形態に係るＩＣタグ１０であれば、収容凹部１ａ内の空間は凸部２ａが配置されることでインレット収容部５が狭くなる。よって、インレット収容部５内でインレット４が移動するのを抑えることができる。よって、製品の輸送時、ＩＣタグ１０の取り付け時にインレット４と外層部とがぶつかることで、音が鳴ってしまい不良品と扱われる可能性を低減することができる。

【0020】

インレット４の移動を抑える従来技術としては、例えばラミネート封止による方法がある。しかし、この方法では封止時にインレット４に外部から力が加わるため、インレット４に負荷がかかる場合がある。また、このラミネート封止による方法では、封止時にインレット収容部５が変形して、ＩＣタグの寸法（例えば、高さ）も大きく変わってしまう場合もある。これらの対応策として、例えばインレット収容部５に保護シートを一層設けたり、またインレット４にかさ上げ部を設けたりする場合があるが、これらの対応策では、別部材を用いるために製造コストが上がってしまうことがある。

【0021】

しかしながら、本実施形態に係るＩＣタグ１０であれば、高周波ウェルダー加工でインレット４が封止されているので、ラミネート封止の場合と比較して、インレット４を封止する際にインレット収容部５が変形しにくい。よって、ＩＣタグ１０の寸法が変わるのを防止することができる。また、ラミネート封止していないので、インレット４を封止する際にインレット４に与える負荷も低減できる。

【0022】

また、ＩＣタグ１０であれば、上層１、中間層２及び下層３は同一の熱可塑性樹脂部材であるので、各層を別部材とした場合と比較して、製造のコストアップを避けることができる。
また、ＩＣタグ１０であれば、収容凹部１ａの面１ｃの平面形状は、インレット４の平面形状と合致しているので、収容凹部１ａの面１ｃの平面形状がインレット４の平面形状と合致していない場合と比較して、収容凹部１ａ内でのインレット４の移動をより防止することができる。

【0023】

また、ＩＣタグ１０であれば、中間層２と下層３との間にクッション部６が形成されているため、仮に外部からＩＣタグ１０に力が加わったとしても、このクッション部６で外部からの力を緩和できる。よって、ＩＣタグ１０またはインレット４が破壊されるのを低減することができる。
また、従来技術に係るＩＣタグ３０ではインレット収容部５にインレット４を接着剤で固定する場合もあるが、本実施形態に係るＩＣタグ１０であれば、インレット４の固定に接着剤等を使用していない。このため、例えばオートクレーブにこのＩＣタグ１０を入れた場合であっても、接着剤等からガスが発生することもない。また、インレット４の固定に使用された接着剤の接着力が低下し、インレット４の固定が不完全となることもない。

【0024】

なお、本実施形態では、ＨＦ帯の巻き線のインレット４について説明したが、これに限定されるものではない。インレット４の周波数や材料については特に制限を受けない。ＩＣタグ１０の周波数としては、例えばＨＦ帯、ＵＨＦ帯、ＬＦ帯のものを用いることができる。また、アンテナの種類として、例えば巻き線、エッチング、印刷によるものを用いることができる。また、アンテナの材料としては、例えばＡｌ、Ｃｕ、Ａｇ、導電性インキ等を用いることができる。また、アンテナ基材として、例えばＰＥＴ、ＰＥＮ、ＰＩなどのフィルム、ＦＲ４などのプリント基板、紙等を用いることができる。
また、本実施形態では、上層１、中間層２及び下層３の膜厚は同じである場合について説明したが、これに限定されるものではない。各層の膜厚は異なっていてもよい。

【0025】

（２）ＩＣタグ１０の製造方法
図２は、本発明の実施形態に係るＩＣタグ１０の製造方法を説明する縦断面図である。
図２に示す本発明の実施形態に係るＩＣタグ１０の製造方法は、上層１にインレット４を配置する工程と、上層１のインレット４が配置された側に下層３を積層する工程と、下層３を積層する工程前に、下層３とインレット４との間にインレット４に向けて突出した凸部２ａを有する中間層２を設ける工程と、を備えている。

【0026】

以下、上述した各工程の詳細について説明する。なお、本実施形態に係る製造方法では、上述したＩＣタグ１０の各部分を用いるものである。よって、同一の部分については、同一の符号を付して示す。
上層１にインレット４を配置する工程は、熱可塑性樹脂からなる上層１を塑性変形させてインレット４を収容する収容凹部１ａを形成する工程（図２（ａ）、（ｂ）を参照）と、形成された収容凹部１ａ内にインレット４を収容する工程（図２（ｃ）を参照）とからなる。

【0027】

収容凹部１ａを形成する工程は、上側金型２２の下面２２ａから突出する凸部２２ｂを下側金型２１の受け穴２１ａ内へ挿入することにより、上側金型２２と下側金型２１との間に配置された平板状の上層１をインレット４の平面形状に合わせて塑性変形させるものである。このため、上層１に収容凹部１ａの形成と同時に、凸部１ｄも形成される（図２（ｃ）を参照）。例えば、インレット４の平面形状が円形であれば、上側金型２２の下面２２ａから突出する凸部２２ｂは円柱状であり、下側金型２１の受け穴２１ａは丸穴状である。

【0028】

なお、上層１の塑性変形では、例えば常温型押し、高温型押しまたは高周波ウェルダー等の方法を用いることができる。また、上層１に収容凹部１ａを形成する工程は、金型ではなく、木型や樹脂型を用いてもよい。さらに、エンボスロール等を用いて行うこともできる。
収容凹部１ａ内にインレット４を収容する工程は、上述した工程により形成した収容凹部１ａ内にインレット４を収容するものである。なお、この工程は、上層１を下側金型２１から取り出さずに、上層１が下側金型２１に嵌合されたままの状態で行ってもよい。

【0029】

上述した下層３とインレット４との間にインレット４に向けて突出した凸部２ａを有する中間層２を設ける工程は、中間層２に凸部２ａを設ける工程（図示せず）と、形成した凸部２ａをインレット４に向けて配置する工程（図２（ｄ）を参照）とからなる。
中間層２に凸部２ａを設ける工程は、上述の上層１に収容凹部１ａを形成する工程と同様の工程である。即ち、上側金型２２の下面２２ａから突出する凸部２２ｂを下側金型２１の受け穴２１ａ内へ挿入することにより、上側金型２２と下側金型２１との間に配置された平板状の中間層２をインレット４の平面形状に合わせて塑性変形させるものである。このため、中間層２に凸部２ａの形成と同時に、凹部２ｃも形成される。

【0030】

インレット４に向けて凸部２ａを配置する工程では、上述の工程で中間層に形成された凸部２ａを収容凹部１ａに嵌合させるように配置する。そして、最後に、中間層２を介して上層１のインレット４が配置された側に下層３を積層する（図２（ｄ）を参照）。
こうして、ウェルダー加工前に、上層１、中間層２及び下層３の３層からなる積層体を形成する。

【0031】

図２（ｅ）は、収容凹部１ａの周囲に積層された、上層１、中間層２及び下層３を溶着する溶着工程を示す。この工程において用いられる下側金型２３及び上側金型２４は、高周波ウェルダー加工用金型である。また、下側金型２３の受け穴２３ａの周囲には、上方へ突出する刃部２３ｂが形成されている。このため、下側金型２３の刃部２３ｂと上側金型２４の平坦な下面２４ａとで挟まれた上層１、中間層２及び下層３は高周波の誘電加熱作用により溶着される。
なお、上述の収容凹部１ａの周囲を溶着する溶着工程は、高周波ウェルダー加工ではなく、ヒートシール加工等により行ってもよい。

【0032】

ここで、下側金型２３の受け穴２３ａの周囲に刃部２３ｂを形成していることから、上側金型２４には刃部がなく、その下面２４ａを平面にすることができる。このため、上側金型２４と下側金型２３との位置合わせをする必要がない。
なお、下側金型２３の受け穴２３ａの形状は、上層１の収容凹部１ａの形成に伴って形成された凸部１ｄが嵌合されるため、本実施形態では丸穴状である。つまり、下側金型２３の受け穴２３ａの形状は、上層１の凸部１ｄの平面形状に合わせた形状とする。

【0033】

また、上述した収容凹部１ａの周囲を溶着する溶着工程では、上側金型２４と下側金型２３の挟む力を調整して、ＩＣタグがシート状に連なるように溶着する。
したがって、図２（ｆ）及び図３に示すように下側金型２３からＩＣタグ１０を取り出した状態では、ＩＣタグ１０の外周２５は溶着しているが、ＩＣタグ１０は個々に分離していない（個片化されていない）。このため、複数のＩＣタグ１０を容易に一括して下側金型２３から取り出すことができる。また、複数のＩＣタグ１０を取り付けたまま、輸送等も行うことができる。

【0034】

以上のように、本実施形態に係るＩＣタグ１０の製造方法であれば、収容凹部１ａ内の空間は凸部２ａが配置されることにより狭くなる。よって、製品の輸送時、ＩＣタグの取り付け時にインレットと外層部とがぶつかることで発生する音を抑制したＩＣタグを製造することができる。このため、収容凹部１ａ内でインレット４が移動するのを抑えることができる。また、上記の方法であれば、ラミネート封止を使用することなく、インレット４を封止することができる。よって、封止時に収容凹部１ａが変形しにくい。ゆえに、ＩＣタグ１０の寸法が変わるのを防止することができる。

【0035】

なお、上述した実施形態では、図２（ｄ）、（ｅ）に示したように、上層１、中間層２及び下層３の３層を同時に溶着する場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、図４（ａ）〜（ｅ）に示すように、まず収納凹部１ａが形成された上層１と凸部２ａが形成された中間層２とをウェルダー加工して（図４（ａ）〜（ｂ）を参照）、１次加工品２６を製造する。その後、１次加工品２６の中間層２上に下層３を重ねて（図４（ｃ）を参照）、最後に上層１、中間２層及び下層３の３層をウェルダー加工してもよい（図４（ｄ）を参照）。この方法によっても、図２（ｆ）及び図３に示したＩＣタグ１０と同様のＩＣタグを製造することができる（図４（ｅ）を参照）。

【0036】

また、上述した実施形態では、図２（ａ）、（ｂ）に示したように、上層１に収納凹部１ａを形成する場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、収納凹部１ａが形成された上層１に代えて、収納凹部１ａが形成されていない上層１（つまり、平板状の上層１）を用いることもできる（図示せず）。この場合には、上層１と中間層２とを溶着する際に中間層２の凸部２ａで上層１が押されるため、インレット４及び凸部２ａの形状に沿って上層１が伸びる。これにより、図４（ｃ）に示した１次加工品２６と同様の加工品を製造することができる。その後、１次加工品２６の中間層２上に下層３を重ねて（図４（ｃ）を参照）、最後に上層１、中間層２及び下層３の３層をウェルダー加工してもよい（図４（ｄ）を参照）。この方法によっても、図２（ｆ）及び図３に示したＩＣタグ１０と同様のＩＣタグを製造することができる（図４（ｅ）を参照）。

【0037】

以下、本実施形態に係るＩＣタグ１０と従来技術に係るＩＣタグ３０のインレット収容部５の広さを比較した結果を示す。
［実施例］
実施例では、上述した本実施形態に係る製造方法でＩＣタグ１０を試作した（試作１〜３）。そして、各ＩＣタグ１０の上層１から中間層２までの距離と、中間層２から下層３までの距離を測定した。その結果を表１に示す。なお、表１の「上層−中間層（インレット収容部）」の欄に記載された距離は、図５（ａ）に示した上層１から中間層２までの距離（Ａ）を、また「中間層−下層間」の欄に記載された距離は、中間層２から下層３までの距離（Ｂ）をそれぞれ示す。

【0038】

【表1】

【0039】

［比較例］
比較例では、従来技術に係るＩＣタグ３０を試作した（試作４〜６）。そして、各ＩＣタグ３０の上層１から下層３までの距離を測定した。その結果を表２に示す。なお、表１の場合と同様に、表２の「上層−下層（インレット収容部）」の欄に記載された距離は、図５（ｂ）に示した上層１から下層３までの距離（Ｃ）を示す。

【0040】

【表2】

【0041】

なお、実施例及び比較例において、各層間の距離（空間）の測定には、側長顕微鏡を用いた。また、インレット４及び各層（ＰＶＣ製）の厚さの測定には、マイクロメータを用いた。また、各層間の距離（空間）の測定は、１つのＩＣタグについてそれぞれ３回行った。
表１、２に示すように、実施例に係るＩＣタグ１０（試作１〜３）のインレット収容部５の空間は、比較例に係るＩＣタグ３０（試作４〜６）のインレット収容部５の空間と比較して、いずれの場合も１／３〜１／６程度まで小さくなった。ここで、巻き線インレットの厚さは２００μｍ程度なので、実施例に係るＩＣタグ１０のインレット収容部５には余分な空間がほとんどないことが分かった。このため、実施例に係るＩＣタグ１０であれば、インレット４がずれにくい状態であることが分かった。

【0042】

また本実施例の試作ＩＣタグを梱包する際の動作で、試作４〜６のＩＣタグで確認された音が試作１〜３では確認されなかったため、インレット４と外層部がぶつかることで発生する音が抑制できていることが分かった。
本実施形態に係るＩＣタグ１０及びその製造方法は、封止されたＩＣタグ全般に利用可能である。例えば、パレット、カゴ車、電子機器類、ワッペン、名札、織ネーム、文房具、キーホルダ、玩具等のトレーサビリティ、在庫管理、クリーニング管理、電子マネー等に利用可能である。

【符号の説明】

【0043】

１ 上層
１ａ 収納凹部
１ｂ 開口部
１ｃ 面
１ｄ 凸部
２ 中間層
２ａ 凸部
２ｂ 面
２ｃ 凹部
３ 下層
４ インレット
５ インレット収納部
６ クッション部
７ ウェルダー封止部
１０ ＩＣタグ
２１ 下側金型
２１ａ 受け穴
２２ 上側金型
２２ａ 面（下面）
２２ｂ 凸部
２３ 下側金型
２３ａ 受け穴
２３ｂ 刃部
２４ 上側金型
２４ａ 面（下面）
２５ ＩＣタグの周囲
２６ １次加工品
３０ ＩＣタグ
Ａ 上層１と中間層２との間の距離
Ｂ 中間層２と下層３との間の距離
Ｃ 上層１と下層３との間の距離

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】