発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、従来のエピタキシャル成長方法では、成長速度が数μｍ／ｈ程度と低速であるため、高耐圧のデバイスを作製するために必要な数十μｍ以上の厚さ（膜厚）でエピタキシャル膜を成長させる場合、ＳｉＣエピタキシャル膜の成長に多大な時間がかかるなど工業生産的に大きな問題が生じる。例えば１０ｋＶ以上の高耐圧を実現するＳｉＣ半導体装置を作製するには、４Ｈ−ＳｉＣ基板上に少なくとも１００μｍ程度の厚さで４Ｈ−ＳｉＣ単結晶膜を成長させる必要がある。したがって、工業生産的にはエピタキシャル成長速度の高速化が求められる。 この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、炭化珪素半導体膜を高速成長させることができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、炭化珪素半導体膜を高速成長させることができるという効果を奏する。