【国等の委託研究の成果に係る記載事項】(出願人による申告)平成24年度独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構「次世代高効率・高品質照明の基盤技術開発/有機EL照明の高効率・高品質化に係る基盤技術開発」共同研究、産業技術力強化法第19条の適用を受ける特許出願
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
前記一般式(1)、(1−1)、(1−1−1)、(1−2)又は(1−2−1)において、Xが、酸素原子を表すことを特徴とする請求項1〜9の何れか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料。
陽極と、陰極と、発光層を含む、単層又は複数層からなる有機層とを有し、前記有機層が前記陽極と前記陰極との間に挟持された有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記有機層の少なくとも1層に、請求項1〜10の何れか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料が含有されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明を実施するための形態】
【0046】
本発明の有機EL素子材料は、下記一般式(1)で表され、且つ一般式(1)におけるR
1〜R
3のうち少なくとも一つが下記一般式(A’)で表されることを特徴とする。この特徴は、請求項1から請求項12までの請求項に係る発明に共通する技術的特徴である。
本発明の実施態様としては、本発明の効果発現の観点から、本発明においては、一般式(1)で表される化合物が、下記一般式(1−1−1)で表される化合物であることが好ましい。これにより、有機EL素子の発光寿命を向上させることができる。これは、一般式(1−1−1)で表される化合物が、とりわけ、電気的安定性が高いため、素子の発光の長寿命化に寄与しているものと考えられる。
また、本発明においては、一般式(1)で表される化合物が、下記一般式(1−2−1)で表される化合物であることが好ましい。これにより、有機EL素子の発光効率及び発光寿命を向上させることができる。これは、一般式(1−2−1)で表される化合物が、高い電気的堅牢性に加え、高い三重項励起エネルギーを有するため、素子の発光効率の向上及び発光の長寿命化に寄与しているものと考えられる。
また、本発明においては、一般式(1)、(1−1)、(1−1−1)、(1−2)又は(1−2−1)において、L
1が、単結合を表すことが好ましい。これにより、有機EL素子の発光効率及び発光寿命を向上させることができる。これは、各一般式で表される化合物において、L
1が単結合である場合が、最も電気的堅牢性が高いためと推定される。
また、本発明においては、一般式(1)、(1−1)、(1−1−1)、(1−2)又は(1−2−1)において、mが、3〜5の整数を表すことが好ましい。mが2以下であると、一般式(A’)で表される基が有するフレキシビリティーが消失してしまい、薄膜形成能を失うため、画素欠陥が生じやすくなってしまう。mが11以上であると、化合物全体の分子量が増大しすぎるため、逆に溶剤溶解性が著しく低下してしまい、塗布ムラが発生しやすくなってしまう。したがって、mが3〜10である場合が適切なフレキシビリティーを有するが、フレキシビリティーと溶剤溶解性の観点でmが3〜5の範囲にあることが最も有効であると推定される。
また、本発明においては、一般式(A’)で表される基が、下記一般式(A”)で表される基であることが好ましい。一般式(A”)で表される基は、芳香環がメタ位で連結した構造であり、他の連結構造に比べ、フレキシビリティーがより高い。特に、一般式(A”)で表される基を有する化合物を発光ホストとして用いた場合、発光性ドーパントとの密なパッキングを形成し、膜の非晶質性をより大きく向上させることができると推定される。
また、本発明においては、一般式(1)、(1−1)、(1−1−1)、(1−2)又は(1−2−1)において、n2及びn3の少なくとも一方が、1を表すことが好ましい。即ち、各一般式においては、ジベンゾフラン環又はジベンゾチオフェン環上に、カルバゾール基以外に少なくとも一つの置換基を有することが好ましいことを意味する。これにより、各一般式で表される化合物の溶剤溶解性がより向上し、特にウェットプロセスによる有機層形成時に塗布ムラの改善に有効であると推定される。
また、本発明においては、一般式(1)、(1−1)、(1−1−1)、(1−2)又は(1−2−1)において、Xが、酸素原子を表すことが好ましい。これにより、Xが硫黄原子を表す場合と比較して、各一般式で表される化合物の堅牢性がより向上するため、発光寿命がより向上すると推定している。
【0047】
以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、本願において、「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。
【0048】
《一般式(1)で表される化合物》
本発明に係る有機EL素子材料は、下記一般式(1)で表される化合物である。本発明に係る有機EL素子には、下記一般式(1)で表される化合物が含有されているものであるが、発光層及び電子輸送層の少なくとも何れか一方に含有されていることが好ましい。
【0050】
一般式(1)において、Cbzは、カルバゾリル基を表し、L
1及びR
1はカルバゾール環の結合可能な何れの部位に結合していても良い。
【0051】
一般式(1)において、L
1は、単結合又は2価の連結基を表す。
L
1で表される2価の連結基としては、例えば、アルキレン基、アルケニレン基、エーテル基、チオエーテル基、エステル基、カルボニル基、アミノ基、アミド基、シリル基、ホスフィンオキシド基、芳香族炭化水素環から導出される2価の連結基、芳香族複素環から導出される2価の連結基、非芳香族炭化水素環から導出される2価の連結基、非芳香族複素環から導出される2価の連結基、又はこれらの組み合わせから導出される2価の連結基等が挙げられる。
ここで、芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、トリフェニレン環、インデン環、フルオレン環等が好ましい。芳香族複素環としては、例えば、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、イミダゾール環、インドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ベンゾフラノインドール環、インドロインドール環等が好ましい。非芳香族炭化水素環としては、例えば、シクロプロパン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘキサジエン環、テトラヒドロナフタレン環、ジヒドロインデン環等が好ましい。非芳香族複素環としては、例えば、ピペリジン環、モルフォリン環、ピペラジン環、ピラジン環、チオモルフォリン環、アザボリナン環、ボリナン環等が好ましい。
【0052】
以下に一般式(1)において、L
1で表される2価の連結基の具体例を示す。以下に例示される連結基は更に他の置換基を有していても良い。また、本発明はこれらの例に限定されるものではない。連結基が有していても良い置換基としては、後述のR
1〜R
3で表される置換基が有していても良い置換基と同様の基が挙げられる。
【0058】
一般式(1)において、Xは、酸素原子又は硫黄原子を表す。
【0059】
一般式(1)において、R
1〜R
3は、それぞれ独立に、置換基を表し、R
1〜R
3で表される置換基としては、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、カルボニル基、アミノ基、シリル基、ヒドロキシ基、ホスフィンオキシド基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、非芳香族炭化水素環基、非芳香族複素環基、チオール基、ホスフィノ基、スルホニル基、ニトロ基等が挙げられ、更に置換基を有していても良い。
R
1〜R
3はそれぞれ同じであっても異なっていても良い。R
1〜R
3がそれぞれ複数存在する場合は、各々のR
1〜R
3は同じであっても異なっていても良く、更に互いに結合して環を形成しても良い。
R
1〜R
3で表される置換基としては、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基が好ましく、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環としては、好ましくはベンゼン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ピリジン環、ピラジン環、インドロインドール環、インドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、イミダゾール環又はトリアジン環が挙げられ、好ましくは、ベンゼン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環又はジベンゾチオフェン環が挙げられる。
【0060】
一般式(1)において、n1は、1〜8の整数を表し、n2は、0〜3の整数を表し、n3は、0〜4の整数を表す。
n1は、好ましくは1又は2である。
【0061】
一般式(1)において、R
1〜R
3のうち少なくとも一つは、下記一般式(A’)で表される基を表す。
【0063】
一般式(A’)において、mは、3〜10の整数を表し、特に、3〜5の整数を表すことが好ましい。
【0064】
一般式(A’)において、R
4は、置換基を表し、R
4で表される置換基としては、上記した一般式(1)においてR
1〜R
3で表される置換基と同様のものが挙げられる。
【0065】
一般式(A’)において、n4は、0〜4の整数を表す。n4は、好ましくは0又は1であり、より好ましくは0である。
【0066】
一般式(A’)において、Arは、置換されていても良い芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基を表す。芳香族炭化水素環又は芳香族複素環としては、好ましくはベンゼン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ピリジン環、ピラジン環、インドロインドール環、インドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、イミダゾール環又はトリアジン環が挙げられ、好ましくは、ベンゼン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環又はジベンゾチオフェン環である。芳香族炭化水素環又は芳香族複素環に置換されても良い置換基としては、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、カルボニル基、アミノ基、シリル基、ホスフィンオキシド基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基等が挙げられる。Arが有していても良い置換基としては、前述のR
1〜R
3で表される置換基と同様の基が挙げられる。更に、置換基同士が互いに結合して環を形成しても良い。
【0067】
一般式(A’)において、L
2は、単結合又は2価の連結基を表す。
L
2で表される2価の連結基としては、上記した一般式(1)においてL
1で表される2価の連結基と同様のものが挙げられる。
*は、前記一般式(1)で表される構造との結合部位を表す。
【0068】
また、上記した一般式(1)で表される化合物は、下記一般式(1−1)で表される化合物であることが好ましい。
【0070】
一般式(1−1)において、R
2、R
3、n2、n3、L
1及びXは、上記した一般式(1)におけるR
2、R
3、n2、n3、L
1及びXと同義である。
【0071】
一般式(1−1)において、R
1’及びR
1”は、それぞれ独立に、置換基を表し、R
1’及びR
1”で表される置換基としては、上記した一般式(1)におけるR
1〜R
3で表される置換基と同様のものが挙げられる。
【0072】
一般式(1−1)において、n1a及びn1bは、それぞれ独立に、0〜4の整数を表し、8≧n1a+n1b≧1である。
【0073】
また、上記した一般式(1−1)で表される化合物は、下記一般式(1−1−1)で表される化合物であることが好ましい。
【0075】
一般式(1−1)において、R
2、R
3、R1’、R1”、n1a、n1b、n2、n3、L
1及びXは、上記した一般式(1−1)におけるR
2、R
3、R
1’、R
1”、n1a、n1b、n2、n3、L
1及びXと同義である。
【0076】
また、上記した一般式(1)で表される化合物は、下記一般式(1−2)で表される化合物であることが好ましい。
【0078】
一般式(1−2)において、R
2、R
3、n2、n3、L
1及びXは、上記した一般式(1)におけるR
2、R
3、n2、n3、L
1及びXと同義である。
【0079】
一般式(1−2)において、R
5、R
12’ 及びR
12”は、置換基を表し、R
5、R
12’ 及びR
12”で表される置換基としては、上記した一般式(1)におけるR
1〜R
3で表される置換基と同様のものが挙げられる。
【0080】
一般式(1−2)において、n1cは、0〜4の整数を表し、n1dは、0〜3の整数を表す。
【0081】
また、上記した一般式(1−2)で表される化合物は、下記一般式(1−2−1)で表される化合物であることが好ましい。
【0083】
一般式(1−2−1)において、R
2、R
3、R
5、R
12’ 及びR
12”、n1c、n1d、n2、n3、L
1及びXは、上記した一般式(1−2)におけるR
2、R
3、R
5、R
12’ 及びR
12”、n1c、n1d、n2、n3、L
1及びXと同義である。
【0084】
また、上記した一般式(A’)で表される基は、下記一般式(A”)で表される基であることが好ましい。
【0086】
一般式(A”)において、m、R
4、n4、Ar及びL
2は、上記した一般式(A’)におけるm、R
4、n4、Ar及びL
2と同義である。
【0087】
なお、上記した一般式(1)、(1−1)、(1−1−1)、(1−2)又は(1−2−1)において、L
1は、単結合を表すことが好ましい。
また、一般式(1)、(1−1)、(1−1−1)、(1−2)又は(1−2−1)において、n2及びn3の少なくとも一方は、1を表すことが好ましい。
また、一般式(1)、(1−1)、(1−1−1)、(1−2)及び(1−2−1)において、Xは、酸素原子を表すことが好ましい。
【0088】
ここで、本発明に係る一般式(1)、(1−1)、(1−1−1)、(1−2)及び(1−2−1)の何れかで表される化合物の具体例として、下記H1〜H366が例示される。
【0089】
化合物H1〜H38は、それぞれ下記一般式(H1)で表される化合物である。各化合物H1〜H38の一般式(H1)におけるX、R
4、n4、R
4の置換位置、m、Ar、Araの置換位置、R
1’、n1b、R
1’の置換位置、R
2、n2、R
2の置換位置、R
3、n3、R
3の置換位置、CbzN−の置換位置、をそれぞれ下記表1及び表2に示す。
【0093】
化合物H39〜H78は、それぞれ下記一般式(H2)で表される化合物である。各化合物H39〜H78の一般式(H2)におけるX、R
4、n4、R
4の置換位置、m、Ar、Araの置換位置、R
1、n1a、R
1の置換位置、R
1’、n1b、R
1’の置換位置、R
2、n2、R
2の置換位置、R
3、n3、R
3の置換位置、CbzN−の置換位置、をそれぞれ下記表3及び表4に示す。
【0097】
化合物H79〜H86は、それぞれ下記一般式(H3)で表される化合物である。各化合物H79〜H86の一般式(H3)におけるX、R
4、n4、R
4の置換位置、m1、Ar
1、Araの置換位置、R
1、n1a、R
1の置換位置、R
1’、n1b、R
1’の置換位置、R
2、n2、R
2の置換位置、R
3、n3、R
3の置換位置、CbzN−の置換位置、R
5、n5、R
5の置換位置、m2、Ar
2、Arbの置換位置、R
6、n6、R
6の置換位置、m3、Ar
3、Arcの置換位置、をそれぞれ下記表5に示す。
【0100】
化合物H87〜H124は、それぞれ下記一般式(H4)で表される化合物である。各化合物H87〜H124の一般式(H4)におけるX、R
4、n4、R
4の置換位置、m、Ar、Araの置換位置、R
1’、n1b、R
1’の置換位置、R
2、n2、R
2の置換位置、R
3、n3、R
3の置換位置、α環とβ環の結合位置、をそれぞれ下記表6及び表7に示す。
【0104】
化合物H125〜H162は、それぞれ下記一般式(H5)で表される化合物である。各化合物H125〜H162の一般式(H5)におけるX、R
4、n4、R
4の置換位置、m、Ar、Araの置換位置、R
1、n1a、R
1の置換位置、R
1’、n1b、R
1’の置換位置、R
2、n2、R
2の置換位置、R
3、n3、R
3の置換位置、α環とβ環の結合位置、R
5、をそれぞれ下記表8及び表9に示す。
【0108】
化合物H163〜H200は、それぞれ下記一般式(H6)で表される化合物である。各化合物H163〜H200の一般式(H6)におけるX、R
4、n4、R
4の置換位置、m、Ar、Araの置換位置、R
1’、n1b、R
1’の置換位置、R
2、n2、R
2の置換位置、R
3、n3、R
3の置換位置、L
1、L
1の置換位置、L
2、L
2の置換位置、をそれぞれ下記表10及び表11に示す。
【0112】
化合物H201〜H238は、それぞれ下記一般式(H7)で表される化合物である。各化合物H201〜H238の一般式(H7)におけるX、R
4、n4、R
4の置換位置、m、Ar、Araの置換位置、R
1、n1a、R
1の置換位置、R
1’、n1b、R
1’の置換位置、R
2、n2、R
2の置換位置、R
3、n3、R
3の置換位置、L
1、L
1の置換位置、L
2、L
2の置換位置、をそれぞれ下記表12及び表13に示す。
【0116】
化合物H239〜H276は、それぞれ下記一般式(H8)で表される化合物である。各化合物H239〜H276の一般式(H8)におけるX、R
4、n4、R
4の置換位置、m、Ar、R
1、n1a、R
1の置換位置、R
1’、n1b、R
1’の置換位置、R
2、n2、R
2の置換位置、R
3、n3、R
3の置換位置、L
1、L
1の置換位置、L
2、L
2の置換位置、をそれぞれ下記表14及び表15に示す。
【0120】
化合物H276〜H311は、それぞれ下記一般式(H9)で表される化合物である。各化合物H276〜H311の一般式(H9)におけるX、R
4、n4、R
4の置換位置、m、Ar、R
1’、n1b、R
1’の置換位置、R
2、n2、R
2の置換位置、R
3、n3、R
3の置換位置、L
1、L
1の置換位置、L
2、L
2の置換位置、をそれぞれ下記表16及び表17に示す。
【0124】
上記した表1〜表9中に記載のA〜Z及びa〜zの記号は、それぞれ下記の置換基を表すものである。
【0127】
また、化合物H−314〜H367を以下に示す。
【0133】
以下、一般式(1)、(1−1)、(1−1−1)、(1−2)又は(1−1−2)で表される化合物の合成例について説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。一般式(1)、(1−1)、(1−1−1)、(1−2)又は(1−1−2)で表される化合物として、上記した化合物のうち化合物H−87、H−8及びH−61を例にとってその合成方法を説明する。
【0134】
まず、化合物H−87の合成方法について説明する。
【0136】
化合物H−87は以下のスキームで合成可能である。
【0138】
十分に窒素置換された200mlの3口フラスコに、中間体Aを3.22g(10.0mmol)、中間体Bを4.32g(10.0mmol)、ジクロロビストリフェニルフォスフィンパラジウムを350mg(0.50mmol)、炭酸カリウムを2.76g(20.0mmol)、DMEを70ml、純水を10ml加え、内温80℃にて、10時間加熱還流を行った。反応液を酸性白土にてろ過し、ろ液にトルエン200ml、水200mlを加え、十分に攪拌した後に、有機層を分取し、水200mlで有機層を3回洗浄した。有機層をひだ折ろ紙でろ別し、水分を除いた後、減圧濃縮した。残渣をメタノールで再結晶し、中間体Cを5.22g(収率95%)で得た。次に、C5.00g(9.10mmol)をトルエン50mlに溶解し、NBS1.77g(10.0mmol)をDMF5mlに溶解した溶液を約30分かけて中間体Cのトルエン溶液中に攪拌しながら滴下した。滴下終了後、約1時間室温にて攪拌したのち、水50mlを加え、有機層を分取した。水50mlで3回洗浄後、トルエンを減圧にて留去し、残渣をエタノールにて再結晶し、中間体Dを5.33g(収率93%)得た。次に、中間体Dを5.00g(7.98mmol)、中間体Eを2.35g(7.98mmol)、ジクロロビストリフェニルフォスフィンパラジウムを300mg(0.43mmol)、炭酸カリウムを2.21g(16.0mmol)、DMEを60ml、純水を8ml加え、内温80℃にて、10時間加熱還流を行った。反応液を酸性白土にてろ過し、ろ液にトルエン200ml、水200mlを加え、十分に攪拌した後に、有機層を分取し、水200mlで有機層を3回洗浄した。有機層をひだ折ろ紙でろ別し、水分を除いた後、減圧濃縮した。残渣をメトキシエタノールで再結晶し、化合物H−87を5.53g(収率97%)で得た。化合物H−87の構造は
1H−NMRスペクトル及びMassスペクトルにて同定した。
【0139】
次に、化合物H−8の合成方法について説明する。
【0141】
化合物H−8は以下のスキームで合成可能である。
【0143】
十分に窒素置換された200mlの3口フラスコに、中間体Fを4.59g(10.0mmol)、3−ブロモヨードベンゼンを2.83g(10mmol)、ジクロロビストリフェニルフォスフィンパラジウムを350mg(0.50mmol)、炭酸カリウムを2.76g(20.0mmol)、DMEを70ml、純水を10ml加え、内温80℃にて、10時間加熱還流を行った。反応液を酸性白土にてろ過し、ろ液にトルエン200ml、水200mlを加え、十分に攪拌した後に、有機層を分取し、水200mlで有機層を3回洗浄した。有機層をひだ折ろ紙でろ別し、水分を除いた後、減圧濃縮した。残渣をエタノールで再結晶し、中間体Gを4.73g(収率97%)で得た。次に、良く乾燥した中間体G4.50g(9.21mmol)を乾燥ヘキサン70mlに懸濁し、−70℃に冷却した。1.65Mのn−BuLi/ヘキサン溶液6.7ml(11.1mmol)を同温度を維持しながら、ゆっくりと加えた。一旦黄色の透明溶液となり、その後、黄色の懸濁液となる。一時間後、中間体Hを1.64g(9.67mmol)加え、−50℃近辺で一時間ほど撹拌したのち、内温を室温まで、なりゆきで上昇させる。そのまま、3時間撹拌したのち、塩化アンモニウムの飽和溶液で中和し、トルエン100mlで抽出する。トルエン層を水100mlで2回洗浄後、減圧で濃縮する。残渣をn−ヘキサンで懸濁洗浄して、濾別、乾燥することにより、中間体Iを4.93g(収率99%)で得た。次に、中間体Iを4.50g(8.40mmol)、3−ブロモヨードベンゼンを2.38g(8.40mmol)、ジクロロビストリフェニルフォスフィンパラジウムを350mg(0.50mmol)、炭酸カリウムを2.76g(20.0mmol)、DMEを70ml、純水を10ml加え、内温80℃にて、10時間加熱還流を行った。反応液を酸性白土にてろ過し、ろ液にトルエン200ml、水200mlを加え、十分に攪拌した後に、有機層を分取し、水200mlで有機層を3回洗浄した。有機層をひだ折ろ紙でろ別し、水分を除いた後、減圧濃縮した。残渣をエタノールで再結晶し、中間体Jを4.45g(収率94%)で得た。次に、中間体Jを4.20g(7.44mmol)、中間体Kを2.75g(7.44mmol)、ジクロロビストリフェニルフォスフィンパラジウムを350mg(0.50mmol)、炭酸カリウムを2.76g(20.0mmol)、DMEを70ml、純水を10ml加え、内温80℃にて、10時間加熱還流を行った。反応液を酸性白土にてろ過し、ろ液にトルエン200ml、水200mlを加え、十分に攪拌した後に、有機層を分取し、水200mlで有機層を3回洗浄した。有機層をひだ折ろ紙でろ別し、水分を除いた後、減圧濃縮した。残渣をn−プロパノールで再結晶し、H−8を5.29g(収率98%)で得た。H−8の構造は
1H−NMRスペクトル及びMassスペクトルにて同定した。
【0144】
《有機EL素子の構成層》
本発明の有機EL素子の構成層について説明する。本発明において、有機EL素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。
【0145】
(i)陽極/発光層ユニット/電子輸送層/陰極
(ii)陽極/正孔輸送層/発光層ユニット/電子輸送層/陰極
(iii)陽極/正孔輸送層/発光層ユニット/正孔阻止層/電子輸送層/陰極
(iv)陽極/正孔輸送層/発光層ユニット/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
(v)陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層ユニット/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
【0146】
更に、発光層ユニットは複数の発光層の間に非発光性の中間層を有していても良く、該中間層が電荷発生層であるようなマルチフォトンユニット構成であっても良い。この場合、電荷発生層としては、ITO(インジウム・錫酸化物)、IZO(インジウム・亜鉛酸化物)、ZnO
2、TiN、ZrN、HfN、TiO
x、VO
x、CuI、InN、GaN、CuAlO
2、CuGaO
2、SrCu
2O
2、LaB
6、RuO
2などの導電性無機化合物層や、Au/Bi
2O
3等の2層膜や、SnO
2/Ag/SnO
2、ZnO/Ag/ZnO、Bi
2O
3/Au/Bi
2O
3、TiO
2/TiN/TiO
2、TiO
2/ZrN/TiO
2等の多層膜、またC60等のフラーレン類、オリゴチオフェン等の導電性有機物層、金属フタロシアニン類、無金属フタロシアニン類、金属ポルフィリン類、無金属ポルフィリン類等の導電性有機化合物層などが挙げられる。
【0147】
次に、本発明の有機EL素子を構成する各層について説明する。
【0148】
《発光層》
本発明に係る発光層は、電極又は電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であっても良い。
【0149】
発光層の層厚の総和は特に制限はないが、膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、かつ、駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、好ましくは2〜5000nmの範囲に調整され、更に好ましくは2〜200nmの範囲に調整され、特に好ましくは5〜100nmの範囲に調整される。
【0150】
発光層の作製には、後述する発光性ドーパントやホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、湿式法(ウェットプロセスともいい、例えば、スピンコート法、キャスト法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、インクジェット法、印刷法、スプレーコート法、カーテンコート法、LB法(ラングミュア・ブロジェット(Langmuir Blodgett法))等を挙げることができる。)等により成膜して形成することができる。
【0151】
本発明に係る有機EL素子の発光層には、発光性ドーパント(リン光発光性ドーパント(リン光ドーパント、リン光発光性ドーパント基ともいう)や蛍光発光性ドーパント等)化合物と、発光ホスト化合物とを含有することが好ましい。また、本発明に係る有機EL素子の発光層には、発光ホスト化合物として、一般式(1)で表される有機EL素子材料が含有されていることが好ましい。
【0152】
(1)発光性ドーパント
発光性ドーパント(発光ドーパント、単にドーパントともいう)について説明する。発光性ドーパントとしては、蛍光ドーパント(蛍光性化合物ともいう)、リン光ドーパント(リン光発光体、リン光性化合物、リン光発光性化合物等ともいう)を用いることができる。
【0153】
(1.1)リン光ドーパント
本発明に係るリン光ドーパント(リン光発光ドーパントともいう)について説明する。
本発明に係るリン光ドーパントは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温(25℃)にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、25℃において0.01以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は0.1以上である。
上記リン光量子収率は、第4版実験化学講座7の分光IIの398頁(1992年版、丸善)に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に係るリン光ドーパントは、任意の溶媒の何れかにおいて上記リン光量子収率(0.01以上)が達成されれば良い。
【0154】
リン光ドーパントの発光は原理としては2種挙げられ、1つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こって発光性ホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光ドーパントに移動させることでリン光ドーパントからの発光を得るというエネルギー移動型である。もう1つはリン光ドーパントがキャリアトラップとなり、リン光ドーパント上でキャリアの再結合が起こり、リン光ドーパントからの発光が得られるというキャリアトラップ型である。何れの場合においても、リン光ドーパントの励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。
【0155】
(1.1.1)本発明に係る有機EL素子に好ましく用いられるリン光発光性化合物
本発明に係る有機EL素子には、下記一般式(DP)、(DP−1)、(DP−2)及び(DP−2a)の何れかで表されるリン光発光性化合物が含有されていることが好ましい。当該リン光発光性化合物は、本発明の有機EL素子の構成層の何れかの層に用いることができるが、本発明の効果(素子の発光効率(詳しくは、外部取り出し量子効率、単に効率ともいう)の向上、半減寿命の増大)を十分に得る観点からは、素子の発光層に含有されていることが好ましく、更に、上記した一般式(1)で表される有機EL素子材料と共に発光ドーパント(単にドーパントともいう)として発光層に含有されていることが好ましい。
【0157】
一般式(DP)において、Mは、Ir、Pt、Rh、Ru、Ag、Cu又はOsを表す。A
1、A
2、B
1及びB
2は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表す。環Z
1は、A
1及びA
2と共に形成される6員の芳香族炭化水素環又は5員若しくは6員の芳香族複素環を表す。環Z
2は、B
1及びB
2と共に形成される5員又は6員の芳香族複素環を表す。環Z
1及び環Z
2は、それぞれ独立に、置換基を有していても良く、更に置換基同士が結合して縮環構造を形成していても良い。また、各々の配位子の置換基が互いに結合して、配位子同士が連結していても良い。環Z
1及び環Z
2が有していても良い置換基としては、上記した一般式(1)においてR
1〜R
3で表される置換基と同様のものが挙げられる。
環Z
2は5員の芳香族複素環であることが好ましく、B
1及びB
2の少なくとも一つは窒素原子であることが好ましい。
【0158】
一般式(DP)において、L’は、Mに配位したモノアニオン性の二座配位子を表す。m’は、0〜2の整数を表し、n’は、1〜3の整数を表し、m’+n’は、2又は3である。m’及びn’が共に1以上のとき、環Z
1及び環Z
2で表される配位子とL’とは、各々同じであっても異なっていても良い。
【0159】
また、上記した一般式(DP)で表されるリン光発光性化合物は、下記一般式(DP−1)で表される化合物であることが好ましい。
【0161】
一般式(DP−1)において、M、A
1、A
2、B
1、B
2、環Z
1、L’、m’及びn’は、上記した一般式(DP)におけるM、A
1、A
2、B
1、B
2、環Z
1、L’、m’及びn’と同義である。
【0162】
一般式(DP−1)において、B
3〜B
5は、芳香族複素環を形成する原子群であり、置換基を有していても良い炭素原子、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子を表す。
B
3〜B
5が有していても良い置換基としては、上記した一般式(DP)における環Z
1及び環Z
2が有していても良い置換基と同様のものが挙げられる。
【0163】
ここで、一般式(DP−1)において、B
1〜B
5で形成される芳香族複素環は、下記一般式(DP−1a)、(DP−1b)及び(DP−1c)の何れかで表されることが好ましい。
【0165】
一般式(DP−1a)、(DP−1b)及び(DP−1c)において、*1は、一般式(DP−1)におけるA
2との結合部位を表し、*2は、一般式(DP−1)におけるMとの結合部位を表す。
【0166】
一般式(DP−1a)、(DP−1b)及び(DP−1c)において、Rb
3〜Rb
5は、水素原子又は置換基を表し、Rb
3〜Rb
5で表される置換基としては、上記した一般式(DP)における環Z
1及び環Z
2が有していても良い置換基と同様のものが挙げられる。
【0167】
一般式(DP−1a)において、B
4及びB
5は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表し、より好ましくは、B
4及びB
5のうち少なくとも1つが、炭素原子を表す。
【0168】
一般式(DP−1c)において、B
3及びB
4は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表し、より好ましくは、B
3及びB
4のうち少なくとも1つが、炭素原子を表す。
【0169】
また、上記した一般式(DP)で表されるリン光発光性化合物は、下記一般式(DP−2)で表される化合物であることが好ましい。
【0171】
一般式(DP−2)において、M、A
1、A
2、B
1、B
2、環Z
1、L’、m’及びn’は、上記した一般式(DP)におけるM、A
1、A
2、B
1、B
2、環Z
1、L’、m’及びn’と同義である。
【0172】
一般式(DP−2)において、環Z
2は、B
1〜B
3と共に形成される5員の芳香族複素環を表す。
【0173】
一般式(DP−2)において、A
3及びB
3は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表し、L"は、2価の連結基を表す。
L"で表される2価の連結基としては、例えば、アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、2価の複素環基、−O−、−S−、又はこれらを任意に組み合わせた連結基等が挙げられる。
【0174】
また、一般式(DP−2)で表されるリン光発光性化合物は、下記一般式(DP−2a)で表される化合物であることが好ましい。
【0176】
一般式(DP−2a)において、M、A
1、A
2、A
3、B
1、B
2、B
3、環Z
1、環Z
2、L’、m’及びn’は、一般式(DP−2)におけるM、A
1、A
2、A
3、B
1、B
2、B
3、環Z
1、環Z
2、L’、m’及びn’と同義である。
【0177】
一般式(DP−2a)において、L”
1及びL”
2は、それぞれ独立に、C−Rb6又は窒素原子を表し、Rb6は水素原子又は置換基を表す。L”
1及びL”
2が共にC−Rb6を表す場合はRb6同士が互いに結合し環を形成しても良い。
【0178】
ここで、上記した一般式(DP)、(DP−1)、(DP−2)及び(DP−2a)におけるA
2は、炭素原子を表すことが好ましく、更にA
1が、炭素原子を表すことが好ましい。また、環Z
1が、置換又は無置換のベンゼン環又はピリジン環を表すことが好ましく、更に好ましくはベンゼン環を表す。
【0179】
(1.1.2)具体例
以下、上記した一般式(DP)、(DP−1)、(DP−2)及び(DP−2a)の何れかで表されるリン光発光性化合物の具体例を以下に示すが本発明はこれらに限定されない。
【0188】
本発明に係る発光層には、以下の特許公報に記載されている従来公知の化合物等を併用しても良い。
例えば、国際公開第00/70655号パンフレット、特開2002−280178号公報、特開2001−181616号公報、特開2002−280179号公報、特開2001−181617号公報、特開2002−280180号公報、特開2001−247859号公報、特開2002−299060号公報、特開2001−313178号公報、特開2002−302671号公報、特開2001−345183号公報、特開2002−324679号公報、国際公開第02/15645号パンフレット、特開2002−332291号公報、特開2002−50484号公報、特開2002−332292号公報、特開2002−83684号公報、特表2002−540572号公報、特開2002−117978号公報、特開2002−338588号公報、特開2002−170684号公報、特開2002−352960号公報、国際公開第01/93642号パンフレット、特開2002−50483号公報、特開2002−100476号公報、特開2002−173674号公報、特開2002−359082号公報、特開2002−175884号公報、特開2002−363552号公報、特開2002−184582号公報、特開2003−7469号公報、特表2002−525808号公報、特開2003−7471号公報、特表2002−525833号公報、特開2003−31366号公報、特開2002−226495号公報、特開2002−234894号公報、特開2002−235076号公報、特開2002−241751号公報、特開2001−319779号公報、特開2001−319780号公報、特開2002−62824号公報、特開2002−100474号公報、特開2002−203679号公報、特開2002−343572号公報、特開2002−203678号公報等である。
【0189】
(1.2)蛍光ドーパント
蛍光ドーパント(蛍光性化合物ともいう)としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素又は希土類錯体系蛍光体等や、レーザー色素に代表される蛍光量子収率が高い化合物が挙げられる。
【0190】
(1.3)従来公知の発光ドーパントとの併用
また本発明に係る発光ドーパントは、複数種の化合物を併用して用いても良く、構造の異なるリン光ドーパント同士の組み合わせや、リン光ドーパントと蛍光ドーパントを組み合わせて用いても良い。
【0191】
(2)発光ホスト化合物
本発明において発光ホスト化合物(ホスト化合物、発光ホスト、ホスト材料等ともいう)は、発光層に含有される化合物の内で、その層中での質量比が20%以上であり、且つ室温(25℃)においてリン光発光のリン光量子収率が、0.1未満の化合物と定義される。好ましくはリン光量子収率が0.01未満である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での質量比が20%以上であることが好ましい。
【0192】
本発明に用いることができる発光ホストとしては、特に制限はなく、従来有機EL素子にホスト化合物として用いられている化合物を用いることができるが、上記した一般式(1)で表される化合物をホスト化合物として用いることが好ましい。また、ホスト化合物としては、従来公知の化合物を、一般式(1)で表される化合物と併用しても良く、代表的にはカルバゾール誘導体、トリアリールアミン誘導体、芳香族誘導体、含窒素複素環化合物、チオフェン誘導体、フラン誘導体、オリゴアリーレン化合物等の基本骨格を有するもの、又はカルボリン誘導体やジアザカルバゾール誘導体(ここで、ジアザカルバゾール誘導体とは、カルボリン誘導体のカルボリン環を構成する炭化水素環の少なくとも1つの炭素原子が窒素原子で置換されているものを表す。)等が挙げられる。
【0193】
本発明に用いることができる公知の発光ホストとしては正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ、発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高Tg(ガラス転移温度)である化合物が好ましい。
【0194】
また、本発明に係る有機EL素子においては、一般式(1)で表される化合物又は従来公知の発光ホストを単独で用いても良いし、複数種併用して用いても良い。発光ホストを複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機EL素子を高効率化することができる。また、前記リン光ドーパントとして用いられる本発明の金属錯体及び/又は従来公知の化合物を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。
【0195】
また、本発明に用いられる発光ホストとしては、低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でも良く、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物(重合性発光ホスト)でも良く、このような化合物を一種又は複数種用いても良い。
【0196】
公知の発光ホストの具体例としては、以下の文献に記載の化合物が挙げられる。
特開2001−257076号公報、同2002−308855号公報、同2001−313179号公報、同2002−319491号公報、同2001−357977号公報、同2002−334786号公報、同2002−8860号公報、同2002−334787号公報、同2002−15871号公報、同2002−334788号公報、同2002−43056号公報、同2002−334789号公報、同2002−75645号公報、同2002−338579号公報、同2002−105445号公報、同2002−343568号公報、同2002−141173号公報、同2002−352957号公報、同2002−203683号公報、同2002−363227号公報、同2002−231453号公報、同2003−3165号公報、同2002−234888号公報、同2003−27048号公報、同2002−255934号公報、同2002−260861号公報、同2002−280183号公報、同2002−299060号公報、同2002−302516号公報、同2002−305083号公報、同2002−305084号公報、同2002−308837号公報等。
【0197】
《電子輸送層》
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層若しくは複数層を設けることができる。
【0198】
電子輸送層は陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していれば良く、電子輸送層の構成材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択することも可能であるが、本発明に係る一般式(1)で表される化合物を電子輸送材料として用いることが特に好ましい。
【0199】
また、電子輸送層に用いられる、一般式(1)で表される化合物と併用可能な従来公知の材料(以下、電子輸送材料という)の例としては、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレン等の多環芳香族炭化水素、複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、カルボリン誘導体、該カルボリン誘導体のカルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の少なくとも一つが窒素原子で置換されている環構造を有する誘導体、又はヘキサアザトリフェニレン誘導体等が挙げられる。
更に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引性基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も電子輸送材料として用いることができる。
【0200】
これらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
【0201】
また、8−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス(8−キノリノール)アルミニウム(Alq)、トリス(5,7−ジクロロ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノール)亜鉛(Znq)等、及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、Ga又はPbに置き替わった金属錯体も電子輸送材料として用いることができる。
【0202】
その他、メタルフリー若しくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも電子輸送材料として用いることができる。
また、n型−Si、n型−SiC等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。
【0203】
電子輸送層は電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、湿式法(ウェットプロセスともいい、例えば、スピンコート法、キャスト法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、インクジェット法、印刷法、スプレーコート法、カーテンコート法、LB法(ラングミュア・ブロジェット(Langmuir Blodgett法)等を挙げることができる。))等により、薄膜化することにより形成することが好ましい。
【0204】
電子輸送層の層厚については特に制限はないが、通常は5〜5000nm程度、好ましくは5〜200nmである。この電子輸送層は上記材料の一種又は二種以上からなる一層構造であっても良い。
【0205】
また、金属錯体やハロゲン化金属など金属化合物等のn型ドーパントをドープして用いても良い。
【0206】
以下、本発明の白色有機EL素子の電子輸送層の形成に好ましく用いられる従来公知の化合物(電子輸送材料)の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
【0217】
《陰極》
一方、陰極としては仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al
2O
3)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al
2O
3)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。
【0218】
陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、層厚は通常10〜5000nm、好ましくは50〜200nmの範囲で選ばれる。
【0219】
なお、発光した光を透過させるため、有機EL素子の陽極及び陰極の何れか一方が透明又は半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
また、陰極に上記金属を1〜20nmの層厚で作製した後に、後述する陽極の説明で挙げる導電性透明材料をその上に作製することで、透明又は半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。
【0220】
《注入層:電子注入層(陰極バッファー層)、正孔注入層》
注入層は必要に応じて設ける層であり、電子注入層と正孔注入層がある。注入層は、上記の層構成に示すように、陽極と正孔輸送層との間や、陰極と電子輸送層との間に存在させても良いし、陽極と発光層との間や、陰極と発光層との間に存在させても良い。
【0221】
注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123頁〜166頁)に詳細に記載されており、正孔注入層(陽極バッファー層)と電子注入層(陰極バッファー層)とがある。
【0222】
陽極バッファー層(正孔注入層)は、特開平9−45479号公報、同9−260062号公報、同8−288069号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、特表2003−519432や特開2006−135145等に記載されているようなヘキサアザトリフェニレン誘導体バッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン(エメラルディン)やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層、トリス(2−フェニルピリジン)化金属錯体等に代表されるオルトメタル化錯体層等が挙げられる。
【0223】
陰極バッファー層(電子注入層)は、特開平6−325871号公報、同9−17574号公報、同10−74586号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウム、フッ化カリウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウム、フッ化セシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層(注入層)はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその層厚は0.1〜5000nmの範囲が好ましい。
【0224】
《阻止層:正孔阻止層、電子阻止層》
阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平11−204258号公報、同11−204359号公報、及び「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の237頁等に記載されている正孔阻止(ホールブロック)層がある。
【0225】
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい電子輸送材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
【0226】
また、前述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係わる正孔阻止層として用いることができる。
【0227】
本発明の有機EL素子の正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。
【0228】
正孔阻止層には、前述のホスト化合物として挙げた、カルバゾール誘導体、カルボリン誘導体、ジアザカルバゾール誘導体(ここで、ジアザカルバゾール誘導体とは、カルボリン環を構成する炭素原子の何れか一つが窒素原子で置き換わったものを示す)を含有することが好ましい。
【0229】
また、本発明においては、複数の発光色の異なる複数の発光層を有する場合、その発光極大波長が最も短波にある発光層が、全発光層中、最も陽極に近いことが好ましいが、このような場合、該最短波層と該層の次に陽極に近い発光層との間に正孔阻止層を追加して設けることが好ましい。
【0230】
更には、該位置に設けられる正孔阻止層に含有される化合物の50質量%以上が、前記最短波発光層のホスト化合物に対しそのイオン化ポテンシャルが0.3eV以上大きいことが好ましい。
【0231】
イオン化ポテンシャルは化合物のHOMO(最高占有軌道)レベルにある電子を真空準位に放出するのに必要なエネルギーで定義され、例えば下記に示すような方法により求めることができる。
(1)米国Gaussian社製の分子軌道計算用ソフトウェアであるGaussian98(Gaussian98、Revision A.11.4,M.J.Frisch,et al,Gaussian,Inc.,Pittsburgh PA,2002.)を用い、キーワードとしてB3LYP/6−31G*を用いて構造最適化を行うことにより算出した値(eV単位換算値)として求めることができる。この計算値が有効な背景には、この手法で求めた計算値と実験値の相関が高いためである。
(2)イオン化ポテンシャルは光電子分光法で直接測定する方法により求めることもできる。例えば、理研計器社製の低エネルギー電子分光装置「Model AC−1」を用いて、あるいは紫外光電子分光として知られている方法を好適に用いることができる。
【0232】
一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
【0233】
また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に係る正孔阻止層、電子輸送層の層厚としては、好ましくは3〜100nmであり、更に好ましくは5〜30nmである。
【0234】
《正孔輸送層》
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層又は複数層設けることができる。
【0235】
正孔輸送材料としては、正孔の注入又は輸送、電子の障壁性の何れかを有するものであり、有機物、無機物の何れであっても良い。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。
また、特表2003−519432号公報や特開2006−135145号公報等に記載されているようなアザトリフェニレン誘導体も同様に正孔輸送材料として用いることができる。
【0236】
正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第3級アミン化合物を用いることが好ましい。
【0237】
芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノフェニル;N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−〔1,1′−ビフェニル〕−4,4′−ジアミン(TPD);2,2−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)プロパン;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン;N,N,N′,N′−テトラ−p−トリル−4,4′−ジアミノビフェニル;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)−4−フェニルシクロヘキサン;ビス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)フェニルメタン;ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フェニルメタン;N,N′−ジフェニル−N,N′−ジ(4−メトキシフェニル)−4,4′−ジアミノビフェニル;N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノジフェニルエーテル;4,4′−ビス(ジフェニルアミノ)クオードリフェニル;N,N,N−トリ(p−トリル)アミン;4−(ジ−p−トリルアミノ)−4′−〔4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル〕スチルベン;4−N,N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニルビニル)ベンゼン;3−メトキシ−4′−N,N−ジフェニルアミノスチルベン;N−フェニルカルバゾール、更には米国特許第5,061,569号明細書に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル(NPD)、特開平4−308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4′,4″−トリス〔N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン(MTDATA)等が挙げられる。
【0238】
更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
【0239】
また、p型−Si、p型−SiC等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。
【0240】
また、特開平11−251067号公報、J.Huang et.al.著文献(Applied Physics Letters 80(2002),p.139)に記載されているような、所謂p型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることからこれらの材料を用いることが好ましい。
【0241】
正孔輸送層は上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。
正孔輸送層の層厚については特に制限はないが、通常は5〜5000nm程度、好ましくは5〜200nmである。この正孔輸送層は上記材料の一種又は2種以上からなる一層構造であっても良い。
【0242】
また、不純物をドープしたp性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4−297076号公報、特開2000−196140号公報、同2001−102175号公報の各公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。
本発明においては、このようなp性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。
【0243】
以下、本発明の有機EL素子の正孔注入層及び正孔輸送層の形成に好ましく用いられる化合物の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
【0251】
《陽極》
有機EL素子における陽極としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Au等の金属、CuI、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO
2、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。
【0252】
また、IDIXO(In
2O
3−ZnO)等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いても良い。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成しても良く、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は(100μm以上程度)、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成しても良い。
【0253】
あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。
【0254】
この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。更に層厚は材料にもよるが、通常10〜1000nm、好ましくは10〜200nmの範囲で選ばれる。
【0255】
《支持基板》
本発明の有機EL素子に用いることのできる支持基板(以下、基体、基板、基材、支持体等とも言う)としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であっても良い。支持基板側から光を取り出す場合には、支持基板は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な支持基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい支持基板は、有機EL素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。
【0256】
樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)、セルロースアセテートフタレート(TAC)、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類若しくはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリル若しくはポリアリレート類、又はアートン(商品名JSR社製)若しくはアペル(商品名三井化学社製)といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。
【0257】
樹脂フィルムの表面には、無機物若しくは有機物の被膜又は両者のハイブリッド被膜が形成されていても良く、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が0.01g/(m
2・24h)以下のバリア性フィルムであることが好ましく、更には、JIS K 7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が、10
−3ml/(m
2・24h・atm)以下、水蒸気透過度が、10
−5g/(m
2・24h)以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。
【0258】
バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であれば良く、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。
【0259】
バリア膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができるが、特開2004−68143号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。
【0260】
不透明な支持基板としては、例えば、アルミ、ステンレス等の金属板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げられる。
【0261】
本発明の有機EL素子の発光の室温における外部取り出し効率は、1%以上であることが好ましく、5%以上であるとより好ましい。
ここで、外部取り出し量子効率(%)=有機EL素子外部に発光した光子数/有機EL素子に流した電子数×100である。
【0262】
また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機EL素子からの発光色を蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用しても良い。色変換フィルターを用いる場合においては、有機EL素子の発光のλmaxは480nm以下が好ましい。
【0263】
《有機EL素子の作製方法》
有機EL素子の作製方法の一例として、陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層(電子注入層)/陰極からなる素子の作製方法について説明する。
【0264】
まず、適当な基体上に所望の電極物質、例えば、陽極用物質からなる薄膜を1μm以下、好ましくは10〜200nmの層厚になるように形成させ、陽極を作製する。
【0265】
次に、この上に素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、陰極バッファー層等の有機化合物を含有する薄膜を形成させる。
【0266】
薄膜の形成方法としては、例えば、真空蒸着法、湿式法(ウェットプロセスともいう)等により成膜して形成することができる。
湿式法としては、スピンコート法、キャスト法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、インクジェット法、印刷法、スプレーコート法、カーテンコート法、LB法等があるが、精密な薄膜が形成可能で、且つ高生産性の点から、ダイコート法、ロールコート法、インクジェット法、スプレーコート法などのロール・ツー・ロール方式適性の高い方法が好ましい。また、層ごとに異なる成膜法を適用しても良い。
【0267】
本発明に係る有機EL材料を溶解又は分散する液媒体としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、DMF、DMSO等の有機溶媒を用いることができる。
また、分散方法としては、超音波、高剪断力分散やメディア分散等の分散方法により分散することができる。
【0268】
これらの層の形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を1μm以下、好ましくは50〜200nmの範囲の層厚になるように形成させ、陰極を設けることにより所望の有機EL素子が得られる。
【0269】
また、順序を逆にして、陰極、陰極バッファー層、電子輸送層、正孔阻止層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。
【0270】
本発明の有機EL素子の作製は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる成膜法を施しても構わない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。
【0271】
《封止》
本発明に用いられる封止手段としては、例えば、封止部材と電極、支持基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。
【0272】
封止部材としては、有機EL素子の表示領域を覆うように配置されておれば良く、凹板状でも平板状でも良い。また透明性、電気絶縁性は特に問わない。
【0273】
具体的には、ガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。
また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等から形成されたものを挙げることができる。
金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属又は合金からなるものが挙げられる。
【0274】
本発明においては、素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。
更には、ポリマーフィルムは、JIS K 7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が1×10
−3ml/(m
2・24h・atm)以下、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が、1×10
−3g/(m
2・24h)以下のものであることが好ましい。
【0275】
封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。
【0276】
接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、2−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型(二液混合)を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。
【0277】
なお、有機EL素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から80℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいても良い。封止部分への接着剤の塗布は市販のディスペンサーを使っても良いし、スクリーン印刷のように印刷しても良い。
【0278】
また、有機層を挟み支持基板と対向する側の電極の外側に該電極と有機層を被覆し、支持基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であれば良く、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。
【0279】
更に、該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができる。
【0280】
封止部材と有機EL素子の表示領域との間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。
【0281】
吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物(例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等)、硫酸塩(例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等)、金属ハロゲン化物(例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等)、過塩素酸類(例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等)等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。
【0282】
《保護膜、保護板》
有機層を挟み支持基板と対向する側の前記封止膜、あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために保護膜、あるいは保護板を設けても良い。特に封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量且つ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。
【0283】
《光取り出し》
有機EL素子は空気よりも屈折率の高い(屈折率が1.7〜2.1程度)層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち15%から20%程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面(透明基板と空気との界面)に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として光が素子側面方向に逃げるためである。
【0284】
この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法(米国特許第4,774,435号明細書)、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法(特開昭63−314795号公報)、素子の側面等に反射面を形成する方法(特開平1−220394号公報)、基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法(特開昭62−172691号公報)、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法(特開2001−202827号公報)、基板、透明電極層や発光層の何れかの層間(含む、基板と外界間)に回折格子を形成する方法(特開平11−283751号公報)等がある。
【0285】
本発明においては、これらの方法を本発明の有機EL素子と組み合わせて用いることができるが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、あるいは基板、透明電極層や発光層の何れかの層間(含む、基板と外界間)に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。
【0286】
本発明はこれらの手段を組み合わせることにより、更に高輝度あるいは耐久性に優れた素子を得ることができる。
【0287】
透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚みで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど外部への取り出し効率が高くなる。
【0288】
低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマー等が挙げられる。透明基板の屈折率は一般に1.5〜1.7程度であるので、低屈折率層は屈折率がおよそ1.5以下であることが好ましい。また、更に1.35以下であることが好ましい。
【0289】
また、低屈折率媒質の厚みは媒質中の波長の2倍以上となるのが望ましい。これは低屈折率媒質の厚みが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む層厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。
【0290】
全反射を起こす界面若しくは何れかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。この方法は回折格子が1次の回折や2次の回折といった所謂ブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、発光層から発生した光のうち層間での全反射等により外に出ることができない光を、何れかの層間若しくは媒質中(透明基板内や透明電極内)に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。
【0291】
導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な1次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。
【0292】
しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。
【0293】
回折格子を導入する位置としては前述の通り、何れかの層間若しくは媒質中(透明基板内や透明電極内)でも良いが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。
このとき、回折格子の周期は媒質中の光の波長の約1/2〜3倍程度が好ましい。
【0294】
回折格子の配列は正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状等、2次元的に配列が繰り返されることが好ましい。
【0295】
《集光シート》
本発明の有機EL素子は基板の光取り出し側に、例えば、マイクロレンズアレイ状の構造を設けるように加工したり、あるいは所謂集光シートと組み合わせたりすることにより、特定方向、例えば、素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。
【0296】
マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が30μmでその頂角が90度となるような四角錐を2次元に配列する。一辺は10μm〜100μmが好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大きすぎると厚みが厚くなり好ましくない。
【0297】
集光シートとしては、例えば、液晶表示装置のLEDバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシートとして、例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルム(BEF)等を用いることができる。
プリズムシートの形状としては、例えば、基材に頂角90度、ピッチ50μmの△状のストライプが形成されたものであっても良いし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であっても良い。
【0298】
また、発光素子からの光放射角を制御するために、光拡散板・フィルムを集光シートと併用しても良い。例えば、(株)きもと製拡散フィルム(ライトアップ)等を用いることができる。
【0299】
《用途》
本発明の有機EL素子は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。発光光源として、例えば、照明装置(家庭用照明、車内照明)、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特に液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。
【0300】
本発明の有機EL素子においては、必要に応じ成膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施しても良い。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしても良いし、電極と発光層をパターニングしても良いし、素子全層をパターニングしても良く、素子の作製においては、従来公知の方法を用いることができる。
【0301】
本発明の有機EL素子や本発明に係る化合物の発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」(日本色彩学会編、東京大学出版会、1985)の108頁の
図4.16において、分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタセンシング(株)製)で測定した結果をCIE色度座標に当てはめたときの色で決定される。
【0302】
また、本発明の有機EL素子が白色素子の場合には、白色とは、2度視野角正面輝度を上記方法により測定した際に、1000cd/m
2でのCIE1931表色系における色度がX=0.33±0.07、Y=0.33±0.1の領域内にあることを言う。
【0303】
《用途1:表示装置》
本発明の表示装置について説明する。本発明の表示装置は、本発明の有機EL素子を具備したものである。本発明の表示装置は単色でも多色でも良いが、ここでは多色表示装置について説明する。
【0304】
多色表示装置の場合は発光層形成時のみシャドーマスクを設け、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で膜を形成できる。
発光層のみパターニングを行う場合、その方法に限定はないが、好ましくは蒸着法、インクジェット法、スピンコート法、印刷法である。
【0305】
表示装置に具備される有機EL素子の構成は、必要に応じて上記の有機EL素子の構成例の中から選択される。
【0306】
また、有機EL素子の製造方法は、上記の本発明の有機EL素子の製造の一態様に示したとおりである。
【0307】
このようにして得られた多色表示装置に直流電圧を印加する場合には、陽極を+、陰極を−の極性として電圧2V〜40V程度を印加すると発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。更に交流電圧を印加する場合には、陽極が+、陰極が−の状態になったときのみ発光する。なお、印加する交流の波形は任意で良い。
【0308】
多色表示装置は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。表示デバイス、ディスプレイにおいて、青、赤、緑発光の3種の有機EL素子を用いることによりフルカラーの表示が可能となる。
【0309】
表示デバイス、ディスプレイとしては、テレビ、パソコン、モバイル機器、AV機器、文字放送表示、自動車内の情報表示等が挙げられる。特に静止画像や動画像を再生する表示装置として使用しても良く、動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリクス(パッシブマトリクス)方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでも良い。
【0310】
発光光源としては家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
【0311】
以下、本発明の有機EL素子を有する表示装置の一例を図面に基づいて説明する。
図1は有機EL素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。有機EL素子の発光により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの模式図である。
【0312】
ディスプレイ1は複数の画素を有する表示部A、画像情報に基づいて表示部Aの画像走査を行う制御部B等からなる。
制御部Bは表示部Aと電気的に接続され、複数の画素それぞれに外部からの画像情報に基づいて走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により走査線毎の画素が画像データ信号に応じて順次発光して画像走査を行って画像情報を表示部Aに表示する。
【0313】
図2は表示部Aの模式図である。
表示部Aは基板上に、複数の走査線5及びデータ線6を含む配線部と複数の画素3等とを有する。表示部Aの主要な部材の説明を以下に行う。
図2においては、画素3の発光した光が白矢印方向(下方向)へ取り出される場合を示している。
【0314】
配線部の走査線5及び複数のデータ線6はそれぞれ導電材料からなり、走査線5とデータ線6は格子状に直交して、直交する位置で画素3に接続している(詳細は図示していない)。
【0315】
画素3は走査線5から走査信号が印加されると、データ線6から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。
発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素を適宜同一基板上に並置することによって、フルカラー表示が可能となる。
【0316】
次に、画素の発光プロセスを説明する。
図3は画素の模式図である。
画素は有機EL素子10、スイッチングトランジスター11、駆動トランジスター12、コンデンサー13等を備えている。複数の画素に有機EL素子10として、赤色、緑色、青色発光の有機EL素子を用い、これらを同一基板上に並置することでフルカラー表示を行うことができる。
【0317】
図3において、制御部Bからデータ線6を介してスイッチングトランジスター11のドレインに画像データ信号が印加される。そして、制御部Bから走査線5を介してスイッチングトランジスター11のゲートに走査信号が印加されると、スイッチングトランジスター11の駆動がオンし、ドレインに印加された画像データ信号がコンデンサー13と駆動トランジスター12のゲートに伝達される。
【0318】
画像データ信号の伝達により、コンデンサー13が画像データ信号の電位に応じて充電されるとともに、駆動トランジスター12の駆動がオンする。駆動トランジスター12は、ドレインが電源ライン7に接続され、ソースが有機EL素子10の電極に接続されており、ゲートに印加された画像データ信号の電位に応じて電源ライン7から有機EL素子10に電流が供給される。
【0319】
制御部Bの順次走査により走査信号が次の走査線5に移ると、スイッチングトランジスター11の駆動がオフする。しかし、スイッチングトランジスター11の駆動がオフしてもコンデンサー13は充電された画像データ信号の電位を保持するので、駆動トランジスター12の駆動はオン状態が保たれて、次の走査信号の印加が行われるまで有機EL素子10の発光が継続する。順次走査により次に走査信号が印加されたとき、走査信号に同期した次の画像データ信号の電位に応じて駆動トランジスター12が駆動して有機EL素子10が発光する。
即ち、有機EL素子10の発光は、複数の画素それぞれの有機EL素子10に対して、アクティブ素子であるスイッチングトランジスター11と駆動トランジスター12を設けて、複数の画素3それぞれの有機EL素子10の発光を行っている。このような発光方法をアクティブマトリクス方式と呼んでいる。
【0320】
ここで、有機EL素子10の発光は複数の階調電位を持つ多値の画像データ信号による複数の階調の発光でも良いし、2値の画像データ信号による所定の発光量のオン、オフでも良い。また、コンデンサー13の電位の保持は次の走査信号の印加まで継続して保持しても良いし、次の走査信号が印加される直前に放電させても良い。
本発明においては、上述したアクティブマトリクス方式に限らず、走査信号が走査されたときのみデータ信号に応じて有機EL素子を発光させるパッシブマトリクス方式の発光駆動でも良い。
【0321】
図4はパッシブマトリクス方式による表示装置の模式図である。
図4において、複数の走査線5と複数の画像データ線6が画素3を挟んで対向して格子状に設けられている。
順次走査により走査線5の走査信号が印加されたとき、印加された走査線5に接続している画素3が画像データ信号に応じて発光する。
パッシブマトリクス方式では画素3にアクティブ素子が無く、製造コストの低減が計れる。
【0322】
《用途2:照明装置》
本発明の照明装置について説明する。本発明の照明装置は上記有機EL素子を有する。
本発明の有機EL素子に共振器構造を持たせた有機EL素子として用いても良く、このような共振器構造を有した有機EL素子の使用目的としては、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。また、レーザー発振をさせることにより上記用途に使用しても良い。
【0323】
また、本発明の有機EL素子は照明用や露光光源のような一種のランプとして使用しても良いし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置(ディスプレイ)として使用しても良い。
動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は、単純マトリクス(パッシブマトリクス)方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでも良い。また、異なる発光色を有する本発明の有機EL素子を2種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製することが可能である。
【0324】
また、本発明の有機EL材料は照明装置として、実質白色の発光を生じる有機EL素子に適用できる。複数の発光材料により複数の発光色を同時に発光させて混色により白色発光を得る。複数の発光色の組み合わせとしては、赤色、緑色、青色の3原色の3つの発光極大波長を含有させたものでも良いし、青色と黄色、青緑と橙色等の補色の関係を利用した2つの発光極大波長を含有したものでも良い。
また複数の発光色を得るための発光材料の組み合わせは、複数のリン光又は蛍光で発光する材料を複数組み合わせたもの、蛍光又はリン光で発光する発光材料と、発光材料からの光を励起光として発光する色素材料との組み合わせたものの何れでも良いが、本発明に係る白色有機EL素子においては、発光ドーパントを複数組み合わせ混合するだけで良い。
【0325】
発光層、正孔輸送層あるいは電子輸送層等の形成時のみマスクを設け、マスクにより塗り分ける等単純に配置するだけで良く、他層は共通であるのでマスク等のパターニングは不要であり、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で例えば電極膜を形成でき、生産性も向上する。この方法によれば、複数色の発光素子をアレー状に並列配置した白色有機EL装置と異なり、素子自体が発光白色である。
発光層に用いる発光材料としては特に制限はなく、例えば、液晶表示素子におけるバックライトであれば、CF(カラーフィルター)特性に対応した波長範囲に適合するように、本発明に係る金属錯体、また公知の発光材料の中から任意のものを選択して組み合わせて白色化すれば良い。
【0326】
《本発明の照明装置の一態様》
本発明の有機EL素子を具備した、本発明の照明装置の一態様について説明する。
本発明の有機EL素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚み300μmのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材として、エポキシ系光硬化型接着剤(東亞合成社製ラックストラックLC0629B)を適用し、これを陰極上に重ねて透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からUV光を照射して、硬化させて、封止し、
図5及び
図6に示すような照明装置を形成することができる。
【0327】
図5は、照明装置の概略図を示し、本発明の有機EL素子101はガラスカバー102で覆われている(なお、ガラスカバーでの封止作業は、有機EL素子101を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス(純度99.999%以上の高純度窒素ガスの雰囲気下)で行った。)。
【0328】
図6は、照明装置の断面図を示し、
図6において、105は陰極、106は有機EL層、107は透明電極付きガラス基板を示す。なお、ガラスカバー102内には窒素ガス108が充填され、捕水剤109が設けられている。
【実施例】
【0329】
以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。
以下に説明する実施例で用いられる化合物の構造を以下に示す。なお、以下に示すcH−1〜cH−6、kH−7〜kH−11及びDPM−2は、比較例の有機EL素子に用いられる化合物であり、ホスト材料1−1−1〜1−1−7及び1−2−1〜1−2−7は、本発明の有機EL素子に用いられる化合物である。
【0330】
【化71】
【0331】
【化72】
【0332】
【化73】
【0333】
【化74】
【0334】
DPM−2は米国特許第8114530号記載のK−21の化合物である。
【0335】
【化75】
【0336】
【化76】
【0337】
【化77】
【0338】
【化78】
【0339】
[実施例1]
《有機EL素子1−1の作製》
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO(Indium Tin Oxide;酸化インジウムスズ)を100nm成膜した基板(NHテクノグラス社製NA45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。
【0340】
この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方モリブデン製抵抗加熱ボートに正孔注入材料HT−30を200mg入れ、別のモリブデン抵抗加熱ボートに正孔輸送材料HT−1を200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにホスト材料cH−1を200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにドーパントDPM−2を200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに第1電子輸送材料cH−3を200mg入れ、更に別のモリブデン製抵抗加熱ボートに第2電子輸送材料ET−7を200mg入れ、真空蒸着装置に取り付けた。
【0341】
次いで真空槽を4×10
−4Paまで減圧した後、正孔注入材料HT−30の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で、透明支持基板に蒸着し、層厚10nmの正孔注入層を設けた。
【0342】
更に正孔輸送材料HT−1の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で、前記正孔注入層上に蒸着し、層厚30nmの正孔輸送層を設けた。
【0343】
更にホスト材料cH−1とドーパントDPM−2の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度0.1nm/秒、0.010nm/秒で、前記正孔輸送層上に共蒸着し、層厚40nmの発光層を設けた。
【0344】
更に第1電子輸送材料cH−3の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で、前記発光層上に蒸着し、層厚10nmの第1電子輸送層を設けた。
【0345】
更に第2電子輸送材料ET−7の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で、前記第1電子輸送層上に蒸着し、層厚30nmの第2電子輸送層を設けた。
【0346】
引き続き、フッ化リチウムを蒸着して層厚0.5nmの電子注入層(陰極バッファー層)を形成し、更にアルミニウムを蒸着して層厚110nmの陰極を形成し、有機EL素子1−1を作製した。
【0347】
《有機EL素子1−2〜1−18の作製》
有機EL素子1−1の作製において、ドーパント、ホスト材料及び第1電子輸送材料を表18に記載の化合物に変えた以外は同様にして有機EL素子1−2〜1−18を作製した。
【0348】
《有機EL素子1−1〜1−18の評価》
得られた有機EL素子1−1〜1−18を評価するに際しては、作製後の各有機EL素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚み300μmのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材としてエポキシ系光硬化型接着剤(東亞合成社製ラックストラックLC0629B)を適用し、これを上記陰極上に重ねて前記透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からUV光を照射して硬化させて封止し、
図5及び
図6に示すような照明装置を作製して評価した。
このようにして作製した各サンプルについて下記の評価を行った。評価結果を表18に示す。
【0349】
(1)外部取り出し量子効率
有機EL素子を室温(25℃)、2.5mA/cm
2の定電流条件下による点灯を行い、点灯開始直後の発光輝度(L)[cd/m
2]を測定することにより、外部取り出し量子効率(η)(単に、効率ともいう)を算出した。ここで、発光輝度の測定はCS−1000(コニカミノルタセンシング製)を用いて行い、外部取り出し量子効率は有機EL素子1−1を100とする相対値で表した。
【0350】
(2)駆動電圧
有機EL素子を室温(25℃)、2.5mA/cm
2の定電流条件下で駆動したときの電圧を各々測定し、測定結果を下記に示すように、有機EL素子1−1を100として各々相対値で示した。
電圧=(各素子の駆動電圧/有機EL素子1−1の駆動電圧)×100
なお、値が小さいほうが比較に対して駆動電圧が低いことを示す。
【0351】
(3)半減寿命
下記に示す測定法に従って、半減寿命の評価を行った。各有機EL素子を初期輝度1000cd/m
2を与える電流で定電流駆動して、初期輝度の1/2(500cd/m
2)になる時間を求め、これを半減寿命の尺度とした。なお、半減寿命は有機EL素子1−1を100とする相対値で表した。
【0352】
(4)画素欠陥率
有機EL素子を作成直後、及び60℃、70%RHの条件で一ヶ月保存後、各々輝度1000cd/m
2を与える電流で定電流駆動させた時、以下の式により画素欠陥率を求めた。
画素欠陥率(%)=保存後の画素欠陥面積合計/保存前の画素欠陥面積合計×100
【0353】
【表18】
【0354】
表18から明らかな通り、本発明に係る有機EL素子材料を電子輸送材料又はホスト材料として用いた有機EL素子は、比較例の有機EL素子に比べ、発光効率及び発光寿命に優れ、低電圧であることが明らかであり、更に、画素欠陥形成抑制性にも優れていることが分かった。
【0355】
[実施例2]
《有機EL素子2−1の作製》
100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上に、陽極としてITO(Indium Tin Oxide;酸化インジウムスズ)を100nm成膜した基板(AvanStrate株式会社製、NA−45)にパターニングを行った。その後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥して、UVオゾン洗浄を5分間行った。
【0356】
この透明支持基板上に、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSS、Bayer株式会社製、Baytron P Al4083)を純水で70%に希釈した溶液を用い、スピンコート法により薄膜を形成した後、200℃にて1時間乾燥し、層厚30nmの第1正孔輸送層を設けた。
【0357】
この基板を窒素雰囲気下に移し、前記第1正孔輸送層上に、50mgのPoly(N,N′−ビス(4−ブチルフェニル)−N,N′−ビス(フェニル))ベンジジン(American Dye Source株式会社製、ADS−254)を10mlのトルエンに溶解した溶液を用い、2500rpm、30秒の条件下、スピンコート法により薄膜を形成した。更に60℃で1時間真空乾燥し、第2正孔輸送層を形成した。
【0358】
この第2正孔輸送層上に、ホスト材料として100mgのcH−6と、ドーパントとして10mgのRDp−13を10mlの酢酸ブチルに溶解した溶液を用い、2000rpm、30秒の条件下、スピンコート法により薄膜を形成した。更に60℃で1時間真空乾燥し、層厚約35nmの発光層とした。
【0359】
続いて、この基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方モリブデン製抵抗加熱ボートに第1電子輸送材料としてcH−5を200mg入れ、更に別のモリブデン製抵抗加熱ボートに第2電子輸送材料としてET−7を200mg入れ、真空蒸着装置に取り付けた。
【0360】
次いで真空槽を4×10
−4Paまで減圧した後、第1電子輸送材料cH−5の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で、前記発光層上に蒸着し、層厚10nmの第1電子輸送層を設けた。
【0361】
更に第2電子輸送材料ET−7の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で、前記第1電子輸送層上に蒸着し、層厚30nmの第2電子輸送層を設けた。
【0362】
引き続き、フッ化リチウムを蒸着して層厚0.5nmの電子注入層(陰極バッファー層)を形成し、更にアルミニウムを蒸着して層厚110nmの陰極を形成し、有機EL素子2−1を作製した。
【0363】
《有機EL素子2−2〜2−18の作製》
有機EL素子2−1の作製において、ドーパント、ホスト材料及び第1電子輸送材料を表19に記載の化合物に変えた以外は同様にして、有機EL素子2−2〜2−18を作製した。
【0364】
《有機EL素子2−1〜2−18の評価》
得られた有機EL素子2−1〜2−18を評価するに際しては、当該有機EL素子を実施例1の有機EL素子1−1〜1−18と同様に封止し、
図5及び
図6に示すような照明装置を形成して評価した。
このようにして作製した各サンプルに対し、実施例1と同様に、外部取り出し量子効率、半減寿命、駆動電圧、及び画素欠陥率について評価を行った。評価結果を表19に示す。なお、表3における外部取り出し量子効率、半減寿命、駆動電圧、及び画素欠陥率の測定結果は、有機EL素子2−1の測定値を100とする相対値で表した。
【0365】
本実施例では更に、有機EL素子の発光面ムラについての評価を行った。
即ち、有機EL素子を作成後、発光面を拡大倍率100倍の光学顕微鏡で観察し、面ムラを目視評価した。
◎:ムラが全く認められない。
○:塗ムラが殆ど認められない。
△:塗ムラが若干認められる。
×:塗ムラが認められる。
××:光学顕微鏡で拡大しなくとも、肉眼でムラが認められる。
【0366】
【表19】
【0367】
表19から明らかな通り、本発明に係る有機EL素子材料を、電子輸送材料及びホスト材料の少なくとも一つとして用いた有機EL素子は、比較例の有機EL素子に比べ、発光効率及び発光寿命に優れ、低電圧であることが明らかであり、更に、発光面の塗布ムラが少なく、画素欠陥形成抑制性にも優れていることが分かった。
【0368】
[実施例3]
《有機ELフルカラー表示装置の作製》
図7は、有機ELフルカラー表示装置の概略構成図を示す。
ガラス基板201上に、陽極としてITO透明電極202を100nm成膜した基板(NHテクノグラス社製NA45)に100μmのピッチでパターニングを行った後(
図7(a)参照)、このガラス基板201上であってITO透明電極202の間に非感光性ポリイミドの隔壁203(幅20μm、厚さ2.0μm)をフォトリソグラフィーで形成した(
図7(b)参照)。
【0369】
ITO電極202上であって隔壁203同士の間に下記組成の正孔注入層組成物を、インクジェットヘッド(エプソン社製;MJ800C)を用いて吐出注入し、紫外光を200秒間照射し、60℃、10分間の乾燥処理により、層厚40nmの正孔注入層204を設けた(
図7(c)参照)。
【0370】
この正孔注入層204上に、各々下記組成の青色発光層組成物、緑色発光層組成物、赤色発光層組成物を同様にインクジェットヘッドを使用して吐出注入し、60℃、10分間乾燥処理し、各色の発光層205B、205G、205Rを設けた(
図7(d)参照)。
【0371】
(正孔注入層組成物)
HT−44:20質量部
シクロヘキシルベンゼン:50質量部
イソプロピルビフェニル:50質量部
(青色発光層組成物)
ホスト材料1−1−7:0.7質量部
RDp−55:0.04質量部
シクロヘキシルベンゼン:50質量部
イソプロピルビフェニル:50質量部
(緑色発光層組成物)
ホスト材料1−1−7:0.7質量部
D−1:0.04質量部
シクロヘキシルベンゼン:50質量部
イソプロピルビフェニル:50質量部
(赤色発光層組成物)
ホスト材料1−1−7:0.7質量部
D−10:0.04質量部
シクロヘキシルベンゼン:50質量部
イソプロピルビフェニル:50質量部
なお、D−1及びD−10として、下記の化合物を用いた。
【0372】
【化79】
【0373】
次に、各発光層205B、205G、205Rを覆うように電子輸送材料を蒸着して層厚20nmの電子輸送層(図示略)を設け、更にフッ化リチウムを蒸着して層厚0.6nmの電子注入層(図示略)を設け、Alを蒸着して層厚130nmの陰極206を設けて有機EL素子を作製した(
図7(e)参照)。
【0374】
作製した有機EL素子はそれぞれ電極に電圧を印加することにより青色、緑色、赤色の発光を示し、フルカラー表示装置として利用できることがわかった。
【0375】
以上のように、本発明によれば、発光効率が高く、低駆動電圧、長寿命である有機エレクトロルミネッセンス素子、当該素子を用いたフルカラー表示装置を提供することができた。また、ウェットプロセスにおいて、高い画像欠陥抑制性、面ムラが小さい有機エレクトロルミネッセンス素子、当該素子を用いたフルカラー表示装置を提供することができた。