特許 6022949 光電変換モジュール

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6022949

(24)【登録日】2016年10月14日

(45)【発行日】2016年11月9日

(54)【発明の名称】光電変換モジュール

(51)【国際特許分類】

   H01L 31/048 20140101AFI20161027BHJP

【ＦＩ】

   H01L31/04 560

【請求項の数】4

【全頁数】12

(21)【出願番号】特願2013-2378(P2013-2378)

(22)【出願日】2013年1月10日

(65)【公開番号】特開2014-135377(P2014-135377A)

(43)【公開日】2014年7月24日

【審査請求日】2015年7月15日

(73)【特許権者】

【識別番号】000006633

【氏名又は名称】京セラ株式会社

(72)【発明者】

【氏名】永田 優

(72)【発明者】

【氏名】宮本 康治

(72)【発明者】

【氏名】棚橋 成夫

(72)【発明者】

【氏名】山地 徳一

【審査官】 森江 健蔵

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１２−１７５０７９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２０１２／０７３９２６（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開昭５９−１４４１７８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０２−２８６４２３（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ３１／０４８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

対向する第１主面および第２主面を有する基板と、
前記第１主面の中央部上に配された光電変換部と、
前記第１主面の外縁部上に配されているとともに前記光電変換部に電気的に接続された接続用電極と、
一端部が前記接続用電極に接続されているとともに他端部が前記基板の前記第２主面側に導出された配線導体と、
前記第１主面の中央部上で前記光電変換部を封止する封止材と、
該封止材の外側面を覆うとともに前記第１主面の外縁部上で前記配線導体を封止するシール材とを具備し、
前記基板は四角形状であり、前記配線導体は、前記基板の４つの辺のうちの第１の辺に沿った第１部位と、前記第１の辺に隣接する第２の辺に沿った第２部位と、前記第２の辺に隣接する第３の辺に沿った第３部位とを有している光電変換モジュール。

【請求項2】

前記第１部位および前記第２部位の接続部の近傍において、前記第１部位および前記第２部位は他の部位よりも太くなっている、請求項１に記載の光電変換モジュール。

【請求項3】

前記第２部位および前記第３部位の接続部の近傍において、前記第２部位および前記第３部位は他の部位よりも太くなっている、請求項１または２に記載の光電変換モジュール。

【請求項4】

対向する第１主面および第２主面を有する基板と、
前記第１主面の中央部上に配された光電変換部と、
前記第１主面の外縁部上に配されているとともに前記光電変換部に電気的に接続された接続用電極と、
一端部が前記接続用電極に接続されているとともに他端部が前記基板の前記第２主面側に導出された配線導体と、
前記第１主面の中央部上で前記光電変換部を封止する封止材と、
該封止材の外側面を覆うとともに前記第１主面の外縁部上で前記配線導体を封止するシール材とを具備し、
前記第１主面の外縁部にさらに線状の金属部材が前記光電変換部の外周に沿って配されているとともに、前記シール材が前記金属部材も封止している光電変換モジュール。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は光電変換部が封止材で封止された光電変換モジュールに関する。

【背景技術】

【0002】

近年、エネルギー問題や環境問題の深刻化に伴い、光エネルギーを電気エネルギーに変換する太陽光発電が注目を集めている。

【0003】

太陽光発電に使用される光電変換モジュールは、様々な種類のものがある。その中でも、ＣＩＳ系（銅インジウムセレナイド系）やＣＩＧＳ系（銅インジウムガリウムセレナイド系）等の化合物半導体薄膜や、アモルファスシリコン薄膜のような薄膜系の半導体層を用いたものは、比較的低コストで大面積の光電変換モジュールを容易に製造できる点から、研究開発が進められている。

【0004】

この薄膜系の光電変換モジュールは、ガラス基板などの第１基板上に、下部電極層、半導体層、および上部電極層が積層されてなる光電変換部が設けられている。この光電変換部の正極および負極にはそれぞれリード線等の配線導体の一端部が接続されているとともに、これらの配線導体の他端部は第１基板の裏面に配置された端子ボックスに導出されている。そして、これらの光電変換部および配線導体を覆うように、エチレンビニルアセテート共重合体（以下、ＥＶＡという）等の封止材が第１基板上に設けられ、さらにこの封止材上に白色強化ガラスなどから成る第２基板が設けられている。

【0005】

また、このような光電変換モジュールにおいては、外部から水分が浸入した場合、光電変換部が劣化し、光電変換効率が低下する場合がある。そのため、このような光電変換モジュールでは、水分を遮断するためのシール材が封止材の外周面を覆うように配置されている（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特開２０１１−２３１３０９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

光電変換モジュールは、耐湿性を向上することが常に要求される。上記光電変換モジュールでは、光電変換部へ水分の浸入を十分に抑制することができず、さらなる耐湿性の向上が望まれている。

【0008】

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、光電変換モジュールの耐湿性の向上を目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本発明の一実施形態に係る光電変換モジュールは、対向する第１主面および第２主面を有する基板と、前記第１主面の中央部上に配された光電変換部と、前記第１主面の外縁部上に配されているとともに前記光電変換部に電気的に接続された接続用電極と、一端部が前記接続用電極に接続されているとともに他端部が前記基板の前記第２主面側に導出された配線導体と、前記第１主面の中央部上で前記光電変換部を封止する封止材と、該封止材の外側面を覆うとともに前記第１主面の外縁部上で前記配線導体を封止するシール材とを具備する。そして、前記基板は四角形状であり、前記配線導体は、前記基板の４つの辺のうちの第１の辺に沿った第１部位と、前記第１の辺に隣接する第２の辺に沿った第２部位と、前記第２の辺に隣接する第３の辺に沿った第３部位とを有している。
本発明の他の実施形態に係る光電変換モジュールは、対向する第１主面および第２主面を有する基板と、前記第１主面の中央部上に配された光電変換部と、前記第１主面の外縁部上に配されているとともに前記光電変換部に電気的に接続された接続用電極と、一端部が前記接続用電極に接続されているとともに他端部が前記基板の前記第２主面側に導出された配線導体と、前記第１主面の中央部上で前記光電変換部を封止する封止材と、該封止材の外側面を覆うとともに前記第１主面の外縁部上で前記配線導体を封止するシール材とを具備する。そして、前記第１主面の外縁部にさらに線状の金属部材が前記光電変換部の外周に沿って配されているとともに、前記シール材が前記金属部材も封止している。

【発明の効果】

【0010】

本発明の一実施形態に係る光電変換モジュールによれば、光電変換モジュールの耐湿信頼性が向上する。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】一実施形態に係る光電変換モジュールにおける光電変換部を示す要部拡大斜視図である。

【図2】図１の光電変換部の断面図である。

【図3】一実施形態に係る光電変換モジュールの全体を示す斜視図である。

【図4】図３の光電変換モジュールの断面図である。

【図5】図３の光電変換モジュールの平面図である。

【図6】第１変形例に係る光電変換モジュールの平面図である。

【図7】第２変形例に係る光電変換モジュールの平面図である。

【図8】第３変形例に係る光電変換モジュールの平面図である。

【図9】第４変形例に係る光電変換モジュールの平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下に本発明の一実施形態に係る光電変換モジュールについて、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図面においては同様な構成および機能を有する部分については同じ符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。また、図面は模式的に示されたものであり、各図における各種構造のサイズおよび位置関係等は正確に図示されたものではない。また、図１〜図９には、後述する光電変換セルの配列方向をＸ軸とする右手系のＸＹＺ座標が付してある。まず、光電変換モジュールの一部である光電変換部について説明する。

【0013】

＜光電変換部の構成＞
図１は、光電変換部１１の要部拡大斜視図であり、図２はそのＸＺ断面図である。光電変換部１１は、第１基板１の主面上においてＸ軸方向に沿って並ぶように設けられた、複数の光電変換セル１０の集合体である。光電変換セル１０は、下部電極層２と、第１の導電型を有する第１の半導体層３と、第１の導電型とは異なる第２の導電型を有する第２の半導体層４と、上部電極層５とが順に積層されている。例えば、第１の導電型がｐ型であれば第２の導電型はｎ型であり、その逆の関係であってもよい。これら第１の半導体層３と第２の半導体層４とで電荷を良好に分離可能な光電変換層が形成される。

【0014】

光電変換部１１は、隣接する一方の光電変換セル１０の上部電極層５と他方の光電変換セル１０の下部電極層２とが接続導体６を介して電気的に接続されている。このような構成により、隣接する光電変換セル１０同士が直列接続されている。そして、光電変換部１１の端部において、直列接続された光電変換セル１０の一方の電極と電気的に接続された接続用電極２ａが設けられており、この接続用電極２ａに光電変換部１１の外部と電気的な接続を行なうための配線導体１３ａが接続される。同様に、光電変換部１１の反対側の端部において、直列接続された光電変換セル１０の他方の電極と電気的に接続された接続用電極２ｂが設けられており、この接続用電極２ｂに光電変換部１１の外部と電気的な接続を行なうための配線導体１３ｂが接続される。

【0015】

なお、図１、図２では、図示の都合上、２つの光電変換セル１０のみが示されているが、実際の光電変換部１１には、図面のＸ軸方向、或いは更に図面のＹ軸方向に、多数の光電変換セル１０が平面的に（二次元的に）配列されている。

【0016】

第１基板１は、対向する第１主面と第２主面とを有する平板状であり、第１主面上で光
電変換部を支持している。第１基板１に用いられる材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、樹脂および金属等が挙げられる。第１基板１としては、例えば、厚さ１〜３ｍｍ程度の青板ガラス（ソーダライムガラス）が用いられてもよい。

【0017】

下部電極層２（下部電極層２ａ〜２ｄ）は、第１基板１上に設けられた、Ｍｏ、Ａｌ、ＴｉまたはＡｕ等の導電体である。下部電極層２は、スパッタリング法または蒸着法などの公知の薄膜形成手法を用いて、０．２μｍ〜１μｍ程度の厚みに形成される。

【0018】

第１の半導体層３は第１の導電型を有する半導体層である。第１の半導体層３は、例えば１μｍ〜３μｍ程度の厚みを有する。第１の半導体層３の材料としては特に限定されず、化合物半導体薄膜やアモルファスシリコン薄膜のような薄膜半導体層が用いられ得る。比較的高い光電変換効率を有するという観点で、第１の半導体層３として、例えば、Ｉ−III−VI族化合物、Ｉ−II−IV−VI族化合物、II−VI族化合物等が用いられてもよい。

【0019】

Ｉ−III−VI族化合物とは、Ｉ−Ｂ族元素（１１族元素ともいう）とIII−Ｂ族元素（１３族元素ともいう）とVI-Ｂ族元素（１６族元素ともいう）との化合物である。Ｉ−III−VI族化合物としては、例えば、ＣｕＩｎＳｅ_２（二セレン化銅インジウム、ＣＩＳともいう）、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ_２（二セレン化銅インジウム・ガリウム、ＣＩＧＳともいう）、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓｅ，Ｓ）_２（二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム、ＣＩＧＳＳともいう）等が挙げられる。あるいは、第１の半導体層３は、薄膜の二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム層を表面層として有する二セレン化銅インジウム・ガリウム等の多元化合物半導体薄膜にて構成されていてもよい。Ｉ−III−VI族化合物は光吸収係数が比較的高く、第１の半導体層３が薄くても良好な光電変換効率が得られる。

【0020】

Ｉ−II−IV−VI族化合物とは、Ｉ−Ｂ族元素とII−Ｂ族元素（１２族元素ともいう）とIV−Ｂ族元素（１４族元素ともいう）とVI−Ｂ族元素との化合物半導体である。Ｉ−II−IV−VI族化合物としては、例えば、Ｃｕ_２ＺｎＳｎＳ_４（ＣＺＴＳともいう）、Ｃｕ_２ＺｎＳｎＳ_４−ｘＳｅ_ｘ（ＣＺＴＳＳｅともいう。なお、ｘは０より大きく４より小さい数である。）、およびＣｕ_２ＺｎＳｎＳｅ_４（ＣＺＴＳｅともいう）等が挙げられる。

【0021】

II−VI族化合物とは、II−Ｂ族元素とVI−Ｂ族元素との化合物半導体である。II−VI族化合物としてはＣｄＴｅ等が挙げられる。

【0022】

第２の半導体層４は、第１の半導体層３とは異なる第２導電型を有する半導体層である。第２の半導体層４は、第１の半導体層３とは異なる材料が第１の半導体層３上に積層されたものであってもよく、あるいは第１の半導体層３の表面部が他の元素のドーピングによって改質されたものであってもよい。

【0023】

第２の半導体層４としては、ＣｄＳ、ＺｎＳ、ＺｎＯ、Ｉｎ_２Ｓ_３、Ｉｎ_２Ｓｅ_３、Ｉｎ（ＯＨ，Ｓ）、（Ｚｎ，Ｉｎ）（Ｓｅ，ＯＨ）、および（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ等が挙げられる。この場合、第２の半導体層４は、例えばケミカルバスデポジション（ＣＢＤ）法等で１０〜２００ｎｍの厚みで形成される。なお、Ｉｎ（ＯＨ，Ｓ）とは、ＩｎとＯＨとＳとを主に含む化合物をいう。（Ｚｎ，Ｉｎ）（Ｓｅ，ＯＨ）は、ＺｎとＩｎとＳｅとＯＨとを主に含む化合物をいう。（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏは、ＺｎとＭｇとＯとを主に含む化合物をいう。

【0024】

図１、図２のように、第２の半導体層４上にさらに上部電極層５が設けられていてもよい。上部電極層５は、第２の半導体層４よりも抵抗率の低い層であり、第１の半導体層３および第２の半導体層４で生じたキャリアが良好に取り出される。光電変換効率をより高めるという観点からは、上部電極層５の抵抗率が１Ω・ｃｍ未満でシート抵抗が５０Ω／
□以下であってもよい。

【0025】

上部電極層５は、例えばＩＴＯ、ＺｎＯ等の０．０５〜３μｍの透明導電膜である。透光性および導電性を高めるため、上部電極層５は第２の半導体層４と同じ導電型の半導体で構成されてもよい。上部電極層５は、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長（ＣＶＤ）法等で形成され得る。

【0026】

また、図１、図２に示すように、上部電極層５上にさらに集電電極７が形成されていてもよい。集電電極７は、第１の半導体層３および第２の半導体層４で生じたキャリアをさらに良好に取り出すためのものである。集電電極７は、例えば、図１に示すように、光電変換セル１０の一端から接続導体６にかけて線状に形成されている。これにより、第１の半導体層３および第４の半導体層４で生じた電流が上部電極層５を介して集電電極７に集電され、接続導体６を介して隣接する光電変換セル１０に良好に導電される。

【0027】

集電電極７は、第１の半導体層３への光透過率を高めるとともに良好な導電性を有するという観点から、５０〜４００μｍの幅を有していてもよい。また、集電電極７は、枝分かれした複数の分岐部を有していてもよい。

【0028】

集電電極７は、例えば、Ａｇ等の金属粉を樹脂バインダー等に分散させた金属ペーストがパターン状に印刷され、これが硬化されることによって形成される。

【0029】

図１、図２において、接続導体６は、第１の半導体層３、第２の半導体層４および第２の電極層５を貫通（分断）する溝内に設けられた導体である。接続導体６は、金属や導電ペースト等が用いられ得る。図１、図２においては、集電電極７を延伸して接続導体６が形成されているが、これに限定されない。例えば、上部電極層５が延伸したものであってもよい。

【0030】

＜光電変換モジュールの構成＞
次に光電変換モジュールについて詳細に説明する。図３は一実施形態に係る光電変換モジュール２００の全体を示す斜視図であり、図４はその断面図である。また、図５は第２基板を除いた状態で上面視した光電変換モジュール２００の平面図である。

【0031】

光電変換モジュール２００は、図３、図４に示すように、第１基板１上に透光性の封止材２０およびシール材２１を介して透光性の第２基板１２を具備している。また、図５に示すように、封止材２０は、第１基板の第１主面の中央部上で光電変換部１１を封止している。さらに、シール材２１は、封止材２０の外側面を覆うとともに、第１基板の第１主面の外縁部上で配線導体１３ａおよび配線導体１３ｂを封止している。

【0032】

このような構成により、光電変換モジュール２００の耐湿信頼性が向上する。つまり、従来の光電変換モジュールは、水分が配線導体と封止材との界面を伝って光電変換部１１へと浸入し、この浸入した水分によって光電変換部１１が劣化しやすくなる傾向がある。これに対し、上記実施形態の光電変換モジュール２００では、水分の浸入経路となりやすい配線導体１３ａ、１３ｂがシール材２１で良好に封止されているため、水分の光電変換部１１への浸入が大いに低減される。特に、配線導体１３ａと接続用電極２ａとの接続部、および配線導体１３ｂと接続用電極２ｂとの接続部がシール材２１で封止されていることによって、配線導体１３ａ、１３ｂと接続用電極２ａ、２ｂとの接続信頼性がより高くなる。

【0033】

封止材２０は、光電変換セル１０を保護するためのものであり、光電変換セル１０上から第１基板１上にかけて設けられている。また、封止材２０は、光電変換部１１の光電変
換に用いられる光に対して透光性を有している。このような封止材２０としては、例えばエチレンビニルアセテート共重合体（ＥＶＡ）を主成分とする樹脂やポリビニルブチラールを主成分とする樹脂等が挙げられる。

【0034】

シール材２１は、封止材２０の周囲を取り囲むように、封止材２０の外周面に密着して設けられている。シール材２１は、水分が光電変換セル１０内へ浸入するのを低減するためのものであり、封止材２０よりも透湿性の低い部材が用いられる。このようなシール材２１としては、ポリエチレン等の樹脂、またはブチルゴムやエチレンプロピレンゴム等のゴムよりなる弾性体、もしくは上述した樹脂とゴムの混合物等が用いられ得る。

【0035】

また、シール材２１として、高分子材料に吸着材が分散されたものが用いられても良い。このような吸着材としては、水分を化学吸着する性質を有するものが用いられても良く、あるいは水分を物理吸着する性質を有するものが用いられても良い。水分を化学吸着する吸着材は、水分と化学反応を伴って、化学吸着する性質を有するものであり、例えば、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ナトリウム（Ｎａ_２Ｏ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、塩化カルシウム（ＣａＣｌ_２）、硫酸ナトリウム無水塩（Ｎａ_２ＳＯ_４）、硫酸銅無水塩（ＣｕＳＯ_４）または硫酸カルシウム（ＣａＳＯ_４）等がある。また、水分を物理吸着する吸着材は、吸着剤の表面と水分との間に発生するファンデルワールス力により水分を吸着するものであり、例えば、ゼオライトなどのモレキュラーシーブ、シリカゲル（ＳｉＯ_２・ｎＨ_２Ｏ）、アルミナ、アロフェンまたは活性炭等の多孔質表面を持つ無機物質等がある。

【0036】

また、封止材２０の膨張および収縮をより拘束して封止信頼性をより高めるという観点からは、シール材２１の熱膨張係数が封止材２０の熱膨張係数よりも小さくてもよい。例えば、シール材２１の線膨張係数が封止材２０の線膨張係数の０．０５〜０.９倍であっ
てもよい。

【0037】

配線導体１３ａ、１３ｂは、光電変換部１１上の接続用電極部２ａ、２ｂに、それぞれ電気的に接続されている。また、配線導体１３ａ、１３ｂの他方の端部は、図３に示されるように、第１基板１を上下方向に貫通する孔１ａを介して裏面（第２主面）に導出され、光電変換モジュール２００の第２主面に配置された端子ボックスに接続されている。そして、この端子ボックスを介して、光電変換モジュール２００で発電した電力が外部回路に出力されることとなる。なお、配線導体１３ａ、１３ｂの第１基板１の第２主面への導出は、図３のような孔１ａを介した構成に限定されず、第１基板１の側面を経て第２主面に導出された構成であってもよい。

【0038】

配線導体１３ａ、１３ｂは、例えば、厚さ０．１〜０．５ｍｍ程度、幅が１〜７ｍｍ程度の銅（Ｃｕ）などの金属箔が用いられる。また。この金属箔の表面には、接続用電極部２ａ、２ｂとの電気的な接続を良好にすべく、錫、ニッケル、アルミニウムまたは半田などがめっき等によってコーティングされていてもよい。

【0039】

第１基板１が図５に示すような長方形状等の四角形状である場合、配線導体１３ａは、第１基板１の４つの辺のうちの１つの辺（図５の＋Ｙ側の辺を第１辺とする）に沿った第１部位１３−１ａと、第１辺に隣接する辺（図５の＋Ｘ側の辺を第２辺とする）に沿った第２部位１３−２ａとを有していてもよい。同様に、配線導体１３ｂは、四角形状の４つの辺のうちの１つの辺（第１辺）に沿った第１部位１３−１ｂと、第１辺に隣接する辺（図５の−Ｘ側の辺を第４辺とする）に沿った第２部位１３−２ｂとを有していてもよい。この場合、第１辺および第２辺、または、第１辺および第４辺からシール材２１内に浸透した水分が光電変換部１１側へさらに浸透しようとするのを、金属から成る配線導体１３ａまたは配線導体１３ｂで有効に低減でき、より耐湿信頼性が向上する。

【0040】

＜光電変換モジュールの第１変形例＞
次に、本発明の光電変換モジュールの変形例について説明する。図６は光電変換モジュールの第１変形例を示す断面図である。図６に示される光電変換モジュール３００において、上述した図５に示される光電変換モジュール２００と同様な構成および機能を有する部分については図５と同じ符号が付されている。光電変換モジュール３００では、配線導体３３ａは、第１辺（図６の＋Ｙ側の辺を第１辺とする）に沿った第１部位３３−１ａおよび第２辺（図６の＋Ｘ側の辺を第２辺とする）に沿った第２部位３３−２ａに加え、さらに第２辺に隣接する辺（図６の−Ｙ側の辺を第３辺とする）に沿った第３部位３３−３ａを有している。同様に、配線導体３３ｂは、第１辺に沿った第１部位３３−１ｂおよび第４辺（図６の−Ｘ側の辺を第４辺とする）に沿った第２部位３３−２ａに加え、さらに第４辺に隣接する第３辺に沿った第３部位３３−３ｂを有している。

【0041】

このような構成により、第１辺〜第４辺からシール材２１内に浸透した水分が光電変換部１１側へさらに浸透しようとするのを、金属から成る配線導体３３ａまたは配線導体３３ｂでより有効に低減でき、さらに耐湿信頼性が向上する。

【0042】

＜光電変換モジュールの第２変形例＞
図７は光電変換モジュールの第２変形例を示す断面図である。図７に示される光電変換モジュール４００において、上述した図５に示される光電変換モジュール２００と同様な構成および機能を有する部分については図５と同じ符号が付されている。光電変換モジュール４００は、配線導体４３ａが第１辺（図７の＋Ｙ側の辺を第１辺とする）に沿った第１部位４３−１ａおよび第２辺（図７の＋Ｘ側の辺を第２辺とする）に沿った第２部位４３−２ａを有しており、第１部位４３−１ａおよび第２部位４３−２ａの接続部４３−１２ａの近傍において、第１部位４３−１ａおよび第２部位４３−２ａは他の部位よりも太くなっている。同様に、配線導体４３ｂが第１辺に沿った第１部位４３−１ｂおよび第４辺（図７の−Ｘ側の辺を第４辺とする）に沿った第２部位４３−２ｂを有しており、第１部位４３−１ｂおよび第２部位４３−２ｂの接続部４３−１２ｂの近傍において、第１部位４３−１ｂおよび第２部位４３−２ｂは他の部位よりも太くなっている。

【0043】

このような構成により、熱膨張等によって応力が集中しやすい矩形状の接続部４３−１２ａまたは接続部４３−１２ｂにおいて、シール材２１との密着面積が高くなる。その結果、シール材２１と配線導体４３ａ、４３ｂとの界面で剥離が生じて水分の浸入経路となるのをより有効に低減できる。

【0044】

＜光電変換モジュールの第３変形例＞
図８は光電変換モジュールの第３変形例を示す断面図である。図８に示される光電変換モジュール５００において、上述した図５に示される光電変換モジュール２００と同様な構成および機能を有する部分については図５と同じ符号が付されている。光電変換モジュール５００は、配線導体５３ａが第１辺（図８の＋Ｙ側の辺を第１辺とする）に沿った第１部位５３−１ａおよび第２辺（図８の＋Ｘ側の辺を第２辺とする）に沿った第２部位５３−２ａに加えて第３辺（図８の−Ｙ側の辺を第３辺とする）に沿った第３部位５３−３ａを有しており、第２部位５３−２ａおよび第３部位５３−３ａの接続部５３−２３ａの近傍において、第２部位５３−２ａおよび第３部位５３−３ａは他の部位よりも太くなっている。同様に、配線導体５３ｂが第１辺に沿った第１部位５３−１ｂおよび第４辺（図８の−Ｘ側の辺を第４辺とする）に沿った第２部位５３−２ｂに加えて第３辺に沿った第３部位５３−３ｂを有しており、第２部位５３−２ｂおよび第３部位５３−３ｂの接続部５３−２３ｂの近傍において、第２部位５３−２ｂおよび第３部位５３−３ｂは他の部位よりも太くなっている。

【0045】

このような構成により、熱膨張等によって応力が集中しやすい矩形状の接続部５３−２３ａまたは接続部５３−２３ｂにおいて、シール材２１との密着面積が高くなる。その結果、シール材２１と配線導体５３ａ、５３ｂと界面で剥離が生じて水分の浸入経路となるのをより有効に低減できる。

【0046】

また、光電変換モジュール５００は、図８に示されるように、さらに、配線導体５３ａが第１部位５３−１ａおよび第２部位５３−２ａの接続部５３−１２ａの近傍において、第１部位５３−１ａおよび第２部位５３−２ａが他の部位よりも太くなっていてもよい。同様に、配線導体５３ｂが第１部位５３−１ｂおよび第２部位５３−２ｂの接続部５３−１２ｂの近傍において、第１部位５３−１ｂおよび第２部位５３−２ｂが他の部位よりも太くなっていてもよい。これにより、接続部５３−２３ａまたは接続部５３−２３ｂにおいても、シール材２１との密着面積が高くなり、光電変換部１１への水分の浸入をより低減できる。

【0047】

＜光電変換モジュールの第４変形例＞
図９は光電変換モジュールの第４変形例を示す断面図である。図９に示される光電変換モジュール６００において、上述した図５に示される光電変換モジュール２００と同様な構成および機能を有する部分については図５と同じ符号が付されている。光電変換モジュール６００は、第１基板１の第１主面の外縁部にさらに線状の金属部材６０が、光電変換部１１の外周に沿って配されているとともに、シール材２１が金属部材６０も封止している。このような構成により、外部からシール材２１内に浸透した水分が光電変換部１１側へさらに浸透しようとするのを、金属部材６０で有効に低減でき、より耐湿信頼性が向上する。なお、金属部材６０としては、例えば、銅やアルミニウム等が用いられ得る。

【0048】

なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更が施されることは何等差し支えない。例えば、上記光電変換モジュール２００、３００、４００、５００、６００のいずれにおいても、配線導体１３ａ、１３ｂ、３３ａ、３３ｂ、４３ａ、４３ｂ、５３ａ、５３ｂは、分岐部を有していてもよい。分岐部によって配線導体が並列に配された場合、シール材２１中に浸透した水分が光電変換部１１側へさらに浸透するのをより有効に低減できる。

【符号の説明】

【0049】

１：第１基板
２：下部電極層
２ａ、２ｂ：接続用電極
３：第１の半導体層
４：第２の半導体層
５：上部電極層
１０：光電変換セル
１１：光電変換部
１２：第２基板
１３ａ、１３ｂ、３３ａ、３３ｂ、４３ａ、４３ｂ、５３ａ、５３ｂ：配線導体
６０：金属部材
２０：封止材
２１：シール材
２００、３００、４００、５００、６００：光電変換モジュール

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】