(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】6025639
(24)【登録日】2016年10月21日
(45)【発行日】2016年11月16日
(54)【発明の名称】ミリ波帯用電波ハーフミラー及びその透過率平坦化方法
(51)【国際特許分類】
H01P 1/207 20060101AFI20161107BHJP
【FI】
H01P1/207 Z
【請求項の数】5
【全頁数】10
(21)【出願番号】特願2013-68971(P2013-68971)
(22)【出願日】2013年3月28日
(65)【公開番号】特開2014-192839(P2014-192839A)
(43)【公開日】2014年10月6日
【審査請求日】2015年7月16日
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】(出願人による申告)平成24年度、総務省、電波資源拡大のための研究開発委託研究、産業技術力強化法第19条の適用を受ける特許出願
(73)【特許権者】
【識別番号】000000572
【氏名又は名称】アンリツ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100072604
【弁理士】
【氏名又は名称】有我 軍一郎
(72)【発明者】
【氏名】河村 尚志
【審査官】
岸田 伸太郎
(56)【参考文献】
【文献】
特許第5442702(JP,B2)
【文献】
米国特許第06111472(US,A)
【文献】
米国特許第04598262(US,A)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
H01P 1/00−11/00
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
ミリ波帯の電磁波を単一モードで伝搬する導波管(10)が形成する導波路(11)の内部に固定され、入射する電磁波の一部を透過させ、一部を反射させるミリ波帯用電波ハーフミラー(20)であって、
前記ミリ波帯用電波ハーフミラーは、前記導波路を塞ぐ外形を有する金属板(21)と、前記導波路の開口長辺に沿って前記金属板に設けられた電磁波透過用のスリット(22)と、を有し、
前記電磁波が前記スリットを透過する方向における前記金属板の厚さが、前記電磁波の透過率の周波数特性に基づいて設定されていることを特徴とするミリ波帯用電波ハーフミラー。
【請求項2】
ミリ波帯の電磁波を単一モードで伝搬する導波管(10)が形成する導波路(11)の内部に固定され、入射する電磁波の一部を透過させ、一部を反射させるミリ波帯用電波ハーフミラー(40)であって、
前記ミリ波帯用電波ハーフミラーは、前記導波路を塞ぐ外形を有する閉塞板(41)と、前記導波路の開口長辺に沿って前記閉塞板に設けられた電磁波透過用のスリット(22)と、前記閉塞板の前記スリット側の面を含む前記閉塞板の表面に形成された金属メッキ部(42)と、を有し、
前記電磁波が前記スリットを透過する方向における前記閉塞板の厚さと前記閉塞板の表面に形成された金属メッキ部(42a、42c)の厚さとの和が、前記電磁波の透過率の周波数特性に基づいて設定されていることを特徴とするミリ波帯用電波ハーフミラー。
【請求項3】
前記導波路の開口長辺と直交する方向における前記スリットの幅が、前記電磁波の透過率の周波数特性に基づいて設定されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のミリ波帯用電波ハーフミラー。
【請求項4】
ミリ波帯の電磁波を単一モードで伝搬する導波管(10)が形成する導波路(11)の内部に固定したミリ波帯用電波ハーフミラー(20)の透過率平坦化方法であって、
前記ミリ波帯用電波ハーフミラーは、前記導波路を塞ぐ外形を有する金属板(21)と、前記導波路の開口長辺に沿って前記金属板に設けられた電磁波透過用のスリット(22)と、を有し、
前記電磁波が前記スリットを透過する方向における前記金属板の厚さを前記電磁波の透過率の周波数特性に基づいて設定することにより、前記ミリ波帯用電波ハーフミラーの透過率の周波数特性を平坦化することを特徴とするミリ波帯用電波ハーフミラーの透過率平坦化方法。
【請求項5】
ミリ波帯の電磁波を単一モードで伝搬する導波管(10)が形成する導波路(11)の内部に固定したミリ波帯用電波ハーフミラー(40)の透過率平坦化方法であって、
前記ミリ波帯用電波ハーフミラーは、前記導波路を塞ぐ外形を有する閉塞板(41)と、前記導波路の開口長辺に沿って前記閉塞板に設けられた電磁波透過用のスリット(22)と、前記閉塞板の前記スリット側の面を含む前記閉塞板の表面に形成された金属メッキ部(42)と、を有し、
前記電磁波が前記スリットを透過する方向における前記閉塞板の厚さと前記閉塞板の表面に形成された金属メッキ部(42a、42c)の厚さとの和を前記電磁波の透過率の周波数特性に基づいて設定することにより、前記ミリ波帯用電波ハーフミラーの透過率の周波数特性を平坦化することを特徴とするミリ波帯用電波ハーフミラーの透過率平坦化方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ミリ波帯用の導波管内に固定される電波ハーフミラーにおいて、導波管によって形成される導波路を伝搬する電磁波に対する透過率の周波数特性を平坦化するための技術に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、ユビキタスネットワーク社会を迎え、電波利用ニーズが高まる中、家庭内のワイヤレスブロードバンド化を実現するWPAN(ワイヤレスパーソナルエリアネットワーク)や安全・安心な運転をサポートするミリ波レーダー等のミリ波帯無線システムが利用され始めている。また、100GHz超無線システム実現への取組も積極的に行われてきている。
【0003】
その一方で、60〜70GHz帯の無線システムの2次高調波評価や100GHz超の周波数帯における無線信号の評価については、周波数が高くなるにつれ測定器の雑音レベル及びミキサの変換損失が増加するとともに周波数精度が低下するため、100GHzを超える無線信号の高感度、高精度測定技術が確立されていない状況となっている。しかも、これまでの測定技術では局部発振の高調波を測定結果から分離することができず、不要発射等の厳密な測定が困難となっている。
【0004】
これらの技術課題を克服し、100GHz超帯域無線信号の高感度・高精度測定を実現するためには、イメージ応答及び高次高調波応答を抑制するためのミリ波帯の狭帯域なフィルタをはじめ、種々の回路技術の開発が要求されている。
【0005】
例えば、ミリ波帯で周波数可変型として用いられるフィルタとしては、(a)YIG共振器を用いたもの、(b)バラクタダイオードを共振器に付加したもの、(c)ファブリペロー共振器が知られている。
【0006】
(a)のYIG共振器を用いたものでは現状で80GHz程度まで使用できるものが知られ、(b)のバラクタダイオードを共振器に付加したものでは40GHz程度まで使用できるものが知られているが、100GHzを超える周波数では製造が困難である。
【0007】
これに対し、(c)のファブリペロー共振器は光の分野でよく用いられており、これをミリ波に用いる技術が非特許文献1に開示されている。この非特許文献1には、ミリ波を反射させる一対の球面反射鏡を、その曲率半径に等しい間隔で対向させて高いQを実現した共焦点型のファブリペロー共振器が示されている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【0008】
【非特許文献1】手代木 扶、米山 務 著「新ミリ波技術」オーム社,1993年、p71
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
しかしながら、上記共焦点型のファブリペロー共振器では、通過帯域をチューニングするために鏡面間の距離を変化させた場合、原理的に焦点がずれるためQの大幅な低下が予想される。したがって周波数毎に曲率の違う反射鏡対を選択的に用いなければならない。
【0010】
一方、光の分野でよく用いられるファブリペロー共振器としては平面型ハーフミラーを対向配置した構造のものがあり、この構造であれば、原理的に鏡面間の距離を変化させてもQの低下は生じないが、この平面型ファブリペロー共振器を利用したフィルタをミリ波帯で実現するためには、さらに解決すべき次のような課題があった。
【0011】
(A)ハーフミラーに平面波を平行に入射する必要がある。フィルタへの入力が導波管の場合、その径をホーンアンテナのように大きくし平面波を実現することが考えられるがサイズが大きくなる。その場合でも完全平面波の実現は困難であり特性が劣化する。(B)ハーフミラーは平面波の一定量を平面波のままで透過させる機能をもつ必要がある。このためハーフミラーの構造が制限され、設計の自由度が低い。(C)開放型であるため、空間に放射することによる損失が大きい。
【0012】
上記課題を解決するための技術として、単一モード(TE10モード)でミリ波帯の電磁波を伝搬する導波管からなる導波路内に一対の電波ハーフミラーを対向配置させて電波ハーフミラー間に共振器を形成し、波面変換が不要で、空間放射による損失が無いフィルタを実現することが考えられる。
【0013】
ところが、上記フィルタに用いる電波ハーフミラーが透過率に周波数特性を持つ場合、その周波数特性が電波ハーフミラー全体の透過率の平坦度を劣化させ、上記フィルタに用いた場合には、周波数毎の損失や透過帯域にバラツキが発生する。
【0014】
本発明は、上記課題を解決し、透過率の周波数特性を平坦化することができるミリ波帯用電波ハーフミラー及びその透過率平坦化方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0015】
本発明の請求項1に係るミリ波帯用電波ハーフミラーは、ミリ波帯の電磁波を単一モードで伝搬する導波管(10)が形成する導波路(11)の内部に固定され、入射する電磁波の一部を透過させ、一部を反射させるミリ波帯用電波ハーフミラー(20)であって、前記ミリ波帯用電波ハーフミラーは、前記導波路を塞ぐ外形を有する金属板(21)と、前記導波路の開口長辺に沿って前記金属板に設けられた電磁波透過用のスリット(22)と、を有し、前記電磁波が前記スリットを透過する方向における前記金属板の厚さが、前記電磁波の透過率の周波数特性に基づいて設定されている構成を有している。
【0016】
この構成により、本発明の請求項1に係るミリ波帯用電波ハーフミラーは、電磁波がスリットを透過する方向における金属板の厚さが、電磁波の透過率の周波数特性に基づいて設定されているので、金属板を所定の厚さにすることにより、透過率の周波数特性を平坦化することができる。
【0017】
本発明の請求項2に係るミリ波帯用電波ハーフミラーは、ミリ波帯の電磁波を単一モードで伝搬する導波管(10)が形成する導波路(11)の内部に固定され、入射する電磁波の一部を透過させ、一部を反射させるミリ波帯用電波ハーフミラー(40)であって、前記ミリ波帯用電波ハーフミラーは、前記導波路を塞ぐ外形を有する閉塞板(41)と、前記導波路の開口長辺に沿って前記閉塞板に設けられた電磁波透過用のスリット(22)と、前記閉塞板の前記スリット側の面を含む前記閉塞板の表面に形成された金属メッキ部(42)と、を有し、前記電磁波が前記スリットを透過する方向における前記閉塞板の厚さと前記閉塞板の表面に形成された金属メッキ部(42a、42c)の厚さとの和が、前記電磁波の透過率の周波数特性に基づいて設定されている構成を有している。
【0018】
この構成により、本発明の請求項2に係るミリ波帯用電波ハーフミラーは、電磁波がスリットを透過する方向における閉塞板の厚さと閉塞板の表面に形成された金属メッキ部の厚さとの和が、電磁波の透過率の周波数特性に基づいて設定されているので、閉塞板の厚さと金属メッキ部の厚さとの和を所定値にすることにより、透過率の周波数特性を平坦化することができる。
【0019】
本発明の請求項3に係るミリ波帯用電波ハーフミラーは、前記導波路の開口長辺と直交する方向における前記スリットの幅が、前記電磁波の透過率の周波数特性に基づいて設定されている構成を有している。
【0020】
この構成により、本発明の請求項3に係るミリ波帯用電波ハーフミラーは、導波路の開口長辺と直交する方向におけるスリットの幅が、電磁波の透過率の周波数特性に基づいて設定されているので、所望する透過率のレベルで透過率の周波数特性を平坦化することができる。
【0021】
本発明の請求項4に係るミリ波帯用電波ハーフミラーの透過率平坦化方法は、ミリ波帯の電磁波を単一モードで伝搬する導波管(10)が形成する導波路(11)の内部に固定したミリ波帯用電波ハーフミラー(20)の透過率平坦化方法であって、前記ミリ波帯用電波ハーフミラーは、前記導波路を塞ぐ外形を有する金属板(21)と、前記導波路の開口長辺に沿って前記金属板に設けられた電磁波透過用のスリット(22)と、を有し、前記電磁波が前記スリットを透過する方向における前記金属板の厚さを前記電磁波の透過率の周波数特性に基づいて設定することにより、前記ミリ波帯用電波ハーフミラーの透過率の周波数特性を平坦化する構成を有している。
【0022】
この構成により、本発明の請求項4に係るミリ波帯用電波ハーフミラーの透過率平坦化方法は、電磁波がスリットを透過する方向における金属板の厚さを電磁波の透過率の周波数特性に基づいて設定することにより、ミリ波帯用電波ハーフミラーの透過率の周波数特性を平坦化することができる。
【0023】
本発明の請求項5に係るミリ波帯用電波ハーフミラーの透過率平坦化方法は、ミリ波帯の電磁波を単一モードで伝搬する導波管(10)が形成する導波路(11)の内部に固定したミリ波帯用電波ハーフミラー(40)の透過率平坦化方法であって、前記ミリ波帯用電波ハーフミラーは、前記導波路を塞ぐ外形を有する閉塞板(41)と、前記導波路の開口長辺に沿って前記閉塞板に設けられた電磁波透過用のスリット(22)と、前記閉塞板の前記スリット側の面を含む前記閉塞板の表面に形成された金属メッキ部(42)と、を有し、前記電磁波が前記スリットを透過する方向における前記閉塞板の厚さと前記閉塞板の表面に形成された金属メッキ部(42a、42c)の厚さとの和を前記電磁波の透過率の周波数特性に基づいて設定することにより、前記ミリ波帯用電波ハーフミラーの透過率の周波数特性を平坦化する構成を有している。
【0024】
この構成により、本発明の請求項5に係るミリ波帯用電波ハーフミラーの透過率平坦化方法は、電磁波がスリットを透過する方向における閉塞板の厚さと閉塞板の表面に形成された金属メッキ部の厚さとの和を電磁波の透過率の周波数特性に基づいて設定することにより、ミリ波帯用電波ハーフミラーの透過率の周波数特性を平坦化することができる。
【発明の効果】
【0025】
本発明は、透過率の周波数特性を平坦化することができるという効果を有するミリ波帯用電波ハーフミラー及びその透過率平坦化方法を提供することができるものである。
【図面の簡単な説明】
【0026】
【
図1】本発明の第1実施形態におけるミリ波帯用電波ハーフミラーの構成図である。
【
図2】本発明の第1実施形態において、電波ハーフミラーの厚さLと透過率の周波数特性との関係を示す図である。
【
図3】本発明の第1実施形態において、スリットの幅と透過率の周波数特性との関係を示す図である。
【
図4】本発明の第1実施形態におけるミリ波帯用フィルタの構成図である。
【
図5】本発明の第2実施形態におけるミリ波帯用電波ハーフミラーの構成図である。
【発明を実施するための形態】
【0027】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。
【0028】
(第1実施形態)
図1は、本実施形態におけるミリ波帯用電波ハーフミラー(以下「電波ハーフミラー」という。)20の構造を示し、
図1(a)は側面図、
図1(b)はAA線断面図を示している。
【0029】
電波ハーフミラー20は、ミリ波帯(例えばFバンド)で単一モード(TE10モード)の電磁波を伝搬させる内径(a×b=2.032mm×1.016mm)の矩形の導波管10に形成される導波路11を塞ぐように固定されている。
【0030】
電波ハーフミラー20は、所定の厚さL(例えばL=0.65mm)を有し、導波管10の内径と等しい外形で導波管10に内接する矩形の金属板21に、電磁波透過用のスリット22が設けられた構造を有している。ここで、金属板21の材質としては、挿入損失を低損失とし、Q値を高くするために、比較的導電率の高い金属、例えば金、銀、銅などで形成するのが好ましい。また、スリット22は、
図1の(b)に示しているように、所定の幅W(例えばW=0.05mm)を有し、導波管10の開口長辺に沿って金属板21の中央を横切るように形成されている。
【0031】
次に、この構造の電波ハーフミラー20の特性に関するシミュレーション結果について説明する。ここで、金属板21の材質を金とした。
【0032】
まず、スリット22の幅W=0.05mmの場合において、金属板21の厚さLを0.5mm、0.65mm、0.8mmと変化させたときの透過率(S
21)の周波数特性を
図2に示す。
図2に示すように、金属板21の厚さLを変化させることにより、透過率の周波数特性を変化させることができ、L=0.65mmのとき使用帯域である110GHz〜140GHzの範囲内で、ほぼ平坦(±0.2dB程度)となっている。
【0033】
次に、金属板21の厚さL=0.5mmの場合において、スリット22の幅Wを0.04mm、0.05mm、0.06mmと変化させたときの透過率の周波数特性を
図3に示す。
図3に示すように、スリット22の幅Wが狭くなるに従って透過率のレベルが低下することがわかる。
【0034】
以上より、本実施形態における電波ハーフミラー20は、金属板21の厚さLによる透過率の周波数特性に基づいて、金属板21の厚さLを所定値に設定することにより、所望する透過率のレベルを有する電波ハーフミラー20を得ることができる。したがって、透過率の周波数特性が平坦となる金属板21の厚さL(
図2ではL=0.65mm)とすれば、本実施形態における電波ハーフミラー20は、透過率の周波数特性を平坦化することができる。
【0035】
また、金属板21の厚さLによる透過率の周波数特性と、スリット22の幅Wによる透過率の周波数特性とを組み合わせることにより、所望する透過率の周波数特性、所望する透過率のレベルを有する電波ハーフミラー20を得ることができる。
【0036】
また、本実施形態における電波ハーフミラー20は、金属板21にスリット22を設ければよいので、簡易な構成とすることができる。その結果、本実施形態における電波ハーフミラー20は、複雑な構成のものよりも、部品点数を削減することができるとともに、組立工程での組立誤差を小さくでき組立歩留を向上させることができるので、低コスト化を図ることができる。
【0037】
図4は、前述の電波ハーフミラー20の構造を用いたミリ波帯用フィルタ30を示している。
【0038】
ミリ波帯用フィルタ30は、前述のFバンド用の同径の第1導波管31と第2導波管32とを、その端面が対向するようにして同軸に配置し、その端部が僅かに大きい口径の第3導波管33の両端に内接した状態で挿入されており、これら3つの連続した第1導波管31、第2導波管32及び第3導波管33によってミリ波帯の所望周波数範囲を単一モードで伝搬させる導波路を形成している。
【0039】
そして、2つの電波ハーフミラー20が、第1導波管31、第2導波管32の端部に取り付けられており、その第1導波管31と第2導波管32の少なくとも一方が、第3導波管33に保持された状態で長さ方向にスライド移動できるようになっている。
【0040】
したがって、互いに対向する2つの電波ハーフミラー20の間に平面型ファブリペロー共振器が形成され、しかも、その間隔dが可変されるので共振周波数を変化させることができ、波面変換が不要で、外部放射による損失がなく、広い周波数範囲にわたって特性が一様なミリ波帯の周波数可変フィルタが実現できる。
【0041】
なお、ここでは周波数可変型のフィルタの例を示したが、周波数固定であれば1本の連続した導波管の内部に2つの電波ハーフミラー20を固定すればよく、また、導波管内の2つの電波ハーフミラー20の位置を直接外部から可変できるようにしてもよい。
【0042】
(第2実施形態)
次に、本発明に係る電波ハーフミラーの第2実施形態について説明する。
【0043】
本実施形態における電波ハーフミラー40は、第1実施形態(
図1(a)参照)における電波ハーフミラー20に代わるものであって、その構成を
図5に示す。
【0044】
図5に示すように、電波ハーフミラー40は、例えば金属(鉄、ステンレス等)で形成されたハーフミラー本体41と、その外面に形成された金属メッキ部42とを備えている。ここで、ハーフミラー本体41は、本発明に係る閉塞板を構成する。なお、ハーフミラー本体41の材質は金属に限定されるものではなく、樹脂で構成してもよい。
【0045】
金属メッキ部42は、挿入損失を低損失とし、Q値を高くするために、比較的導電率の高い金属メッキ、例えば金メッキ、銀メッキ、銅メッキなどで形成されている。この金属メッキ部42は、電磁波が入射する入射側導波路12側に形成された入射側金属メッキ部42a、スリット22の側に形成されたスリット側金属メッキ部42b、共振部13側に形成された共振部側金属メッキ部42cを有している。
【0046】
金属メッキ部42の厚さtは、使用帯域である110GHz〜140GHzの電磁波が入り込む深さと考えられる0.2μm程度よりも厚ければよく、例えば1μm程度が好ましい。
【0047】
前述の構成において、第1実施形態で説明した
図2及び
図3に示したデータを適用すれば、電波ハーフミラー40の厚さL及びスリット22の幅Wを所定値に設定することにより、所望する透過率の周波数特性、所望する透過率のレベルを有する電波ハーフミラー40を得ることができる。
【0048】
ここで、電波ハーフミラー40の厚さLは、
図5に示すように、ハーフミラー本体41の厚さと、入射側金属メッキ部42a及び共振部側金属メッキ部42cの厚さとを加えた寸法である。
【0049】
なお、ハーフミラー本体41が金属で形成されている場合には、入射した電磁波はスリット22を透過して共振部13で共振する構成であるので、金属メッキ部42は少なくともスリット側金属メッキ部42b及び共振部側金属メッキ部42cを有すればよい。この場合には、電波ハーフミラー40の厚さLは、ハーフミラー本体41の厚さと、共振部側金属メッキ部42cの厚さとを加えた寸法である。
【0050】
以上より、本実施形態における電波ハーフミラー40は、電波ハーフミラー40の厚さLによる透過率の周波数特性に基づいて、電波ハーフミラー40の厚さLを所定値に設定することにより、所望する透過率のレベルを有する電波ハーフミラー40を得ることができる。したがって、透過率の周波数特性が平坦となる電波ハーフミラー40の厚さL(
図2ではL=0.65mm)とすれば、本実施形態における電波ハーフミラー40は、透過率の周波数特性を平坦化することができる。
【産業上の利用可能性】
【0051】
以上のように、本発明に係るミリ波帯用電波ハーフミラー及びその透過率平坦化方法は、透過率の周波数特性を平坦化することができるという効果を有し、導波管によって形成される導波路を伝搬する電磁波に対する透過率の周波数特性を平坦化するミリ波帯用電波ハーフミラー及びその透過率平坦化方法として有用である。
【符号の説明】
【0052】
10 導波管
11 導波路
12 入射側導波路
13 共振部
20、40 電波ハーフミラー(ミリ波帯用電波ハーフミラー)
21 金属板
22 スリット
30 ミリ波帯用フィルタ
31 第1導波管
32 第2導波管
33 第3導波管
41 ハーフミラー本体(閉塞板)
42 金属メッキ部
42a 入射側金属メッキ部
42b スリット側金属メッキ部
42c 共振部側金属メッキ部