発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、前述の逆阻止ＩＧＢＴの製造方法では、裏面側のエッチング溝を形成し、裏面側フォトレジスト剥離の後、ｐ型コレクタ層とｐ型コレクタ電極の形成に際して、表面側の半導体機能領域へのダメージを避けるには、表面側のフォトレジストを残し、裏面側フォトレジストだけを剥離しなければならない。しかし、実際には、この工程が容易であるとは簡単に言えない点が問題である。すなわち、従来の製造方法のプロセスフローである図３の（ｆ）に示すように、裏面側フォトレジストを剥離しようとしてフォトレジストの剥離液に半導体基板を浸漬すると、表面と裏面とでフォトレジストを変えるなどしても、裏面側のレジストだけでなく、表面側のフォトレジストも一部剥離する現象がおき易くなる。しかも、裏面側フォトレジストの剥離に使用される薬液によって、表面側フォトレジストがダメージを受けないだけでなく、フォトレジスト剥離後の裏面側のＳｉ基板面も影響を受けない材料とする必要がある。尚、図示しないが裏面側フォトレジストの剥離をドライプロセスで行う場合も、表面へのガスの回り込みが生じるため、表面側のフォトレジストには同様の要求がなされる。その結果、表面のフォトレジスト材料、場合によっては裏面側のフォトレジスト材料またはその剥離材料は大きく限られ、高価で特殊な材料を用いなければならないことが問題となる。この問題は表面側にデバイス構造を有し、裏面側のＳｉ基板の表面形状をパターン加工する必要のある他の半導体装置を製造する際にも共通の課題となる。 本発明は、以上説明した点を考慮してなされたものであり、本発明の目的は、表面側保護膜が裏面側フォトレジストの剥離液に対する耐性を備えていなくても、表面側に保護膜を形成し裏面側Ｓｉ基板にパターンエッチングして溝を形成した後、裏面側のフォトレジストだけを剥離することができるプロセス工程を有する半導体装置の製造方法を提供することである。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、表面側保護膜が裏面側フォトレジストの剥離液に対する耐性を備えていなくても、表面側に保護膜を形成し裏面側Ｓｉ基板をパターンエッチングした後、裏面側のフォトレジストだけを剥離することができるプロセス工程を有する半導体装置の製造方法を提供することができる。