【図1】図１は、実施の形態１にかかる半導体装置の構造を示す断面図である。

【図2】図２は、図１の切断線Ａ−Ａ'における不純物濃度分布を示す特性図である。

【図3】図３は、実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。

【図4】図４は、比較例の半導体装置の順方向電圧印加時の動作を示す説明図である。

【図5】図５は、実施の形態１にかかる半導体装置の順方向電圧印加時の動作を示す説明図である。

【図6】図６は、実施の形態２にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。

【図7】図７は、実施の形態３にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。

【図8】図８は、実施の形態４にかかる半導体装置の構造を示す断面図である。

【図9】図９は、図８のＢ−Ｂ'切断線における不純物濃度分布を示す特性図である。

【図10】図１０は、実施の形態４にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。

【図11】図１１は、実施の形態５にかかる半導体装置の構造を示す断面図である。

【図12】図１２は、実施の形態６にかかる半導体装置の構造を示す断面図である。

【図13】図１３は、図１２の切断線Ｃ−Ｃ'における不純物濃度分布を示す特性図である。

【図14】図１４は、実施の形態７にかかる半導体装置の構造を示す断面図である。

【図15】図１５は、実施の形態７にかかる半導体装置の埋め込みｐ層の平面パターンの一例を示す平面図である。

【図16】図１６は、実施の形態７にかかる半導体装置の埋め込みｐ層の平面パターンの一例を示す平面図である。

【図17】図１７は、実施の形態７にかかる半導体装置の埋め込みｐ層の平面パターンの一例を示す平面図である。

【図18】図１８は、ＦＷＤの電圧波形を示す特性図である。

【図19】図１９は、実施の形態８にかかる半導体装置の構造を示す断面図である。

【図20】図２０は、実施の形態９にかかる半導体装置の構造を示す断面図である。

【図21】図２１は、図２０の埋め込みｐ層の平面パターンの一例を示す平面図である。

【図22】図２２は、実施の形態１０にかかる半導体装置の構造を示す平面図である。

【図23】図２３は、実施例１にかかる半導体装置の過渡的な順方向電圧および逆回復時のサージ電圧と埋め込みｐ層の面積比率との関係を示す特性図である。

【図24】図２４は、実施の形態１１にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。

【図25】図２５は、実施の形態１２にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。

【図26】図２６は、実施の形態１３にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。

【図27】図２７は、実施の形態１４にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。

【図28】図２８は、実施例２にかかる半導体装置の基板裏面側の不純物濃度分布を示す特性図である。

【図29】図２９は、従来のＦＷＤの構造を示す断面図である。

【図30】図３０は、ダイオードの順方向導通時における電流−電圧波形を示す特性図である。