特許 6029897 発光素子

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6029897

(24)【登録日】2016年10月28日

(45)【発行日】2016年11月24日

(54)【発明の名称】発光素子

(51)【国際特許分類】

   H05B 33/02 20060101AFI20161114BHJP

   H01L 51/50 20060101ALI20161114BHJP

   H05B 33/26 20060101ALI20161114BHJP

【ＦＩ】

   H05B33/02

   H05B33/14 A

   H05B33/26 Z

【請求項の数】1

【全頁数】26

(21)【出願番号】特願2012-192151(P2012-192151)

(22)【出願日】2012年8月31日

(65)【公開番号】特開2014-49314(P2014-49314A)

(43)【公開日】2014年3月17日

【審査請求日】2015年8月28日

(73)【特許権者】

【識別番号】000110217

【氏名又は名称】トッパン・フォームズ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100106909

【弁理士】

【氏名又は名称】棚井 澄雄

(74)【代理人】

【識別番号】100064908

【弁理士】

【氏名又は名称】志賀 正武

(72)【発明者】

【氏名】坂東 隆哲

【審査官】 本田 博幸

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００６−２６９２２４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２００７／００４４３７（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２００９−１９７１３３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１４−００４８１５（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ５１／５０ − ５１／５６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基材、密着層、背面電極層、発光層及び表面電極層をこの順に備えてなる発光素子であって、
前記密着層が、下記一般式（３）で表される化合物を用いて形成されたものであり、
前記背面電極層の表面粗さが１７０ｎｍ未満であることを特徴とする発光素子。

【化1】

（式中、Ｒ^１１は炭素数１〜５のアルキル基、アルコキシアルキル基又はアルキルカルボニル基であり；Ｒ^１２は炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数６〜１２のアリール基であり；Ｒ^１３は炭素数１〜１０のアルキレン基であり；Ｒ^１４は炭素数１〜５のアルキレン基であり、該アルキレン基中の１個以上のメチレン基はカルボニル基で置換されていてもよく；Ｚはアミノ基、メルカプト基又は炭素数６〜１２のアリール基であり；ｍ１は２又は３であり、複数個のＲ^１１は互いに同一でも異なっていてもよく；ｍ２及びｍ３はそれぞれ独立に０又は１であり、ただし、Ｚがアミノ基である場合には、少なくともｍ２は１である。）

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、発光効率に優れた発光素子に関する。

【背景技術】

【0002】

有機エレクトロルミネッセンス素子等の発光素子は、自発光型で視野角が広く、消費電力が少ないという利点を有しているため、例えば、液晶ディスプレイに代わる次世代の表示装置はもとより、照明装置等、幅広い分野での展開が期待されている。
発光素子は、通常、基材、背面電極層、発光層及び表面電極層をこの順に備えてなり、発光層で発生した光は、基材側から取り出される場合と、表面電極層側から取り出される場合とがある。

【0003】

発光層からの光が表面電極層側から取り出される場合の発光素子では、例えば、背面電極層はクロム等の金属からなり、表面電極層は酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の光透過性及び導電性を有する材料からなる。そして、発光層で発生した光は、直接表面電極層に向かって、この表面電極層を通過して取り出されるものと、一度背面電極層に向かって、ここで反射してから表面電極層に向かい、この表面電極層を通過して取り出されるものとがある。

【0004】

ここで、背面電極層がクロム等からなる場合には、光の吸収率が比較的大きいため、背面電極層で反射される光の量が大きく減少し、利用できる反射光の強度が低下して、発光素子の発光効率が低下してしまう。そして、発光効率が低い発光素子では、十分な発光輝度を得るために、電流量を増加させる必要があり、消費電力が増加すると共に、発光素子の耐久性が低下してしまう。そこで、背面電極層の光反射率を向上させる試みがなされており、例えば、銀又は銀を含む合金により構成された背面電極層を用いた発光素子が開示されている（特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２００３−７７６８１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

しかし、特許文献１に記載の発光素子は、背面電極層をスパッタリング法で形成しており、工業的プロセスでは、この工程でパーティクル（微細粒子）の発生が避けられず、その結果、このパーティクルの混入により、背面電極層表面の平滑性が低下して、発光効率が十分に向上しないという問題点があった。

【0007】

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、発光層からの光を表面電極層側から取り出す形態で、発光効率及び発光輝度に優れる発光素子を提供することを課題とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

上記課題を解決するため、
本発明は、基材、密着層、背面電極層、発光層及び表面電極層をこの順に備えてなる発光素子であって、前記密着層が、下記一般式（３）で表される化合物を用いて形成されたものであり、前記背面電極層の表面粗さが１７０ｎｍ未満であることを特徴とする発光素子を提供する。

【0009】

【化1】

（式中、Ｒ^１１は炭素数１〜５のアルキル基、アルコキシアルキル基又はアルキルカルボニル基であり；Ｒ^１２は炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数６〜１２のアリール基であり；Ｒ^１３は炭素数１〜１０のアルキレン基であり；Ｒ^１４は炭素数１〜５のアルキレン基であり、該アルキレン基中の１個以上のメチレン基はカルボニル基で置換されていてもよく；Ｚはアミノ基、メルカプト基又は炭素数６〜１２のアリール基であり；ｍ１は２又は３であり、複数個のＲ^１１は互いに同一でも異なっていてもよく；ｍ２及びｍ３はそれぞれ独立に０又は１であり、ただし、Ｚがアミノ基である場合には、少なくともｍ２は１である。）

【発明の効果】

【0010】

本発明によれば、発光層からの光を表面電極層側から取り出す形態で、発光効率及び発光輝度に優れる発光素子が提供される。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の概略構成を例示する断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

本発明に係る発光素子は、基材、密着層、背面電極層、発光層及び表面電極層をこの順に備えてなる発光素子であって、前記密着層が、下記一般式（３）で表される化合物（以下、「化合物（３）」と略記することがある）を用いて形成されたものであるか、又はラテックス及びポリビニルアルコールを含有する材料を用いて形成されたものであり、前記背面電極層の表面粗さが１７０ｎｍ未満であることを特徴とする。

【0013】

【化2】

（式中、Ｒ^１１は炭素数１〜５のアルキル基、アルコキシアルキル基又はアルキルカルボニル基であり；Ｒ^１２は炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数６〜１２のアリール基であり；Ｒ^１３は炭素数１〜１０のアルキレン基であり；Ｒ^１４は炭素数１〜５のアルキレン基であり、該アルキレン基中の１個以上のメチレン基はカルボニル基で置換されていてもよく；Ｚはアミノ基、メルカプト基又は炭素数６〜１２のアリール基であり；ｍ１は２又は３であり、複数個のＲ^１１は互いに同一でも異なっていてもよく；ｍ２及びｍ３はそれぞれ独立に０又は１であり、ただし、Ｚがアミノ基である場合には、ｍ２及びｍ３の少なくとも一方は１である。）

【0014】

なお、本明細書において「表面粗さ」とは、算術平均粗さ（Ｒａ）を意味し、粗さ曲線からその平均線の方向に基準長さだけを抜き取り、この抜取り部分の平均線の方向にＸ軸を、縦倍率の方向にＹ軸を取り、粗さ曲線をｙ＝ｆ（ｘ）で表したときに、以下の式によって求められた値をナノメートル（ｎｍ）単位で表示したものである。以下、この表面粗さを「表面粗さＲａ」と記載することがある。

【0015】

【数1】

【0016】

本発明に係る発光素子は、発光層からの光が表面電極層側から取り出されるものであり、前記密着層を備えていることで、背面電極層としてスパッタリング法ではなく、原料化合物が配合されてなる液状の組成物（背面電極層形成用組成物）の付着及び加熱によって形成されたものを備えることが可能となる。その結果、スパッタリング法で発生するようなパーティクル（微細粒子）の、背面電極層への混入が回避され、背面電極層表面の平滑性が向上して、発光効率及び発光輝度に優れた発光素子となる。
本発明に係る発光素子は、前記密着層及び背面電極層以外は、公知の発光素子と同様の構成とすることができ、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）として好適である。

【0017】

以下、図面を参照しながら、本発明について説明する。
図１は、本発明に係る発光素子の概略構成を例示する断面図である。
ここに示す発光素子１は、基材１０１、密着層１０２、背面電極層１０３、発光層１０８及び表面電極層１０９をこの順に備える。また、発光素子１は、背面電極層１０３と発光層１０８との間に、背面電極層１０３側からバッファ層１０４、絶縁層１０５、正孔注入層１０６及び正孔輸送層１０７をこの順に備え、これら各層が積層されて構成されている。背面電極層１０３は、密着層１０２上の一部に積層され、背面電極層１０３上にはバッファ層１０４が積層されている。そして、絶縁層１０５は、密着層１０２、背面電極層１０３及びバッファ層１０４を被覆するように、密着層１０２上に積層され、さらにバッファ層１０４の一部が、正孔注入層１０６に接触するように、開口部１０５ａを有している。表面電極層１０９は、発光層１０８上に積層されており、発光層１０８側から半透過性電極層１０９ａ及び透明電極層１０９ｂがこの順に積層されて、構成されている。

【0018】

［基材］
基材１０１は、ガラス、樹脂等の絶縁性を有する材質からなる。前記樹脂としては、ポリカーボネート（ＰＣ）；アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン樹脂（ＡＢＳ樹脂）；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、グリコール変性ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ−Ｇ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂；ポリイミド等が例示できる。

【0019】

基材１０１は、厚さが１０μｍ〜５ｍｍであることが好ましく、５０〜２００μｍであることがより好ましい。

【0020】

基材１０１は、単層からなるものでもよいし、二層以上の複数層からなるものでもよい。基材１０１が複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、すべての層が同一であってもよいし、すべての層が異なっていてもよく、一部の層のみが異なっていてもよい。そして、複数層が互いに異なる場合、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。ここで、複数層が互いに異なるとは、各層の材質及び厚さの少なくとも一方が互いに異なることを意味する。
なお、基材１０１が複数層からなる場合には、各層の合計の厚さが、上記の好ましい基材１０１の厚さとなるようにするとよい。

【0021】

［密着層］
密着層１０２は、化合物（３）を用いて形成されたものであるか、又はラテックス及びポリビニルアルコールを含有する材料を用いて形成されたものである。
次に、化合物（３）について説明する。

【0022】

（化合物（３））
化合物（３）は、前記一般式（３）で表される。
式中、Ｒ^１１は炭素数１〜５のアルキル基、アルコキシアルキル基又はアルキルカルボニル基である。
Ｒ^１１における前記アルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよい。
直鎖状又は分枝鎖状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基が例示できる。
環状のアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基が例示できる。
Ｒ^１１における前記アルキル基は、直鎖状又は分枝鎖状であることが好ましく、炭素数が１〜３であることが好ましい。

【0023】

Ｒ^１１における前記アルコキシアルキル基としては、これを構成するアルコキシ基が、Ｒ^１１としての前記アルキル基が酸素原子に結合してなる１価の基であり、前記アルコキシ基が結合しているアルキレン基が、Ｒ^１１としての前記アルキル基から１個の水素原子を除いてなる基であるものが例示できる。ただし、前記アルコキシ基及びアルキレン基の合計の炭素数（前記アルコキシアルキル基の炭素数）は２〜５である。
Ｒ^１１における前記アルコキシアルキル基は、直鎖状又は分枝鎖状であることが好ましく、炭素数が３以下であることが好ましく、メトキシメチル基又は２−メトキシエチル基であることがより好ましい。

【0024】

Ｒ^１１における前記アルキルカルボニル基としては、Ｒ^１１としての前記アルキル基がカルボニル基（−Ｃ（＝Ｏ）−）の炭素原子に結合してなる１価の基が例示できる。ただし、カルボニル基の炭素原子に結合しているアルキル基の炭素数は１〜４（前記アルキルカルボニル基の炭素数は２〜５）である。
Ｒ^１１における前記アルキルカルボニル基は、直鎖状又は分枝鎖状であることが好ましく、炭素数が３以下であることが好ましく、メチルカルボニル基（アセチル基）又はエチルカルボニル基であることがより好ましい。

【0025】

式中、Ｒ^１２は炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数６〜１２のアリール基である。
Ｒ^１２における前記アルキル基としては、Ｒ^１１における前記アルキル基と同じのものが例示でき、Ｒ^１１と互いに同一でもよいし、異なっていてもよい。

【0026】

Ｒ^１２における前記アリール基は、単環状及び多環状のいずれでもよく、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ｏ−トルイル基、ｍ−トルイル基、ｐ−トルイル基、キシリル基（ジメチルフェニル基）等が例示できる。また、これらアリール基の、１個以上の水素原子がアルキル基及び／又はアルコキシ基で置換されたものでもよい。ここで、水素原子が置換される前記アルキル基としては、Ｒ^１１における前記アルキル基と同じのものが例示でき、水素原子が置換される前記アルコキシ基としては、Ｒ^１１における前記アルキル基が酸素原子に結合してなる１価の基が例示できる。そして、これらアルキル基及び／又はアルコキシ基で置換されている場合、前記アリール基は、これらアルキル基及び／又はアルコキシ基も含めて、炭素数が１２以下である。
Ｒ^１２における前記アリール基は、単環状であることが好ましく、フェニル基であることがより好ましい。

【0027】

式中、Ｒ^１３は炭素数１〜１０のアルキレン基であり、本発明において前記「アルキレン基」は、直鎖状、分岐鎖状及び環状の２価の飽和炭化水素基を包含するものとする。
Ｒ^１３における前記アルキレン基としては、炭素数１〜１０のアルキル基から１個の水素原子を除いてなる２価の基が例示でき、かかるアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、２，２−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、２，２−ジメチルペンチル基、２，３−ジメチルペンチル基、２，４−ジメチルペンチル基、３，３−ジメチルペンチル基、３−エチルペンチル基、２，２，３−トリメチルブチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、デシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、トリシクロデシル基が例示できる。

【0028】

Ｒ^１３における前記アルキレン基は、炭素数が１〜７であることが好ましく、炭素数が１〜５であることがより好ましく、具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基（メチルエチレン基）、トリメチレン基、テトラメチレン基、１−メチルトリメチレン基、２−メチルトリメチレン基、１，２−ジメチルエチレン基、１，１−ジメチルエチレン基、エチルエチレン基、ペンタメチレン基、１−メチルテトラメチレン基、２−メチルテトラメチレン基、１，１−ジメチルトリメチレン基、１，２−ジメチルトリメチレン基、１，３−ジメチルトリメチレン基、１−エチルトリメチレン基、２−エチルトリメチレン基、１−メチル−２−エチルエチレン基、ｎ−プロピルエチレン基等が例示できる。

【0029】

式中、Ｒ^１４は炭素数１〜５のアルキレン基であり、Ｒ^１３における前記アルキレン基のうち、炭素数が１〜５のものと同じであり、炭素数が１〜３であることが好ましい。
また、Ｒ^１４における前記アルキレン基は、メチレン基であるか、又はメチレン基が２〜５個連結して構成されるが、アルキレン基を構成するこれらメチレン基（−ＣＨ_２−）のうちの１個以上は、カルボニル基（−Ｃ（＝Ｏ）−）で置換されていてもよい。カルボニル基で置換されるメチレン基の数は、前記アルキレン基中のメチレン基の総数に依存し、特に限定されず、例えば、Ｒ^１４はカルボニル基のみで構成されていてもよいし、カルボニル基であってもよく、１個以上のアルキレン基と１個以上のカルボニル基とが混在したものでもよい。そして、通常は、Ｒ^１４中のカルボニル基の数は、２個以下であることが好ましく、１個であることがより好ましい。

【0030】

式中、Ｚはアミノ基（−ＮＨ_２）、メルカプト基（−ＳＨ）又は炭素数６〜１２のアリール基である。
Ｚにおける前記アリール基としては、Ｒ^１２における前記アリール基と同じものが例示でき、Ｒ^１２と互いに同一でもよいし、異なっていてもよい。

【0031】

式中、ｍ１は２又は３であり、複数個のＲ^１１は互いに同一でも異なっていてもよい。
また、ｍ２及びｍ３はそれぞれ独立に０又は１である。ただし、Ｚがアミノ基である場合には、ｍ２及びｍ３の少なくとも一方は１である（ｍ２及びｍ３が共に０になることはない）。

【0032】

特に好ましい化合物（３）としては、Ｒ^１１及びＲ^１２が炭素数１〜３のアルキル基であり、Ｒ^１３が炭素数１〜５のアルキレン基であり、Ｒ^１４が炭素数１〜３のアルキレン基又はカルボニル基であり、Ｚがアミノ基、メルカプト基又はフェニル基であるものが例示できる。このような化合物（３）としては、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン（（ＣＨ_３Ｏ）_３Ｓｉ（ＣＨ_２）_３ＮＨ（ＣＨ_２）_２ＮＨ_２）、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン（（ＣＨ_３Ｏ）_２Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２）_３ＮＨ（ＣＨ_２）_２ＮＨ_２）、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン（（ＣＨ_３ＣＨ_２Ｏ）_３Ｓｉ（ＣＨ_２）_３ＮＨＣ（＝Ｏ）ＮＨ_２）、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン（（ＣＨ_３Ｏ）_３Ｓｉ（ＣＨ_２）_３ＮＨＣ_６Ｈ_５）、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン（（ＣＨ_３Ｏ）_３Ｓｉ（ＣＨ_２）_３ＳＨ）、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン（（ＣＨ_３Ｏ）_２Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２）_３ＳＨ）が例示できる。

【0033】

化合物（３）は、シランカップリング剤であり、市販品を用いてもよいし、公知の手法で合成したものを用いてもよい。

【0034】

密着層１０２の形成に用いる化合物（３）は、一種のみでもよいし二種以上でもよく、二種以上である場合、その組み合わせ及び比率は特に限定されない。

【0035】

次に、ラテックス及びポリビニルアルコールを含有する材料について説明する。
前記ラテックスは、公知のものでよく、特に限定されないが、好ましいものとしてスチレン・ブタジエン共重合体を主成分とするＳＢＲ系ラテックス；メタクリル酸メチル・ブタジエン共重合体を主成分とするＭＢＲ系ラテックス等が挙げられる。

【0036】

前記ポリビニルアルコールは、公知のものでよく、特に限定されないが、後述する密着層形成工程において、密着層形成用組成物のにじみをより抑制できる点から、中間ケン化又は部分ケン化されたポリビニルアルコールであることが好ましい。ここで、「中間ケン化されたポリビニルアルコール」とは、ケン化度が９１〜９８％程度のポリビニルアルコールを意味し、「部分ケン化されたポリビニルアルコール」とは、ケン化度が７０〜９０％程度のポリビニルアルコールを意味する。

【0037】

前記材料において、ラテックス及びポリビニルアルコールは、いずれも一種のみでもよいし二種以上でもよく、二種以上である場合、その組み合わせ及び比率は特に限定されない。

【0038】

前記材料において、ラテックス及びポリビニルアルコールの含有量の比率（ラテックスの含有量：ポリビニルアルコールの含有量、質量比）は、１０：１〜１：３であることが好ましい。

【0039】

密着層１０２は、厚さが１００〜５０００ｎｍであることが好ましい。

【0040】

［背面電極層］
背面電極層１０３は、陽極層又は陰極層を構成し、これを形成するための原料化合物が配合されてなる液状の組成物（背面電極層形成用組成物）の付着及び加熱によって形成されたものである。ここで、加熱は、前記組成物中の溶媒成分の除去や、前記原料化合物の反応等、背面電極層１０３の形成に必要な工程である。

【0041】

背面電極層１０３は、光の吸収率が低い金属からなるもの又は前記金属を主成分とするものが好ましく、前記金属としては銀（Ａｇ）が例示できる。
背面電極層１０３が銀からなるもの又は銀を主成分とするものである場合、前記組成物は、銀形成材料が配合されてなる銀インク組成物である。

【0042】

前記銀形成材料は、金属銀を生成する化合物であることが好ましく、下記一般式（１）で表されるβ−ケトカルボン酸銀（以下、「β−ケトカルボン酸銀（１）」と略記することがある）であることがより好ましい。すなわち、前記組成物（銀インク組成物）は、β−ケトカルボン酸銀（１）が配合されてなる銀インク組成物であることが好ましい。
次に、β−ケトカルボン酸銀（１）について説明する。

【0043】

【化3】

（式中、Ｒは１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基若しくはフェニル基、水酸基、アミノ基、又は一般式「Ｒ^１−ＣＹ_２−」、「ＣＹ_３−」、「Ｒ^１−ＣＨＹ−」、「Ｒ^２Ｏ−」、「Ｒ^５Ｒ^４Ｎ−」若しくは「（Ｒ^３Ｏ）_２ＣＹ−」で表される基であり；
Ｙはそれぞれ独立にフッ素原子、塩素原子、臭素原子又は水素原子であり；Ｒ^１は炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基又はフェニル基であり；Ｒ^２は炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ^３は炭素数１〜１６の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ^４及びＲ^５はそれぞれ独立に炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基であり；
Ｘはそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、ハロゲン原子、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはベンジル基、シアノ基、Ｎ−フタロイル−３−アミノプロピル基、２−エトキシビニル基、又は一般式「Ｒ^６Ｏ−」、「Ｒ^６Ｓ−」、「Ｒ^６−Ｃ（＝Ｏ）−」若しくは「Ｒ^６−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−」で表される基であり；
Ｒ^６は、炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基、チエニル基、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはジフェニル基である。）

【0044】

（β−ケトカルボン酸銀（１））
β−ケトカルボン酸銀（１）は、前記一般式（１）で表される。
式中、Ｒは１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基若しくはフェニル基、水酸基、アミノ基、又は一般式「Ｒ^１−ＣＹ_２−」、「ＣＹ_３−」、「Ｒ^１−ＣＨＹ−」、「Ｒ^２Ｏ−」、「Ｒ^５Ｒ^４Ｎ−」若しくは「（Ｒ^３Ｏ）_２ＣＹ−」で表される基である。

【0045】

Ｒにおける炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状（脂肪族環式基）のいずれでもよく、環状である場合、単環状及び多環状のいずれでもよい。また、前記脂肪族炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基及び不飽和脂肪族炭化水素基のいずれでもよい。そして、前記脂肪族炭化水素基は、炭素数が１〜６であることが好ましい。Ｒにおける好ましい前記脂肪族炭化水素基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基が例示できる。

【0046】

Ｒにおける直鎖状又は分枝鎖状の前記アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、１，１−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、３，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、１−エチルブチル基、２−エチルブチル基、３−エチルブチル基、１−エチル−１−メチルプロピル基、ｎ−ヘプチル基、１−メチルヘキシル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、１，１−ジメチルペンチル基、２，２−ジメチルペンチル基、２，３−ジメチルペンチル基、２，４−ジメチルペンチル基、３，３−ジメチルペンチル基、４，４−ジメチルペンチル基、１−エチルペンチル基、２−エチルペンチル基、３−エチルペンチル基、４−エチルペンチル基、２，２，３−トリメチルブチル基、１−プロピルブチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、１−メチルヘプチル基、２−メチルヘプチル基、３−メチルヘプチル基、４−メチルヘプチル基、５−メチルヘプチル基、１−エチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、３−エチルヘキシル基、４−エチルヘキシル基、５−エチルヘキシル基、１，１−ジメチルヘキシル基、２，２−ジメチルヘキシル基、３，３−ジメチルヘキシル基、４，４−ジメチルヘキシル基、５，５−ジメチルヘキシル基、１−プロピルペンチル基、２−プロピルペンチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基が例示できる。
Ｒにおける環状の前記アルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、トリシクロデシル基が例示できる。

【0047】

Ｒにおける前記アルケニル基としては、ビニル基（エテニル基、−ＣＨ＝ＣＨ_２）、アリル基（２−プロペニル基、−ＣＨ_２−ＣＨ＝ＣＨ_２）、１−プロペニル基（−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ_３）、イソプロペニル基（−Ｃ（ＣＨ_３）＝ＣＨ_２）、１−ブテニル基（−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ_２−ＣＨ_３）、２−ブテニル基（−ＣＨ_２−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ_３）、３−ブテニル基（−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ＝ＣＨ_２）、シクロヘキセニル基、シクロペンテニル基等の、Ｒにおける前記アルキル基の炭素原子間の１個の単結合（Ｃ−Ｃ）が二重結合（Ｃ＝Ｃ）に置換された基が例示できる。
Ｒにおける前記アルキニル基としては、エチニル基（−Ｃ≡ＣＨ）、プロパルギル基（−ＣＨ_２−Ｃ≡ＣＨ）等の、Ｒにおける前記アルキル基の炭素原子間の１個の単結合（Ｃ−Ｃ）が三重結合（Ｃ≡Ｃ）に置換された基が例示できる。

【0048】

Ｒにおける炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよく、好ましい前記置換基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子が例示できる。また、置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、すべての置換基が同一であってもよいし、すべての置換基が異なっていてもよく、一部の置換基のみが異なっていてもよい。

【0049】

Ｒにおけるフェニル基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよく、好ましい前記置換基としては、炭素数が１〜１６の飽和又は不飽和の一価の脂肪族炭化水素基、該脂肪族炭化水素基が酸素原子に結合してなる一価の基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、水酸基（−ＯＨ）、シアノ基（−Ｃ≡Ｎ）、フェノキシ基（−Ｏ−Ｃ_６Ｈ_５）等が例示でき、置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
置換基である前記脂肪族炭化水素基としては、炭素数が１〜１６である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。

【0050】

ＲにおけるＹは、それぞれ独立にフッ素原子、塩素原子、臭素原子又は水素原子である。そして、一般式「Ｒ^１−ＣＹ_２−」及び「ＣＹ_３−」においては、それぞれ複数個のＹは、互いに同一でも異なっていてもよい。

【0051】

ＲにおけるＲ^１は、炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基又はフェニル基（Ｃ_６Ｈ_５−）であり、Ｒ^１における前記脂肪族炭化水素基としては、炭素数が１〜１９である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
ＲにおけるＲ^２は、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基であり、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
ＲにおけるＲ^３は、炭素数１〜１６の脂肪族炭化水素基であり、炭素数が１〜１６である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
ＲにおけるＲ^４及びＲ^５は、それぞれ独立に炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基である。すなわち、Ｒ^４及びＲ^５は、互いに同一でも異なっていてもよく、炭素数が１〜１８である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。

【0052】

Ｒは、上記の中でも、直鎖状若しくは分枝鎖状のアルキル基、又はフェニル基であることが好ましい。

【0053】

一般式（１）において、Ｘはそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、ハロゲン原子、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはベンジル基（Ｃ_６Ｈ_５−ＣＨ_２−）、シアノ基、Ｎ−フタロイル−３−アミノプロピル基、２−エトキシビニル基（Ｃ_２Ｈ_５−Ｏ−ＣＨ＝ＣＨ−）、又は一般式「Ｒ^６Ｏ−」、「Ｒ^６Ｓ−」、「Ｒ^６−Ｃ（＝Ｏ）−」若しくは「Ｒ^６−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−」で表される基である。
Ｘにおける炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基としては、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。

【0054】

Ｘにおけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示できる。
Ｘにおけるフェニル基及びベンジル基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよく、好ましい前記置換基としては、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、ニトロ基（−ＮＯ_２）等が例示でき、置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。

【0055】

ＸにおけるＲ^６は、炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基、チエニル基（Ｃ_４Ｈ_３Ｓ−）、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはジフェニル基（ビフェニル基、Ｃ_６Ｈ_５−Ｃ_６Ｈ_４−）である。Ｒ^６における前記脂肪族炭化水素基としては、炭素数が１〜１０である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。また、Ｒ^６におけるフェニル基及びジフェニル基の前記置換基としては、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）等が例示でき、置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^６がチエニル基又はジフェニル基である場合、これらの、Ｘにおいて隣接する基又は原子（酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基）との結合位置は、特に限定されない。例えば、チエニル基は、２−チエニル基及び３−チエニル基のいずれでもよい。

【0056】

一般式（１）において、２個のＸは、２個のカルボニル基で挟まれた炭素原子と二重結合を介して１個の基として結合していてもよく、このようなものとしては式「＝ＣＨ−Ｃ_６Ｈ_４−ＮＯ_２」で表される基が例示できる。

【0057】

Ｘは、上記の中でも、水素原子、直鎖状若しくは分枝鎖状のアルキル基、又はベンジル基であることが好ましく、少なくとも一方のＸが水素原子であることが好ましい。

【0058】

β−ケトカルボン酸銀（１）は、２−メチルアセト酢酸銀（ＣＨ_３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ_３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、アセト酢酸銀（ＣＨ_３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−エチルアセト酢酸銀（ＣＨ_３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、プロピオニル酢酸銀（ＣＨ_３ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、イソブチリル酢酸銀（（ＣＨ_３）_２ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−ｎ−ブチルアセト酢酸銀（ＣＨ_３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−ベンジルアセト酢酸銀（ＣＨ_３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ_２Ｃ_６Ｈ_５）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、又はベンゾイル酢酸銀（Ｃ_６Ｈ_５−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）であることが好ましい。これらβ−ケトカルボン酸銀（１）は、前記一般式（１）で表されるものの中でも、加熱（焼成）処理により形成された金属銀において、残存する原料や不純物の濃度をより低減できる。原料や不純物が少ない程、例えば、形成された金属銀同士の接触が良好となり、導通が容易となり、抵抗率が低下する。

【0059】

β−ケトカルボン酸銀（１）は、当該分野で公知の還元剤等を使用しなくても、好ましくは６０〜２１０℃、より好ましくは６０〜２００℃という低温で分解し、金属銀を形成する。
また、還元剤等を使用することで、より低温で分解し、金属銀を形成する。ここで、好ましい還元剤としては、ギ酸、シュウ酸等が例示できる。

【0060】

背面電極層１０３の形成に用いるβ−ケトカルボン酸銀（１）は、一種のみでもよいし二種以上でもよく、二種以上である場合、その組み合わせ及び比率は特に限定されない。

【0061】

背面電極層１０３は、厚さが５０〜１０００ｎｍであることが好ましい。

【0062】

背面電極層１０３は、前記組成物の付着及び加熱によって形成されたものとすることで、表面の平滑性が高くなる。

【0063】

［発光層］
発光層１０８は、電流の注入により光を発生するものであり、例えば、８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ）等の低分子発光材料や、ポリパラフェニレンビニレン等の高分子発光材料を用いて形成され、イオンドーパント・界面活性材（例えば、米国特許第５６８２０４３号明細書、米国特許第５８９５７１７号明細書及び米国特許第６２８４４３５号明細書参照）、酸化物ナノ粒子（例えば、ＳｉＯ_２）等の発光効率を高める材料を含有させることができ、その厚さは１０〜１００ｎｍであることが好ましい。
発光層１０８は、単層からなるものでもよいし、二層以上の複数層からなるものでもよい。ここで、発光層１０８が「複数層からなる」とは、基材１０１の場合と同様のことを意味する。

【0064】

［表面電極層］
表面電極層１０９は、背面電極層１０３が陽極層を構成する場合には陰極層を構成し、背面電極層１０３が陰極層を構成する場合には陽極層を構成する。そして、表面電極層１０９は、発光層１０８で発生した光に対して半透過性を有する半透過性電極層１０９ａと、発光層１０８で発生した光に対して透過性を有する透明電極層１０９ｂと、を備える。

【0065】

半透過性電極層１０９ａは、発光層１０８で発生した光を、背面電極層１０３との間で反射（多重反射）させるためのものである。すなわち、半透過性電極層１０９ａと背面電極層１０３とで、発光層１０８で発生した光を共振させる共振器の共振部を構成している。このように共振器を構成することで、発光層１０８で発生した光が多重干渉を起こし、一種の狭帯域フィルタとして作用することにより、取り出される光のスペクトルの半値幅が減少し、色純度を向上させることができる。そのためには、狭帯域フィルタのピーク波長と、取り出したい光のスペクトルのピーク波長とを一致させるようにすることが好ましい。すなわち、背面電極層１０３及び半透過性電極層１０９ａで生じる反射光の位相シフトをΦ（ｒａｄ）、背面電極層１０３及び半透過性電極層１０９ａ間の光学的距離をＬ、表面電極層１０９側から取り出したい光のスペクトルのピーク波長をλとした場合、Ｌは、下記式（Ａ）の関係を満たすことが好ましく、下記式（Ａ）を満たす正の最小値であることが好ましい。なお、下記式（Ａ）において、Ｌ及びλは「ｎｍ」等の共通の単位であればよい。
２Ｌ／λ＋Φ／２π＝ｑ （ｑは整数） ・・・・（Ａ）

【0066】

半透過性電極層１０９ａは、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）及び銀の合金（マグネシウム・銀合金、ＭｇＡｇ合金）等からなり、マグネシウム・銀合金は、マグネシウムと銀との質量比（マグネシウムの質量：銀の質量）が９．５：０．５〜８．５：１．５であるものが好ましく、９：１であるものがより好ましい。
半透過性電極層１０９ａの厚さは、１〜３０ｎｍであることが好ましい。

【0067】

透明電極層１０９ｂは、半透過性電極層１０９ａの電気抵抗を下げるためのものであり、発光層１０８で発生した光に対して十分な透光性を有する導電性材料からなる。
前記導電性材料としては、室温で成膜しても良好な導電性が得られる点から、例えば、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）及び酸素を含む化合物（酸化インジウムスズ、ＩＴＯ）が好ましい。
透明電極層１０９ｂの厚さは、１００〜３００ｎｍであることが好ましい。

【0068】

［バッファ層］
バッファ層１０４は、背面電極層１０３と発光層１０８との間の密着性を向上させたり、導電性、導イオン性を高めるものであり、また、背面電極層１０３が空気中の酸素又は硫黄成分と反応することを防止すると共に、背面電極層１０３を形成後の製造工程において、背面電極層１０３を保護する保護膜としても機能する。
バッファ層１０４は、仕事関数が背面電極層１０３と発光層１０８との間にある材質からなる。このような材質としては、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、モリブデン（Ｍｏ）、白金（Ｐｔ）、シリコン（Ｓｉ）等の金属；これら金属の少なくとも１種を含む合金；これら金属又は合金の酸化物若しくは窒化物；ＩＴＯ等の透明導電性材料が例示できる。
バッファ層１０４の厚さは、構成材料の光の透過率及び導電率に応じて、適宜選択することが好ましい。例えば、酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ_２Ｏ_３）等の導電率がさほど高くない酸化物や窒化物等により構成する場合には、１〜１０ｎｍ程度と薄い方が好ましい。また、導電率が高く、光の透過率が低い金属により構成する場合にも、同様に、１〜１０ｎｍ程度と薄い方が好ましい。一方、導電率及び光の透過率がともに高いＩＴＯ等により構成する場合には、１〜９０ｎｍ等、数ｎｍ〜数十ｎｍ程度にまで幅広く設定できる。

【0069】

［絶縁層］
絶縁層１０５は、背面電極層１０３と表面電極層１０９との間の絶縁性を確保するとともに、発光素子１の発光部を所望の形状に調節するものである。絶縁層１０５の正孔注入層１０６へ向けての開口部１０５ａの形状により、発光部の形状が決定され、通常は、開口部１０５ａに対応した領域で、発光層１０８が発光する。
絶縁層１０５は、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）等の絶縁性を有する材質からなる。
絶縁層１０５の厚さは、例えば、４００〜８００ｎｍであることが好ましい。

【0070】

［正孔注入層］
正孔注入層１０６は、発光層１０８への正孔注入効率を高めるものであり、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ等からなり、その厚さは１０〜５０ｎｍであることが好ましい。

【0071】

［正孔輸送層］
正孔輸送層１０７は、発光層１０８への正孔注入効率を高めるものであり、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）等からなり、その厚さは５〜４０ｎｍであることが好ましい。

【0072】

［その他の構造］
発光素子１は、例えば、表面電極層１０９上にパッシベーション膜（図示略）を備え、さらに素子全体が封止基板（図示略）により封止されて、構成される。

【0073】

発光素子１は、背面電極層１０３及び表面電極層１０９間に所定の電圧が印加されることで、発光層１０８に電流が注入され、正孔と電子との再結合により、主として発光層１０８側の界面において発光が生じる。

【0074】

発光素子１は、密着層１０２を備えていることで、背面電極層１０３の表面の平滑性が高く、発光効率及び発光輝度に優れる。その理由は、以下のとおりである。
すなわち、発光素子１において、発光層１０８で発生した光には、直接表面電極層１０９に向かって、表面電極層１０９を通過して取り出されるものと、一度背面電極層１０３に向かって、ここで反射してから表面電極層１０９に向かい、表面電極層１０９を通過して取り出されるものとがある。ここで、背面電極層１０３は、光の吸収率が低く、またスパッタリング法ではなく、液状の組成物の付着及び加熱によって形成されたものであることで、表面の平滑性が高いので、背面電極層１０３で反射される光の量の減少が抑制され、利用できる反射光の強度が高く、発光効率が高い。
発光素子１は、背面電極層１０３の表面粗さが１７０ｎｍ未満であり、好ましくは１６０ｎｍとすることができる。そして、発光素子１は、例えば、発光効率を５．７ｃｄ／Ａ以上とすることができる。また、発光素子１は、電流量を増加させなくても、十分な発光輝度が得られ、例えば、電流密度が４ｍＡ／ｃｍ^２での駆動条件における発光輝度を２３０ｃｄ／ｍ^２以上とすることができる。

【0075】

発光素子１の発光輝度は、例えば、輝度計（例えば、コニカミノルタ社製「ＣＳ−１００Ａ」等）を用いて測定できる。
また、発光素子１の発光効率は、例えば、電流計で測定した単位面積あたりの駆動電流（電流密度）で発光輝度を除することにより求められる。

【0076】

発光素子１は、密着層１０２及び背面電極層１０３を形成する工程以外は、公知の発光素子の場合と同様の工程により製造でき、例えば、以下に示す方法で製造できる。

【0077】

［密着層形成工程］
まず、基材１０１上に、密着層１０２を形成する。
密着層１０２は、例えば、密着層１０２を形成するための原料が配合されてなる密着層形成用組成物を調製し、これを基材１０１上に付着させて、必要に応じて加熱処理を行い、乾燥させることで形成できる。このとき、加熱処理は乾燥を兼ねて行ってもよい。

【0078】

まず、密着層形成工程における前記原料として、化合物（３）を用いる場合について、説明する。この場合、密着層形成用組成物としては、化合物（３）及び溶媒が配合されてなる液状のものが例示できる。

【0079】

密着層形成用組成物の調製に用いる前記溶媒は、化合物（３）を著しく劣化させない限り、特に限定されず、好ましいものとしては、エタノール、２−プロパノール（イソプロピルアルコール）等の炭素数が２以上のアルコールが例示できる。
前記溶媒は、一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合で、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

【0080】

密着層形成用組成物における化合物（３）の含有量は、１〜５０質量％であることが好ましく、３〜３０質量％であることがより好ましい。下限値以上であることで、密着層１０２をより効率的に形成でき、上限値以下であることで、前記組成物の取り扱い性がより向上する。

【0081】

密着層形成用組成物は、化合物（３）及び溶媒以外に、その他の成分が配合されてなるものでもよい。
前記その他の成分は、目的に応じて任意に選択でき、特に限定されない。
密着層形成用組成物において、配合成分の総量に占める前記その他の成分の配合量の比率（配合比）は、１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましい。
前記その他の成分は、一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合で、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

【0082】

密着層形成用組成物中の成分は、すべて溶解していてもよいし、一部又はすべてが溶解していなくてもよいが、溶解していない成分は、均一に分散されていることが好ましい。

【0083】

密着層形成用組成物は、化合物（３）、及び化合物（３）以外の成分を配合することで得られる。
各成分の配合時には、すべての成分を添加してからこれらを混合してもよいし、一部の成分を順次添加しながら混合してもよく、すべての成分を順次添加しながら混合してもよい。
混合方法は特に限定されず、撹拌子又は撹拌翼等を回転させて混合する方法、ミキサーを使用して混合する方法、超音波を加えて混合する方法等、公知の方法から適宜選択すればよい。

【0084】

配合時の温度は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されないが、−５〜３０℃であることが好ましい。

【0085】

液状の密着層形成用組成物は、例えば、印刷法、塗布法、浸漬法等の公知の方法で基材１０１上に付着させることができる。
前記印刷法としては、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、ディップ式印刷法、インクジェット式印刷法、ディスペンサー式印刷法等が例示できる。
前記塗布法としては、スピンコーター、エアーナイフコーター、カーテンコーター、ダイコーター、ブレードコーター、ロールコーター、ゲートロールコーター、バーコーター、ロッドコーター、グラビアコーター等の各種コーターや、ワイヤーバー等を用いる方法が例示できる。

【0086】

密着層形成工程においては、基材１０１上に付着させる化合物（３）の量を調節することで、密着層１０２の厚さを調節できる。この場合、基材１０１上に付着させる密着層形成用組成物の量、又は密着層形成用組成物の化合物（３）の含有量を調節すればよい。

【0087】

基材１０１上に付着させた密着層形成用組成物の加熱処理の条件は、前記組成物の配合成分の種類に応じて適宜調節すればよく、例えば、化合物（３）の反応と、溶媒の除去（乾燥）とが、円滑に進むように調節することが好ましい。通常は、加熱温度が５０〜１８０℃であることが好ましく、８０〜１６０℃であることがより好ましい。加熱時間は、加熱温度に応じて調節すればよいが、通常は、３〜６０分間であることが好ましく、５〜３０分間であることがより好ましい。

【0088】

次に、密着層形成工程における前記原料として、ラテックス及びポリビニルアルコールを含有する材料を用いる場合について、説明する。この場合、密着層形成用組成物としては、ラテックス及びポリビニルアルコールを含有する水溶液が例示できる。

【0089】

前記水溶液は、化合物（３）を用いた密着層形成用組成物の場合と同様の方法で、基材１０１上に付着させることができる。
付着後の前記水溶液は、含有成分が硬化しないように乾燥させることで、密着層１０２を形成できる。すなわち、この場合の密着層１０２は、ラテックス及びポリビニルアルコールを主成分として含有する樹脂層である。

【0090】

［背面電極層形成工程］
密着層１０２を形成後は、密着層１０２上に背面電極層１０３を形成する。
背面電極層１０３は、例えば、背面電極層１０３を形成するための原料化合物が配合されてなる背面電極層形成用組成物を調製し、これを密着層１０２上に付着させて、加熱処理することで形成できる。以下、β−ケトカルボン酸銀（１）を用いて背面電極層１０３を形成する場合について説明するが、β−ケトカルボン酸銀（１）以外の原料化合物を用いた場合も、同様に行うことができる。

【0091】

β−ケトカルボン酸銀（１）を用いて背面電極層１０３を形成する場合には、背面電極層形成用組成物として、β−ケトカルボン酸銀（１）が配合されてなる銀インク組成物を用いる。
銀インク組成物において、β−ケトカルボン酸銀（１）中の銀の含有量は、５質量％以上であることが好ましく、１０質量％以上であることがより好ましい。このような範囲であることで、背面電極層１０３は品質により優れたものとなる。前記銀の含有量の上限値は、本発明の効果を損なわない限り特に限定されないが、取り扱い性等を考慮すると２５質量％であることが好ましい。

【0092】

（アミン化合物、アンモニウム塩）
前記銀インク組成物は、β−ケトカルボン酸銀（１）以外に、さらにアミン化合物及び／又はアンモニウム塩が配合されてなるものでもよい。そして、前記アミン化合物及び／又はアンモニウム塩は、炭素数が２〜２５であることが好ましい。

【0093】

炭素数２〜２５のアミン化合物は、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンのいずれでもよい。また、炭素数２〜２５のアンモニウム塩とは、かかる炭素数の第四級アンモニウム塩である。前記アミン化合物及びアンモニウム塩は、鎖状及び環状のいずれでもよい。また、アミン又はアンモニウム塩を形成している窒素原子の数は１個でもよいし、２個以上でもよい。

【0094】

前記第一級アミンとしては、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいモノアルキルアミン、モノアリールアミン、モノ（ヘテロアリール）アミン、ジアミン等が例示できる。

【0095】

前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよく、前記一般式（１）のＲにおける前記アルキル基と同様のものが例示でき、炭素数が１〜１９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。
好ましい前記モノアルキルアミンとして、具体的には、ｎ−プロピルアミン、ｎ−ヘキシルアミン、２−エチルヘキシルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、ｎ−オクタデシルアミン（ステアリルアミン）、シクロヘキシルアミンが例示でき、ｎ−プロピルアミン、ｎ−ヘキシルアミン、２−エチルヘキシルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミンがより好ましい。

【0096】

前記モノアリールアミンを構成するアリール基としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基等が例示でき、炭素数が６〜１０であることが好ましい。

【0097】

前記モノ（ヘテロアリール）アミンを構成するヘテロアリール基は、芳香族環骨格を構成する原子として、ヘテロ原子を有するものであり、前記ヘテロ原子としては、窒素原子、硫黄原子、酸素原子、ホウ素原子が例示できる。また、芳香族環骨格を構成する前記へテロ原子の数は特に限定されず、１個でもよいし、２個以上でもよい。２個以上である場合、これらへテロ原子は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、これらへテロ原子は、すべて同じでもよいし、すべて異なっていてもよく、一部のみが異なっていてもよい。
前記ヘテロアリール基は、単環状及び多環状のいずれでもよく、その環員数（環骨格を構成する原子の数）も特に限定されないが、３〜１２員環であることが好ましい。

【0098】

前記ヘテロアリール基で、窒素原子を１〜４個有する単環状のものとしては、ピロリル基、ピロリニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、ピロリジニル基、イミダゾリジニル基、ピペリジニル基、ピラゾリジニル基、ピペラジニル基が例示でき、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１個有する単環状のものとしては、フラニル基が例示でき、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１個有する単環状のものとしては、チエニル基が例示でき、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１〜２個及び窒素原子を１〜３個有する単環状のものとしては、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、オキサジアゾリル基、モルホリニル基が例示でき、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１〜２個及び窒素原子を１〜３個有する単環状のものとしては、チアゾリル基、チアジアゾリル基、チアゾリジニル基が例示でき、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、窒素原子を１〜５個有する多環状のものとしては、インドリル基、イソインドリル基、インドリジニル基、ベンズイミダゾリル基、キノリル基、イソキノリル基、インダゾリル基、ベンゾトリアゾリル基、テトラゾロピリジル基、テトラゾロピリダジニル基、ジヒドロトリアゾロピリダジニル基が例示でき、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１〜３個有する多環状のものとしては、ジチアナフタレニル基、ベンゾチオフェニル基が例示でき、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１〜２個及び窒素原子を１〜３個有する多環状のものとしては、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾオキサジアゾリル基が例示でき、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１〜２個及び窒素原子を１〜３個有する多環状のものとしては、ベンゾチアゾリル基、ベンゾチアジアゾリル基が例示でき、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。

【0099】

前記ジアミンは、アミノ基を２個有していればよく、２個のアミノ基の位置関係は特に限定されない。好ましい前記ジアミンとしては、前記モノアルキルアミン、モノアリールアミン又はモノ（ヘテロアリール）アミンにおいて、アミノ基（−ＮＨ_２）を構成する水素原子以外の１個の水素原子が、アミノ基で置換されたものが例示できる。
前記ジアミンは炭素数が１〜１０であることが好ましく、より好ましいものとしてはエチレンジアミンが例示できる。

【0100】

前記第二級アミンとしては、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいジアルキルアミン、ジアリールアミン、ジ（ヘテロアリール）アミン等が例示できる。

【0101】

前記ジアルキルアミンを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１〜９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。また、ジアルキルアミン一分子中の２個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
好ましい前記ジアルキルアミンとして、具体的には、Ｎ−メチル−ｎ−ヘキシルアミンが例示できる。

【0102】

前記ジアリールアミンを構成するアリール基は、前記モノアリールアミンを構成するアリール基と同様であり、炭素数が６〜１０であることが好ましい。また、ジアリールアミン一分子中の２個のアリール基は、互いに同一でも異なっていてもよい。

【0103】

前記ジ（ヘテロアリール）アミンを構成するヘテロアリール基は、前記モノ（ヘテロアリール）アミンを構成するヘテロアリール基と同様であり、６〜１２員環であることが好ましい。また、ジ（ヘテロアリール）アミン一分子中の２個のヘテロアリール基は、互いに同一でも異なっていてもよい。

【0104】

前記第三級アミンとしては、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいトリアルキルアミン、ジアルキルモノアリールアミン等が例示できる。

【0105】

前記トリアルキルアミンを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１〜１９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。また、トリアルキルアミン一分子中の３個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、３個のアルキル基は、すべてが同じでもよいし、すべてが異なっていてもよく、一部のみが異なっていてもよい。
好ましい前記トリアルキルアミンとして、具体的には、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−オクタデシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシルアミンが例示できる。

【0106】

前記ジアルキルモノアリールアミンを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１〜６の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。また、ジアルキルモノアリールアミン一分子中の２個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
前記ジアルキルモノアリールアミンを構成するアリール基は、前記モノアリールアミンを構成するアリール基と同様であり、炭素数が６〜１０であることが好ましい。

【0107】

前記第四級アンモニウム塩としては、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいハロゲン化テトラアルキルアンモニウム等が例示できる。
前記ハロゲン化テトラアルキルアンモニウムを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１〜１９であることが好ましい。また、ハロゲン化テトラアルキルアンモニウム一分子中の４個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、４個のアルキル基は、すべてが同じでもよいし、すべてが異なっていてもよく、一部のみが異なっていてもよい。
前記ハロゲン化テトラアルキルアンモニウムを構成するハロゲンとしては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が例示できる。
好ましい前記ハロゲン化テトラアルキルアンモニウムとして、具体的には、ドデシルトリメチルアンモニウムブロミド、テトラドデシルアンモニウムブロミドが例示できる。

【0108】

ここまでは、主に鎖状のアミン及びアンモニウム塩について説明したが、前記アミン化合物及びアンモニウム塩は、アミン又はアンモニウム塩を形成している窒素原子が環骨格（複素環骨格）の一部であるようなヘテロ環化合物であってもよい。すなわち、前記アミン化合物は環状アミンでもよく、前記アンモニウム塩は環状アンモニウム塩でもよい。この時の環（アミン又はアンモニウム塩を形成する窒素原子を含む環）骨格は、単環状及び多環状のいずれでもよく、その環員数（環骨格を構成する原子の数）も特に限定されず、脂肪族環及び芳香族環のいずれでもよい。
環状アミンであれば、好ましいものとして、ピリジンが例示できる。

【0109】

前記第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン及び第四級アンモニウム塩において、「置換基で置換されていてもよい水素原子」とは、アミン又はアンモニウム塩を形成している窒素原子に結合している水素原子以外の水素原子である。この時の置換基の数は特に限定されず、１個でもよいし、２個以上でもよく、前記水素原子のすべてが置換基で置換されていてもよい。置換基の数が複数の場合には、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、複数個の置換基はすべて同じでもよいし、すべて異なっていてもよく、一部のみが異なっていてもよい。また、置換基の位置も特に限定されない。

【0110】

前記アミン化合物及びアンモニウム塩における前記置換基としては、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、水酸基、トリフルオロメチル基（−ＣＦ_３）等が例示できる。ここで、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示できる。

【0111】

前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基が置換基を有する場合、かかるアルキル基は、置換基としてアリール基を有する、炭素数が１〜９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は置換基として好ましくは炭素数が１〜５のアルキル基を有する、炭素数が３〜７の環状のアルキル基が好ましく、このようなモノアルキルアミンとして、具体的には、２−フェニルエチルアミン、ベンジルアミン、２，３−ジメチルシクロヘキシルアミンが例示できる。また、これらモノアルキルアミンが、さらに置換基としてハロゲン原子を有するものも好ましく、このようなモノアルキルアミンとしては、２−ブロモベンジルアミンが例示できる。

【0112】

前記モノアリールアミンを構成するアリール基が置換基を有する場合、かかるアリール基は、置換基としてハロゲン原子を有する、炭素数が６〜１０のアリール基が好ましい。

【0113】

前記ジアルキルアミンを構成するアルキル基が置換基を有する場合、かかるアルキル基は、置換基として水酸基又はアリール基を有する、炭素数が１〜９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基が好ましく、このようなジアルキルアミンとして、具体的には、ジエタノールアミン、Ｎ−メチルベンジルアミンが例示できる。

【0114】

前記アミン化合物は、２−エチルヘキシルアミン、２−フェニルエチルアミン、ｎ−ヘキシルアミン、ｎ−プロピルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、エチレンジアミン、Ｎ−メチル−ｎ−ヘキシルアミン、ｎ−オクタデシルアミン、シクロヘキシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−オクタデシルアミン、Ｎ−メチルベンジルアミン又はＮ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシルアミンであることが好ましい。

【0115】

本発明においては、アミン化合物のみを使用してもよいし、アンモニウム塩のみを使用してもよく、アミン化合物及びアンモニウム塩を併用してもよいが、アミン化合物のみを使用することが好ましい。

【0116】

前記アミン化合物及びアンモニウム塩は、いずれも一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

【0117】

銀インク組成物において、アミン化合物及びアンモニウム塩の総配合量は、β−ケトカルボン酸銀（１）の配合量１モルあたり１〜１０モルであることが好ましく、１．５〜７モルであることがより好ましい。下限値以上であることで、銀インク組成物の安定性がより向上し、上限値以下であることで、銀層の品質がより向上する。

【0118】

（アルコール）
前記銀インク組成物は、β−ケトカルボン酸銀（１）以外に、さらにアルコールが配合されてなるものでもよい。
前記アルコールは、下記一般式（２）で表されるアセチレンアルコール類（以下、「アセチレンアルコール（２）」と略記することがある）であることが好ましい。

【0119】

【化4】

（式中、Ｒ’及びＲ’’は、それぞれ独立に炭素数１〜２０のアルキル基、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基である。）

【0120】

式中、Ｒ’及びＲ’’は、それぞれ独立に炭素数１〜２０のアルキル基、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基である。
Ｒ’及びＲ’’における炭素数１〜２０のアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよく、環状である場合、単環状及び多環状のいずれでもよい。Ｒ’及びＲ’’における前記アルキル基としては、前記一般式（１）のＲにおける前記アルキル基と同様のものが例示できる。

【0121】

Ｒ’及びＲ’’におけるフェニル基の水素原子が置換されていてもよい前記置換基としては、炭素数が１〜１６の飽和又は不飽和の一価の脂肪族炭化水素基、該脂肪族炭化水素基が酸素原子に結合してなる一価の基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、水酸基、シアノ基、フェノキシ基等が例示でき、Ｒにおけるフェニル基の水素原子が置換されていてもよい前記置換基と同様である。そして、置換基の数及び位置は特に限定されず、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。

【0122】

Ｒ’及びＲ’’は、炭素数１〜２０のアルキル基であることが好ましく、炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基であることがより好ましい。

【0123】

好ましいアセチレンアルコール（２）としては、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、３−メチル−１−ブチン−３−オール、３−メチル−１−ペンチン−３−オールが例示できる。

【0124】

銀インク組成物において、アセチレンアルコール（２）の配合量は、β−ケトカルボン酸銀（１）の配合量１モルあたり０．０３〜０．７モルであることが好ましく、０．０４〜０．３モルであることがより好ましい。下限値以上であることで、銀インク組成物の安定性がより向上し、上限値以下であることで、銀層の品質がより向上する。

【0125】

前記アルコールは、一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合で、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

【0126】

銀インク組成物は、β−ケトカルボン酸銀（１）、アミン化合物及び／又はアンモニウム塩、並びにアルコール以外の、その他の成分が配合されてなるものでもよい。
前記その他の成分は、目的に応じて任意に選択でき、特に限定されない。例えば、後述する還元剤を前記その他の成分として用いることもできる。
銀インク組成物において、配合成分の総量に占める前記その他の成分の配合量の比率（配合比）は、２０質量％以下であることが好ましく、１０質量％以下であることがより好ましい。
前記その他の成分は、一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合で、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

【0127】

銀インク組成物中の成分は、すべて溶解していてもよいし、一部又はすべてが溶解していなくてもよいが、溶解していない成分は、均一に分散されていることが好ましい。

【0128】

銀インク組成物は、β−ケトカルボン酸銀（１）、及びβ−ケトカルボン酸銀（１）以外の成分を配合することで得られる。
各成分の配合時には、すべての成分を添加してからこれらを混合してもよいし、一部の成分を順次添加しながら混合してもよく、すべての成分を順次添加しながら混合してもよい。
混合方法は特に限定されず、撹拌子又は撹拌翼等を回転させて混合する方法、ミキサーを使用して混合する方法、超音波を加えて混合する方法等、公知の方法から適宜選択すればよい。

【0129】

配合時の温度は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されないが、−５〜３０℃であることが好ましい。

【0130】

銀インク組成物は、密着層形成用組成物と同様の方法で、密着層１０２上に付着させればよい。このように、背面電極層１０３は、スパッタリング法以外の汎用性のある方法で形成できるので、低コストで且つ高い生産性で発光素子１を製造できる。

【0131】

背面電極層形成工程においては、密着層１０２に付着させるβ−ケトカルボン酸銀（１）の量を調節することで、背面電極層１０３の厚さを調節できる。この場合、密着層１０２に付着させる銀インク組成物の量、又は銀インク組成物のβ−ケトカルボン酸銀（１）の含有量を調節すればよい。

【0132】

密着層１０２上に付着させた銀インク組成物の加熱（焼成）処理の条件は、銀インク組成物の配合成分の種類に応じて適宜調節すればよい。通常は、加熱温度が６０〜２１０℃であることが好ましく、７０〜１８０℃であることがより好ましい。加熱時間は、加熱温度に応じて調節すればよいが、通常は、０．２〜１２時間であることが好ましく、０．４〜１０時間であることがより好ましい。β−ケトカルボン酸銀（１）は、例えば、酸化銀等のその他の金属銀形成材料とは異なり、当該分野で公知の還元剤等を用いなくても、低温で分解する。そして、このような分解温度を反映して、前記銀インク組成物は、上記のように、その他のものより極めて低温で金属銀を形成できる。そして、還元剤を用いることで、さらに低温で金属銀を形成できる。

【0133】

銀インク組成物の加熱処理の方法は特に限定されず、例えば、電気炉による加熱、感熱方式の熱ヘッドによる加熱等で行うことができる。また、銀インク組成物の加熱処理は、大気下で行ってもよいし、不活性ガス雰囲気下で行ってもよい。そして、常圧下及び減圧下のいずれで行ってもよい。

【0134】

［バッファ層形成工程］
背面電極層１０３を形成後は、背面電極層１０３上にバッファ層１０４を形成する。
バッファ層１０４は、例えば、高周波スパッタリング法により形成（成膜）できる。このとき、例えば、圧力を０．３Ｐａ、出力を１０Ｗとし、スパッタガスとしてアルゴン（Ａｒ）ガス又は窒素（Ｎ_２）ガス等の不活性ガスを用い、この不活性ガス雰囲気下で成膜することが好ましい。背面電極層１０３が金属銀からなる場合、金属銀は反応性が高いので、酸素（Ｏ_２）ガス雰囲気下等で成膜すると、背面電極層１０３も酸化されてしまうからである。したがって、バッファ層１０４を、例えば、酸化クロム等の酸化物からなるものとする場合には、クロムターゲット等の金属ターゲットを用いて、酸素ガス雰囲気下で成膜するのではなく、酸化クロム等の酸化物ターゲットを用いて、不活性ガス雰囲気下で成膜することが好ましい。

【0135】

上記で形成した背面電極層１０３及びバッファ層１０４は、例えば、硝酸、リン酸及び酢酸の混合液を用いたリソグラフィー技術を適用して、選択的にエッチングすることにより、図１に示すように所定の形状にパターニングできる。

【0136】

［絶縁層形成工程］
背面電極層１０３及びバッファ層１０４のパターニング後は、各層が形成された基材１０１上の全面（すなわち、密着層１０２の露出された表面、背面電極層１０３の露出された表面、及びバッファ層１０４の露出された表面）に、例えば、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）により、絶縁層１０５を形成（成膜）し、例えば、リソグラフィー技術を適用して、絶縁層１０５のうち、発光領域に対応する部分を選択的に除去して、開口部１０５ａを形成する。

【0137】

［正孔注入層形成工程、正孔輸送層形成工程、発光層形成工程、半透過性電極層形成工程］
絶縁層１０５を形成後は、例えば、蒸着法により、正孔注入層１０６、正孔輸送層１０７、発光層１０８及び半透過性電極層１０９ａを順次形成（成膜）する。このとき、これらの形成予定領域に対応した開口部を有する金属製エリアマスクを用い、発光部、すなわち絶縁層１０５の開口部１０５ａに対応させて、これらの層を形成する。ただし、開口部１０５ａのみに高精度に蒸着させることは困難であり、開口部１０５ａ全体を覆い、絶縁層１０５の縁にかかるようにして形成してもよい。

【0138】

［透明電極層形成工程］
半透過性電極層１０９ａを形成後は、半透過性電極層１０９ａ上に透明電極層１０９ｂを形成する。
透明電極層１０９ｂは、例えば、上記と同様の金属製エリアマスクを用いて、直流スパッタリング法により形成（成膜）できる。スパッタガスとしては、例えば、アルゴン及び酸素の混合ガス（Ａｒ：Ｏ_２＝１０００：５、体積比）を用い、圧力を０．３Ｐａ、出力を４０Ｗとして、スパッタリングすることができる。
以上の工程を行うことで、図１に示す発光素子１が得られる。

【0139】

本発明に係る発光素子は、図１に示すものに限定されず、本発明の効果を損なわない範囲内において、一部構成が変更されたものでもよい。例えば、少なくとも基材１０１、密着層１０２、背面電極層１０３、発光層１０８及び表面電極層１０９がこの順に積層された構成であればよい。そして、表面電極層１０９は、半透過性電極層１０９ａを備えず、透明電極層１０９ｂのみからなるものでもよい。

【実施例】

【0140】

以下、具体的実施例により、本発明についてより詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に示す実施例に、何ら限定されるものではない。

【0141】

［実施例１］
上記で説明した製造方法により、図１に示す発光素子を製造した。ただし、基材、密着層、背面電極層、発光層及び表面電極層がこの順に積層され、バッファ層、絶縁層、正孔注入層及び正孔輸送層を備えていない発光素子とした。また、表面電極層は、透明電極層のみからなる（半透過性電極層を備えていない）ものとした。
基材としては、ＰＥＴフィルムを用いた。
密着層は、化合物（３）として信越シリコーン社製「ＫＢＭ６０３」が配合されてなる液状の密着層形成用組成物を用いて形成した。
背面電極層は、銀インク組成物を背面電極層形成用組成物として用い、これをインクジェット印刷法により密着層上に塗布し、加熱処理することにより、金属銀からなる層として形成した。ここで、銀インク組成物としては、表１に示すように、２−メチルアセト酢酸銀（０．１９０モル）、２−エチルヘキシルアミン（０．９２９モル、２−メチルアセト酢酸銀に対して４．９倍モル）、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール（０．０１９モル、２−メチルアセト酢酸銀に対して０．１倍モル）が配合されてなる銀インク組成物（１）を用いた。
発光層は、スパッタリング法により、２−メトキシ，５−（２’−エチル−ヘキソキシ）−１，４−フェニレン−ビニレン）（ＭＥＨ−ＰＰＶ）を用いて形成した。
表面電極層（透明電極層）は、スパッタリング法により、ＩＴＯからなる層として形成した。
得られた発光素子は、表２に示すように、表面粗さＲａが１１．５ｎｍであり、電流密度が４ｍＡ／ｃｍ^２での駆動条件における発光輝度が３０７ｃｄ／ｍ^２であり、発光効率が７．６８ｃｄ／Ａであった。なお、ここで表面粗さＲａは、ハイブリッド顕微鏡（キーエンス社製「ＶＮ−８０１０」）を用いて測定し、発光輝度は、輝度計（例えば、コニカミノルタ社製「ＣＳ−１００Ａ」等）を用いて測定した。

【0142】

［実施例２］
銀インク組成物として、表１に示すように、２−メチルアセト酢酸銀（０．１９０モル）、２−エチルヘキシルアミン（０．４２８モル、２−メチルアセト酢酸銀に対して２．２５倍モル）、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール（０．０１９モル、２−メチルアセト酢酸銀に対して０．１倍モル）が配合されてなる銀インク組成物（２）を用い、スクリーン印刷法により、背面電極層を形成したこと以外は、実施例１と同様に、発光素子を製造及び評価した。
評価結果を表２に示す。

【0143】

［実施例３］
銀インク組成物として、表１に示すように、２−メチルアセト酢酸銀（０．１９０モル）、２−エチルヘキシルアミン（０．４２８モル、２−メチルアセト酢酸銀に対して２．２５倍モル）、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール（０．００７９モル、２−メチルアセト酢酸銀に対して０．０４２倍モル）が配合されてなる銀インク組成物（３）を用い、スクリーン印刷法により、背面電極層を形成したこと以外は、実施例１と同様に、発光素子を製造及び評価した。
評価結果を表２に示す。

【0144】

［実施例４］
銀インク組成物として、表１に示すように、２−メチルアセト酢酸銀（０．１９０モル）、２−エチルヘキシルアミン（０．４２８モル、２−メチルアセト酢酸銀に対して２．２５倍モル）が配合されてなる銀インク組成物（４）を用い、スクリーン印刷法により、背面電極層を形成したこと以外は、実施例１と同様に、発光素子を製造及び評価した。
評価結果を表２に示す。

【0145】

［実施例５］
スクリーン印刷法に代えて、フレキソ印刷法により背面電極層を形成したこと以外は、実施例２と同様に、発光素子を製造及び評価した。
評価結果を表２に示す。

【0146】

［比較例１］
密着層を形成せず、２−メチルアセト酢酸銀が配合されてなる前記銀インク組成物に代えて、以下に示す銀ペーストを用い、これをスクリーン印刷法により基材上に塗布し、加熱処理することにより、背面電極層を形成したこと以外は、実施例１と同様に、発光素子を製造及び評価した。
前記銀ペーストは、平均粒径が１μｍのフレーク状銀粉と、バインダーとして前記フレーク状銀粉に対して０．５質量％のフェノール樹脂と、主溶媒としてγ−ブチロラクトンと、を混合し、ここにさらにグルタミン酸ジメチル６５質量％とコハク酸ジメチル３５質量％の混合溶媒（シグマアルドリッチ社製「ＤＢＥ−９」）を添加して、前記フレーク状銀粉の含有量が６５質量％であり、２５℃での粘度が４６Ｐａ・ｓとなるように調節することで調製した。
前記銀ペーストの粘度は、ＣＢＣ社製振動式粘度計「ＶＭ−１０Ａ」を用いて測定した。
評価結果を表２に示す。

【0147】

【表1】

【0148】

【表2】

【0149】

これらの結果より、本発明に係る発光素子は、背面電極層の表面粗さＲａが１７０ｎｍ未満であり、発光効率及び発光輝度に優れることが確認できた。

【産業上の利用可能性】

【0150】

本発明は、発光素子として、表示装置、照明装置等の分野で利用可能である。

【符号の説明】

【0151】

１・・・発光素子、１０１・・・基材、１０２・・・密着層、１０３・・・背面電極層、１０８・・・発光層、１０９・・・表面電極層

【図1】