発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、前述の特許文献１、２に記載の方法では、いずれも、電子の移動度は向上するが、しきい値電圧の低下およびしきい値電圧シフトの問題は未解決のまま残り、すべてを満足する界面制御方法であるとは言えない。 本発明はこれらの点を踏まえてなされたものである。本発明の目的は前述したゲート酸化膜／炭化珪素半導体基板の界面に特有の高い界面準位密度を低減し、高チャネル移動度を得ることができ、しきい値電圧の低下およびしきい値電圧シフトについても抑えることのできるゲート酸化膜の形成方法を提供することである。また、前記ゲート酸化膜の形成方法により作製されるゲート酸化膜を有する炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することも本発明の目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、ゲート酸化膜／炭化珪素半導体基板の界面に特有の高い界面準位密度を低減させ、高チャネル移動度を得ることができ、しきい値電圧の低下およびしきい値電圧シフトについても抑えることのできるゲート酸化膜の形成方法を提供することができる。また、前記ゲート酸化膜の形成方法により作製されるゲート酸化膜を有する炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することもできる。