【図1-1】実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。

【図1-2】実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。

【図2】比較例の炭化珪素半導体装置の製造方法の冷却時のガス添加量とエピタキシャル膜中の結晶欠陥密度との関係を示す図表である。

【図3】実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法の冷却時のガス添加量とエピタキシャル膜中の結晶欠陥密度との関係を示す図表である。

【図4】実施の形態２にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法の冷却時のガス添加量とエピタキシャル膜中の結晶欠陥密度との関係を示す図表である。

【図5】実施の形態２にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法の冷却時のガス添加量とエピタキシャル膜の膜厚との関係を示す特性図である。

【図6】実施の形態２にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法によって作製された炭化珪素半導体装置のキャリアライフタイムを示す図表である。