【図1】図１は、実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。

【図2】図２は、実施の形態１にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。

【図3】図３は、実施の形態１にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。

【図4】図４は、実施の形態１にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。

【図5】図５は、実施の形態１にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。

【図6】図６は、実施の形態１にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。

【図7】図７は、実施の形態１にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。

【図8A】図８Ａは、実施の形態１にかかる半導体装置の不純物濃度分布を示す特性図である。

【図8B】図８Ｂは、実施の形態１にかかる半導体装置の不純物濃度分布を示す特性図である。

【図9】図９は、実施の形態１にかかる半導体装置のオン電圧の水素ドーズ量依存性を示す特性図である。

【図10】図１０は、実施の形態１にかかる半導体装置の逆回復波形の水素ドーズ量依存性を示す特性図である。

【図11】図１１は、実施の形態２にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。

【図12A】図１２Ａは、実施の形態２にかかる半導体装置の不純物濃度分布を示す特性図である。

【図12B】図１２Ｂは、実施の形態２にかかる半導体装置の不純物濃度分布を示す特性図である。

【図13】図１３は、実施の形態３にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。

【図14】図１４は、実施の形態４にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。

【図15】図１５は、実施の形態５にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。

【図16】図１６は、実施の形態６にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。

【図17】図１７は、実施の形態７にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。

【図18】図１８は、実施の形態７にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。

【図19】図１９は、実施の形態７にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。

【図20】図２０は、実施の形態７にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。

【図21】図２１は、実施の形態７にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。

【図22】図２２は、実施の形態７にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。

【図23】図２３は、実施の形態７にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。

【図24】図２４は、実施の形態７にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。

【図25】図２５は、実施の形態８にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。

【図26】図２６は、実施の形態９にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。

【図27】図２７は、実施の形態１０にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。

【図28】図２８は、実施の形態１１にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。

【図29A】図２９Ａは、実施の形態１２にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。

【図29B】図２９Ｂは、実施の形態１２にかかる半導体装置の構造の一例を示す平面図である。

【図29C】図２９Ｃは、図２９Ｂにおける切断線Ａ−Ａ'の断面構造を示す断面図である。

【図30】図３０は、実施の形態１３にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。

【図31】図３１は、実施の形態１４にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。

【図32】図３２は、実施の形態１４にかかる半導体装置の製造方法によって製造される半導体装置の一例を示す断面図である。

【図33】図３３は、実施の形態１５にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。

【図34】図３４は、実施の形態１６にかかる半導体装置の製造方法の概要を示す説明図である。

【図35】図３５は、実施の形態１６にかかる半導体装置の製造方法の概要を示す説明図である。

【図36】従来のダイオードの要部を示す断面図である。