発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、特許文献１〜３では、オーミックコンタクトを形成する部分（すなわち遷移金属層や、基板と遷移金属層との界面）のみを加熱することができず、基板全体（素子全体）が一様に加熱される。例えば、炭化珪素半導体部と遷移金属層とのオーミックコンタクトを形成する場合、上述したように１０００℃以上の高温度で熱処理される。このため、半導体部とゲート絶縁膜との界面特性や素子を構成する材料が劣化する虞がある。特許文献４では、スポット径を絞った状態でレーザーを照射し所定領域を選択的に加熱するため、特許文献１〜３で生じる問題を解消することができる。 しかしながら、特許文献４では、レーザーを集光するレンズから遷移金属層の表面までの距離は、遷移金属層の全面にわたって等しいことが求められる。すなわち、素子表面が平坦で凹凸のない素子構造であることが求められる。このため、トレンチ側壁やチップ側壁に遷移金属層が設けられているなどによって、レーザーを集光するレンズから遷移金属層の表面までの距離が一定でない場合、各配置に対応した条件でレーザー照射を行う必要があることから、すべての遷移金属層を同時に加熱することができず、スループットが低下する虞がある。 さらに、特許文献４では、レーザー照射によって所定領域を選択的に加熱するため、レーザーの照射位置や照射軌跡などのプログラミング制御が複雑になる。また、レーザー照射の位置ずれなどによって、照射むらが生じてコンタクト抵抗がばらついたり、遷移金属層の周囲に配置された遷移金属層以外の構成部（例えばゲート絶縁膜など）が加熱されて素子特性が劣化する虞がある。また、遷移金属層の表面積がレーザーのスポット径に対応する面積よりも小さい場合、遷移金属層のみを選択的に加熱することができないという問題がある。 特許文献５では、素子表面の凹凸の有無や遷移金属層のパターンによらず、リモート水素プラズマ処理によって遷移金属層のみが発熱するため、遷移金属層のみを一様に加熱することができる。このため、レーザー照射によって遷移金属層を選択的に加熱する際に生じる問題を解消することができる。しかしながら、特許文献５および非特許文献１では、水素原子の平均自由工程を大きくし、寿命をのばすため圧力をさげているので高密度プラズマは作れない。このため、水素原子密度が低くなり、急速加熱ができないという問題がある。実際、特許文献５では、２００Ｗ〜５００Ｗの低い電力でプラズマ処理を長時間行っており、プラズマ処理中に、遷移金属層からの熱伝導により、遷移金属層以外の構成部（例えば素子全体）が加熱され、素子特性が劣化する虞がある。 この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、コンタクト抵抗の低いオーミックコンタクトを形成することができるとともに、素子特性が劣化することを防止することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明にかかる半導体装置の製造方法によれば、コンタクト抵抗の低いオーミックコンタクトを形成することができるとともに、素子特性が劣化することを防止することができるという効果を奏する。