特許第6037673号(P6037673)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許6037673ＳｉＣ単結晶基板及びＳｉＣエピタキシャルウェハの評価方法、ＳｉＣ単結晶及びＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法、並びに、ＳｉＣ単結晶
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