(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下に、本発明にかかる電力変換装置の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
【0011】
実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態に係る電力変換装置の一構成例を示す図である。
図1に示す電力変換装置13は、三相交流電源1(交流電源)と負荷12の間に配置され、三相整流器2(整流回路部)と、昇圧コンバータ部3と、平滑コンデンサ7と、リアクタ電流検出部8と、母線電圧検出部9と、スイッチング制御部10と、スイッチング周波数変更部11と、を備える。
【0012】
三相交流電源1は、昇圧リアクタ4を介して短絡部24で短絡されている。
【0013】
三相整流器2は、6個のダイオード素子14a〜14fがブリッジ接続された構成であり、三相交流電源1の交流電圧を整流する。
【0014】
昇圧コンバータ部3は、昇圧リアクタ4と、スイッチング素子5と、逆流防止素子6と、を備える。昇圧コンバータ部3より負荷12側には、平滑化部25が配置されている。平滑化部25は平滑化コンデンサ7を有し、平滑化コンデンサ7により昇圧コンバータ部3の出力(負荷12側の直流電圧)が平滑化される。
【0015】
図1に示す昇圧コンバータ部3の構成では、昇圧リアクタ4は短絡部24よりも三相交流電源1側に配置され、逆流防止素子6は、平滑化部25から三相交流電源1側への電流の逆流を防止するように短絡部24よりも負荷12側に配置されている。
【0016】
短絡部24は、平滑化部25よりも三相交流電源1側に配置され、三相交流電源1側を短絡する。短絡部24は、スイッチング素子5を有し、スイッチング素子5により短絡部24の開閉が制御される。スイッチング素子5としては、例えばIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)を用いることができる。
【0017】
逆流防止素子6は、平滑化部25から三相交流電源1側への電流の逆流を防止する。逆流防止素子6としては、
図1に例示するようにダイオード素子を用いればよい。逆流防止素子6に用いるダイオード素子としては、ファストリカバリダイオードを例示することができる。
【0018】
平滑コンデンサ7は、昇圧コンバータ部3の出力を平滑する。
【0019】
リアクタ電流検出部8は、昇圧リアクタ4に流れるリアクタ電流を検出する。
【0020】
母線電圧検出部9は、平滑化された昇圧コンバータ部3の出力電圧である母線電圧を検出し、出力する。
【0021】
スイッチング制御部10は、スイッチング素子5を動作させる駆動信号を生成し、スイッチング素子5の開閉を制御し、短絡部24が開閉するか否かを制御する。スイッチング制御部10は、演算器により構成されていればよい。演算器としては、マイコン(マイクロコンピュータ)またはDSP(Digital Signal Processor)等を例示することができる。
【0022】
図2は、本発明の実施の形態1に係るスイッチング制御部10の一構成例を示す図である。
図2に示すスイッチング制御部10は、母線電圧制御部21と、リアクタ電流制御部22と、駆動パルス生成部23と、を備える。
【0023】
母線電圧制御部21は、母線電圧検出部9の出力信号である母線電圧値V
oと母線電圧指令値V
o*から、リアクタ電流指令値I
dc*を演算する。ここで、リアクタ電流指令値I
dc*の演算は、例えば、母線電圧検出部9の出力信号である母線電圧値V
oと母線電圧指令値V
o*との偏差を比例積分制御(PI制御)して行う。
【0024】
リアクタ電流制御部22は、リアクタ電流検出部8の出力信号であるリアクタ電流値I
dcと、母線電圧制御部21の出力信号であるリアクタ電流指令値I
dc*とから、スイッチング素子5のオンデューティーを演算する。ここで、オンデューティーの演算は、例えば、リアクタ電流検出部8の出力信号であるリアクタ電流値I
dcと、母線電圧制御部21の出力信号であるリアクタ電流指令値I
dc*との偏差を比例積分制御して行う。なお、オンデューティーの演算は、母線電圧検出部9の出力信号である母線電圧値V
oと、母線電圧指令値V
o*の偏差を比例積分制御(PI制御)して行ってもよい。つまり、リアクタ電流値I
dcを用いずにオンデューティーの演算を行ってもよい。したがって、オンデューティーの演算には、リアクタ電流検出部8及び母線電圧検出部9のいずれかを備えていればよい。
【0025】
駆動パルス生成部23は、リアクタ電流制御部22または母線電圧制御部21にて演算したオンデューティーに基づいて、スイッチング素子5を動作させる駆動パルスを生成する。駆動パルス生成部23は、例えば、上記オンデューティーに基づいたタイマ値を演算し、三角波や鋸歯波のようなキャリア信号とタイマ値を比較して、キャリア信号よりタイマ値が大きくなる区間のみ、スイッチング素子5がオンするようにパルス信号を出力する。
【0026】
なお、母線電圧制御部21及びリアクタ電流制御部22の演算方法は比例積分制御(PI制御)に限定されず、比例制御を用いてもよいし、積分制御を用いてもよい。または、比例積分微分制御(PID制御)を用いてもよい。
【0027】
次に、昇圧コンバータ部3の動作について説明する。昇圧コンバータ部3の入力電圧は三相整流器2にて整流された出力電圧であり、これをV
dsと表記する。昇圧コンバータ部3の出力電圧は、平滑化部25で平滑化される。平滑化部25で平滑化された電圧をV
oと表記する。スイッチング素子5がオンするときには、逆流防止素子6は導通せず、昇圧リアクタ4の両端にはV
dsが印加される。
【0028】
スイッチング素子5がオフするときには、逆流防止素子6が導通し、昇圧リアクタ4には電圧V
ds−V
oが、スイッチング素子5がオンするときとは逆向きに誘導される。
【0029】
このとき、エネルギーの観点からは、スイッチング素子5のオン時に昇圧リアクタ4にエネルギーが蓄積され、該エネルギーが、スイッチング素子5のオフ時に負荷12へ移送されるということができる。
【0030】
スイッチング素子5のオン時とオフ時において、昇圧リアクタ4を出入りするエネルギーが等しいとすると、V
dsとV
oは、オンデューティーD
onを用いてV
o=V
ds/(1−D
on)と表される。
【0031】
従って、スイッチング素子5のオンデューティーD
onを制御することで、V
dsを制御することができ、昇圧コンバータ部3の出力電圧を制御することができる。
【0032】
また、上記の式をオンデューティーD
onについて解くと、D
on=(V
o−V
ds)/V
oと表される。
【0033】
従って、所望の母線電圧を得るためのオンデューティー理論値は、この式のV
oに所望の母線電圧指令値V
o*を代入することで得られる。
【0034】
図3は、昇圧コンバータ部3の動作時の電流波形を示す図である。
図3(a)は、スイッチング素子5がオンしている時の電流波形を示し、
図3(b)は、スイッチング素子5がオフしている時の電流波形を示す。スイッチング素子5がオンしているときには、昇圧リアクタ4にはV
dsが印加される。このとき、昇圧リアクタ4を三相交流電源1側から負荷12側に流れるリアクタ電流I
Lonは、時間とともに直線的に増加し、昇圧リアクタ4のインダクタンス値をLとすると、その傾きΔI
Lonは、ΔI
Lon=V
ds/Lと表される。
【0035】
また、スイッチング素子5がオフしているときには、昇圧リアクタ4にはV
ds−V
oが、オン時とは逆向きに印加される。このとき昇圧リアクタ4を三相交流電源1側から負荷12側に流れる電流I
Loffは、直線的に減少し、その傾きΔI
Loffは、ΔI
Loff=(V
ds−V
o)/Lと表される。
【0036】
これらの式より、母線電圧指令値V
o*、整流電圧V
ds及びオンデューティーD
onが、上記の式の関係を満たすとき、スイッチング素子5がオンする期間における電流の変化量とオフする期間における電流の変化量が等しくなる。
【0037】
また、オンデューティーD
onが、上記の式の関係よりも大きい場合には、スイッチング素子5がオンする期間における電流の変化量が、オフする期間における電流の変化量よりも大きくなる。
【0038】
図4は、スイッチング素子5がオンする期間における電流の変化量が、オフする期間における電流の変化量より大きくなる場合の電流波形を示す図である。
図4に示すように、スイッチング素子5の開閉を繰り返すことによって、電流は次第に増加していく。
【0039】
また、オンデューティーD
onが、上記の式の関係よりも小さい場合には、スイッチング素子5がオンする期間における電流の変化量が、オフする期間における電流の変化量よりも小さくなる。
【0040】
図5は、スイッチング素子5がオンする期間における電流の変化量が、オフする期間における電流の変化量より小さくなる場合の電流波形を示す図である。
図5に示すように、スイッチング素子5の開閉を繰り返すことによって、電流は次第に減少していく。
【0041】
以上、
図4及び
図5を参照して説明したように、昇圧リアクタ4を三相交流電源1側から負荷12側に流れる電流の波形は、オンデューティーによって、制御することができる。
【0042】
ここで、リアクタ電流の電流モードについて説明する。
図6(a)〜(c)は、リアクタ電流の電流モードを説明する図である。
【0043】
図6(a)に示すように、スイッチング素子5の1回のスイッチング(オンし、オフする)毎に、リアクタ電流がゼロとなる電流モードを不連続モードと呼ぶ。
【0044】
一方、
図6(c)に示すように、スイッチング素子5の1回のスイッチング(オンし、オフする)毎に、リアクタ電流がゼロとならない電流モードを連続モードと呼ぶ。連続モードでは、次にスイッチング素子5がオンする時に、前回のスイッチング素子5のオフ区間の電流の最終値を初期値とした挙動となる。
【0045】
また、
図6(b)に示すように、スイッチング素子5のオフ区間にリアクタ電流がゼロとなると同時に、次のスイッチング素子5のオン区間が始まる電流モードを、前記不連続モードと前記連続モードの境界という意味で、臨界モードと呼ぶ。
【0046】
図1に示すように、三相交流電源1を用いて、交流電圧を三相整流器2で整流する場合には、各相の入力電流は、電源電圧周期の180度中に120度の通電区間を有する。
【0047】
また、この通電区間における電流は、その通電区間に、昇圧リアクタ4を三相交流電源1側から負荷12側に流れる電流と等しい。
【0048】
したがって、上記説明したようにオンデューティーを制御して変化させると、昇圧リアクタ4に流れる電流の波形が変化し、このとき各相の入力電流の波形も変化する。このようにして、昇圧コンバータ部3によって、母線電圧を昇圧するのみならず、力率の向上と入力電流に含まれる高調波成分の低減も可能となる。
【0049】
図7(a),(b)は、不連続モードにおける波形である。
図7(a)は、不連続モードにおいてオンデューティーが大きい場合の波形を示し、
図7(b)は、不連続モードにおいてオンデューティーが小さい場合の波形を示す。
【0050】
図8(a),(b)は、連続モードにおける波形である。
図8(a)は、連続モードにおいてオンデューティーが大きい場合の波形を示し、
図8(b)は、連続モードにおいてオンデューティーが小さい場合の波形を示す。
【0051】
上述したように、スイッチング制御部10にてオンデューティーの演算を行い、このオンデューティーに基づいてスイッチング素子5の開閉を行うが、スイッチング素子5が開閉を繰り返す周波数であるスイッチング周波数は、一般に駆動パルス生成部23におけるキャリア信号の周波数によって決定される。このキャリア信号は、スイッチング制御部10に使用するマイコンなどによって設定されるが、母線電圧制御部21及びリアクタ電流制御部22の制御演算等を行うタイミングも、通常同一のキャリア信号の山や谷のタイミングに同期させるため、キャリア信号は所定の値に設定しておくことが一般的である。また、キャリア信号の周波数が早い(周期が短い)場合には、制御演算に用いることのできる時間も短くなる。つまり、機器の負荷に応じてスイッチング周波数を変更する(特に周波数を高くする)ことが困難であるという問題がある。
【0052】
そこで本発明においては、
図1に示すように、短絡部24に含まれるスイッチング素子5のゲートとスイッチング制御部10の間にスイッチング周波数変更部11を設けることで、駆動パルス生成部23におけるキャリア信号の周波数を変更することなく、スイッチング周波数の変更を行う。このように駆動パルス生成部23におけるキャリア信号の周波数を変更しないため、制御演算の負荷に対して影響を及ぼすことなくスイッチング周波数の変更を行うことができる。
【0053】
次に、スイッチング周波数変更部11の動作について説明する。
図9は、スイッチング周波数変更部11を用いた動作の一例として、スイッチング周波数を駆動パルス生成部23におけるキャリア信号の周波数の2倍とする場合を説明する図である。
【0054】
このとき、駆動パルス生成部23は、少なくとも2本の駆動パルス(S1,S2)を出力する。ここで、駆動パルス生成部23は、モータ制御機能を持つマイコンに搭載される6相PWM機能を有することが望ましい。
【0055】
6相PWM機能は、汎用的な機能として、モータ制御をする三相インバータの制御に用いることが想定されたマイコンによく搭載されており、ある一相のタイマ値を設定することで、インバータの一相の上下のスイッチング素子に適した、つまりオンとオフが反転した二相の駆動パルス(S1pとS1n,S2pとS2n)が生成される。モータ制御に用いる際には、例えば120度ずつ位相の異なる三相のタイマ値を設定することで、インバータの三相上下6素子分のスイッチングを制御することができる。
【0056】
本実施の形態においては、この6相の駆動パルス生成を用いることで、スイッチング周波数を簡易に変更することができる。
【0057】
このとき、2本の駆動パルスを生成する際の第1のタイマ値t1及び第2のタイマ値t2は、リアクタ電流演算部22にて演算されたオンデューティーD
onに基づき、t1=D
on/2,t2=1−t1=1−D
on/2と演算される。
【0058】
ここでは、スイッチング周波数をキャリア信号の周波数の2倍に変更するため、キャリア信号と比較する第1のタイマ値t1はオンデューティーD
onの1/2とし、第2のタイマ値t2は1(オンデューティー100%)から第1のタイマ値t1を引いた値とすることで、同一キャリア信号と比較した際にt1で生成したパルスと位相差が180度のパルスが生成される。このとき、両パルスのオン時間の割合は等しくなる。
【0059】
そして、スイッチング周波数変更部11に含まれるOR回路にS1pとS2nを入力する(S1p OR S2n)。
【0060】
ここで、S1pは第1のタイマ値t1を用いて生成したパルス信号のうちインバータの上アーム側の素子用のパルス信号であり、S1nは第1のタイマ値t1を用いて生成したパルス信号のうちインバータの下アーム側の素子用のパルス信号である。そして、S2pは第2のタイマ値t2を用いて生成したパルス信号のうちインバータの上アーム側の素子用のパルス信号であり、S2nは第2のタイマ値t2を用いて生成したパルス信号のうちインバータの下アーム側の素子用のパルス信号である。
【0061】
上述したように、S1pとS2nはオン時間の割合が同一であり、互いに180度の位相差があるため、これらの論理和を出力することで、出力されるパルス信号は、キャリア信号の1周期内にオン区間とオフ区間がともに2度現れ、キャリア信号の2倍の周波数の信号となる。
【0062】
また、上述の第1のタイマ値t1は、所望のオンデューティーD
onの1/2に設定することで、スイッチング周期に対するオン時間の割合は所望のオンデューティーD
onと同等の値になる。このようにして、マイコンのキャリア周波数の上限を超えたスイッチング周波数のパルス信号を生成することができる。
【0063】
なお、スイッチング素子5及び逆流防止素子6をワイドギャップ半導体(例えば、SiCまたはGaN等)により形成する場合には、Siにより形成した素子に比べて高いスイッチング周波数で用いることが一般的である。このようにワイドギャップ半導体を用いる場合に、本発明によれば、スイッチング制御部10に用いるマイコンのスペックを上げることなく、素子に適したスイッチング周波数を実現することができる。すなわち、コストを増加させることなく、ワイドギャップ半導体を用いた素子に適したスイッチング周波数を実現することができる。
【0064】
また、スイッチング周波数を高くすると、必要なリアクタのインダクタンス値を下げることができるため、リアクタを小型化することができる。また、低インダクタンス値のリアクタを用いることができるため、コストを低減することができる。
【0065】
ここで、t1=D
on,t2=0(またはt1=0,t2=D
on)とすると、キャリア信号と等しい周波数で、所望のオンデューティーの信号とすることができる。つまり、スイッチング周波数変更部11を備えることで、キャリア信号の周波数の1倍と2倍とを、タイマ値の演算式の変更(切り換え)のみで切り換えることができる。
【0066】
また、従来、全負荷域でスイッチング周波数を一定とし、直流重畳特性のよい(流れる電流値が高くなってもインダクタンス値が変化しにくい)リアクタが必要であったところ、本発明によれば、直流重畳特性の悪い(流れる電流値が高くなるとインダクタンス値が減少する)リアクタを用いても、スイッチング周波数を2倍に切り換えて、使用することができる。なお、切り換えは、リアクタ電流値が所定の閾値を超えたタイミングにて行えばよい。このように、リアクタのコア材として直流重畳特性の悪いものに置き換えることが可能となり、コストを低減することができる。また、大容量の機器にも同じコンバータを適用することができる。
【0067】
図10は、スイッチング周波数変更部11を用いた動作の一例として、スイッチング周波数を駆動パルス生成部23におけるキャリア信号の周波数の3倍とする場合を説明する図である。
【0068】
このとき、駆動パルス生成部23は、少なくとも3本の駆動パルス(S1,S2,S3)を出力する。このとき、3本の駆動パルスを生成する際の第1のタイマ値t1、第2のタイマ値t2及び第3のタイマ値t3は、リアクタ電流演算部22にて演算されたオンデューティーD
onに基づき、t1=(1−D
on)/3,t2=(1+D
on)/3,t3=1−D
on/3と演算される。
【0069】
そして、スイッチング周波数変更部11に含まれる論理回路(ここでは、AND回路及びOR回路)にS1n,S2pと、S3nと、を入力する((S1n AND S2p)OR S3n)。
【0070】
ここで、S1p,S1n,S2p,S2nは
図9と同様である。ここで、S3pは第3のタイマ値t3を用いて生成したパルス信号のうちインバータの上アーム側の素子用のパルス信号であり、S3nは第3のタイマ値t3を用いて生成したパルス信号のうちインバータの下アーム側の素子用のパルス信号である。
【0071】
上述したように、所望のオンデューティーD
onから演算したタイマ値を設定すると、スイッチング周期に対するオン時間の割合は所望のオンデューティーと同等の値になる。このようにして、マイコンのキャリア周波数の上限を超えたスイッチング周波数のパルス信号を生成することができる。
【0072】
なお、スイッチング素子5及び逆流防止素子6をワイドギャップ半導体(例えば、SiCまたはGaN等)により形成する場合には、Siにより形成した素子に比べて高いスイッチング周波数で用いることが一般的である。このようにワイドギャップ半導体を用いる場合に、本発明によれば、スイッチング制御部10に用いるマイコンのスペックを上げることなく、素子に適したスイッチング周波数を実現することができる。すなわち、コストを増加させることなく、ワイドギャップ半導体を用いた素子に適したスイッチング周波数を実現することができる。
【0073】
また、スイッチング周波数を高くすると、必要なリアクタのインダクタンス値を下げることができるため、リアクタを小型化し、コストを低減することができる。
【0074】
ここで、t1=0,t2=1,t3=1−D
onとすると、論理演算部を変更することなくキャリア信号と等しい周波数で、所望のオンデューティーの信号とすることができる。または、t1=0,t2=D
on/2,t3=1−D
on/2とすると、論理演算部を変更することなくキャリア信号の2倍の周波数で、所望のオンデューティーの信号とすることができる。つまり、スイッチング周波数変更部11を備えることで、キャリア信号の周波数の1倍と2倍と3倍とを、タイマ値の演算式の変更(切り換え)のみで切り換えることができる。
【0075】
また、従来、全負荷域でスイッチング周波数を一定とし、直流重畳特性のよい(流れる電流値が高くなってもインダクタンス値が変化しにくい)リアクタが必要であったところ、本発明によれば、直流重畳特性の悪い(流れる電流値が高くなるとインダクタンス値が減少する)リアクタを用いても、スイッチング周波数を2倍または3倍に切り換えて、使用することができる。なお、切り換えは、リアクタ電流値が所定の閾値を超えたタイミングにて行えばよい。このように、リアクタのコア材として直流重畳特性の悪いものに置き換えることが可能となり、コストを低減することができる。また、大容量の機器にも同じコンバータを適用することができる。
【0076】
なお、本実施の形態にて用いる論理回路は同一種類の論理回路のみ(例えばNOR回路またはNAND回路のみ)を用いて構成してもよい。同一種類の論理回路のみを用いて構成すると、同一のパッケージ内に複数の同一の演算子を持つ論理回路を用いることができ、論理回路の占有面積及びコストを抑えることができる。
【0077】
また、本実施の形態にて用いる論理回路をスイッチング信号の遮断する保護回路として用いてもよい。例えば、回路の異常信号を検知した場合にスイッチング信号を遮断可能な構成とすると、異常時に回路を保護することができる。
【0078】
なお、スイッチング素子5のオンデューティーD
onを求める手法は上記したように、母線電圧制御とリアクタ電流制御の双方を行うものに限定されない。いずれか一方の制御を行うものであってもよいし、母線電圧及びリアクタ電流等のフィードバックを行わない、オープンループ制御であってもよい。
【0079】
なお、本実施の形態では、スイッチング制御部の出力する信号の2つを用いて2倍の周波数の信号を出力し、スイッチング制御部の出力する信号の3つを用いて3倍の周波数の信号を出力する場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、論理回路を適宜組み合わせることにより、入力された信号よりも周波数が高く、所望の周波数の信号を出力することができる。
【0080】
実施の形態2.
本発明の電力変換装置は、実施の形態1にて説明したものに限定されない。
図11〜14は、本実施の形態の電力変換装置の構成例を示す図である。
【0081】
なお、本実施の形態において、実施の形態の
図1と同様の構成であるものには同じ符号を付すものとする。また、以下の説明において、図示していない部分は、
図1と同様の構成とする。
【0082】
図11は、
図1の三相交流電源1を単相交流電源1aに置換した電力変換装置を示す。
図11に示すように、単相交流電源に対して本発明を適用することもできる。
【0083】
図12は、三相交流電源1を単相交流電源1aとし、昇圧リアクタ4を介して単相交流電源1aを短絡する双方向スイッチである短絡部24aと、直列に接続された2つの平滑化コンデンサ7a,7bにより構成された平滑化部25aと、単相整流器2aと、を備える電力変換装置を示す図である。
【0084】
図12の短絡部24aは、4つのダイオード素子をブリッジ接続した短絡用の整流回路部と、短絡用スイッチと、を備える。
図12のように交流電源を短絡する場合には、位相によって短絡部24aに流れる電流の向きが異なる。
【0085】
図12では、短絡部24aの開閉により、昇圧リアクタ4を介して電源の短絡を繰り返し、単相交流電源1aからの入力電流を整形する。
【0086】
また、
図12に示す平滑化部25は、2つの平滑コンデンサ7a,7bにより構成されており、昇圧リアクタ4が接続されている端子のほうが高電位である場合、短絡用スイッチがオフしていると、平滑化コンデンサ7aのコンデンサが充電される。昇圧リアクタ4が接続されている端子のほうが低電位である場合、平滑化コンデンサ7bが充電され、負荷12に印加される電圧は全波整流のときの2倍となる。そして、短絡部24aに設けられた短絡用スイッチがオンすると、短絡部24aに電流が流れる。
【0087】
なお、
図12には、短絡用スイッチとして、例えばIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)を一つ用いる場合における一般的な構成を示している。
【0088】
図13は、
図12の構成に対して、スイッチ26が設けられている電力変換装置を示す図である。
図13の単相整流器2aにおけるダイオード素子が直列接続された部分と、2つの平滑化コンデンサ7a,7bが接続された部分が、スイッチ26を介して接続されている。
図13に示す構成とすることで、平滑コンデンサ7a,7bを交互に充電し、2倍の整流電圧を得ることができ、1倍と2倍の切り換えが可能である。
【0089】
図14は、
図11の構成に対して、昇圧リアクタ4を単相交流電源1aと単相整流器2aの間に配した電力変換装置を示す図である。
図14に示す構成にも、本発明を適用することができる。