発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、特許文献１に記載された電極材料を、酸化マグネシウム、あるいは酸化ジルコニウムを主成分とするセラミックス基体を用いたセラミックス部材に利用すると、例えば熱膨張率の違いによりクラックが発生したり、電極材料がセラミックス基体に拡散するなど、不具合が発生することがあった。また、特許文献２に記載された電極材料は磁性元素を含んでおり、例えば、静電チャックとして利用する際の特性を、更に向上することが望まれていた。このように、酸化マグネシウム、あるいは酸化ジルコニウムを主成分とする基体に用いる電極を、より適切なものとすることが求められていた。 本発明は、このような課題に鑑みなされたものであり、酸化マグネシウム、あるいは酸化ジルコニウムを含むものにおいて、特性をより向上した電極を備えたセラミックス部材及び半導体製造装置用部材を提供することを主目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明のセラミックス部材及び半導体製造装置用部材は、特性をより向上した電極を備えたものとすることができる。例えば、クラックの発生を抑制したり、比抵抗値をより低減したり、電極材料の基体への拡散をより抑制するなど、より好適である。この理由は、以下のように推察される。例えば、酸化マグネシウムや酸化ジルコニウムは、耐食性が高い一方、融点が比較的高く（例えば１６００℃以上）、且つ熱膨張率が比較的高い（例えば１０〜１３ｐｐｍ／Ｋ）。これに対して、ルテニウムアルミニウム合金は、合金化した場合でもＲｕにより比較的高い融点を示し、Ａｌにより比較的高い熱膨張率を示し、且つセラミックス基体との反応性が低い。更に、Ｒｕ／Ａｌ比を調節することにより、酸化マグネシウムや酸化ジルコニウムに近い範囲で熱膨張率を調整することができる。このため、クラックの発生を抑制したり、比抵抗値をより低減したり、電極材料の基体への拡散をより抑制することができるものと推察される。