(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
上述した差動伝送は、一対の差動信号に同じ位相の外来ノイズが加わったとしても、一対の差動信号の差を取るため、外来ノイズを除去することができる。しかしながら、位相のズレなど一対の差動信号のアンバランスが原因で同相雑音が発生し、一対の差動ラインをアンテナとしてノイズを放射する虞がある。
【0005】
そこで、差動ライン上にコモンモードフィルタ(以下CMF)を設けて、同相雑音を減衰させていた。しかしながら、CMFによる同相雑音の減衰では以下に示す問題があった。
【0006】
CMFは、インダクタとそこに寄生するキャパシタとの共振により同相雑音に対してインピーダンスが高くなり、同相雑音を減衰させるため、広い帯域での同相雑音を除去することができない。
【0007】
広い帯域での同相雑音の除去を実現するためには、共振周波数の異なるCMFを複数個接続する必要があリ、コスト、基板占有面積、挿入損失が大きくなってしまう。また、低い周波数での同相雑音除去を実現するためにはCMFのインダクタンスを大きくする必要があり、その結果部品の筐体が大きくなり低い周波数での小型化、低背化が難しい、という問題があつた。
【0008】
また、CMFの入力側に飛び込んだ同相雑音はCMFの出力側では減衰されるが、入力側ではそのままである。すなわち、CMFは差動ライン全体で同相雑音を除去できるわけではなく、同相雑音を除去できる範囲はCMFよりも出力側でしか除去できない、という問題があつた。
【0009】
そこで、本発明は、広い帯域で、かつ、差動ライン全体の同相雑音を除去できる同相雑音除去回路及び差動伝送路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0010】
上記課題を解決するためになされた本発明は、一対の差動ラインに配され、当該―対の差動ラインを伝送する一対の差動信号に重畳された同相雑音を除去する同相雑音除去回路であって、前記一対の差動信号に重畳された前記同相雑音を検出する同相雑音検出部と、前記一対の差動信号から前記同相雑音検出部により検出された前記同相雑音を差し引いて除去する除去部と、を備え
、前記同相雑音検出部は、互いに直列接続され、かつ、逆極性の一対の第1MOSトランジスタと、互いに直列接続され、かつ、逆極性の一対の第2MOSトランジスタと、から構成され、前記一対の第1MOSトランジスタのゲートには、前記一対の差動信号の一方が入力され、前記一対の第2MOSトランジスタのゲートには、前記一対の差動信号の他方が入力され、前記一対の第1MOSトランジスタ間の接続点と前記一対の第2MOSトランジスタ間の接続点と、が互いに接続されると共に、抵抗を介してグランドに接続される。
【0011】
また、本発明の同相雑音除去回路は、前記同相雑音検出部及び前記除去部を内蔵し、前記一対の差動信号をそれぞれ入力するための一対のパッドが設けられたチップと、前記一対の差動ラインにそれぞれ接続される一対の第1ピンと、前記一対の差動ラインにそれぞれ接続される一対の第2ピンと、前記一対のパッドの一方と、前記一対の第1ピンの一方及び前記一対の第2ピンの一方と、をそれぞれ接続する第1ボンディングワイヤと、前記一対のパッドの他方と、前記一対の第1ピンの他方及び前記一対の第2ピンの他方と、をそれぞれ接続する第2ボンディングワイヤと、を備える。
【0013】
また、本発明の同相雑音除去回路において、前記同相雑音検出部は、前記同相雑音に応じた電圧を出力し、前記除去部は、前記同相雑音検出部からの出力電圧を電流に変換する電圧一電流変換回路から構成され、前記電圧―電流変換回路の出力を前記一対の差動信号を伝送する差動ラインに接続する。
【0014】
また、上記課題を解決するためになされた本発明は、基板と、前記基板上に搭載され、差動信号を伝送するための一対の差動ラインと、前記基板上に搭載された同相雑音除去回路と、を備えた差動伝送路であって、前記一対の差動ラインの各々は、分割され、各差動ラインは、分割された一方が前記第1ピンに直接接続され、前記分割された他方が前記第2ピンに直接接続されている。前記同相雑音除去回路は、前記―対の差動ラインを伝送する一対の差動信号に重畳された同相雑音が除去されるように、前記一対の差動信号に重畳された前記同相雑音を検出する同相雑音検出部と、前記一対の差動信号から前記同相雑音検出部により検出された前記同相雑音を差し引いて除去する除去部と、を備える。前記同相雑音除去回路は、前記同相雑音検出部及び前記除去部を内蔵し、前記一対の差動信号をそれぞれ入力するための一対のパッドが設けられたチップと、前記一対の差動ラインにそれぞれ接続される一対の第1ピンと、前記一対の差動ラインにそれぞれ接続される一対の第2ピンと、前記一対のパッドの一方と、前記一対の第1ピンの一方及び前記一対の第2ピンの一方と、をそれぞれ接続する第1ボンディングワイヤと、前記一対のパッドの他方と、前記一対の第1のピンの他方及び前記一対の第2ピンの他方と、をそれぞれ接続する第2ボンディングワイヤと、を備える。
本発明の他の特徴については、添付図面及び本明細書の記載により明らかとなる。
【発明の効果】
【0015】
本発明によれば、同相雑音検出部が、一対の差動信号から当該―対の差動信号に重畳された同相雑音を検出し、除去部が、一対の差動信号から同相雑音検出部により検出された同相雑音を差し引いて除去する。これにより、広い帯域で、かつ、差動ライン全体の同相雑音を除去できる。
【0016】
また、本発明によれば、一対の第1ピン、第1ボンディングワイヤ、第2ボンディングワイヤ、一対の第2ピンを差動ラインの一部とすることができ、高周波の差動信号を伝送させることができる。
【0017】
また、本発明によれば、簡単な構成で、同相雑音を検出することができる。
【0018】
また、本発明によれば、簡単な構成で、同相雑音を除去することができる。
【発明を実施するための形態】
【0020】
本明細書および添付図面の記載により、少なくとも以下の事項が明らかとなる。
以下、本実施形態に係る同相雑音除去回路を組み込んだ差動伝送路について、
図1〜
図4を参照して説明する。同図に示す差動伝送路1は、例えば、PC―USB間の通信に用いられる。
図1などに示すように、差動伝送路1は、基板2と、基板2上に搭載され、一対の差動信号を伝送するための一対の差動ラインL1、L2と、基板2上に搭載された同相雑音除去回路3と、を備えている。
【0021】
基板2は、例えばFR4から構成されている。一対の差動ラインL1、L2は、基板2上にプリントされた例えば銅箔から構成されている。一対の差動ラインL1、L2は、
図2に示すように、出力側の端部が終端抵抗R01を介して差動信号発生器V
D+、V
D−に接続されている。一対の差動ラインL1、L2は、入力側の端部が終端抵抗R02を介してグランドに接続されている。
【0022】
差動信号発生器V
D+、V
D−は、一対の差動ラインL1、L2に互いに逆向きの電流が流れるように、
図3に示すような互いに逆位相の差動信号V
d+、V
d−を出力する。
【0023】
また、
図1及び
図2に示すように、差動ラインL1は、分割された分割差動ラインL11及びL12から構成され、差動ラインL2は、分割された分割差動ラインL21及びL22から構成されている。
【0024】
同相雑音除去回路3は、一対の差動信号に重畳された同相雑音を除去する回路であり、本実施形態ではIC化されている。同相雑音除去回路3は、
図2に示すように、差動ラインL1、L2上(終端抵抗R01、R02間)に伝送される一対の差動信号V
out+、V
out−に重畳された同相成分を同相雑音として検出する同相成分検出回路31(=同相雑音検出部)と、一対の差動信号V
out+、V
out−から同相成分検出回路31により検出された同相雑音を差し引いで除去する除去回路32(=除去部)と、を備えている。
【0025】
まず、同相成分検出回路31について説明する。今、差動ラインL1、L2を伝送する差動信号V
out+、V
out−の逆相成分をV
dif、同相成分をV
comとすると、差動信号V
out+、V
out−は下記の式(1)、(2)で表される。
V
out+=V
dif+V
com ・・・(1)
V
out−=−V
dif+V
com ・・・(2)
【0026】
上記式(1)、(2)により、同相成分V
comは下記に示す式(3)となる。
V
com=(V
out++V
out−)/2 ・・・(3)
【0027】
式(3)から明らかなように、同相成分V
comを取り出すためには、差動信号V
out+、V
out−を足し合わせればよいことが分かる。
【0028】
このような同相成分検出回路31の一例として
図4に示す回路が挙げられる。
図4に示す同相成分検出回路31は、差動信号V
out+に応じた電流Id+と、差動信号V
out−に応じた電流Id−と、を加算して、抵抗RLに流すことにより、抵抗RLに発生する電圧V
outを同相成分V
comとして出力する回路である。
【0029】
詳しく説明すると、同相成分検出回路31は、直列接続され、かつ、逆極性の一対のトランジスタQ11及びQ12(=一対の第1MOSトランジスタ)と、互いに直列接続され、かつ、逆極性の一対のトランジスタQ21及びQ22(=一対の第2MOSトランジスタ)と、から構成されている。 トランジスタQ11及びトランジスタQ21は、Pチャ
ンネルのMOSトランジスタから構成され、 トランジスタQ12及びQ22は、Nチャン
ネルのMOSトランジスタから構成されている。
【0030】
一対のトランジスタQ11及びQ12は、ゲート同士、 ドレイン同士が互いに接続され、ゲートに差動信号V
out+が入力されている。また、一対のトランジスタQ21及びQ22は、ゲート同士、 ドレイン同士が互いに接続され、ゲートに差動信号V
out−が入力されている。一対のトランジスタQ11及びQ12のドレイン(=接続点)と、一対のトランジスタQ21及びQ22のドレイン(=接続点)とは、互いに接続され、抵抗RLを介してグランドに接続されている。
【0031】
以上の構成によれば、 トランジスタQ11及びQ12のドレインからは差動信号V
out+に応じた電流Id+が出力され、トランジスタQ21及びQ22のドレインからは差動信号Vout−に応じた電流Id−が出力される。抵抗RLには、これら電流Id+、Id−を加算した電流が流れる。なお、電流Id+、Id−はトランジスタQ11及びQ12、Q21及びQ22の相互コンダクタンスをそれぞれgmとすると下記の式(4)、(5)で表される。
Id+=−gm・V
out+ ・・・(4)
Id−=−gm・V
out− ・・・(5)
【0032】
よつて、出力電圧V
outは下記の式(6)で表される。
V
out=−gm・V
out+・RL−gm・V
out−・RL ・・・(6)
式(1)、(2)により、出力V
outは下記の式(7)で表すことができ、確かに同相成分V
comに応じた値となる。
V
OUT=−gm・RL・(V
dif+V
com−V
dif+V
com)
=−2gm・RL・V
com ・・・(7)
【0033】
除去回路32は、
図2に示すように、同相成分検出回路31の出力V
outを電流値icに変換する電圧−電流変換回路32A、32Bから構成されている。電圧−電流変換回路32A、32Bの出力はそれぞれ、同相成分検出回路31の入力に接続され、これにより差動ラインL1、L2に接続される。除去回路32は、差動ラインL1、L2に流れる電流から電流icを加減算して、終端抵抗R02に流すことにより、差動信号V
out+、V
out−から同相雑音を除去する。
【0034】
上記同相雑音の除去について数式を用いて以下説明する。差動ラインL1、L2の出力側の終端抵抗R01に流れる電流I
DO+、I
DO−は下記の式(8)、(9)で表される。なお、差動ラインL1、L2の入力側の終端抵抗R02に流れる電流をそれぞれI
DI+、I
DI−とする。また、終端抵抗R01=R02=R0とする。
I
DO+=(V
d+−V
out+)/R0=ic+I
DI+
=ic+V
out+/R0 ・・・(8)
I
DO−=(V
d−−V
out−)/R0=ic+I
DI−
=ic+V
out−/R0 ・・・(9)
【0035】
よつて、差動ラインL1、L2上で伝送される差動信号V
out+、V
out−は下記の式(10)、(11)で表される。
V
out+=(V
d+−ic・R0)/2 ・・・(10)
V
out−=(V
d−−ic・R0)/2 ・・・(11)
【0036】
電流icは上述したように同相成分検出回路31の出力V
outに応じた電流であるため下記の式(12)で表される。
ic=K・V
out (K[1/Ω]:定数) ・・・(12)
式(12)に式(6)を代入すると下記の式(13)が得られる。
ic=K・{−gm・V
out+・RL−gm・V
out−・RL}
=−gm・RL・K・(V
out++V
out−) ・・・(13)
【0037】
式(10)、(11)に上記式(13)を代入すると下記の式(14)、(15)が得られる。
V
out+={V
d++gm・RL・K・(V
out++V
out−)・R0}/2
・・・(14)
V
out−={V
d−+gm・RL・K・(V
out++V
out−)・R0}/2
・・・(15)
【0038】
この式(14)、(15)を変形すると下記の式(16)、(17)が得られる。
(2−gm・RL・K・R0)・V
out+
=V
d++gm・RL・K・V
out−・R0 ・・・(16)
(2−gm・RL・K・R0)・V
out−
=V
d−+gm・RL・K・V
out+・R0 ・・・(17)
【0039】
式(16)をさらに変形すると下記の式(18)が得られる。
V
out−=[{2/(gm・RL・K・R0)}−1]・V
out+
−V
d+/(gm・RL・K・R0) ・・・(18)
式(18)を式(17)に代入すると下記の式(19)が得られる。
【数1】
これを変形すると下記の式(20)が得られる。
【数2】
【0040】
さらに変形すると下記の式(21)が得られる。
【数3】
【0041】
今、gm・RL・K・R0>>2の条件が成立するとすれば、上記式(21)は下記の(22)に変形できる。
−4・V
out+=V
d−−V
d+
V
out+=(V
d−−V
d+)/(−4) ・・・(22)
差動信号V
out−についても同様であるので下記の式(23)が得られる。
V
out−=(V
d+−V
d−)/(−4) ・・・(23)
【0042】
差動信号発生器V
D+、V
D−から出力される差動信号V
d+、V
d−は下記の式(24)、(25)で表せるので、これを上記式(22)、(23)に代入すると下記の式(26)、(27)が得られる。
V
d+=V
dif+V
com ・・・(24)
V
d−=−V
dif+V
com ・・・(25)
V
out+=(−V
dif+V
com−V
dif−V
com)/(−4)
=V
dif/2 ・・・(26)
V
out−=(V
dif+V
com+V
dif−V
com)/(−4)
=−V
dif/2 ・・・(27)
【0043】
式(26)、(27)からも明らかなように、差動ラインL1、L2上を伝送する差動信号V
out+、V
out−の同相雑音を除去することができる。この雑音除去は差動ラインL1、L2上のどこでも成り立つことが示されている。
【0044】
即ち、実施形態によれば、同相成分検出回路31が、一対の差動信号V
out+、V
out−から当該―対の差動信号V
out+、V
out−に重畳された同相雑音V
comを検出し、除去回路32が、一対の差動信号V
out+、V
out−から同相成分検出回路31により検出された同相雑音V
comを差し引いて除去する。これにより、広い帯域で、かつ、差動ラインL1、L2全体の同相雑音を除去できる。
【0045】
また、上述した実施形態によれば、同相成分検出回路31をトランジスタQ11、Q12及びQ21、Q22から構成し、除去回路32を電圧―電流変換回路32A、32Bか
ら構成することにより簡単な構成で、同相雑音の検出、除去を行うことができる。
【0046】
次に、上記同相雑音除去回路3の詳細な構成について説明する。同相雑音除去回路3は、
図1に示すように、チップ33と、一対の第1ピンP11、P12と、一対の第2ピンP21、P22と、ボンディングワイヤW1(=第1ボンディングワイヤ)と、ボンディングワイヤW2(=第2ボンディングワイヤ)と、を備えている。チップ33及びボンディングワイヤW1、W2は樹脂封止され、第1ピンP11、P12及び第2ピンP21、P22はその樹脂封止から一部が突出して設けられている。
【0047】
チップ33は、上述した同相成分検出回路31及び除去回路32を内蔵し、一対の差動信号V
out+、V
out−をそれぞれ入力するための一対のパッドPd1、Pd2が設けられている。一対の第1のピンP11、P12は、差動ラインL1、L2の分割差動ラインL11、L21にそれぞれ直接接続される。一対の第2ピンP21、P22は、差動ラインL1、L2の分割差動ラインL12、L22にそれぞれ直接接続される。
【0048】
ボンディングワイヤW1は、パッドPd1と、第1ピンP11及び第2ピンP21と、をそれぞれ接続する。ボンディングワイヤW2は、パッドPd2と、第1ピンP12及び第2ピンP22と、をそれぞれ接続する。
【0049】
上述した実施形態によれば、
図2からも明らかなように、一対の第1ピンP11、P21、第1ボンディングワイヤW1、第2ボンディングワイヤW2、一対の第2ピンP12、P22を差動ラインL1、L2の一部とすることができ、高周波の差動信号V
out+、V
out−を伝送させることができる。
【0050】
次に、上記発明による効果について検証してみる。まず、差動信号V
out+、V
out−の信号劣化の原因が位相のズレである場合について考えてみる。差動信号V
out+、V
out−を位相がズレた2つの正弦波で表すと、下記の式(28)、(29)で表される。これを変形すると、下記の式(30)、(31)に示すように同相成分(sinΦ・cosωt)と逆相成分(sinωt・cosΦ)とに分解され、同相成分を除去することによって差動信号の劣化を防止できることが分かった。
V
out+=sin(ωt+Φ/2) ・・・(28)
V
out−=−sin(ωt−Φ/2) ・・・(29)
V
out+=sinωt・cosΦ+sinΦ・cosωt ・・・(30)
V
out−=−sinωt・cosΦ+sinΦ・cosωt ・・・(31)
【0051】
次に、パルス状の差動信号の信号劣化の原因がパルスの立ち上がり、立ち下がり時間の差である場合について考えてみる。立ち上がり部分と立ち下がり部分とを簡単な1次関数で表し、これらの関数が同相成分と逆相成分で表現できれば、同相成分除去で差動信号の劣化を防止できる。立ち上がり、立ち下がり時の差動信号V
out+、V
out−を1次関数で表すと下記の式(32)、(33)が得られる。なお、逆相成分の関数:fo=px+q、同相成分の関数:fe=rx+sとする。
V
out+=ax+b=px+q+rx+s a>0 ・・・(32)
V
out−=−cx+d=−(px+q)+rx+s c>0 ・・・(33)
【0052】
差動信号V
out+、V
out−を加算すると下記の式(34)が得られる。
V
out++V
out−=(a−c)x+b+d=2・(rx+s)
∴ r=(a−c)/2、 s=(b+d)/2 ・・・(34)
【0053】
差動信号V
out+、V
out−を減算すると下記の式(35)が得られる。
V
out+−V
out−=(a+c)・x+b−d=2・(px+q)
∴ p=(a+c)/2、 q=(b−d)/2 ・・・(35)
【0054】
式(34)、(35)を式(32)、(33)に代入すると、下記の式(36)、(37)が得られ、同相成分{(a−c)/2・x+(b+d)/2}と逆相成分{(a+c)/2・x+(b−d)/2}に分解できることがわかる。
V
out+={(a+c)/2}・x+(b−d)/2
+{(a−c)/2}・x+(b+d)/2 ・・・(36)
V
out−=−[{(a+c)/2}・x+(b−d)/2]
+{(a−c)/2}・x+(b+d)/2 ・・・(37)
【0055】
次に、差動信号V
out+、V
out−の信号劣化の原因が直流オフセットである場合について考えてみる。差動信号V
out+、V
out−を異なる直流オフセットVdc1、Vdc2の2つの正弦波で表すと、下記の式(38)、(39)で表される。これを変形すると、下記の式(40)、(41)に示すように同相成分(Vdc1+Vdc2)/2と逆相成分(Vdc1−Vdc2)/2+sinωtとに分解され、同相成分を除去することによって差動信号の劣化を防止できることが分かつた。
V
out+=Vdc1+sinωt ・・・(38)
V
out−=Vdc2−sinωt ・・・(39)
V
out+={(Vdc1−Vdc2)/2+sinωt}
+(Vdc1+Vdc2)/2 ・・・(40)
V
out−=−{(Vdc1−Vdc2)/2+sinωt}
+(Vdc1+Vdc2)/2 ・・・(41)
【0056】
次に、差動信号V
out+、V
out−の信号劣化の原因が振幅差である場合について考えてみる。差動信号V
out+、V
out−を異なる振幅の2つの正弦波で表すと、下記の式(42)、(43)で表される。これを変形すると、下記の式(44)、(45)に示すように同相成分(A−B)/2・sinωtと逆相成分(A+B)/2・sinωtとに分解され、同相成分を除去することによって差動信号の劣化を防止できることが分かった。
V
out+=A・sinωt ・・・(42)
V
out−=―B・sinωt ・・・(43)
V
out+=(A+B)/2・sinωt+(A−B)/2・sinωt
・・・(44)
V
outー=−{(A+B)/2・sinωt}+(A−B)/2・sinωt
・・・(45)
【0057】
次に、差動信号V
out+、V
out−の信号劣化の原因が遅延である場合について考えてみる。差動信号V
out+、V
out−に遅延差:L(sec)があり、それぞれの信号をラプラス変換して周波数軸上で表現して検討すると、下記の式(46)、(47)が得られる。
【数4】
【0058】
よって、同相成分F
com(s)は下記の式(48)のごとく表わされる。
【数5】
【0059】
よって、遅延差を持つ差動信号は下記の式(49)、(50)に示すように同相成分と逆相成分とに分解され、同相成分を除去することによって差動信号の劣化を防止できることが分かった。
【数6】
【0060】
なお、上述した実施形態によれば、同相成分検出回路31としては
図4に示す電流加算式を用いていたが、これに限ったものではない。例えば、
図5に示すような電圧加算式のものを用いても良い。
図5に示す同相成分検出回路31は、一端にそれぞれ差動信号V
out+、V
out−が入力され、他端が互いに接続された2つの抵抗Rから構成されている。抵抗Rの接続点を出力V
outとしている。このV
outからは下記の式(51)に示すように同相成分が検出できることがわかる。
V
out=(V
out++V
out−)/2
=(V
dif+V
com−V
dif+V
com)/2=V
com ・・・(51)
【0061】
また、上述した実施形態によれば、同相雑音除去回路3は、分割差動ラインL11、L21と分害差動ラインL12、L22との間に設けられ、第1ピンP11、P12、ボンディングワイヤW1、W2、第2ピンP21、P22が差動ラインL1、L2の一部になっていたが、これに限ったものではない。差動信号が高周波でなければ、差動ラインL1、L2を分割せず、それぞれ基板2上に1本のラインで設け、その分岐線を同相雑音除去回路3に接続するようにしてもよい。
【0062】
また、上述した同相成分検出回路31、除去回路32は一例であり、同相雑音を検出、除去できる回路であればよい。
【0063】
また、前述した実施形態は本発明の代表的な形態を示したに過ぎず、本発明は、実施形
態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施
することができる。