特許 6040581 ヒューズおよびその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6040581

(24)【登録日】2016年11月18日

(45)【発行日】2016年12月7日

(54)【発明の名称】ヒューズおよびその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01H 85/045 20060101AFI20161128BHJP

   H01H 37/76 20060101ALI20161128BHJP

   H01H 69/02 20060101ALI20161128BHJP

【ＦＩ】

   H01H85/045 B

   H01H37/76 L

   H01H37/76 Q

   H01H69/02

【請求項の数】8

【全頁数】11

(21)【出願番号】特願2012-132798(P2012-132798)

(22)【出願日】2012年6月12日

(65)【公開番号】特開2013-258017(P2013-258017A)

(43)【公開日】2013年12月26日

【審査請求日】2015年3月26日

(73)【特許権者】

【識別番号】000006231

【氏名又は名称】株式会社村田製作所

(74)【代理人】

【識別番号】110000970

【氏名又は名称】特許業務法人 楓国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】大坪 喜人

【審査官】 出野 智之

(56)【参考文献】

【文献】 特開平０４−０７３８３５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０００−２８５７７８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開昭６４−０１７３４９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 実開昭６０−１３３５５２（ＪＰ，Ｕ）

【文献】 特開２０１１−２２２２６４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｈ ８５／００−８５／６２

Ｈ０１Ｈ ３７／７６

Ｈ０１Ｈ ６９／０２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、
前記基板の主面に形成された第１の電極と、
前記第１の電極と対向する第２の電極と、
前記第１の電極に対する前記第２の電極の位置を固定する支持部と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に位置する可融金属部とを備え、
前記支持部は、前記基板の主面に垂直な方向から見て、前記可融金属部を囲み、
前記第１の電極と前記第２の電極の間にあり、かつ、前記支持部と前記可融金属部との間にある全ての部分に、前記可融金属部が溶融したとき、前記可融金属部が広がるためのスペースが形成され、
前記第１の電極および前記第２の電極は、前記基板の主面に垂直な方向から見て、前記可融金属部より大きいことを特徴とするヒューズ。

【請求項2】

前記基板は、第１の基板と第２の基板とを備え、
前記第１の電極は、前記第１の基板の主面に形成され、
前記第２の電極は、前記第２の基板の主面に形成されることを特徴とする請求項１に記載のヒューズ。

【請求項3】

前記第１の基板と前記第２の基板と前記支持部とは筐体を形成し、前記筐体内に前記可融金属部を配置することを特徴とする、請求項２に記載のヒューズ。

【請求項4】

前記第１の基板と前記第１の電極と前記可融金属部の一部と前記支持部の一部とは、第１の構造体を形成し、
前記第２の基板と前記第２の電極と前記可融金属部の他の部分と前記支持部の他の部分とは、第２の構造体を形成し、
前記第１の構造体と前記第２の構造体とは、同一であることを特徴とする請求項２または３に記載のヒューズ。

【請求項5】

前記可融金属部は、複数の可融金属を備え、
前記複数の可融金属は、前記基板の主面に垂直な方向に層状に形成され、
前記第１および第２の電極に接する前記可融金属は、他の前記可融金属より低い融点を有することを特徴とする請求項１ないし４の何れかに記載のヒューズ。

【請求項6】

前記可融金属部を加熱する加熱部を備えることを特徴とする請求項１ないし５の何れかに記載のヒューズ。

【請求項7】

第１の電極が形成された第１の基板に、第１の低融点可融金属を形成する第１の工程と、
第２の電極が形成された第２の基板に、第２の低融点可融金属を形成する第２の工程と、
前記第１の電極と前記第２の電極とを対向させて、前記第１の電極に対する前記第２の電極の位置を固定する支持部を設けるとともに、前記第１の電極と前記第２の電極との間に高融点可融金属を設ける第３の工程とを備え、
前記第３の工程において、
前記第１の基板の主面に垂直な方向から見て、前記支持部が前記高融点可融金属を囲むように、前記支持部を設け、
前記第１の電極と前記第２の電極の間にあり、かつ、前記支持部と前記高融点可融金属との間にある全ての部分に、前記高融点可融金属が溶融したとき、前記高融点可融金属が広がるためのスペースを形成し、
前記第１の基板の主面に垂直な方向から見て、前記第１の電極および前記第２の電極が前記高融点可融金属より大きくなるように、前記高融点可融金属を設けることを特徴とするヒューズの製造方法。

【請求項8】

前記高融点可融金属は、第１および第２の高融点可融金属から形成され、
前記第３の工程は、
前記第１の低融点可融金属の表面に、前記第１の高融点可融金属を固着する工程と、
前記第２の低融点可融金属の表面に、前記第２の高融点可融金属を固着する工程と、
前記第１の高融点可融金属と前記第２の高融点可融金属とを当接させる工程とを備えることを特徴とする請求項７に記載のヒューズの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、過電流が印加された場合に、電流経路を切断するヒューズおよびその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

ヒューズは、過電流から電子回路および電子部品を保護するために使用される。過電流がヒューズを配置した電子回路に印加されると、ヒューズは、発熱し、溶融し、電流経路を切断する。これにより、電子回路および電子部品は過電流による発熱や損傷等から保護される。従来のヒューズは、例えば、特許文献１および２に示されている。

【0003】

特許文献１に記載のヒューズは、略平板状の基板と第１の電極と第２の電極と可融金属とを備えている。第１の電極は基板の一方端に、第２の電極は基板の他方端に、それぞれ形成されている。可融金属は、基板の主面に形成され、第１および第２の電極と接合している。過電流が第１および第２の電極間に印加されると、可融金属は、発熱し、溶融する。これにより、特許文献１に記載のヒューズは、電流経路を切断する。

【0004】

特許文献２に記載のヒューズは、略平板状の第１の電極と略平板状の第２の電極と略直方体状の可融金属とを備えている。第１の電極の端部と第２の電極の端部とは、互いに対向している。可融金属は、第１の電極と第２の電極が対向している部分に位置している。特許文献２に記載のヒューズも、特許文献１に記載のヒューズと同様の仕組みで電流経路を切断する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２００７−１６５０８６号公報

【特許文献2】特開昭６４−１７３４９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

特許文献１に記載のヒューズの場合、過電流により溶融した可融金属は、外部に飛散し、周りの電子機器に短絡等の不具合を起こすおそれがある。また、溶融した可融金属は、第１および第２の電極間に留まることもあるため、第１および第２の電極間を再び短絡するおそれがある。さらに、ヒューズが保護層を備える場合、溶融した可融金属が外部に飛散せず、第１および第２の電極間に留まりやすくなるため、第１および第２の電極間を再び短絡する可能性は、高くなる。

【0007】

特許文献２に記載のヒューズの場合でも、過電流により溶融した可融金属は、外部に飛散し、周りの電子機器に短絡等の不具合を起こすおそれがある。また、第１および第２の電極が可融金属を上下から挟む場合、電流経路は確実に切断されるが、第１および第２の電極が可融金属を横方向から挟む場合、溶融した可融金属が第１の電極および第２の電極間に留まり、留まった可融金属が第１および第２の電極間を再び短絡するおそれがある。

【0008】

本発明の目的は、実装態様にかかわらず信頼性の高いヒューズおよびその製造方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本発明に係るヒューズは、以下の構成を特徴とする。ヒューズは、基板と第１の電極と第２の電極と支持部と可融金属部とを備えている。第１の電極は、基板の主面に形成されている。第２の電極は、第１の電極に対向している。支持部は、第１の電極に対する第２の電極の位置を固定している。可融金属部は、第１の電極と第２の電極との間に位置している。支持部は、基板の主面に垂直な方向から見て、可融金属部を囲む。第１の電極と第２の電極の間にあり、かつ、支持部と可融金属部との間にある全ての部分に、可融金属部が溶融したとき、可融金属部が広がるためのスペースが形成される。第１の電極および第２の電極は、基板の主面に垂直な方向から見て、可融金属部より大きい。

【0010】

この構成では、溶融した可融金属は、周りのスペースに広がり、再凝固する。これにより、溶融した可融金属部は、第１および第２の電極間を再び短絡しない。したがって、実装態様にかかわらず電流経路を確実に切断するヒューズを実現することができる。

【0011】

本発明に係るヒューズでは、以下のように構成してもよい。基板は、第１の基板と第２の基板とを備えている。第１の電極は、第１の基板の主面に形成されている。第２の電極は、第２の基板の主面に形成されている。

【0012】

本発明に係るヒューズでは、第１の基板と第２の基板と支持部とが筐体を形成し、当該筐体内に可融金属部を配置してもよい。この構成では、溶融した可融金属は、筐体内に留まる。したがって、溶融した可融金属部が外部に飛散することを確実に防止することができる。

【0013】

本発明に係るヒューズでは、以下のように構成してもよい。第１の基板と第１の電極と可融金属部の一部と支持部の一部とは、第１の構造体を形成している。第２の基板と第２の電極と可融金属部の他の部分と支持部の他の部分とは、第２の構造体を形成している。そして、第１の構造体と第２の構造体とは、同一である。この構成では、ヒューズを簡素な構造により実現することができる。

【0014】

本発明に係るヒューズでは、以下のように構成してもよい。可融金属部が複数の可融金属を備え、当該複数の可融金属は、基板の主面に垂直な方向に層状に形成されている。第１および第２の電極に接する可融金属は、他の可融金属より低い融点を有する。

【0015】

本発明に係るヒューズは、可融金属部を加熱する加熱部を備えてもよい。この構成では、ヒータ電極を発熱させることにより、任意のタイミングで可融金属部を溶融させて電流経路を切断することができる。

【0016】

本発明に係るヒューズの製造方法は、以下の構成を特徴とする。第１の工程において、第１の電極が形成された第１の基板に、第１の低融点可融金属を形成する。第２の工程において、第２の電極が形成された第２の基板に、第２の低融点可融金属を形成する。第３の工程において、第１の電極と第２の電極とを対向させて、第１の電極に対する第２の電極の位置を固定する支持部を設けるとともに、第１の電極と第２の電極との間に高融点可融金属を設ける。また、第３の工程において、第１の基板の主面に垂直な方向から見て、支持部が高融点可融金属を囲むように、支持部を設ける。第１の電極と第２の電極の間にあり、かつ、支持部と高融点可融金属との間にある全ての部分に、高融点可融金属が溶融したとき、高融点可融金属が広がるためのスペースを形成する。第１の基板の主面に垂直な方向から見て、第１の電極および第２の電極が高融点可融金属より大きくなるように、高融点可融金属を設ける。

【0017】

この構成では、基板上に必要な構造を形成するので、生産性を向上させることができる。

【0018】

本発明に係るヒューズの製造方法は、以下のように構成してもよい。高融点可融金属は、第１および第２の高融点可融金属から形成されている。第３の工程は、以下の工程を備える。第１の低融点可融金属の表面に、第１の高融点可融金属を固着する。第２の低融点可融金属の表面に、第２の高融点可融金属を固着する。第１の高融点可融金属と第２の高融点可融金属とを当接させる。

【0019】

この構成では、基板上に形成された構造体を合体させることによりヒューズを製造できるので、さらに生産性を向上させることができる。

【発明の効果】

【0020】

実施態様にかかわらず、電流経路を確実に切断するヒューズを簡素な構成で実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【0021】

【図1】第１の実施形態に係るヒューズの外観斜視図である。

【図2】第１の実施形態に係るヒューズの断面図である。

【図3】第１の実施形態に係るヒューズの製造工程を示すＡ−Ａ’矢視断面図である。

【図4】第２の実施形態に係るヒューズのＡ−Ａ’矢視断面図である。

【図5】第２の実施形態に係るヒューズの製造工程を示すＡ−Ａ’矢視断面図である。

【図6】第３の実施形態に係るヒューズの製造方法の一工程を示すＡ−Ａ’矢視断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0022】

本発明の第１の実施形態に係るヒューズについて説明する。以下の図では、導電性の部材はハッチング表記を採用している。また、以下の説明では、図２（Ａ）図面上側を天面側、図面下側を底面側と称する。

【0023】

図１は、第１の実施形態に係るヒューズの外観斜視図である。図２は、第１の実施形態に係るヒューズの断面図である。図２（Ａ）は、Ａ−Ａ’矢視断面図である。図２（Ｂ）は、Ｂ−Ｂ’矢視断面図である。

【0024】

第１の実施形態に係るヒューズ１は、基板１０Ａ，１０Ｂと電極１４Ａ，１４Ｂと可融金属１５Ａ，１５Ｂ，１７と支持部１６とビア電極１３Ａ，１３Ｂと、外部接続電極１２Ａ，１２Ｂとを備えている。可融金属１５Ａ，１５Ｂ，１７は、第１の実施形態に係る可融金属部を構成する。

【0025】

基板１０Ａは、矩形平板状の絶縁性基板である。基板１０Ａは、例えば、ＦＲ−４基板（ガラス布基材エポキシ樹脂基板）、セラミック基板、ガラス基板、その他の樹脂基板等から作られる。基板１０Ｂは、基板１０Ａと同様の形状および材質を有する。基板１０Ａと基板１０Ｂは、互いの主面が対向するように、配置されている。

【0026】

電極１４Ａは、基板１０Ａの天面に形成されている。電極１４Ａは、矩形平板状の外形形状を有する。電極１４Ａの平板面の面積は、基板１０Ａ，１０Ｂの平板面の面積より小さい。電極１４Ｂは基板１０Ｂの底面に形成されている。電極１４Ｂは、電極１４Ａと同様の形状および材質を有する。

【0027】

支持部１６は、基板１０Ａ，１０Ｂの間に位置し、基板１０Ａに対する基板１０Ｂの位置を固定している。これにより、電極１４Ａ，１４Ｂの平板面は、互いに対向する。支持部１６は、略角筒状の外形形状を有し、支持部１６の端面は、基板１０Ａ，１０Ｂの外周と接している。これにより、支持部１６は、基板１０Ａ，１０Ｂとともに筐体を形成している。支持部１６は、例えば、エポキシ樹脂等の熱硬化型樹脂から作られる。

【0028】

可融金属１５Ａは電極１４Ａの天面に形成されている。可融金属１５Ａは、矩形平板状の外形形状を有する。可融金属１５Ａの平板面の面積は、電極１４Ａ，１４Ｂの平板面の面積より小さい。可融金属１５Ａは、例えば、Ｓｎ−３．５Ａｇ−０．５Ｃｕ等の半田ペーストである。可融金属１５Ａは、可融金属１７を電極１４Ａに実装するために使用される。

【0029】

可融金属１５Ｂは、電極１４Ｂの底面に形成されている。可融金属１５Ｂは、可融金属１７を電極１４Ｂに実装するために使用される。可融金属１５Ｂは、可融金属１５Ａと同様の形状および材質を有する。

【0030】

可融金属１７は、可融金属１５Ａ、１５Ｂを介して、電極１４Ａ，１４Ｂとの間に形成されている。つまり、可融金属１５Ａ，１５Ｂ，１７は、電極１４Ａの主面に垂直な方向に層状に形成され、電極１４Ａ，１４Ｂの間に位置している。可融金属１７は、略直方体状の外形形状を有する。可融金属１７の底面は可融金属１５Ａの天面と、可融金属１７の天面は可融金属１５Ｂの底面と、それぞれ同じ形状を有している。可融金属１７は、例えば、Ｓｎ-１０Ｓｂ合金等の半田合金から作られる。

【0031】

上記の記載のように、可融金属１７の天面および底面の面積ならびに可融金属１５Ａ，１５Ｂの平板面の面積は、電極１４Ａ，１４Ｂの平板面の面積より小さい。これにより、溶融した可融金属１５Ａ，１５Ｂ，１７が広がるためのスペースは、電極１４Ａ，１４Ｂの間に形成される。

【0032】

なお、可融金属１７は、複数の部分から構成されてもよい。

【0033】

ビア電極１３Ａは、基板１０Ａを貫通し、電極１４Ａと接続されている。ビア電極１３Ｂは、基板１０Ｂを貫通し、電極１４Ｂと接続されている。

【0034】

外部接続電極１２Ａは、基板１０Ａ，１０Ｂと支持部１６から構成される筐体の一方の端を覆っている。外部接続電極１２Ｂは、当該筐体の他方の端を覆っている。外部接続電極１２Ａは、ビア電極１３Ａを介して、電極１４Ａと接続されている。外部接続電極１２Ｂは、ビア電極１３Ｂを介して、電極１４Ｂに接続されている。

【0035】

ヒューズ１は、外部接続電極１２Ａ、ビア電極１３Ａ、電極１４Ａ、可融金属１５Ａ，１７，１５Ｂ、電極１４Ｂ、ビア電極１３Ｂ、外部接続電極１２Ｂの順に接続された電流経路を有している。

【0036】

過電流がヒューズ１に流れると、可融金属１５Ａ，１５Ｂ，１７は発熱し、溶融する。溶融した可融金属１５Ａ，１５Ｂ，１７は、電極１４Ａ，１４Ｂに沿って、周りのスペースに濡れ広がるとともに、表面張力により基板１０Ａの主面に垂直な方向に分断される。

【0037】

基板１０Ａを下側に向けてヒューズ１を配置している場合、溶融した可融金属１５Ａ，１５Ｂ，１７は、電極１４Ａの周りのスペースに主に濡れ広がり、再凝固する。基板１０Ａを略垂直にしてヒューズ１を配置している場合、溶融した可融金属１５Ａ，１５Ｂ，１７は、下側のスペースに主に濡れ広がり、再凝固する。

【0038】

これにより、溶融した可融金属１５Ａ，１５Ｂ，１７は、電極１４Ａ，１４Ｂ間を再び短絡しない。したがって、ヒューズ１は、実装態様にかかわらず、電流経路を確実に切断することができる。

【0039】

また、可融金属１４Ａ，１４Ｂ，１７は、基板１０Ａ，１０Ｂと支持部１６から形成された筐体内に配置されている。したがって、溶融した可融金属１４Ａ，１４Ｂ，１７は、当該筐体内に留まり、外部に飛散しない。

【0040】

また、基板１０Ａの主面と基板１０Ｂの主面との距離が等しい面によりヒューズ１を分けると、当該面の基板１０Ａ側の構造と当該面の基板１０Ｂ側の構造は、同一である。したがって、ヒューズ１は簡素な構造から実現される。

【0041】

なお、ヒューズ１を構成する各部の形状は、上記に限定されない。例えば、
支持部１６が複数の柱を備え、当該柱により基板１０Ａに対する基板１０Ｂの位置を固定してもよい。また、例えば、基板１０Ｂを設けず、支持部１６は電極１４Ａに対する電極１４Ｂの位置を直接固定してもよい。

【0042】

次に、ヒューズ１の製造方法の一例について説明する。図３は、ヒューズ１の製造工程を段階的に示すＡ−Ａ’矢視断面図である。

【0043】

図３（Ａ）に示す工程で、基板１０Ａの内部に所定のビア電極１３Ａを形成するとともに、基板１０Ａの所定の位置に金属箔を熱圧着することで所定の電極パターンを形成する。これにより、基板１０Ａに電極１４Ａを形成する。

【0044】

図３（Ａ）に示す工程で、基板１０Ａの内部に所定のビア電極１３Ａを形成するとともに、基板１０Ａの所定の位置に金属箔を熱圧着することで所定の電極パターンを形成する。これにより、基板１０Ａに電極１４Ａを形成する。

【0045】

図３（Ｂ）に示す工程で、電極１４Ａにメタルマスク等を用いて半田ペーストを印刷する。半田ペーストとして、例えば、Ｓｎ−３．５Ａｇ−０．５Ｃｕを用いてもよい。

【0046】

図３（Ｃ）に示す工程で、所定の形状に形成した半田合金を半田ペースト上に配置する。半田合金として、例えば、Ｓｎ−１０Ｓｂを用いてもよい。そして、半田合金を配置した基板１０Ａをリフロー炉等により加熱する。この時、加熱温度は、半田ペーストの融点より高く半田合金の融点より低い。これにより、可融金属１５Ａ，１７Ａを基板１０Ａに形成する。その後、基板１０Ａを洗浄剤により７０℃で１０分間洗浄し、半田ペーストに含まれるフラックス等を除去する。

【0047】

図３（Ｄ）に示す工程で、ディスペンサーにより熱硬化性樹脂を塗布する。そして、基板１０Ａを１８０度で１０分間加熱し、熱硬化性樹脂を半硬化させる。これにより、基板１０Ａに支持部１６Ａを形成する。

【0048】

なお、支持部１６の形成方法は、図３（Ｄ）に示す工程に限定されない。例えば、予め所定の形状に形成した熱硬化性樹脂を基板１０Ａの平板面に形成してもよい。

【0049】

図３（Ａ）ないし（Ｄ）に示す工程を繰り返すことにより、構造体１Ａ，１Ｂを形成する。

【0050】

なお、構造体１Ａ，１Ｂを並行して形成してもよい。また、多数の構造体１Ａを大判基板に形成し、構造体１Ａ毎に大判基板を切断することにより、構造体１Ａ，１Ｂを得てもよい。また、構造体１Ａと１Ｂとが異なる構造を有する場合、どちらを先に形成してもよい。

【0051】

図３（Ｅ）に示す工程で、支持部１６Ａの端面と支持部１６Ｂの端面とが合わさるように、構造体１Ｂを構造体１Ａの上に配置する。そして、構造体１Ａ，１Ｂを１８０℃で６０分間加熱し、図３（Ｄ）で半硬化済みの支持部１６Ａ，１６Ｂを本硬化させる。これにより、支持部１６Ａ，１６Ｂを一体とし、支持部１６を形成する。さらに、構造体１Ａ，１Ｂをリフロー炉等により加熱して、可融金属１７Ａ，１７Ｂの接触面を半田ペースト等により接合する。この時、加熱温度は、半田ペーストの融点より高く半田合金の融点より低い。これにより、可融金属１７を形成する。

【0052】

図３（Ｆ）に示す工程で、外部接続電極１２Ａ，１２Ｂを、金属メッキ等により形成する。

【0053】

以上の工程により、ヒューズ１を製造することができる。

【0054】

次に、本発明の第２の実施形態に係るヒューズについて説明する。第２の実施形態に係るヒューズの外観は、図１と同様である。図４は、第２の実施形態に係るヒューズのＡ−Ａ’矢視断面図である。なお、外部からヒータ電極４６への電流経路は、図示されていない。

【0055】

第２の実施形態に係るヒューズ４１は、電極４４Ａと樹脂膜４５とヒータ電極４６とを備えている。その他の構成は、第１の実施形態の構成と同様である。以下では、第１の実施形態と異なる点を説明する。

【0056】

電極４４Ａと樹脂膜４５とヒータ電極４６とは、下から順にヒータ電極４６、樹脂膜４５、電極４４Ａの順に積層されている。樹脂膜４５は、電極４４Ａとヒータ電極４６との間を絶縁している。ヒータ電極４６は、第２の実施形態に係る加熱部であり、電極４４Ａを加熱する。

【0057】

ヒータ電極４６に外部から電流を印加すると、ヒータ電極４６は発熱する。発熱したヒータ電極４６は、可融金属１５Ａ，１５Ｂ，１７を加熱し、溶融させる。したがって、ヒータ電極４６に電流を印加することにより、電流経路の切断タイミングを制御することができる。

【0058】

次に、ヒューズ４１の製造方法の一例について説明する。図５は、ヒューズ４１の製造工程を段階的に示すＡ−Ａ’矢視断面図である。なお、外部からヒータ電極４６への電流経路は、図示されていない。

【0059】

図５（Ａ）に示す工程で、基板１０Ａの内部に所定のビア電極を形成するとともに、基板１０Ａの両面に所定の配線を形成する。これにより、基板１０Ａにビア電極１３Ａ等を形成する。

【0060】

図５（Ｂ）に示す工程で、カーボンペースト等の抵抗体ペーストを基板１０Ａの所定の位置に印刷する。そして、基板１０Ａをオーブン等により１５０℃で２０分間加熱し、抵抗体ペーストを硬化させる。これにより、ヒータ電極４６を形成する。

【0061】

図５（Ｃ）に示す工程で、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を抵抗体ペースト表面に印刷により塗布する。そして、基板１０Ａを１８０℃で６０分加熱し、熱硬化樹脂を硬化させる。これにより、ヒータ電極４６の表面に樹脂膜４５を形成する。

【0062】

図５（Ｄ）に示す工程で、樹脂膜４５の表面に金属箔を熱圧着する。これにより、樹脂膜４５の表面に電極４４Ａを形成する。以降の工程は、図３と同様である。

【0063】

以上の工程により、ヒューズ４１を製造することができる。

【0064】

次に、本発明の第３の実施形態に係るヒューズについて説明する。第３の実施形態に係るヒューズ５１では、第１の実施形態に係るヒューズ１と同様の構成を有するが、異なる方法により製造される。以下では、ヒューズ５１の製造方法の一例について、第１の実施形態と異なる点を説明する。

【0065】

図６は、ヒューズ５１の製造方法の一工程を示すＡ−Ａ’矢視断面図である。図３（Ａ）ないし（Ｂ）に示す工程により構造体５Ｂを形成する。図３（Ａ）ないし（Ｄ）に示す工程により構造体５Ａを形成する。可融金属１５Ｂと可融金属１７が当接するように、構造体５Ａの上に構造体５Ｂを配置する。構造体５Ａ，５Ｂをリフロー炉等により加熱して、可融金属１５Ｂ，１７を接合するとともに、基板１０Ｂと支持部１６を接着する。以降の工程は、図３と同様である。

【0066】

以上の工程により、ヒューズ４１を製造することができる。

【0067】

なお、本発明に係るヒューズの構成は、上記に限定されない。また、本発明に係るヒューズの製造方法は、上記に限定されない。

【符号の説明】

【0068】

１，４１ ヒューズ
１０Ａ，１０Ｂ 基板
１２Ａ，１２Ｂ 外部接続電極
１３Ａ，１３Ｂ ビア電極
１４Ａ，１４Ｂ，４４Ａ 電極
１５Ａ，１５Ｂ，１７，１７Ａ，１７Ｂ，５７Ａ，５７Ｂ 可融金属
１６，１６Ａ，１６Ｂ，５６Ａ，５６Ｂ 支持部
４５ 樹脂膜
４６ ヒータ電極

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】