特許 6042196 スパッタ装置、スパッタ装置の制御装置、および成膜方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6042196

(24)【登録日】2016年11月18日

(45)【発行日】2016年12月14日

(54)【発明の名称】スパッタ装置、スパッタ装置の制御装置、および成膜方法

(51)【国際特許分類】

   C23C 14/54 20060101AFI20161206BHJP

【ＦＩ】

   C23C14/54 C

【請求項の数】9

【全頁数】18

(21)【出願番号】特願2012-268520(P2012-268520)

(22)【出願日】2012年12月7日

(65)【公開番号】特開2013-147737(P2013-147737A)

(43)【公開日】2013年8月1日

【審査請求日】2015年10月7日

(31)【優先権主張番号】特願2011-282095(P2011-282095)

(32)【優先日】2011年12月22日

(33)【優先権主張国】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000227294

【氏名又は名称】キヤノンアネルバ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100094112

【弁理士】

【氏名又は名称】岡部 讓

(74)【代理人】

【識別番号】100106183

【弁理士】

【氏名又は名称】吉澤 弘司

(74)【代理人】

【識別番号】100128657

【弁理士】

【氏名又は名称】三山 勝巳

(74)【代理人】

【識別番号】100170601

【弁理士】

【氏名又は名称】川崎 孝

(72)【発明者】

【氏名】永峰 佳紀

(72)【発明者】

【氏名】常松 弘志

【審査官】 宮崎 園子

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００５−０２６３９６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００８−２９４４１６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平１１−１８９８７４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｃ２３Ｃ １４／５４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

ターゲットホルダに所定の電圧を印加することによりプラズマを発生させ、前記ターゲットホルダに保持されたターゲットをスパッタリングして成膜するスパッタ装置であって、
処理チャンバと、
前記処理チャンバ内に設けられ、基板を保持するための基板保持面を有し、該基板保持面を所定の回転軸に対して回転可能に構成された基板ホルダと、
前記基板ホルダの回転を制御する回転駆動手段と、
前記基板ホルダの回転角を検出するための基板回転角検出手段と、
前記処理チャンバ内に設けられ、ターゲットを保持可能に構成され、前記回転軸がターゲットの中心点を通る垂線と不一致となるように設けられ、前記ターゲットのスパッタ面の中心点が、前記基板の中心点の法線に対して所定の寸法ずれた位置になるように、前記基板ホルダと対向して設けられたターゲットホルダと、
前記基板保持面を前記ターゲットホルダに露出させる第１の状態と、前記基板保持面を前記ターゲットホルダから遮蔽する第２の状態とを切り替えるシャッタと、
前記回転駆動手段および前記シャッタを制御する制御手段とを備え、前記制御手段は記憶部を備え、
前記スパッタ装置は、対象となる成膜において目標となる膜厚を形成するために必要な成膜時間をＴ秒とした際に、該対象となる成膜をＸ回（Ｘは２以上の整数）に分割して行うことが可能に構成されており、
前記制御手段の前記記憶部には、制御プログラムが記憶されており、
前記制御プログラムは、
前記基板ホルダの回転を停止した状態で、前記ターゲットホルダに最も近い位置になるように、前記基板ホルダ上に基準点を設定するステップと、
前記基板ホルダを一定の回転速度で回転させるように前記回転駆動手段を制御するステップと、
前記プラズマが生成されている状態で、前記回転速度で前記基板ホルダを回転させている間に、前記第１の状態を形成して、前記基準点が、前記ターゲットホルダに最も近い位置になった状態から、前記分割された成膜の１回目の成膜を開始するように前記シャッタを制御するステップと、
前記プラズマが生成されている状態で、前記回転速度で前記基板ホルダを回転させながら、前記１回目の分割された成膜の開始から前記Ｔ／Ｘ秒経過したら、前記第２の状態を形成するように前記シャッタを制御するステップと、
前記プラズマが生成されている状態で、前記回転速度で前記基板ホルダを回転させながら、前記基板回転角検出手段による検出結果に基づいて、前記基準点が、前記１回目の対象となる成膜を開始した第１の基準点の位置から（ｎ−１）×３６０／Ｘ度（ｎは、２〜Ｘの整数）回転し、第２の基準点の位置になったことを検出するステップと、
前記第１の状態を形成して、前記第２の基準点の位置に前記基準点がなった状態で、前記分割された成膜のｎ回目の成膜を開始するように前記シャッタを制御するステップと、
前記プラズマが生成されている状態で、前記回転速度で前記基板ホルダを回転させながら、前記ｎ回目の分割された成膜の開始から前記Ｔ／Ｘ秒経過したら、前記第２の状態を形成するように前記シャッタを制御するステップと
を有することを特徴とするスパッタ装置。

【請求項2】

前記シャッタは、前記ターゲットホルダを覆うように設けられ、前記第１の状態と前記第２の状態とを切り替え可能なターゲットシャッタ、および前記基板保持面を覆うように設けられ、前記第１の状態と前記第２の状態とを切り替え可能な基板シャッタの少なくとも一方であることを特徴とする請求項１に記載のスパッタ装置。

【請求項3】

前記基板にノッチが形成されており、前記基準点は、前記ノッチの位置に対応する前記基板ホルダ上の位置に位置することを特徴とする請求項１または２に記載のスパッタ装置。

【請求項4】

ターゲットホルダに所定の電圧を印加することによりプラズマを発生させ、前記ターゲットホルダに保持されたターゲットをスパッタリングして成膜するスパッタ装置であって、
処理チャンバと、
前記処理チャンバ内に設けられ、基板を保持するための基板保持面を有し、該基板保持面を所定の回転軸に対して回転可能に構成された基板ホルダと、
前記基板ホルダの回転を制御する回転駆動手段と、
前記基板ホルダの回転角を検出するための基板回転角検出手段と、
前記処理チャンバ内に設けられ、ターゲットを保持可能に構成され、前記回転軸がターゲットの中心点を通る垂線と不一致となるように設けられ、前記ターゲットのスパッタ面の中心点が、前記基板の中心点の法線に対して所定の寸法ずれた位置になるように、前記基板ホルダと対向して設けられたターゲットホルダと、
前記基板保持面を前記ターゲットホルダに露出させる第１の状態と、前記基板保持面を前記ターゲットホルダから遮蔽する第２の状態とを切り替えるシャッタとを備えるスパッタ装置の制御装置であって、
前記制御装置は、対象となる成膜において目標となる膜厚を形成するために必要な成膜時間をＴ秒とした際に、前記スパッタ装置が前記対象となる成膜をＸ回（Ｘは２以上の整数）に分割して行うように前記スパッタ装置を制御するものであり、
前記制御装置は、制御プログラムを記憶する記憶部を備え、
前記制御プログラムは、
前記基板ホルダの回転を停止した状態で、前記ターゲットホルダに最も近い位置になるように、前記基板ホルダ上に基準点を設定するステップと、
前記基板ホルダを一定の回転速度で回転させるように前記回転駆動手段を制御するステップと、
前記プラズマが生成されている状態で、前記回転速度で前記基板ホルダを回転させている間に、前記第１の状態を形成して、前記基準点が、前記ターゲットホルダに最も近い位置になった状態から、前記分割された成膜の１回目の成膜を開始するように前記シャッタを制御するステップと、
前記プラズマが生成されている状態で、前記回転速度で前記基板ホルダを回転させながら、前記１回目の分割された成膜の開始から前記Ｔ／Ｘ秒経過したら、前記第２の状態を形成するように前記シャッタを制御するステップと、
前記プラズマが生成されている状態で、前記回転速度で前記基板ホルダを回転させながら、前記基板回転角検出手段による検出結果に基づいて、前記基準点が、前記１回目の対象となる成膜を開始した第１の基準点の位置から（ｎ−１）×３６０／Ｘ度（ｎは、２〜Ｘの整数）回転し、第２の基準点の位置になったことを検出するステップと、
前記第１の状態を形成して、前記第２の基準点の位置に前記基準点がなった状態で、前記分割された成膜のｎ回目の成膜を開始するように前記シャッタを制御するステップと、
前記プラズマが生成されている状態で、前記回転速度で前記基板ホルダを回転させながら、前記ｎ回目の分割された成膜の開始から前記Ｔ／Ｘ秒経過したら、前記第２の状態を形成するように前記シャッタを制御するステップと
を備えることを特徴とする制御装置。

【請求項5】

前記基板にノッチが形成されており、前記基準点は、前記ノッチの位置に対応する前記基板ホルダ上の位置に位置することを特徴とする請求項４に記載の制御装置。

【請求項6】

基板を保持する基板ホルダと、ターゲットを保持するターゲットホルダとを有し、前記ターゲットのスパッタ面の中心点が、前記基板の中心点の法線に対して所定の寸法ずれた位置になるように、前記基板ホルダと前記ターゲットホルダとが対向して設けられたスパッタ装置を用いた成膜方法において、前記ターゲットホルダに所定の電圧を印加することによりプラズマを発生させ、前記ターゲットをスパッタリングして成膜する成膜方法であって、
対象となる成膜において目標となる膜厚を形成するために必要な成膜時間をＴ秒とした際に、
前記基板ホルダの回転を停止した状態で、前記ターゲットホルダに最も近い位置になるように、前記基板ホルダ上に基準点を設定する工程と、
前記基板ホルダを一定の回転速度で回転させる工程と、
前記回転速度で前記基板ホルダを回転させながら、前記対象となる成膜をＸ回（Ｘは２以上の整数）に分割して行う工程であって、前記分割された成膜の各回ではＴ／Ｘ秒間だけ成膜を行う工程とを有し、
前記成膜を行う工程は、
前記回転速度で前記基板ホルダを回転させている間に、前記基準点が、前記ターゲットホルダに最も近い位置になった状態から、前記分割された成膜の１回目の成膜を開始する工程と、
前記回転速度で前記基板ホルダを回転させながら、前記１回目の分割された成膜の開始から前記Ｔ／Ｘ秒経過したら、該１回目の分割された成膜を停止する工程と、
前記回転速度で前記基板ホルダを回転させながら、前記基準点が、前記１回目の成膜を開始した第１の基準点の位置から（ｎ−１）×３６０／Ｘ度（ｎは、２〜Ｘの整数）回転し、第２の基準点の位置になったことを検出する工程と、
前記第２の基準点の位置に前記基準点がなった状態で、前記分割された成膜のｎ回目の成膜を開始する工程と、
前記回転速度で前記基板ホルダを回転させながら、前記ｎ回目の分割された成膜の開始から前記Ｔ／Ｘ秒経過したら、該ｎ回目の分割された成膜を停止する工程と
を有することを特徴とする成膜方法。

【請求項7】

前記基板にノッチが形成されており、前記基準点は、前記ノッチの位置に対応する前記基板ホルダ上の位置に位置することを特徴とする請求項６に記載の成膜方法。

【請求項8】

コンピュータを請求項４または５に記載の制御装置として機能させることを特徴とするコンピュータプログラム。

【請求項9】

コンピュータにより読み出し可能なプログラムを格納した記憶媒体であって、請求項８に記載のコンピュータプログラムを格納したことを特徴とする記憶媒体。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、スパッタ装置、スパッタ装置の制御装置、および成膜方法に関し、より詳細には、基板に材料を堆積するために用いられるスパッタ装置、スパッタ装置の制御装置、および成膜方法に関するものである。

【背景技術】

【0002】

薄膜製造方法としてスパッタリング（以下スパッタともいう）が広く用いられている。スパッタでは一般的に被処理基板に堆積された薄膜は基板面内において膜厚分布を持つ。この膜厚分布を改善する方法としては以下のような方法が知られている（特許文献１参照）。

【0003】

特許文献１に開示された方法では、基板の斜向かいに対向して配置されたターゲットを用いてスパッタを開始する。まずスパッタ中の回転基板への成膜レートを算出し、該成膜レート及び目標とする膜厚から成膜時間を算出する。そしてその成膜時間で基板が整数倍の回転を行うように基板の回転速度を制御する（即ち基板における成膜開始角度と成膜終了角度を一致させる）。このような制御により基板面内における膜厚の不均一性を相殺し、膜厚分布を改善することが開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００１−２４０９６５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかし一般にスパッタ開始時は成膜レートに一定量の変動が生じ、成膜レートが安定するためには所要の時間が必要となる。このため、実際に特許文献１のような方法を行ったとしても、成膜後の薄膜には基板面内に膜厚分布が生じてしまう。

【0006】

本発明はこのような問題に鑑み、スパッタによる成膜において、良好な膜厚分布を得ることが可能なスパッタ装置、スパッタ装置の制御装置、および成膜方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

このような目的を達成するために、本発明の第１の態様は、ターゲットホルダに所定の電圧を印加することによりプラズマを発生させ、前記ターゲットホルダに保持されたターゲットをスパッタリングして成膜するスパッタ装置であって、処理チャンバと、前記処理チャンバ内に設けられ、基板を保持するための基板保持面を有し、該基板保持面を所定の回転軸に対して回転可能に構成された基板ホルダと、前記基板ホルダの回転を制御する回転駆動手段と、前記基板ホルダの回転角を検出するための基板回転角検出手段と、前記処理チャンバ内に設けられ、ターゲットを保持可能に構成され、前記回転軸がターゲットの中心点を通る垂線と不一致となるように設けられたターゲットホルダと、前記ターゲットホルダに前記所定の電圧を印加するための電圧供給手段と、前記回転駆動手段および前記電圧供給手段を制御する制御手段とを備え、前記スパッタ装置は、対象となる成膜において目標となる膜厚を形成するために必要な成膜時間をＴ秒とした際に、該対象となる成膜をＸ回（Ｘは２以上の整数）に分割して行うことが可能に構成されており、前記制御手段は、前記基板ホルダを一定の回転速度で回転させるように前記回転駆動手段を制御する手段と、前記回転速度で前記基板ホルダを回転させている間に、前記所定の電圧を前記ターゲットホルダに供給させて、前記分割された成膜の１回目の成膜を開始するように前記電圧供給手段を制御する手段と、前記回転速度で前記基板ホルダを回転させながら、前記１回目の分割された成膜の開始から前記Ｔ／Ｘ秒経過したら、前記ターゲットホルダへの前記所定の電圧の印加を停止するように前記電圧供給手段を制御する手段と、前記回転速度で前記基板ホルダを回転させながら、前記基板回転角検出手段による検出結果に基づいて、前記基板ホルダ上に設定された基準点が前記対象となる成膜を開始した地点から（ｎ−１）×３６０／Ｘ度（ｎは、２〜Ｘの整数）回転した位置にくると、前記所定の電圧を前記ターゲットホルダに供給させて、前記分割された成膜のｎ回目の成膜を開始するように前記電圧供給手段を制御する手段と、前記回転速度で前記基板ホルダを回転させながら、前記ｎ回目の分割された成膜の開始から前記Ｔ／Ｘ秒経過したら、前記ターゲットホルダへの前記所定の電圧の印加を停止するように前記電圧供給手段を制御する手段とを有することを特徴とする。

【0008】

本発明の第２の態様は、ターゲットホルダに所定の電圧を印加することによりプラズマを発生させ、前記ターゲットホルダに保持されたターゲットをスパッタリングして成膜するスパッタ装置であって、処理チャンバと、前記処理チャンバ内に設けられ、基板を保持するための基板保持面を有し、該基板保持面を所定の回転軸に対して回転可能に構成された基板ホルダと、前記基板ホルダの回転を制御する回転駆動手段と、前記基板ホルダの回転角を検出するための基板回転角検出手段と、前記処理チャンバ内に設けられ、ターゲットを保持可能に構成され、前記回転軸がターゲットの中心点を通る垂線と不一致となるように設けられたターゲットホルダと、前記ターゲットホルダに前記所定の電圧を印加するための電圧供給手段とを備えるスパッタ装置の制御装置であって、前記制御装置は、対象となる成膜において目標となる膜厚を形成するために必要な成膜時間をＴ秒とした際に、前記スパッタ装置が前記対象となる成膜をＸ回（Ｘは２以上の整数）に分割して行うように前記スパッタ装置を制御するものであり、前記制御装置は、前記基板ホルダを一定の回転速度で回転させるように前記回転駆動手段を制御する手段と、前記回転速度で前記基板ホルダを回転させている間に、前記所定の電圧を前記ターゲットホルダに供給させて、前記分割された成膜の１回目の成膜を開始するように前記電圧供給手段を制御する手段と、前記回転速度で前記基板ホルダを回転させながら、前記１回目の分割された成膜の開始から前記Ｔ／Ｘ秒経過したら、前記ターゲットホルダへの前記所定の電圧の印加を停止するように前記電圧供給手段を制御する手段と、前記回転速度で前記基板ホルダを回転させながら、前記基板回転角検出手段による検出結果に基づいて、前記基板ホルダ上に設定された基準点が前記対象となる成膜を開始した地点から（ｎ−１）×３６０／Ｘ度（ｎは、２〜Ｘの整数）回転した位置にくると、前記所定の電圧を前記ターゲットホルダに供給させて、前記分割された成膜のｎ回目の成膜を開始するように前記電圧供給手段を制御する手段と、前記回転速度で前記基板ホルダを回転させながら、前記ｎ回目の分割された成膜の開始から前記Ｔ／Ｘ秒経過したら、前記ターゲットホルダへの前記所定の電圧の印加を停止するように前記電圧供給手段を制御する手段とを備えることを特徴とする。

【0009】

本発明の第３の態様は、ターゲットホルダに所定の電圧を印加することによりプラズマを発生させ、前記ターゲットホルダに保持されたターゲットをスパッタリングして成膜する成膜方法であって、対象となる成膜において目標となる膜厚を形成するために必要な成膜時間をＴ秒とした際に、前記基板ホルダを一定の回転速度で回転させる工程と、前記回転速度で前記基板ホルダを回転させながら、前記対象となる成膜をＸ回（Ｘは２以上の整数）に分割して行う工程であって、前記分割された成膜の各回ではＴ／Ｘ秒間だけ成膜を行う工程とを有し、前記成膜を行う工程は、前記回転速度で前記基板ホルダを回転させている間に、前記分割された成膜の１回目の成膜を開始する工程と、前記回転速度で前記基板ホルダを回転させながら、前記１回目の分割された成膜の開始から前記Ｔ／Ｘ秒経過したら、該１回目の分割された成膜を停止する工程と、前記回転速度で前記基板ホルダを回転させながら、前記基板ホルダ上に設定された基準点が前記対象となる成膜を開始した地点から（ｎ−１）×３６０／Ｘ度（ｎは、２〜Ｘの整数）回転した位置にくると、前記分割された成膜のｎ回目の成膜を開始する工程と、前記回転速度で前記基板ホルダを回転させながら、前記ｎ回目の分割された成膜の開始から前記Ｔ／Ｘ秒経過したら、該ｎ回目の分割された成膜を停止する工程とを有することを特徴とする。

【発明の効果】

【0010】

本発明によれば、スパッタによる成膜おいて良好な膜厚分布を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】本発明の一実施形態に係るスパッタ装置の構成の概略図である。

【図2】本発明の一実施形態に係るスパッタ装置における制御系の概略構成を示すブロック図である。

【図3】本発明の一実施形態に係る回転角を説明するための図である。

【図4】本発明の一実施形態に係る成膜方法の手順を示すフローチャートである。

【図5】成膜開始角と成膜終了角とを一致させて成膜した場合の膜厚分布を示す図である。

【図6】本発明の一実施形態に係る対象となる成膜終了後の膜厚分布を説明するための図である。

【図7】本発明の一実施形態に係る対象となる成膜終了後の膜厚分布を説明するための図であって、（ａ）は、１回目の分割された成膜により形成された膜における膜厚分布を示す図であり、（ｂ）は、２回目の分割された成膜により形成された膜における膜厚分布を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明するが、本発明は本実施形態に限定されるものではない。なお、以下で説明する図面で、同機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略することもある。

【0013】

図１を参照して、本発明の一実施形態に係るスパッタ装置（以下、「成膜装置」ともいう）の全体構成について説明する。図１は、本発明の一実施形態にかかる成膜装置１の概略図である。成膜装置１は、処理チャンバとしての真空容器２と、排気ポート８を通じて真空容器２内を排気するターボ分子ポンプ４８とドライポンプ４９とを有する真空排気装置と、真空容器２内へガスを導入することのできるガス導入系１５とを備えている。

【0014】

排気ポート８は、例えば矩形断面の導管であり、真空容器２とターボ分子ポンプ４８との間を繋いでいる。排気ポート８とターボ分子ポンプ４８との間にはメインバルブ４７が設けられている。

【0015】

ガス導入系１５は、所定のガスを供給するためのガス供給装置（ガスボンベ）１５ａと、ガスの流量を制御するためのマスフローコントローラ１５ｂと、ガスの供給を遮断したり開始したりするためのバルブ１５ｃと、それぞれの構成要素を接続し、ガスを真空容器２内に導入するガス導入口１５ｄとを有している。ガス導入系１５のそれぞれの構成要素は配管により接続されており、所定のガスは、ガス供給装置１５ａから、マスフローコントローラ１５ｂ、バルブ１５ｃ、およびガス導入口１５ｄを介して、ターゲット４付近から真空容器内に導入される。ガス導入系１５は、必要に応じて減圧弁やフィルタなどを有しても良い。このようなガス導入系１５は、後述する制御装置１０００により指定されるガス流量を安定して流すことができる構成である。
なお、通常のスパッタを行う場合は、上記所定のガスとしてはアルゴンといった不活性ガスを用いれば良い。また、反応性スパッタの場合は、上記所定のガスとしては不活性ガスと反応性ガスとの混合ガスを用いれば良い。反応性スパッタの場合は、不活性ガスと反応性ガスとを別個に供給しても良いことは言うまでも無い。

【0016】

真空容器２内（処理チャンバ内）には、ターゲットを保持可能に構成されたターゲットホルダが設けられており、被スパッタ面が露出しているターゲット４がバックプレート５を介してターゲットホルダ６が保持されている。ターゲットホルダ６に対向して基板１０を保持する基板ホルダ７が設けられている。該基板ホルダ７は、基板１０を保持するための基板保持面７ａを有しており、後述する回転駆動手段としての基板ホルダ駆動機構３１により該基板保持面７ａが回転軸Ａに対して回転可能に構成されている。

【0017】

真空容器２の内面は接地されている。ターゲットホルダ６と基板ホルダ７との間の真空容器２の内面には接地された筒状のシールド４０（防着シールド部材）が設けられている。シールド４０（防着シールド部材）は、スパッタ粒子が真空容器２の内面に直接付着するのを防止ないしは低減させている。

【0018】

スパッタ面から見たターゲット４の背後には、マグネトロンスパッタリングを実現するためのマグネット１３が配設されている。マグネット１３は、マグネットホルダ３に保持されている。該マグネットホルダ３は、マグネットホルダ回転機構３５に接続されており、該マグネットホルダ回転機構３５の駆動により回転可能に構成されている。

【0019】

ターゲット４は、基板１０に対して斜め上方に配置された位置（オフセット位置）に設置されている。ターゲット４のスパッタ面の中心点は、基板１０の中心点の法線に対して所定の寸法ずれた位置にある。すなわち、基板ホルダ７の回転軸Ａが上記ターゲット４の中心点を通る垂線と不一致となるようにターゲットホルダ６は設けられている。ターゲットホルダ６には、スパッタ放電用電力を印加する電圧供給手段としての電源１２が接続されている。図１に示す成膜装置１は、ＤＣ電源を備えているが、これに限定されるものではなく、例えば、ＲＦ電源を備えていてもよい。ＲＦ電源を用いた場合には電源１２とターゲットホルダ６との間に整合器を設置する必要がある。ターゲットホルダ６は、絶縁体３４により真空容器２から絶縁されており、またＣｕ等の金属製であるのでＤＣ又はＲＦの電力が印加された場合には電極となる。ターゲットホルダ６に電力（所定の電圧）が供給されることで、ターゲット近傍にプラズマが発生し、スパッタリングによる成膜が行われる。

【0020】

ターゲットホルダ６の近傍には、ターゲットシャッタ１４がターゲットホルダ６を覆うように設置されている。ターゲットシャッタ１４は、それぞれのシャッタ部材を独立して開閉することが可能な２重回転シャッタの構造を有している。ただしシャッタの枚数は特に問わない。ターゲットシャッタ１４によって、基板ホルダ７とターゲットホルダ６との間を遮蔽する閉状態、または基板ホルダ７とターゲットホルダ６との間を開放する開状態を切り替えることができる。また、ターゲットシャッタ１４には、二重シャッタを別々に開閉可能なように、ターゲットシャッタ駆動機構３３が設けられている。

【0021】

基板ホルダ７には、基板ホルダ７を上下動したり、所定の速度で回転したりするための基板ホルダ駆動機構３１が設けられている。すなわち、該基板ホルダ駆動機構３１が有するモータの駆動により、回転軸Ａを中心に基板保持面１０を回転させることにより、基板１０は該回転軸Ａに対して回転する。また、基板ホルダ７には、基板回転角検出手段としてのセンサ３１ａが設けられており、基板１０の回転角（回転位置）を検出することができる。本発明の一実施形態では、センサ３１ａとして、ロータリーエンコーダを用いている。なお、本発明の一実施形態では、センサ３１ａとして、例えば、上述のロータリーエンコーダのように、基板保持面７ａ（すなわち、基板保持面７ａ上に載置された基板１０）の回転角を検出できるものであればいずれの構成を用いても良い。後述する制御装置１０００は、基板ホルダ駆動機構３１の動作を制御することができ、ロータリーエンコーダであるセンサ３１ａから、センサ３１ａの検出結果としての基板ホルダ駆動機構３１が有するモータの回転情報を受信するように構成されている。

【0022】

また基板１０の近傍で、基板ホルダ７とターゲットホルダ６との間には、基板シャッタ１９が配置されている。基板シャッタ１９は、基板シャッタ支持部材２０により基板１０の表面を覆うように支持されている。基板シャッタ駆動機構３２は基板シャッタ支持部材２０を回転させることにより、基板の表面付近の位置において、ターゲット４と基板１０との間に基板シャッタ１９が挿入される（閉状態）。基板シャッタ１９がターゲット４と基板１０との間に挿入されることによりターゲット４と基板１０との間は遮蔽される。また、基板シャッタ駆動機構３２の動作によりターゲットホルダ６（ターゲット４）と基板ホルダ７（基板１０）との間から基板シャッタ１９が退避すると、ターゲットホルダ６（ターゲット４）と基板ホルダ７（基板１０）との間は開放される（開状態）。

【0023】

スパッタ放電用電力を印加する電源１２、ガス導入系１５、基板ホルダ駆動機構３１、基板シャッタ駆動機構３２、ターゲットシャッタ駆動機構３３、マグネットホルダ回転機構３５、および各ゲートバルブは、それぞれ電気的に制御装置１０００に接続されており、該制御装置１０００は、各構成部品を制御できるように構成されている。

【0024】

図２は、本発明の一実施形態のスパッタ装置１における制御系の概略構成を示すブロック図である。

【0025】

図２において、制御装置１０００はスパッタ装置１の全体を制御する制御手段としての制御部である。この制御装置１０００は、種々の演算、制御、判別などの処理動作を実行するＣＰＵ１００１と、このＣＰＵ１００１によって実行される、図４にて後述される処理などの制御プログラムなどを格納するＲＯＭ１００２とを有する。また、制御装置１０００は、ＣＰＵ１００１の処理動作中のデータや入力データなどを一時的に格納するＲＡＭ１００３、および不揮発性メモリ１００４などを有する。また、制御装置１０００には、所定の指令あるいはデータなどを入力するキーボードあるいは各種スイッチなどを含む入力操作部１００５、スパッタ装置１の入力・設定状態などをはじめとする種々の表示を行う表示部１００６が接続されている。また、制御装置１０００には、基板ホルダ７上に保持された基板１０の回転角を検出するセンサ３１ａが接続されている。さらに制御装置１０００には、電源１２、ガス導入系１５、基板ホルダ駆動機構３１、基板シャッタ駆動機構３２、ターゲットシャッタ駆動機構３３、およびマグネットホルダ回転機構３５などがそれぞれ駆動回路１００７〜１０１２を介して接続されている。

【0026】

ここで、本発明の一実施形態に係る成膜方法について説明する。
本発明の一実施形態では、形成しようとする膜の成膜（対象となる成膜）において、該対象となる成膜の開始から所望の膜厚（目標とする膜厚）が得られるまでの時間を成膜時間Ｔ（Ｔ秒）と呼ぶことにする。すなわち、成膜時間Ｔとは、形成対象の膜を、所定の成膜レートによる成膜により目標となる膜厚で形成するのに必要な時間であって、実際に基板上に所定の膜が形成されている時間である。よって、各分割された成膜の間の時間は成膜時間Ｔに含まれない。該成膜時間Ｔを、成膜レートと上記目標となる膜厚とから算出しても良いし、パラメータとしてユーザが入力しても良い。

【0027】

本発明の一実施形態では、対象となる成膜において、成膜時間ＴをＸ（Ｘは２以上の整数）分割し、分割された成膜をＸ回行う。よって、分割された成膜をＸ回行った後には、結果として成膜時間Ｔの成膜が行われたことになり、目標とする膜厚の膜が形成される。具体的には、上記対象となる成膜においては、基板ホルダ７を一定の回転速度で回転させたまま、分割された成膜の各々を行う。

【0028】

すなわち、一定の回転速度で基板保持面７ａ（基板１０）を回転させている状態で、分割された成膜の１回目が行われ、Ｔ／Ｘ秒だけ成膜したら該１回目の分割された成膜を一旦終了する。基板保持面７ａ上に設定された基準点（基板１０上に設定された基準点と同義である）に対する１回目の分割された成膜の開始時（すなわち、対象となる成膜の開始時）からの回転角をθとすると、１回目の分割された成膜の開始時においては、回転角θ＝０度である。その後、基板保持面７ａ上に設定された基準点に対する対象となる成膜の開始時からの回転角θが３６０／Ｘ度の時に、再度成膜を開始し（分割された成膜の２回目を開始）、再びＴ／Ｘ秒だけ成膜したら該２回目の分割された成膜を終了する。Ｘが３以上の場合はその後、基板保持面７ａ上に設定された基準点に対する対象となる成膜の開始時からの回転角θが２×３６０／Ｘ度の時に、再度成膜を開始し（分割された成膜の３回目を開始）、再びＴ／Ｘ秒だけ成膜したら該３回目の分割された成膜を終了する。すなわち、２回目以降の分割された成膜については、基板ホルダ７を一定の回転速度で回転しながら、基板保持面７ａ上に設定された基準点に対する対象となる成膜の開始時からの回転角θが（ｎ−１）×３６０／Ｘ（ｎは、２〜Ｘの整数）度の時に、ｎ回目の分割された成膜を開始し、Ｔ／Ｘ秒だけ成膜を行うと該ｎ回目の分割された成膜を終了する。このように、本発明の一実施形態では、一定の回転速度で基板ホルダ７（すなわち、基板保持面７ａおよび基板１０）を回転させながら、基板ホルダ上に設定された基準点（基板保持面７ａ上の基準点）が対象となる成膜を開始した地点から（ｎ−１）×３６０／Ｘ度だけ回転した位置にくると、Ｔ／Ｘ秒だけ成膜（ｎ回目の分割された成膜）が行われる。

【0029】

上記回転角θは、基板保持面７ａにおいて、回転軸Ａを中心に該基板保持面７ａをある角度だけ回転させたときのその角度（回転位相）である。図３は、本発明の一実施形態に係る回転角θを説明するための図である。図３において、基板保持面７ａには基準点３０１が設けられており、基板１０には基準点３０２が設けられている。該基準点３０１、３０２はそれぞれ、例えばノッチなど物理的な構造であっても良いし、仮想点であっても良い。一回目の分割された成膜の開始時（すなわち、対象となる成膜の開始時）において、基準点３０１、３０２がそれぞれ、地点３０３、３０４に位置すると仮定すると、基板保持面７ａが一定の回転速度で回転しているので、地点３０３、３０４からの該回転における基準点３０１、３０２の回転位相が回転角θ（０度≦θ＜３６０度）である。

【0030】

（第１の実施形態）
本実施形態では、各分割された成膜の制御（開始および終了）を、電圧供給手段としての電源１２からカソードとしてのターゲットホルダ６へのプラズマ生成のための所定の電圧の供給の制御により行う。従って、制御装置１０００は、基板ホルダ駆動機構３１を制御して基板ホルダ７（基板保持面７ａ）を一定の回転速度で回転させながら、Ｘ回に分割された成膜の各回ではＴ／Ｘ秒間だけ成膜が行われるよう所定の電圧をターゲットホルダ６に供給するように電源１２を制御するように構成されている。すなわち、制御装置１０００は、１回目の分割された成膜の際には、該１回目の分割された成膜の開始時（すなわち、対象となる成膜の開始時）における基板ホルダ７の回転角θ＝０度として、上記所定の電圧がターゲットホルダ６にＴ／Ｘ秒間だけ印加されるように電源１２を制御して、Ｔ／Ｘ秒だけ成膜が行われるように構成されている。さらには、制御装置１０００は、ｎ回目（ｎは、２〜Ｘの整数）の分割された成膜の際には、対象となる成膜の開始時からの基板ホルダ７の回転角θが（ｎ−１）×３６０／Ｘ度の時に上記所定の電圧がターゲットホルダ６にＴ／Ｘ秒間だけ印加されるように電源１２を制御して、分割された成膜の２回目以降の各回においてＴ／Ｘ秒だけ成膜が行われるように構成されている。

【0031】

以下に一例として、成膜時間Ｔ＝４．０秒、基板ホルダ７の回転速度６０ｒｐｍとして成膜した場合の例を示す。また、図３の基準点３０２を基板１０に形成されたノッチ（以降、ノッチ３０２とも呼ぶ）とし、基準点３０２（すなわち、基準点３０１）がカソードとしてのターゲットホルダ６に最も接近する点を基準角度（回転角θ＝０度）とする。ノッチ３０２がこの点に来たときに対象となる成膜（分割された成膜の１回目）が開始されるので、この点が、図３における地点３０４（地点３０３）となる。本実施形態では、例えば、基板ホルダ７の回転が停止した状態で、ノッチ３０２がターゲットホルダ６に最も近い位置に位置するように基板１０を基板保持面７ａ上に配置する。この状態で、基板保持面７ａを回転させると、制御装置１０００は、センサ３１ａの検知結果により基板保持面７ａの回転角を検出することができるので、地点３０４からのノッチ３０２の回転角、すなわち回転角θを検出することができる。
なお、本実施形態では、ノッチ３０２を回転角検出の基準にすることが本質では無い。本実施形態では、対象となる成膜の開始時（１回目の分割された成膜の開始時）以降の所定のタイミングにおける上記対象となる成膜の開始時からの回転角を検出することが重要である。従って、制御装置１０００は、センサ３１ａからの回転情報に基づいて、対象となる成膜の開始時からの回転角を所定のタイミングで検出できるように構成されていれば良い。

【0032】

図４は、本実施形態の対象となる成膜をＸ回に分割して行う成膜方法の処理手順を示すフローチャートである。以下、このフローチャートを参照して、成膜方法にかかる各工程を説明する。すなわち、本実施形態に係る成膜方法が開始されると、制御装置１０００は、図４に示すフローチャートに従って以下の成膜動作シーケンスを実行する。
なお、成膜の分割数に対応するＸ（２以上の整数）の値については、対象となる成膜毎に更新しても良いし、デフォルト値としてスパッタ装置１に持たせても良い。いずれにしても、Ｘ値については不揮発性メモリ１００４等に格納しておけば良い。

【0033】

ステップＳ４１では、制御装置１０００は、対象となる成膜における、成膜レートおよび目標となる膜厚（以降、単に“目標膜厚”とも呼ぶ）に関するユーザ入力を受け付ける。すなわち、ユーザが入力操作部１００５を介して所望の成膜レートおよび目標膜厚を入力すると、制御装置１０００は、ユーザにより入力された成膜レートおよび目標膜厚をＲＡＭ１００３に格納する。
ステップＳ４２では、制御装置１０００は、ステップＳ４１にてＲＡＭ１００３に格納された成膜レートおよび目標膜厚を読み出し、該読み出された成膜レートと目標膜厚とから、上記対象となる成膜の成膜時間Ｔを算出し、ＲＡＭ１００３に格納する。なお、ＲＡＭ１００３に予め定められた所定の成膜時間Ｔが格納されていても良い。

【0034】

ステップＳ４３では、制御装置１０００は、不揮発性メモリ１００４からＸ値を読み出し、ＲＡＭ１００３からステップＳ４２にて算出された成膜時間Ｔを読み出し、Ｔ／Ｘを算出する。制御装置１０００は、このように算出された、分割された成膜の各回における成膜時間に対応するＴ／ＸをＲＡＭ１００３に格納する。
ステップＳ４４では、制御装置１０００は、基板ホルダ駆動機構３１を制御して、基板ホルダ７を所定の回転速度で回転させる。本実施形態では、基板ホルダ７の回転速度を６０ｒｐｍに設定しているので、制御装置１０００は、基板保持面７ａが回転軸Ａを中心に６０ｒｐｍで回転するように基板ホルダ駆動機構３１を制御する。

【0035】

ステップＳ４５では、制御装置１０００は、対象となる成膜をＸ回に分割された成膜の１回目の成膜を開始させる制御を行う。本実施形態では、分割された成膜の各回における成膜の開始と終了との制御を、プラズマ発生用の電圧供給のための電圧供給機構としての電源１２からカソードとしてのターゲットホルダ６への所定の電圧の供給のＯＮ／ＯＦＦを制御することによって行っている。従って、制御装置１０００は、電源１２を制御して、ターゲットホルダ６に所定の電圧を供給させて、分割された成膜の１回目を開始させる。なお、該１回目の分割された成膜の際には、制御装置１０００は、ステップＳ４１にて入力された成膜レートによる成膜が行われるように、各条件を設定することは言うまでも無い。このとき、制御装置１０００は、分割された成膜の回数に関するカウント１をＲＡＭ１００３に記憶する。本実施形態において、“カウントＮ”とは、分割された成膜を行う毎に１ずつ累積し、該累積されたカウント値はＲＡＭ１００３に記憶される。
また、ターゲットシャッタ１４および基板シャッタ１９の少なくとも一方が閉状態である場合には、制御装置１０００は、基板シャッタ駆動機構３２およびターゲットシャッタ駆動機構３３の少なくとも一方を制御して、閉状態のシャッタを開状態とする。

【0036】

ステップＳ４６では、制御装置１０００は、ステップＳ４５にて開始された分割された成膜の１回目の成膜からＴ／Ｘ秒後に、該分割された成膜の１回目の成膜を終了させる制御を行う。すなわち、制御装置１０００は、ＲＡＭ１００３からＴ／Ｘを読み出し、ステップＳ４５における１回目の分割された成膜の開始からＴ／Ｘ秒だけ経過したら、ターゲットホルダ６への所定の電圧の供給を停止するように電源１２を制御する。この制御により、基板１０上にＴ／Ｘ秒だけ成膜が行われる。

【0037】

ステップＳ４７では、制御装置１０００は、基板上に設定された基準点であるノッチ３０２（すなわち、基板ホルダ上に設定された基準点３０１）が、対象となる成膜を開始した地点である地点３０４（地点３０３）から（ｎ−１）×３６０／Ｘ度（ｎは２〜Ｘの整数）に来ると、分割された成膜のｎ回目の成膜を開始させる制御を行う。すなわち、制御装置１０００は、センサ３１ａから受信した回転情報に基づいて、基準点であるノッチ３０２の、対象となる成膜を開始した地点である地点３０４からの回転角θが（ｎ−１）×３６０／Ｘ度の時に、電源１２を制御して、ターゲットホルダ６に所定の電圧を供給させて、分割された成膜のｎ回目を開始させる。なお、このｎ回目の分割された成膜においては、制御装置１０００は、ステップＳ４１にて入力された成膜レートによる成膜が行われるように各条件を設定することは言うまでも無い。このとき、制御装置１０００は、分割された成膜の回数に関するカウントを１累積し、該累積されたカウント値をＲＡＭ１００３に記憶する。

【0038】

ステップＳ４８では、制御装置１０００は、ステップＳ４７にて開始された分割された成膜のｎ回目の成膜からＴ／Ｘ秒後に、該分割された成膜のｎ回目の成膜を終了させる制御を行う。すなわち、制御装置１０００は、ＲＡＭ１００３からＴ／Ｘを読み出し、ステップＳ４７におけるｎ回目の分割された成膜の開始からＴ／Ｘ秒だけ経過したら、ターゲットホルダ６への所定の電圧の供給を停止するように電源１２を制御する。この制御により、基板１０上にＴ／Ｘ秒だけ成膜が行われる。

【0039】

ステップＳ４９では、制御装置１０００は、ＲＡＭ１００３に記憶された分割された成膜の回数に関するカウント値を参照して、分割された成膜がＸ回行われたか否かを判断する。カウント値がＸよりも小さい場合は、制御装置１０００は、分割された成膜がまだＸ回行われていないと判断して、ステップＳ４７に進み、ステップＳ４７〜Ｓ４９を繰り返す。一方、カウント値がＸと等しい場合は、制御装置１０００は、分割された成膜がＸ回行われたと判断して、ステップＳ５０に進む。
ステップＳ５０では、制御装置１０００は、基板ホルダ駆動機構３１を制御して、ステップＳ４４〜Ｓ４９において一定の回転速度で回転動作を行っている基板ホルダ７の回転を停止させる。ステップＳ５０にて、基板ホルダ７の回転を停止させると、本成膜方法を終了する。

【0040】

さて、成膜開始時には成膜レートに一定の変動が生じる。例えば、低圧力雰囲気中でスパッタを行う場合、放電開始時は一時的に圧力を上昇させる必要がある。このため、成膜開始時は成膜レート安定時に比べて一時的に成膜レートが大きくなる。基板ホルダの回転速度が６０ｒｐｍであり４秒成膜の場合、成膜開始角と成膜終了角とは一致する。しかしながら、図５に示すように、ターゲットホルダに最も近い点を回転角の０度とした場合、該０度側（ターゲットホルダ側）の膜厚が厚く、１８０度側（ターゲットホルダ側と反対側）の膜厚が薄くなり、膜厚分布が生じる。

【0041】

これに対して本実施形態では、成膜時間ＴをＸ分割し、Ｘ分割された成膜の各々について、図５のように成膜開始時の成膜レートの変動に起因する膜厚分布が生じる成膜を、基板の円周上のある位置を基準に考えると該ある位置の回転位置が他の成膜時とは異なる回転位置に位置する時にＴ／Ｘ秒だけ行い、該Ｔ／Ｘ秒の成膜（分割された成膜）をＸ回行う。従って、各分割された成膜において、上記膜厚分布の方向（例えば、膜厚分布における膜厚の厚い方から薄い方に向かう方向）を基板の円周方向に沿って変えることができ、膜厚分布の方向が互いに異なる各分割された成膜をトータルすると、膜厚分布を全体としてキャンセルさせることができる。図６は本実施形態（Ｘ＝２）を用いた場合の膜厚分布の様子を示す図である。まず、回転角θ＝０度のときに１回目の分割された成膜を開始し、２．０秒（成膜時間４．０秒／２）経過後に１回目の分割された成膜を終える（１回目の分割された成膜の終了）。次に、回転角θ＝１８０度（３６０／２度）のときに再び成膜（２回目の分割された成膜）を開始し、２．０秒経過後に２回目の分割された成膜を終える（２回目の分割された成膜の終了）。

【0042】

本実施形態では、図７（ａ）に示すように、１回目の分割された成膜により形成された膜の膜厚分布においては、ターゲットホルダ６に最も近い点を回転角θの０度とした場合、０度側が厚くなる。一方、図７（ｂ）に示すように、２回目の分割された成膜により形成された膜の膜厚分布においては、１８０度側が厚くなる。すなわち、１回目の分割された成膜と２回目の分割された成膜とで膜厚分布がほぼ対称となるため、対象となる成膜においては、１回目の分割された成膜の膜厚分布と２回目の分割された成膜の膜厚分布とが全体としてキャンセルされる。よって、成膜開始時の成膜レートの変動が生じたとしても、図６に示すように、膜厚分布を低減した膜を形成することができる。すなわち、本実施形態では、膜厚に分布が生じる成膜を、基板の外周方向に沿って等間隔に異なるＸ箇所に基板保持面や基板に形成された所定の点（例えば、基準点）が来たときに開始させている。従って、Ｘ分割された成膜により形成された膜毎に膜厚分布の方向が等間隔で回転することになり、各分割された成膜において形成された膜の膜厚分布の方向を等方的にすることができる。よって、対象となる成膜の完了後の膜全体として見ると、Ｘ分割して行われた各分割された成膜により形成された膜の膜厚分布をキャンセルすることができる。

【0043】

また本実施形態では、成膜終了角と成膜開始角とが計算上一致している場合を挙げたが、本実施形態は、成膜開始角と成膜終了角とが一致しない場合にも有効である。いずれの場合にも第１の分割された成膜と第２の分割された成膜とで各々厚い部分と薄い部分とが対称、あるいは基板の回転方向に対して等間隔に生じるため、膜厚分布がキャンセルされるからである。

【0044】

（第２の実施形態）
本実施形態では、各分割された成膜の制御（開始および終了）を、ターゲットシャッタ１４および／または基板シャッタ１９の開状態および閉状態の制御により行う。

【0045】

ターゲットシャッタ１４および／または基板シャッタ１９を用いる場合、ターゲット４上の放電を維持したまま、基板１０へのターゲット４の露出および該露出の遮断によって成膜を制御することになる。例えば、ターゲットシャッタ１４および基板シャッタ１９を用いる場合は、スパッタのためのプラズマが形成されている状態で、ターゲットシャッタ１４および基板シャッタ１９を双方とも閉状態とした状態から開状態とすることにより、基板１０に対してターゲット４が露出することになり、成膜が開始される。一方、該成膜時において、ターゲットシャッタ１４および基板シャッタ１９の双方共に閉状態とすることにより、基板１０に対してターゲット４の露出が遮断されることになり、成膜が停止される。

【0046】

しかしながら、この場合も同様にターゲットシャッタや基板シャッタの開閉動作によって成膜開始時及び終了時に成膜レートに一定の変動が生じる。従って、特許文献１に開示された技術のように、例え成膜開始角度と成膜終了角度を一致させたとしても、成膜後の膜には膜厚分布が生じる。本実施形態によれば、このような場合にも成膜開始時及び終了時の成膜レート変動部分をキャンセルすることが可能となる。

【0047】

本実施形態においては、制御装置１０００は、プラズマが生成されている状態で、基板ホルダ駆動機構３１を制御して基板ホルダ７（基板保持面７ａ）を一定の回転速度で回転させながら、Ｘ回に分割された成膜の各回の開始時においてターゲットシャッタ１４および基板シャッタ１９の双方が開状態となるようにターゲットシャッタ駆動機構３３および基板ホルダ駆動手段３１を制御し、かつＸ回に分割された成膜の各回の終了時においてターゲットシャッタ１４および基板ホルダ１９の双方が閉状態となるようにターゲットシャッタ駆動機構３３および基板シャッタ駆動機構３１を制御するように構成されている。すなわち、制御装置１０００は、１回目の分割された成膜の際には、プラズマが生成されている状態で、該１回目の分割された成膜の開始時における基板ホルダ７の回転角θ＝０度として、ターゲットシャッタ１４および基板シャッタ１９の双方が開状態となり、かつ１回目の分割された成膜の開始時からＴ／Ｘ秒経過後にターゲットシャッタ１４および基板シャッタ１９の双方が閉状態となるようにターゲットシャッタ駆動機構３３および基板シャッタ駆動機構３１を制御するように構成されている。さらには、制御装置１０００は、ｎ回目（ｎは、２〜Ｘの整数）の分割された成膜の際には、プラズマが生成されている状態で、対象となる成膜の開始時からの基板ホルダ７の回転角θが（ｎ−１）×３６０／Ｘ度の時に、ターゲットシャッタ１４および基板シャッタ１９の双方が開状態となり、かつｎ回目の分割された成膜の開始時からＴ／Ｘ秒経過後にターゲットシャッタ１４および基板シャッタ１９の双方が閉状態となるようにターゲットシャッタ駆動機構３３および基板シャッタ駆動機構３１を制御するように構成されている。

【0048】

なお、本実施形態では、分割された成膜の各回における開始および終了の制御するためにターゲットシャッタ１４および基板シャッタ１９の双方を設ける形態について説明したが、ターゲットシャッタ１４および基板シャッタ１９の一方を設ける形態にも本実施形態は適用できる。また、ターゲットシャッタ１４や基板シャッタ１９に限らず、例えば、ターゲットホルダ６と基板ホルダ７との間の中点やその近傍など、ターゲットホルダ６と基板ホルダ７との間の所定の位置に設けられたシャッタであっても良い。また、シャッタの数も特に限定は無い。すなわち、本実施形態では、プラズマが生成された状態で、基板とターゲットとの間の遮蔽および開放により、分割された成膜の各回における開始および終了の制御することが重要である。よって、基板ホルダ７の基板保持面７ａをターゲットホルダ６（ターゲットホルダ６に保持されたターゲット４）に露出させる第１の状態、および該基板保持面７ａをターゲットホルダ６から遮蔽する第２の状態（基板保持面７ａをターゲットホルダ６に露出させない状態）の双方を形成可能なシャッタであって、第１の状態および第２の状態を切り替え可能なシャッタを用いれば良いのである。

【0049】

（その他の実施形態）
上記制御装置１０００は、成膜装置１内に組み込まれていても良いし、該成膜装置１と別個に設けても良い。この場合は、ＰＣ（パーソナルコンピュータ）等に組み込めば良い。このように、制御装置１０００と成膜装置１とを別個に設ける場合は、両者を、ＬＡＮやＷＡＮといったネットワーク、直接配線接続等の有線接続、または、赤外線等を用いた無線接続を介して接続すれば良い。

【0050】

また、前述した実施形態の制御装置１０００の機能を実現するように前述した実施形態の構成を動作させるプログラムを記憶媒体に記憶させ、該記憶媒体に記憶されたプログラムをコードとして読み出し、コンピュータにおいて実行する処理方法も上述の実施形態の範疇に含まれる。即ちコンピュータ読み取り可能な記憶媒体も実施例の範囲に含まれる。また、前述のコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体はもちろんそのコンピュータプログラム自体も上述の実施形態に含まれる。
かかる記憶媒体としてはたとえばフロッピー（登録商標）ディスク、ハードディスク、光ディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、磁気テープ、不揮発性メモリカード、ＲＯＭを用いることができる。
また前述の記憶媒体に記憶されたプログラム単体で処理を実行しているものに限らず、他のソフトウエア、拡張ボードの機能と共同して、ＯＳ上で動作し前述の実施形態の動作を実行するものも前述した実施形態の範疇に含まれる。

【符号の説明】

【0051】

１ 成膜装置
２ 真空容器
３ マグネットホルダ
４ ターゲット
６ ターゲットホルダ
７ 基板ホルダ
７ａ 基板保持面
１０ 基板
１２ 電源
１４ ターゲットシャッタ
１９ 基板シャッタ
３１ 基板ホルダ駆動機構
３１ａ センサ
３２ 基板シャッタ駆動機構
３３ ターゲットシャッタ駆動機構
１０００ 制御装置
１００１ ＣＰＵ
１００２ ＲＯＭ
１００３ ＲＡＭ
１００４ 不揮発性メモリ
１００５ 入力操作部
１００６ 表示部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】