発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、前記特許文献１に記載された従来例にあっては、パワー半導体素子の近傍に温度検出素子を配置し、この温度検出素子で検出した温度が判定温度以上であるときに複数のパワー半導体素子のゲートを全てＯＦＦとするようにしており、複数のパワー半導体素子のゲートを発熱温度に応じて個別に制御することができないという未解決の課題がある。 また、前記特許文献２に記載された従来例にあっては、複数のＩＧＢＴ素子を配置したときに、冷却効率が良いＩＧＢＴ素子のゲート抵抗値を、冷却効率が悪いＩＧＢＴ素子のゲート抵抗値に比較して大きく設定するので、ＩＧＢＴ素子の温度に応じて個別に制御することはできるが、ＩＧＢＴ素子毎に異なる抵抗値を設定する必要があるとともに、ゲート抵抗は抵抗値が温度の増加に応じて増加する温度特性を有するので、設定した抵抗値を得ることが困難であるという未解決の課題がある。 さらに、前記特許文献３に記載された従来例にあっては、高温になるほど抵抗値が小さくなる負性抵抗特性を有するサーミスタを使用する必要があり、このサーミスタのみではゲート抵抗に必要な抵抗特性を得ることは困難であるためサーミスタと抵抗の直列回路とこの直列回路と並列な抵抗を配置して合成抵抗でゲート抵抗に必要な抵抗特性を得る必要があり、抵抗構成が複雑となるという未解決の課題がある。
そこで、本発明は、従来例の未解決の課題に着目してなされたものであり、ゲート抵抗を設けるのみで複数の半導体チップの温度を平均化することができる半導体装置を提供することを目的としている。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、ゲート端子を有する半導体チップの温度状態に応じてゲート抵抗の半導体チップに対する配置距離を設定するので、抵抗値の等しいゲート抵抗を使用して簡易な構成で半導体チップの温度を平均化することができる。