特許6044975半導体素子用エピタキシャル基板および半導体素子用エピタキシャル基板の作製方法

発明の名称　半導体素子用エピタキシャル基板および半導体素子用エピタキシャル基板の作製方法

出願人　国立大学法人三重大学　（識別番号 304026696）

　　　　特許公開件数ランキング 2302 位（17件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 1795 位（19件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-6044975

公報発行日　2016年12月14

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6044975

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