特許 6045110 半導体装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6045110

(24)【登録日】2016年11月25日

(45)【発行日】2016年12月14日

(54)【発明の名称】半導体装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/60 20060101AFI20161206BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/60 321E

【請求項の数】5

【全頁数】11

(21)【出願番号】特願2013-44589(P2013-44589)

(22)【出願日】2013年3月6日

(65)【公開番号】特開2014-175364(P2014-175364A)

(43)【公開日】2014年9月22日

【審査請求日】2015年9月18日

(73)【特許権者】

【識別番号】000002037

【氏名又は名称】新電元工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100106909

【弁理士】

【氏名又は名称】棚井 澄雄

(74)【代理人】

【識別番号】100149548

【弁理士】

【氏名又は名称】松沼 泰史

(74)【代理人】

【識別番号】100129403

【弁理士】

【氏名又は名称】増井 裕士

(74)【代理人】

【識別番号】100160093

【弁理士】

【氏名又は名称】小室 敏雄

(72)【発明者】

【氏名】玉手 登志幸

【審査官】 溝本 安展

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００９−０７６６７５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０４−２３３２４７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００４−０４７８００（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１２−２０９４４４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００６−２９４７２９（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／６０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

板状に形成されたダイパッドと、該ダイパッドに電気的に接続された半導体素子と、該半導体素子を挟んで前記ダイパッドに対向して形成され、前記半導体素子の一面を覆うよう広がる接続板と、を備え、
前記接続板の一部には、前記半導体素子に電気的に接続された接続片が形成されており、
前記接続片は前記接続板に設定された第一領域内において、前記接続板の周縁に接しないように設定した四角形のうちの三辺を切り込み、残りの一辺を屈曲辺として、切り込まれた三辺で囲まれた部分を前記半導体素子の一面に形成された電極に向けて折り曲げた部分からなり、前記屈曲辺と前記接続板の一辺との成す角度が０°よりも大きく、９０°よりも小さい角度範囲で傾斜していること、を特徴とする半導体装置。

【請求項2】

前記接続板の周囲は、絶縁性の封止樹脂によって覆われていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。

【請求項3】

前記接続片は、前記半導体素子の一面に形成された電極の中央部分に接するように形成したことを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。

【請求項4】

前記接続片は、前記接続板に複数形成され、前記半導体素子の一面に形成された１つの電極に対して、前記複数の接続片を接続させてなることを特徴とする請求項１ないし３いずれか１項記載の半導体装置。

【請求項5】

前記接続板は、少なくとも前記半導体素子の一面を覆う部分において、蛇腹状に繰り返し屈折させた部分をもつことを特徴とする請求項１ないし４いずれか１項記載の半導体装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、放熱特性に優れた半導体装置に関する。

【背景技術】

【0002】

従来の半導体装置の一例として特許文献１が挙げられる。図６は、従来の半導体装置の一例を示す斜視図である。半導体装置１０のうち、リード１２，１２は、それぞれ金属細線１８，１８を介して、半導体素子１７の一面に形成された端子１４，１４にそれぞれ電気接続されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００８−０３４６０１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

上述の半導体装置１０は、半導体素子１７の端子１４とリード１２とを金属細線１８によって接続している。金属細線１８は、リード１２や端子１４と比べると断面積が小さく、流すことができる電流量の上限も低い。このため、大電流が流れるパワーモジュールなどに、こうした構成の半導体装置１０を適用することが困難であるという課題があった。また、金属細線１８は板状部材などと比べると表面積が小さいので、金属細線１８で発生した熱を、半導体装置１０の外部に効率よく放熱することが難しいという課題があった。

【0005】

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、大電流化に対応でき、かつ放熱性に優れた半導体装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

上記課題を解決するために、本発明のいくつかの態様は次のような半導体装置を提供した。
すなわち、本発明の半導体装置は、板状に形成されたダイパッドと、該ダイパッドに電気的に接続された半導体素子と、該半導体素子を挟んで前記ダイパッドに対向して形成され、前記半導体素子の一面を覆うよう広がる接続板と、を備え、
前記接続板の一部には、前記半導体素子に電気的に接続される接続片が形成されており、
前記接続片は前記接続板に設定された第一領域内において、前記接続板の周縁に接しないように設定した四角形のうちの三辺を切り込み、残りの一辺を屈曲辺として、切り込まれた三辺で囲まれた部分を前記半導体素子の一面に形成された電極に向けて折り曲げた部分からなり、前記屈曲辺と前記接続板の一辺との成す角度が０°よりも大きく、９０°よりも小さい角度範囲で傾斜していること、を特徴とする。

【0008】

前記接続板の周囲は、絶縁性の封止樹脂によって覆われていることを特徴とする。

【0010】

前記接続片は、前記半導体素子の一面に形成された電極の中央部分に接するように形成したことを特徴とする。

【0012】

前記接続片は、前記接続板に複数形成され、前記半導体素子の一面に形成された１つの電極に対して、前記複数の接続片を接続させてなることを特徴とする。

【0013】

前記接続板は、少なくとも前記半導体素子の一面を覆う部分において、蛇腹状に繰り返し屈折させた部分をもつことを特徴とする。

【発明の効果】

【0014】

本発明の半導体装置によれば、リードと半導体素子の電極とを、半導体素子の一面を覆うよう大きく広がる板状の接続板によって接続するようにしたので、従来のように金属細線を使用した場合と比較して大電流を流すことが可能となる。

【0015】

また、半導体装置を流れる電流量が大きくなると、熱の発生も多くなる。しかし、本発明の半導体装置によれば、半導体素子の一面を覆う表面積の大きい板状の接続板を用いることにより、放熱面積が大きくなるので、接続板で生じた熱を効率よく外部に放熱することができる。よって、半導体素子の高温化による特性の低下を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【0016】

【図1】本発明の第一実施形態における半導体装置を示す平面図、および断面図である。

【図2】本発明の第二実施形態における半導体装置を示す平面図である。

【図3】本発明の第三実施形態における半導体装置を示す平面図である。

【図4】本発明の第四実施形態における半導体装置を示す平面図である。

【図5】本発明の第五実施形態における半導体装置を示す断面図である。

【図6】従来の半導体装置の一例を示す斜視図である。

【発明を実施するための形態】

【0017】

以下、図面を参照して、本発明の半導体装置の一実施形態について説明する。なお、本実施形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。また、以下の説明で用いる図面は、本発明の特徴をわかりやすくするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。

【0018】

（第一実施形態）
本発明の半導体装置の第一実施形態を図１に示す。図１（ａ）は、封止樹脂を除いた半導体装置を上側から見た平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
本発明の半導体装置２０は、板状に形成されたダイパッド２１と、このダイパッド２１の一面２１ａに配された半導体素子２２と、この半導体素子２２を挟んで、ダイパッド２１に対向して形成された接続板２３と、を備えている。また、これら半導体素子２２、接続板２３、およびダイパッド２１の一面２１ａは、絶縁性の封止樹脂（モールド）２７によって覆われている。

【0019】

封止樹脂２７は、外形が例えば板状となるように形成されている。封止樹脂２７は、絶縁性および熱伝導性に優れた樹脂材料、例えば、エポキシ樹脂が挙げられる。なお、封止樹脂２７は、少なくとも接続板２３を覆っていればよい。なお、ダイパッド２１の任意の部分は、封止樹脂２７で覆われずに露出していてもよい。

【0020】

ダイパッド２１は、例えば、金属板からなる。ダイパッド２１の一面２１ａには、半導体素子２２が載置される。半導体素子２２は、例えばはんだ層を介してダイパッド２１の一面２１ａに接続されていればよい。なお、図１においては、ダイパッド２１に１つの半導体素子２２が載置されているが、複数の半導体素子を配置してもよい。ダイパッド２１は、一端側が封止樹脂２７よりも外側まで延長され、封止樹脂２７の外側に露出する。このダイパッド２１の露出部分は、リード（接続端子）２１ｂとして外部の配線に接続される。

【0021】

半導体素子２２は、例えば、外形が板状を成し、一面２２ａに電極２９ａが、また、他面２２ｂに電極２９ｂがそれぞれ形成されている。電極２９ａは、例えば半導体素子２２の一面２２ａの中央部分に設けられている。電極２９ａは、半導体素子２２の一面２２ａのほぼ全体に広がるように形成されていてもよく、また、半導体素子２２の一面２２ａの中心領域だけに形成されていてもよい。また、電極２９ｂは、例えば半導体素子２２の他面２２ｂの中央部分に設けられている。

【0022】

半導体素子２２が例えばダイオードである場合、電極２９ａは半導体素子２２のアノード側電極を構成し、また、電極２９ｂは、半導体素子２２のカソード側電極を構成する。電極２９ｂとダイパッド２１とは、例えば、はんだによって電気的に接続されればよい。
なお、半導体素子２２は、ダイオード以外であってもよく、例えば、トランジスタ、コンデンサ、集積回路など、各種チップであればよく、限定されるものではない。

【0023】

接続板２３は、導電性、および放熱性に優れた金属板、例えば、銅板、アルミニウム板、銀板、ステンレス板などから構成される。接続板２３は、上面から見た時に略四角形に形成される。ただし、ここでは四辺のうちの一辺の中心部分を四角形に切り欠いた形状を成している。接続板２３は、半導体素子２２を挟んでダイパッド２１に対向して形成され、半導体素子２２の一面２２ａを覆うよう広がる。接続板２３は、上面から見た時に半導体素子２２の一面２２ａを覆う平坦な第一領域２３ａと、この第一領域２３ａに連なり、端部でリード（接続端子：アウターリード）２６ａ，２６ｂにそれぞれ接続される２つの第二領域２３ｂとがある。

【0024】

接続板２３の第一領域２３ａは、少なくとも半導体素子２２の一面２２ａの半分以上、好ましくは一面２２ａ全体、更に好ましくは一面２２ａの外縁よりも外側まで広がる大きさを持つ。接続板２３の第一領域２３ａは、半導体素子２２の一面２２ａとの間で封止樹脂２７を介して、半導体素子２２を覆うよう形成されている。接続板２３全体は、封止樹脂２７内に収まる。接続板２３は、封止樹脂２７の外面よりも外側に露出する部分が無いことが好ましい。
一例として、接続板２３の第二領域２３ｂから最も遠い辺の一端と封止樹脂２７の外面との幅（封止樹脂２７の形成幅）Δｔは、０．１〜３ｍｍ程度であればよい。接続板２３全体を封止樹脂２７内に収めることで、接続板２３の絶縁性が確保される。

【0025】

接続板２３の第一領域２３ａを成す部分には、接続片２４が形成されている。接続片２４は、接続板２３の周縁に接しない接続板２３の中心領域に配されている。具体的には、接続板２３の第一領域２３ａ内において、接続板２３の周縁に接しないように設定した四角形Ｓのうちの三辺を切り込む。残りの一辺を折り曲げ線（屈曲辺２３Ｌ）として、切り込まれた三辺で囲まれた接続板２３の部分を半導体素子２２の電極２９ａに向けて折り曲げる。この折り曲げた部分が接続片２４となる。

【0026】

なお、本実施形態では、更に屈曲辺２３Ｌの両端から中心方向に向かってそれぞれ所定幅だけ切り込んでいる。そして、この切り込み幅分だけ、接続片２４は先端に向かって両側が切り欠かれ、屈曲辺２３Ｌに沿った方向の幅が狭められている。さらに、接続片２４の先端部分も半円形に丸めている。

【0027】

接続片２４は、屈曲辺２３Ｌから先端までの全長のうち、屈曲辺２３Ｌから半分程度までは接続板２３の一面から半導体素子２２の電極２９ａに向かって垂直に延びる。さらに、接続片２４は、この垂直に延びた部分から屈曲して、電極２９ａの一面に沿って延びる。接続片２４は、この電極２９ａの一面に沿って延びる部分で、電極２９ａに対して接続される。

【0028】

なお、接続片２４は、電極２９ａの一面に沿って延びる部分を設けずに、接続板２３の一面から半導体素子２２の電極２９ａに向かって垂直に延びる部分の端部を、電極２９ａに当接させてもよい。また、接続片２４のうち、接続板２３の一面から半導体素子２２の電極２９ａに向かって延びる部分は、接続板２３の一面に対して垂直でなくてもよく、任意の角度で傾斜していればよい。

【0029】

本実施形態では、接続片２４の形成にあたって、接続板２３の第一領域２３ａ内に切り込む対象の領域として四角形Ｓを設定しているが、切り込む対象の領域は四角形に限定されるものではない。例えば、接続板の第一領域内に三角形を設定し、三角形の二辺を切り込んで、残りの一辺を折り曲げ線（屈曲辺）として、切り込まれた二辺で囲まれた部分を半導体素子の電極に向かって折り曲げることによって、接続片を形成してもよい。また、例えば、接続板の第一領域内に円形を設定し、円形の半分程度を切り込んで、切り込まれた半円形の部分を半導体素子の電極に向かって折り曲げることによって、接続片を形成してもよい。なお、接続片２４の先端部分は半円形に限らず、任意の形状に形成されていればよく、限定されるものではない。

【0030】

更に、本実施形態では、接続板２３の周縁に接しないように設定された四角形Ｓに接続片２４を形成しているが、これに限定されるものではない。例えば、接続板２３の周縁から中心に向けて切り込みを形成し、接続板２３の周縁から中心領域に向けて延びる接続片を形成してもよい。

【0031】

接続片２４は、例えば、はんだによって、半導体素子２２の一面２２ａに形成された電極２９ａに接続される。これによって、接続板２３、およびリード２６ａ，２６ｂは、半導体素子２２の電極２９ａに対して電気的に接続される。なお、接続片２４と電極２９ａとは、はんだによって接続する以外にも、例えば、接続片２４の弾性によって、接続片２４の先端が電極２９ａに押し付けられるように構成することで電気的に接続されてもよい。

【0032】

リード２６ａ，２６ｂは、一端が接続板２３に接続され、他端が外部の配線に接続される。リード２６ａ，２６ｂは、例えば、銅板、アルミニウム板、銀板、ステンレス板などから構成される。

【0033】

以上のような構成の半導体装置の作用を説明する。
図１に示す半導体装置２０によれば、リード２６ａ，２６ｂと半導体素子２２の電極２９ａとの接続に、板状の接続板２３に形成した舌片状の接続片２４を用いている。こうした接続板２３と、舌片状の接続片２４とは、リードと半導体素子の端子とを金属細線によって接続する場合と比較して、電子の流れる方向に対する断面積が大幅に大きい。従って、金属細線よりも大きい電流を流すことが可能である。よって、大電流化に対応した半導体装置２０を実現することができる。

【0034】

一方、半導体装置２０を流れる電流量が大きくなると、熱の発生も多くなる。しかし、本発明の半導体装置２０によれば、リード２６ａ，２６ｂと半導体素子２２の電極２９ａとの接続に、板状の接続板２３を用いている。板状の接続板２３は、リードと半導体素子の端子とを金属細線によって接続する場合と比較して、表面積が圧倒的に大きい。表面積が大きいため、放熱効果を高めることができる。従って、接続板２３で生じた熱を効率よく外部に放熱することができる。よって、半導体素子２２の高温化による特性の低下を防止することができる。

【0035】

さらに、上述した接続板２３は、接続板２３に設定した四角形Ｓのうち、リード２６ａ，２６ｂから最も離れた一辺を、接続片２４を形成するための屈曲辺２３Ｌとしている。これによって、リード２６ａ，２６ｂから半導体素子２２の電極２９ａに向けて流れる電流は、図１中の矢印Ｒに示すように、接続板２３全体に広がるように流れる。従って、接続板２３全体で熱を放熱することができる。

【0036】

また、接続片２４の先端を、半導体素子２２の電極２９ａの中心領域に接続させることによって、電極２９ａ全体に均一に電流が広がり、電極２９ａ内において電流が局部的に流れることを防止できる。これにより、電極２９ａの抵抗を減少させることができる。

【0037】

なお、上述した実施形態では、接続片２４は接続板２３の一部に切り込みを形成し、屈曲させて形成している。即ち、接続片２４は接続板２３と一体の部材からなる。しかし、接続片と接続板とを別な部材として形成し、接続板の一部に接続片を接続した構成であってもよい。

【0038】

以下、本発明の半導体装置における接続板の形状例をいくつか列挙する。

【0039】

（第二実施形態）
本発明の半導体装置の第二実施形態を図２に示す。上述した第一実施形態では、２つのリードが形成されているが、半導体装置が接続される電気回路の構成によっては、２つのうちの一方のリードのみ使用されることがある。この場合、一方のリードはダミーリードとされ、リードそのものは残されるものの、接続板に対して電気的に接続しない構成をとる。

【0040】

図２は、封止樹脂を除いた半導体装置を上側から見た平面図である。なお、図１に示す実施形態と同様の構成には同一の番号を付し、その説明を省略する場合もある。
本発明の半導体装置３０は、板状に形成されたダイパッド２１と、このダイパッド２１の一面２１ａに配された半導体素子２２と、この半導体素子２２を挟んで、ダイパッド２１に対向して形成された接続板３３と、を備えている。また、これら半導体素子２２と、接続板３３と、およびダイパッド２１の一面２１ａとは、絶縁性の封止樹脂２７によって覆われている。この実施形態では、接続板３３に接続されるリード（接続端子）３６と、接続板３３には接続しないダミーリード（ダミー端子）３８とを有している。

【0041】

接続板３３は、半導体素子２２の一面２２ａを覆うよう広がる第一領域３３ａと、この第一領域３３ａから延び、端部でリード３６に接続される第二領域３３ｂとがある。接続板３３の第一領域３３ａは、上から見た時に、少なくとも半導体素子２２の一面２２ａの半分以上、好ましくは一面２２ａ全体、更に好ましくは一面２２ａの外縁よりも外側まで広がる大きさに形成される。また、接続板３３は全体が封止樹脂２７内に収まり、封止樹脂２７の外面よりも外側に露出する部分が無いことが好ましい。

【0042】

接続板３３の第一領域３３ａには、接続片３４が形成されている。接続片３４は、例えば、接続板３３の一部に切り込みを形成して屈曲させた舌片状部材からなる。具体的には、接続板３３の第一領域３３ａ内において、接続板３３の周縁に接しないように設定した四角形Ｓのうちの三辺を切り込む。残りの一辺を屈曲辺３３Ｌとして、切り込まれた三辺で囲まれた部分を半導体素子２２の電極２９ａに向けて折り曲げる。この折り曲げた部分が接続片３４となる。

【0043】

そして、屈曲辺３３Ｌは、上面から見た時に接続板３３のうちのリード３６から最も離れた一辺３３Ｍに対して、例えば４５°傾斜して形成されている。なお、屈曲辺３３Ｌと接続板３３の一辺３３Ｍとの成す角度は、４５°に限定されるものではなく、０°よりも大きく、９０°よりも小さい角度範囲であればよい。例えば、屈曲辺Ｌは、リード３６に対して切り込みよりも遠い位置に形成されていればよい。

【0044】

これにより、接続板３３に設定した四角形Ｓは、接続板３３に電気的に接続しないダミーリード３８に向けて、屈曲辺３３Ｌが４５°傾斜した形態となる。このような形状の接続板３３によれば、接続板３３に対して電気的に接続されたリード３６から接続片３４に向けて流れる電流を、接続板３３全体に広げることができ、ダミー端子が存在する場合のレイアウトに対応して、バランスよく放熱することができる。

【0045】

接続片３４は、例えば、はんだによって、半導体素子２２の一面２２ａに形成された電極２９ａに接続される。この時の電流は、リード３６から接続片３４に向けて接続板３３全体に広がるように流れる。

【0046】

（第三実施形態）
本発明の半導体装置の第三実施形態を図３に示す。図３は、封止樹脂を除いた半導体装置を上側から見た平面図である。なお、図１に示す実施形態と同様の構成には同一の番号を付し、その説明を省略する場合もある。
本発明の半導体装置４０は、板状に形成されたダイパッド２１と、このダイパッド２１の一面２１ａに並べて配された２つの半導体素子４２Ａ，４２Ｂと、この半導体素子４２Ａ，４２Ｂをそれぞれ挟んで、ダイパッド２１に対向して形成された接続板４３Ａ，４３Ｂと、を備えている。また、これら半導体素子４２Ａ，４２Ｂ、接続板４３Ａ，４３Ｂ、およびダイパッド２１の一面２１ａは、絶縁性の封止樹脂２７によって覆われている。

【0047】

接続板４３Ａは、半導体素子４２Ａの一面４２Ａａに重なる第一領域４３Ａａと、この第一領域４３Ａａから延び、端部でリード２６ａに接続される第二領域４３Ａｂとがある。また、接続板４３Ｂは、半導体素子４２Ｂの一面４２Ｂａに重なる第一領域４３Ｂａと、この第一領域４３Ｂａから延び、端部でリード２６ｂに接続される第二領域４３Ｂｂとがある。

【0048】

接続板４３Ａの第一領域４３Ａａには、接続片４４Ａが形成されている。接続片４４Ａは、例えば、接続板４３Ａの一部に切り込みを形成して屈曲させた舌片状部材からなる。接続片４４Ａは、例えば、はんだによって、半導体素子４２Ａの一面４２Ａａに形成された電極４９Ａａに接続される。接続板４３Ｂの第一領域４３Ｂａには、接続片４４Ｂが形成されている。接続片４４Ｂは、例えば、接続板４３Ｂの一部に切り込みを形成して屈曲させた舌片状部材からなる。接続片４４Ｂは、例えば、はんだによって、半導体素子４２Ｂの一面４２Ｂａに形成された電極４９Ｂａに接続される。

【0049】

このような構成の半導体装置４０では、１つのダイパッド２１に複数の半導体素子４２Ａ，４２Ｂを配した構成であっても、それぞれの半導体素子４２Ａ，４２Ｂを覆うように広がる板状の接続板４３Ａ，４３Ｂをそれぞれ用いることによって、それぞれの接続板４３Ａ，４３Ｂで生じた熱を封止樹脂２７を介して効率よく外部に放熱することができる。

【0050】

（第四実施形態）
本発明の半導体装置の第四実施形態を図４に示す。図４は、封止樹脂を除いた半導体装置を上側から見た平面図である。なお、図１に示す実施形態と同様の構成には同一の番号を付し、その説明を省略する場合もある。
本発明の半導体装置５０は、板状に形成されたダイパッド２１と、このダイパッド２１の一面２１ａに配された半導体素子２２と、この半導体素子２２を挟んで、ダイパッド２１に対向して形成された接続板５３と、を備えている。また、これら半導体素子２２、接続板５３、およびダイパッド２１の一面２１ａは、絶縁性の封止樹脂２７によって覆われている。

【0051】

接続板５３は、半導体素子２２の一面２２ａに重なる第一領域５３ａと、この第一領域５３ａから延び、端部で２つのリード２６ａ，２６ｂに接続される第二領域５３ｂとがある。接続板５３の第一領域５３ａは、上から見た時に、少なくとも半導体素子２２の一面２２ａの半分以上、好ましくは一面２２ａ全体、更に好ましくは一面２２ａの外縁よりも外側まで広がる大きさに形成される。

【0052】

接続板５３の第一領域５３ａには、２つの接続片５４Ａ，５４Ｂが形成されている。接続片５４Ａ，５４Ｂは、例えば、接続板５３の一部に切り込みを形成して屈曲させた舌片状部材からなる。接続片５４Ａ，５４Ｂは、例えば、はんだによって、半導体素子２２の一面２２ａに形成された電極２９ａに接続される。

【0053】

接続片５４Ａ，５４Ｂは、接続板５３の第一領域５３ａ内に設定した四角形Ｓのうち、対向する二辺と、この二辺のそれぞれの中央どうしを結ぶ部分を切り込んで、残りの対向する二辺を折り曲げて屈曲辺５３Ｌａ，５３Ｌｂとすることで、互いに対向する２つの接続片５４Ａ，５４Ｂを形成している。なお、それぞれの接続片５４Ａ，５４Ｂの先端は、更に半円形に加工されていればよい。

【0054】

このような構成の半導体装置５０では、半導体素子２２の一面２２ａに形成された１つの電極２９ａに対して、接続板５３から屈曲した２つの接続片５４Ａ，５４Ｂを接続することによって、２か所で電極２９ａと接続板５３との間に電流を流すことができる。そして、増加した電流量に応じて発生する熱を、表面積の大きい板状の接続板５３によって効率よく外部に放熱することができる。

【0055】

（第五実施形態）
本発明の半導体装置の第五実施形態を図５に示す。図５は、半導体装置を側面から見た時の断面図である。なお、図１に示す実施形態と同様の構成には同一の番号を付し、その説明を省略する場合もある。
本発明の半導体装置６０は、板状に形成されたダイパッド２１と、このダイパッド２１の一面２１ａに配された半導体素子２２と、この半導体素子２２を挟んで、ダイパッド２１に対向して形成された接続板６３と、を備えている。また、これら半導体素子２２、接続板６３、およびダイパッド２１の一面２１ａは、絶縁性の封止樹脂２７によって覆われている。

【0056】

接続板６３は、半導体素子２２の一面２２ａに重なる第一領域６３ａと、この第一領域６３ａから延び、端部で２つのリード２６ａ，２６ｂに接続される第二領域６３ｂとからなる。本実施形態における接続板６３の第一領域６３ａは、蛇腹状に繰り返し屈折させた形状となっている。

【0057】

接続板６３の第一領域６３ａには、接続片６４が形成されている。接続片６４は、例えば、接続板６３の一部に切り込みを形成して屈曲させた舌片状部材からなる。接続片６４は、例えば、はんだによって、半導体素子２２の一面２２ａに形成された電極２９ａに接続される。

【0058】

このような構成の半導体装置６０では、接続板６３の第一領域６３ａを蛇腹状に繰り返し屈折させた形状とすることで、平板状の場合と比較して表面積を大きく増加させることができる。よって、電流量に応じて発生する熱を、封止樹脂（モールド）２７を介してより一層効率よく外部に放熱させることができる。

【0059】

なお、上述した第二実施形態〜第五実施形態に示す構成どうしを、任意に組み合わせた形状の接続板を形成することも好ましい。例えば、半導体素子の１つの電極に対して、複数の接続片を接続させ、かつ、接続板を蛇腹状に繰り返し屈折させた構成などが挙げられる。

【符号の説明】

【0060】

２０，３０，４０，５０，６０…半導体装置、２１…ダイパッド、２２…半導体素子、２３，３３，４３Ａ，４３Ｂ，５３，６３…接続板、２４，３４，４４Ａ，４４Ｂ，５４，６４…接続片、２７…封止樹脂、２９ａ，２９ｂ…電極。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】