特許6045352IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

測定技術に係り、乾き度分布測定装置及び乾き度分布測定方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかし、特許文献1に開示された技術は、測定対象の湿り蒸気を二相状態から気相状態に状態変化させ、さらに測定対象を気相状態で安定化させる必要があるため、乾き度の測定に時間がかかるという問題がある。また、特許文献1に開示された技術は、湿り蒸気中の乾き度の分布を測定することができない。 そこで、本発明は、乾き度分布を正確かつ容易に測定可能な乾き度分布測定装置及び乾き度分布測定方法を提供することを目的の一つとする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の態様は、(a)気液二相流に光を照射する発光体と、(b)気液二相流を透過した光をそれぞれ受光する複数の受光素子と、(c)複数の受光素子のそれぞれが受光した光の受光強度に基づき、複数の受光素子のそれぞれに対応する位置の気液二相流の乾き度を特定する乾き度特定部と、を備える乾き度分布測定装置であることを要旨とする。
【発明の効果】
本発明によれば、乾き度分布を正確かつ容易に測定可能な乾き度分布測定装置及び乾き度分布測定方法を提供可能である。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】本発明の第1の実施の形態に係る乾き度分布測定装置の模式図である。

【図2】本発明の第1の実施の形態に係る発光体の正面図である。

【図3】本発明の第1の実施の形態に係る受光体の正面図である。

【図4】本発明の第1の実施の形態に係る標準大気圧における水の状態変化を示すグラフである。

【図5】本発明の第1の実施の形態に係る水分子のクラスタの模式図である。

【図6】本発明の第1の実施の形態に係る乾き度に依存する水分子の状態を示す模式図である。

【図7】本発明の第1の実施の形態に係る水分子のクラスタが有する平均水素結合数と、温度と、の関係の例を示すグラフである。

【図8】本発明の第1の実施の形態に係る水分子の吸収スペクトルの例を示すグラフである。

【図9】本発明の第1の実施の形態に係る単独で存在する水分子の模式図である。

【図10】本発明の第1の実施の形態に係る一つの水素結合で結合している二つの水分子の模式図である。

【図11】本発明の第1の実施の形態に係る二つの水素結合で結合している三つの水分子の模式図である。

【図12】本発明の第1の実施の形態に係る受光強度変化を示すグラフである。

【図13】本発明の第1の実施の形態に係る複数の受光素子のそれぞれの位置に対応するパイプ内部の位置を示す模式図である。

【図14】本発明の第1の実施の形態に係る成層流を示す模式図である。

【図15】本発明の第1の実施の形態に係る波状流を示す模式図である。

【図16】本発明の第1の実施の形態に係る気泡流を示す模式図である。

【図17】本発明の第1の実施の形態に係るせん状流を示す模式図である。

【図18】本発明の第1の実施の形態に係るスラグ流を示す模式図である。

【図19】本発明の第1の実施の形態に係る環状流を示す模式図である。

【図20】本発明の第1の実施の形態に係る環状噴霧流を示す模式図である。

【図21】本発明の第1の実施の形態に係る各測定位置における受光強度の表である。

【図22】本発明の第1の実施の形態に係る各測定位置における受光強度の棒グラフである。

【図23】本発明の第1の実施の形態に係る各測定位置における受光強度の線グラフである。

【図24】本発明の第1の実施の形態に係る各測定位置における受光強度の線グラフである。

【図25】本発明の第1の実施の形態に係る各測定位置における受光強度の表である。

【図26】本発明の第1の実施の形態に係る各測定位置における受光強度の棒グラフである。

【図27】本発明の第1の実施の形態に係る各測定位置における受光強度の線グラフである。

【図28】本発明の第1の実施の形態に係る各測定位置における受光強度の線グラフである。

【図29】本発明の第2の実施の形態に係る蒸気の加熱量と、吸光度と、の比を示すグラフである。

【図30】本発明の第3の実施の形態に係る乾き度分布測定装置の模式図である。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

11、51 発光体   12、52 受光体   13 環境センサ   21 パイプ   31、32 光導波路   41 加熱装置   111a、111b、111c 発光素子   112a、112b、112c 受光素子   113a、113b、113c パイプ内の位置   301 乾き度特定部   302 画像生成部   303 判定部   321 入力装置   322 出力装置   323 プログラム記憶装置   324 一時記憶装置   400 データ記憶装置   401 関係記憶部   402 基準記憶部

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