発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

上述した特許文献１、２に記載の技術は、真空雰囲気下でのプラズマ化を想定しており、かかる技術をそのまま大気圧に適用すると、真空雰囲気下と比べて高い電界強度を要し、そのような電界強度を生成するための大容量のマイクロ波生成源が必要であった。 しかし、大気圧下において上述したプラズマ加工処理を実現できるようなマイクロ波生成源は非常に高価であり現実的ではなかった。 そこで本発明は、このような課題に鑑み、マイクロ波生成源の容量を増やすことなく、マイクロ波プラズマ生成装置に生じる電界強度を高め、真空より高い気圧下でも安価にプラズマ加工処理を実現可能な、マイクロ波プラズマ生成装置を提供することを目的としている。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、マイクロ波生成源の容量を増やすことなく、マイクロ波プラズマ生成装置に生じる電界強度を高め、真空より高い気圧下でも安価にプラズマ加工処理を実現することが可能となる。