特許 6048710 暗号化記録装置、および暗号化記録方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6048710

(24)【登録日】2016年12月2日

(45)【発行日】2016年12月21日

(54)【発明の名称】暗号化記録装置、および暗号化記録方法

(51)【国際特許分類】

   H04L 9/14 20060101AFI20161212BHJP

   G06F 21/62 20130101ALI20161212BHJP

   H01L 45/00 20060101ALI20161212BHJP

   H01L 49/00 20060101ALI20161212BHJP

   H01L 27/105 20060101ALI20161212BHJP

【ＦＩ】

   H04L9/00 641

   G06F21/62 309

   H01L45/00 Z

   H01L49/00 Z

   H01L27/10 448

【請求項の数】14

【全頁数】44

(21)【出願番号】特願2015-502740(P2015-502740)

(86)(22)【出願日】2014年2月6日

(86)【国際出願番号】JP2014000640

(87)【国際公開番号】WO2014132572

(87)【国際公開日】20140904

【審査請求日】2016年2月19日

(31)【優先権主張番号】特願2013-38394(P2013-38394)

(32)【優先日】2013年2月28日

(33)【優先権主張国】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】314012076

【氏名又は名称】パナソニックＩＰマネジメント株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100109210

【弁理士】

【氏名又は名称】新居 広守

(74)【代理人】

【識別番号】100137235

【弁理士】

【氏名又は名称】寺谷 英作

(74)【代理人】

【識別番号】100131417

【弁理士】

【氏名又は名称】道坂 伸一

(72)【発明者】

【氏名】前田 卓治

(72)【発明者】

【氏名】井上 信治

(72)【発明者】

【氏名】加藤 佳一

【審査官】 戸島 弘詩

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１０−２８８１２３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００９−０２０８７１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００１−３４５７９６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−１４０２９８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１１−００３２３５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１１−１９８４０７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００９−０９３７８６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００８−０６６４３８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許出願公開第２０１２／００３０２６８（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ０６Ｆ２１／００，７／５８

Ｇ０９Ｃ１／００−５／００

Ｈ０４Ｋ１／００

Ｈ０４Ｌ９／００

Ｇ１１Ｃ１３／００

Ｇ０６Ｋ１９／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

データを格納する暗号化記録装置であって、
第一不揮発性メモリと、第二不揮発性メモリと、前記データを暗号化して前記第二不揮発性メモリに書き込み、暗号化された前記データを前記第二不揮発性メモリから読み出して復号する暗復号制御部とを備え、
前記暗復号制御部は、
前記第二不揮発性メモリに含まれる領域をブロック単位で管理し、かつ、各々のブロックとブロック固有鍵との対応関係を前記第一不揮発性メモリに格納された鍵管理情報で管理し、前記データの書き込み指示を外部のアクセス装置から受信する際、前記データおよび前記データに紐付けられた対応情報を受信し、前記第二不揮発性メモリに含まれる複数のブロックに対応付けられた複数のブロック固有鍵のそれぞれを用いて前記データを暗号化して、前記複数のブロックに書き込み、前記対応情報と前記複数のブロック固有鍵とが対応付けられるように、前記対応情報を前記鍵管理情報に格納し、
前記第一不揮発性メモリは、
複数のメモリセルがアレイ状に配置されたメモリセルアレイを有し、
前記複数のメモリセルは、
互いに異なる複数の電気的信号が印加されることによって、抵抗値が複数の可変抵抗値範囲の間を可逆的に遷移する、可変状態のメモリセルと、
前記可変状態に変化させるような電気的ストレスであるフォーミングストレスが印加されない限り前記可変状態とならず、且つ、抵抗値が前記複数の可変抵抗値範囲のいずれとも重複しない初期抵抗値範囲にある、初期状態のメモリセルとを含み、
前記メモリセルアレイは、第１種データおよび第２種データを記録可能であり、
前記第１種データは、各メモリセルの抵抗値が前記初期抵抗値範囲にあるか否かの違いを利用して記録され、
前記第２種データは、各メモリセルの抵抗値が前記初期抵抗値範囲にあるか否かの違いを利用せずに、各メモリセルの抵抗値が少なくとも一つの前記可変抵抗値範囲にあるか否かの違いを利用して記録され、
前記第１種データは、前記複数のブロック固有鍵を含む
暗号化記録装置。

【請求項2】

暗号化記録装置が保持する前記ブロック固有鍵の個数は、前記第二不揮発性メモリに含まれるブロックの個数以上であり、複数の前記ブロック固有鍵の各々の値は互いに異なる
請求項１記載の暗号化記録装置。

【請求項3】

前記鍵管理情報は、前記第二不揮発性メモリに含まれる、前記複数のブロックそれぞれのアドレスと、当該アドレスに対応するブロック固有鍵とを含む
請求項１または２に記載の暗号化記録装置。

【請求項4】

前記暗復号制御部は、前記データを暗号化して前記複数のブロックに書き込む際、前記複数のブロックに対応する前記複数のブロック固有鍵を、前記鍵管理情報から読み出して、前記データの暗号化に用いる
請求項１〜３のいずれか１項に記載の暗号化記録装置。

【請求項5】

前記複数のブロック固有鍵のそれぞれは、（ａ）前記第二不揮発性メモリ内のアドレスに対応付けられており、（ｂ）複数の前記暗号化記録装置が存在した場合、他の暗号化記録装置における前記アドレスに対応付けられた複数のブロック固有鍵とは値が異なる
請求項１〜４のいずれか１項に記載の暗号化記録装置。

【請求項6】

前記データは、前記アクセス装置から前記書き込み指示と共に送信される前に、前記対応情報であるパスワードにより暗号化されている
請求項１〜５のいずれか１項に記載の暗号化記録装置。

【請求項7】

前記暗復号制御部はさらに、
前記データの読み出し指示と共に対応情報を前記アクセス装置から受信し、
前記鍵管理情報を参照することで特定される、前記データが書き込まれた複数のブロックに対応付けられた前記対応情報が、前記読み出し指示と共に受信した対応情報と一致する場合、前記複数のブロック固有鍵を用いて前記データを復号して前記アクセス装置に送信する
請求項１〜６のいずれか１項に記載の暗号化記録装置。

【請求項8】

前記暗復号制御部はさらに、
前記アクセス装置からの所定の指示により、前記所定の指示に示される対応情報を前記鍵管理情報から削除する
請求項１〜７のいずれか１項に記載の暗号化記録装置。

【請求項9】

前記暗復号制御部はさらに、
アドレス変換テーブルを前記第一不揮発性メモリに格納し、
前記アクセス装置から前記書き込み指示と共に送信される論理アドレスと、前記第二不揮発性メモリ上の物理アドレスとの対応付けを前記アドレス変換テーブルにより管理する
請求項１〜８のいずれか１項に記載の暗号化記録装置。

【請求項10】

前記メモリセルアレイは、前記初期状態から前記可変状態に変化させるような電気的ストレスが印加されたときに、前記初期状態から前記可変状態に変化するメモリセルと、初期状態のまま維持されるメモリセルとがランダムに発生する特性を有し、
前記複数のブロック固有鍵のそれぞれは、前記特性を利用して生成されている
請求項１〜９のいずれか１項に記載の暗号化記録装置。

【請求項11】

前記初期抵抗値範囲の下限は、
全ての前記複数の可変抵抗値範囲の上限以上である
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の暗号化記録装置。

【請求項12】

前記初期抵抗値範囲の上限は、
全ての前記複数の可変抵抗値範囲の下限以下である
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の暗号化記録装置。

【請求項13】

Ｎを３以上の整数とするとき、
前記可変状態のメモリセルは、異なる電気的信号が印加されることによってＮ−１個の前記可変抵抗値範囲の間を遷移するものであり、
前記メモリセルアレイにおいて、各メモリセルの抵抗値が、前記初期抵抗値範囲とＮ−１個の前記可変抵抗値範囲とから構成されたＮ個の抵抗値範囲のいずれに含まれるかの違いを利用して多値データが記録されている
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の暗号化記録装置。

【請求項14】

暗号化記録装置においてデータを暗号化して記録するための暗号化記録方法であって、
前記暗号化記録装置は、
第一不揮発性メモリと、第二不揮発性メモリと、前記データを暗号化して前記第二不揮発性メモリに書き込み、暗号化された前記データを前記第二不揮発性メモリから読み出して復号する暗復号制御部とを備え、
前記第二不揮発性メモリに含まれる領域はブロック単位で管理されており、かつ、各々のブロックとブロック固有鍵との対応関係を前記第一不揮発性メモリに格納された鍵管理情報で管理し、
前記暗号化記録方法は、
前記暗復号制御部が、前記データの書き込み指示、前記データ、および、前記データに紐付けられた対応情報を、外部のアクセス装置から受信する受信ステップと、
前記暗復号制御部が、前記第二不揮発性メモリに含まれる複数のブロックに対応付けられた複数のブロック固有鍵のそれぞれを用いて前記データを暗号化して、前記複数のブロックに書き込む書き込みステップと、
前記暗復号制御部が、前記対応情報と前記複数のブロック固有鍵とが対応付けられるように、前記対応情報を、鍵管理情報に格納する鍵管理ステップとを含み、
前記第一不揮発性メモリは、
複数のメモリセルがアレイ状に配置されたメモリセルアレイを有し、
前記複数のメモリセルは、
互いに異なる複数の電気的信号が印加されることによって、抵抗値が複数の可変抵抗値範囲の間を可逆的に遷移する、可変状態のメモリセルと、
前記可変状態に変化させるような電気的ストレスであるフォーミングストレスが印加されない限り前記可変状態とならず、且つ、抵抗値が前記複数の可変抵抗値範囲のいずれとも重複しない初期抵抗値範囲にある、初期状態のメモリセルとを含み、
前記メモリセルアレイは、第１種データおよび第２種データを記録可能であり、
前記第１種データは、各メモリセルの抵抗値が前記初期抵抗値範囲にあるか否かの違いを利用して記録され、
前記第２種データは、各メモリセルの抵抗値が前記初期抵抗値範囲にあるか否かの違いを利用せずに、各メモリセルの抵抗値が少なくとも一つの前記可変抵抗値範囲にあるか否かの違いを利用して記録され、
前記書き込みステップにおける暗号化に用いられる前記複数の前記ブロック固有鍵は、前記第１種データに含まれている
暗号化記録方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、音楽、動画、書籍、またはゲーム等のデジタルデータを格納したコンテンツファイルを格納する暗号化記録装置、並びに、当該暗号化記録装置及び当該暗号化記録装置にアクセスするアクセス装置を備える暗号化記録システムに関する。

【背景技術】

【0002】

音楽コンテンツ、動画コンテンツ、書籍コンテンツ、またはゲームコンテンツ等の各種デジタルデータを格納したファイル（以下、コンテンツファイル）を記録する情報記録媒体には、ハードディスク及び光ディスク等、様々な種類が存在する。これら情報記録媒体の一種である半導体メモリを記録素子に用いたメモリカードは、小型及び軽量であることから、スマートフォン及びタブレット等、小型の情報機器を中心に幅広く普及している。

【0003】

例えば、特許文献１には、メモリカード内に２種類の記録領域を備え、著作権保護機能を有するメモリカードが開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特許第３３８９１８６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本開示は、セキュリティ強度の高い暗号化記録装置、暗号化記録システム、及び暗号化記録方法を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示における暗号化記録装置は、データを格納する暗号化記録装置であって、第一不揮発性メモリと、第二不揮発性メモリと、データを暗号化して第二不揮発性メモリに書き込み、暗号化されたデータを第二不揮発性メモリから読み出して復号する暗復号制御部とを備え、暗復号制御部は、第二不揮発性メモリに含まれる領域をブロック単位で管理し、かつ、各々のブロックとブロック固有鍵との対応関係を第一不揮発性メモリに格納された鍵管理情報で管理し、データの書き込み指示を外部のアクセス装置から受信する際、データおよびデータに紐付けられた対応情報を受信し、第二不揮発性メモリに含まれる１以上のブロックに対応付けられた１以上のブロック固有鍵のそれぞれを用いてデータを暗号化して、１以上のブロックに書き込み、対応情報と１以上のブロック固有鍵とが対応付けられるように、対応情報を鍵管理情報に格納する。

【0007】

本開示における暗号化記録システムは、データを格納する暗号化記録装置と、暗号化記録装置にアクセスするアクセス装置とを備える暗号化記録システムであって、暗号化記録装置は、第一不揮発性メモリと、第二不揮発性メモリと、データを暗号化して第二不揮発性メモリに書き込み、暗号化されたデータを第二不揮発性メモリから読み出して復号する暗復号制御部とを備え、暗復号制御部は、第二不揮発性メモリに含まれる領域をブロック単位で管理し、かつ、各々のブロックとブロック固有鍵との対応関係を第一不揮発性メモリに格納された鍵管理情報で管理し、データの書き込み指示を外部のアクセス装置から受信する際、データおよびデータに紐付けられた対応情報を受信し、第二不揮発性メモリに含まれる１以上のブロックに対応付けられた１以上のブロック固有鍵のそれぞれを用いてデータを暗号化して、１以上のブロックに書き込み、対応情報と１以上のブロック固有鍵とが対応付けられるように、対応情報を鍵管理情報に格納し、アクセス装置は、アクセス装置内不揮発性メモリと、アクセス制御部とを備え、アクセス制御部は、暗号化記録装置に格納するデータに紐付けられた対応情報を、アクセス装置内不揮発性メモリに格納した対応情報管理テーブルにより管理し、データを暗号化記録装置に書き込む際に、データと共に、対応情報を暗号化記録装置に指定して書き込む。

【発明の効果】

【0008】

本開示における暗号化記録装置によれば、コンテンツファイル等のデータを暗号化して記録する装置であって、当該データについてのセキュリティ強度の高い装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】実施の形態１における暗号化記録装置及びアクセス装置の構成を示す図

【図2】ＦＡＴファイルシステムの構成を示す図

【図3】ディレクトリエントリの構成を示す図

【図4】ＦＡＴ１６における１つのファイルの格納例を示す図

【図5】実施の形態１におけるパスワード管理テーブルの一例を示す図

【図6A】実施の形態１における鍵管理テーブルの一例を示す図

【図6B】実施の形態１における第二不揮発性メモリに格納された情報の一例を示す図

【図7】実施の形態１における暗号化コンテンツファイルの格納処理手順を示すフローチャート

【図8】実施の形態１における暗号化データ記録処理および読み出し処理の例を示す図

【図9】実施の形態１における鍵管理テーブル、第二不揮発性メモリ、及び、アドレス変換テーブルの一例を示す図

【図10】実施の形態１における鍵管理テーブルの別の一例を示す図

【図11】実施の形態１における鍵管理テーブルの別の一例と予備ブロック固有鍵テーブルの一例とを示す図

【図12】実施の形態２における抵抗変化型メモリの概略構成の一例を示すブロック図

【図13】実施の形態２における抵抗変化型メモリが備えるメモリセルの概略構成の一例を示す断面図

【図14】実施の形態２における抵抗変化型メモリが備えるメモリセルの抵抗値範囲の一例を示すグラフ

【図15】パーコレーションモデル（ｐｅｒｃｏｌａｔｉｏｎ ｍｏｄｅｌ）を用いて抵抗変化層中のフィラメントの形成をシミュレートした結果の一例を示す図

【図16】可変状態にあるバイポーラ型抵抗変化素子の特性の一例を示す図

【図17】可変状態にあるユニポーラ型抵抗変化素子の特性の一例を示す図

【図18】抵抗変化素子の抵抗変化特性の一例を示す図

【図19】規格化累積印加時間と可変状態へ変化したメモリセルの標準正規分布の偏差との関係をプロットした図

【発明を実施するための形態】

【0010】

本願発明者らは、従来のメモリカード等の記録装置に関し、以下の問題が生じることを見出した。

【0011】

メモリカードには形状や仕様の違いにより様々な種類が存在するが、その中には著作権保護機能を備えたものも含まれる。この著作権保護機能を備えたメモリカードは、著作権を有するコンテンツファイルの不正コピーを防止し、安全に記録及び再生することが可能である。そのため、著作権保護機能を備えたメモリカードは、単純にデータを受け渡すための記録媒体として使用されるだけではなく、著作権を有するコンテンツファイルを取り扱うデジタルオーディオプレーヤ及びスマートフォンに使用される等、従来の記録媒体に比べ応用用途が広い。このことは、メモリカードの普及を促進する一因となっている。

【0012】

著作権保護機能を備えたメモリカードにおける著作権保護の仕組みの一例は、メモリカード内に２つの記録領域を備えることにより実現される（例えば、特許文献１参照）。

【0013】

このようなメモリカードは、秘匿領域と通常領域とを備えている。秘匿領域は、デジタルオーディオプレーヤ等のアクセス装置とメモリカードの間で互いの正当性を認証することによって初めてアクセス装置からアクセスすることが可能となる記録領域である。通常領域は、認証の成否に関わらずアクセス装置から自由にアクセスすることが可能な記録領域である。

【0014】

そして、当該メモリカードでは、通常領域に、暗号化したコンテンツファイル（以下、暗号化コンテンツファイル）を記録し、そのコンテンツファイルを復号するための鍵データ（以下、復号鍵）を秘匿領域に格納する。

【0015】

このように、メモリカード内の２つの記録領域（以下、単に「領域」と表示される場合もある。）に暗号化コンテンツファイルと復号鍵とを別々に格納することにより、互いの正当性を認証することができない不正なアクセス装置は秘匿領域に格納された復号鍵を入手できない。これにより、当該アクセス装置は、暗号化コンテンツファイルを復号できず、結果としてコンテンツファイルの使用を禁止することが可能となる。

【0016】

同様に、著作権保護の別の一例として、メモリカード内には暗号化コンテンツファイルのみを格納し、復号鍵はアクセス装置側に保持する形式も考えられる。

【0017】

この場合、アクセス装置はコンテンツファイルの再生または利用時には暗号化コンテンツファイルをメモリカードから読み出し、自装置内に保持している復号鍵を用いて復号することになる。

【0018】

そのため、暗号化コンテンツファイルを格納したメモリカードを紛失し、該当暗号化コンテンツファイルを利用する権利のない不正規なユーザが拾った場合でも、不正規なユーザが持つアクセス装置側には対応する復号鍵が存在しない。その結果、当該アクセス装置では、コンテンツファイルを再生または利用することができず、コンテンツの著作権が保護される。

【0019】

このように、一般に、暗号化コンテンツファイルは、当該暗号化コンテンツファイルを復号するための復号鍵と１対１に紐付けられて管理される。

【0020】

しかしながら、上記の技術には次のような問題点がある。

【0021】

暗号化コンテンツファイルを、対応する復号鍵と１対１に紐付けて管理する場合、コンテンツの追加及び削除時には、紐付けられた暗号化コンテンツファイルと復号鍵との組を追加、削除することにより実行されるため、管理が容易である。

【0022】

その一方で、上記の管理において、当該暗号化コンテンツファイルに格納されたデータが、全ユーザ、及び、個々のメモリカードで共通となるため、当該データはクラッキング等の不正な暗号解析の対象となり易い。

【0023】

本開示は、このような知見に基づいてなされたものであり、本願発明者らが鋭意検討した結果、セキュリティ強度の高い暗号化記録装置等についての着想を得た。

【0024】

以下、適宜図面を参照しながら、実施の形態を詳細に説明する。但し、必要以上に詳細な説明は省略する場合がある。例えば、既によく知られた事項の詳細説明や実質的に同一の構成に対する重複説明を省略する場合がある。これは、以下の説明が不必要に冗長になるのを避け、当業者の理解を容易にするためである。

【0025】

なお、発明者らは、当業者が本開示を十分に理解するために添付図面および以下の説明を提供するのであって、これらによって請求の範囲に記載の主題を限定することを意図するものではない。

【0026】

また、各図は模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略または簡略化される場合がある。

【0027】

（実施の形態１）
図１は、実施の形態１における暗号化記録装置及びアクセス装置の構成を示す図である。

【0028】

図１には、本実施の形態における暗号化記録システムが有する暗号化記録装置２およびアクセス装置１それぞれの構成概要が図示されている。また、図１では、アクセス装置１が、暗号化記録装置２内にコンテンツファイルを格納し、かつ、管理する場合が想定されている。

【0029】

本実施の形態におけるアクセス装置１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）１１、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）１２、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）１３、不揮発性メモリ１４、及び、インタフェース１５を含む。

【0030】

ＲＯＭ１３にはアクセス装置１を制御するプログラムが格納されており、このプログラムはＲＡＭ１２を一時記憶領域として使用し、ＣＰＵ１１上で動作する。

【0031】

インタフェース１５は、暗号化記録装置２との接続部であり、例えば暗号化記録装置２がメモリカードの場合には、メモリカードスロット、及び、メモリカードへのアクセスコマンドを発行するコントローラＬＳＩ等に相当する。

【0032】

なお、ＳＡＴＡ（Ｓｅｒｉａｌ ＡＴＡ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ａｔｔａｃｈｍｅｎｔ））接続の内蔵ハードディスク等の機器内蔵デバイスが暗号化記録装置２として採用されてもよい。その場合、インタフェース１５はＳＡＴＡを制御するコントローラＬＳＩ等に相当する。すなわち、暗号化記録装置２はアクセス装置１の内蔵デバイスおよび外部デバイスのいずれの形態をとっても構わない。

【0033】

不揮発性メモリ１４は、アクセス装置１内に存在する不揮発性メモリであり、フラッシュメモリ、ハードディスク、またはＳＳＤ等、不揮発に情報を保持できる情報記録媒体である。不揮発性メモリ１４には、アクセス装置１が管理する種々の情報が格納される。

【0034】

本実施の形態では、不揮発性メモリ１４に、暗号化コンテンツファイルと暗号化コンテンツファイルを復号するための鍵（以下、コンテンツ復号鍵）との組み合わせを管理するパスワード管理テーブル１４１が格納される。

【0035】

なお、コンテンツ復号鍵は、データ（本実施の形態における暗号化コンテンツファイル）に紐付けられた対応情報の一例である。また、パスワード管理テーブル１４１は、対応情報管理テーブルの一例である。

【0036】

ＲＯＭ１３は、暗号化コンテンツファイルを管理するアクセス制御部１３１を含む。具体的には、ＲＯＭ１３に格納されたプログラムがＣＰＵ１１によって実行されることで、本実施の形態におけるアクセス制御部１３１の処理が実現される。

【0037】

本実施の形態におけるアクセス装置１は、アクセス制御部１３１がパスワード管理テーブル１４１を用いて、暗号化記録装置２に格納した暗号化コンテンツファイルを制御する。パスワード管理テーブル１４１の構成および制御方法の詳細については後述する。

【0038】

図１に示す暗号化記録装置２は、データ（本実施の形態における暗号化コンテンツファイル）を暗号化し、格納する記録装置である。暗号化記録装置２は、ＣＰＵ２１、ＲＡＭ２２、ＲＯＭ２３、インタフェース２５、第一不揮発性メモリ２４、及び、第二不揮発性メモリ２６を含む。

【0039】

ＣＰＵ２１、ＲＡＭ２２、及びＲＯＭ２３の基本的な機能はアクセス装置１で説明したものとほぼ同様のものであるため、詳細な説明は割愛する。

【0040】

インタフェース２５はアクセス装置１との接続部であり、例えば暗号化記録装置２がメモリカードの場合には、メモリカードへの信号入出力および電源供給等のための各種金属端子に相当する。

【0041】

第二不揮発性メモリ２６は、ＦＡＴ（Ｆｉｌｅ Ａｌｌｏｃａｔｉｏｎ Ｔａｂｌｅ）等のファイルシステムにより管理されており、アクセス装置１が各種データと共に暗号化コンテンツファイルを暗号化データ２６１として格納する領域である。

【0042】

また、第一不揮発性メモリ２４はアクセス装置１からは直接アクセスできない領域であり、本実施の形態の特徴的な構成要素である鍵管理テーブル２４１が格納される。

【0043】

ＲＯＭ２３は暗復号制御部２３１を含む。具体的には、ＲＯＭ２３に格納されたプログラムがＣＰＵ２１によって実行されることで、本実施の形態における暗復号制御部２３１の処理が実現される。

【0044】

暗復号制御部２３１は、第二不揮発性メモリ２６に含まれる領域をブロック単位で管理し、かつ、各々のブロックとブロック固有鍵との対応関係を第一不揮発性メモリ２４に格納された鍵管理テーブル２４１で管理する。

【0045】

また、暗復号制御部２３１は、データの書き込み指示を外部のアクセス装置１から受信する際、当該データおよび当該データに紐付けられた対応情報を受信し、第二不揮発性メモリ２６に含まれる１以上のブロックに対応付けられた１以上のブロック固有鍵のそれぞれを用いて当該データを暗号化して、当該１以上のブロックに書き込む。

【0046】

暗復号制御部２３１はさらに、当該対応情報が当該１以上のブロック固有鍵と対応付けられるように、当該対応情報を鍵管理テーブル２４１に格納する。

【0047】

より具体的には、本実施の形態では、暗復号制御部２３１が鍵管理テーブル２４１を用いて、第二不揮発性メモリ２６内の領域について、ブロック単位で暗号化および復号の制御（暗復号制御）を行い、且つ、データをファイル単位で暗復号制御する。

【0048】

これにより、コンテンツファイルをファイル単位で暗復号制御するという利便性を維持しつつ、コンテンツファイルに含まれるデータがユーザ毎、及び個々の記録装置毎に異なるデータとして保持され得る。つまり、本開示における技術によれば、セキュリティ強度の高い暗号化記録装置（システム）を提供することができる。

【0049】

実施の形態１における暗号化記録システムでは、上述のように、コンテンツを暗復号する単位としてファイル単位の制御を行う。そのため、実施の形態１の詳細を説明する前に、ファイルシステムの構造について説明する。

【0050】

ここでは一例としてＦＡＴファイルシステムの説明を行うが、本実施の形態１に説明される特徴的な事項は、ファイルシステムの種別に限定されない。当該特徴的な事項は、ＵＤＦ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ｄｉｓｋ Ｆｏｒｍａｔ）またはＮＴＦＳ（ＮＴ Ｆｉｌｅ Ｓｙｓｔｅｍ）等、その他のファイルシステムにも適用することが可能である。

【0051】

図２にＦＡＴファイルシステムの構成を示す。ＦＡＴファイルシステムではファイルアロケーションテーブル（ＦＡＴ）内の管理単位のビット幅の違いにより、ＦＡＴ１２、ＦＡＴ１６、ＦＡＴ３２等の種類が存在する。しかし、これら異なる種類において、ファイルアロケーションテーブルによる領域管理方法はほぼ同じであり、以下ではＦＡＴ１６を例に説明する。

【0052】

図２に示すようにアドレス空間の先頭には、領域割り当て単位及びファイルシステムが管理する領域の大きさ等、ファイルシステムの管理情報が格納される領域であるファイルシステム管理情報領域３０１が存在する。このファイルシステム管理情報領域３０１には、マスターブートレコード・パーティションテーブル３０３、パーティションブートセクタ３０４、ＦＡＴ（３０５、３０６）、および、ルートディレクトリエントリ３０７と呼ばれる、ファイルシステムの各種の管理情報が含まれている。つまり、ファイルシステム管理情報領域３０１には、ユーザデータ領域３０２を管理するために必要な情報が各々格納されている。

【0053】

マスターブートレコード・パーティションテーブル３０３は、ファイルシステムが管理するアドレス空間上の領域を複数のパーティションと呼ばれる領域に分割して管理するための情報が格納される領域である。

【0054】

パーティションブートセクタ３０４は、パーティション内の領域管理単位の大きさなど、１つのパーティション内の管理情報が格納される領域である。

【0055】

ＦＡＴ（３０５、３０６）は、ファイルに含まれるデータの格納位置に関する情報が格納される領域である。通常、同じ情報を持つ２つのＦＡＴ（３０５、３０６）が存在し、一方のＦＡＴ（３０５および３０６の一方）が破損したとしても他方のＦＡＴ（３０５および３０６の他方）によりファイルにアクセスできるよう二重化されている。

【0056】

ルートディレクトリエントリ３０７は、ルートディレクトリ直下に存在するファイル及びディレクトリの情報（ディレクトリエントリ）が格納される領域である。

【0057】

またＦＡＴファイルシステムでは、このファイルシステム管理情報領域３０１に引き続いてファイル本体のデータなどを格納するユーザデータ領域３０２が存在する。

【0058】

ユーザデータ領域３０２は、５１２バイトから３２キロバイト（ＫＢ）程度の大きさを持つクラスタと呼ばれる管理単位毎に分割管理されている。各クラスタにはファイルに含まれるデータが格納されている。

【0059】

多くのデータを含むファイルは、複数のクラスタに跨って格納されており、各クラスタ間の繋がりは、ＦＡＴ（３０５、３０６）に格納されたリンク情報により管理されている。また、ルートディレクトリ直下のディレクトリ内に存在するファイルおよびサブディレクトリの情報（ディレクトリエントリ）は、例えば、このユーザデータ領域３０２の一部に格納される。

【0060】

図３はＦＡＴ１６のディレクトリエントリの構成を示す図である。１つのファイル及びディレクトリ毎に３２バイトのディレクトリエントリ３０８が割り当てられ、ディレクトリエントリ３０８には、ファイル及びディレクトリに関する情報が格納されている。すなわち、１つのファイルまたはディレクトリが追加される度に３２バイトのディレクトリエントリ３０８の情報が新規に作成され、ルートディレクトリエントリ３０７の領域、あるいはユーザデータ領域３０２に記録される。

【0061】

ディレクトリエントリ３０８の先頭８バイトにはファイルまたはディレクトリの名称が格納される。続く３バイトには拡張子が格納される。続く１バイトにはファイルまたはディレクトリの種別を識別するフラグ、または、ファイルまたはディレクトリがリードオンリーか否かを識別するフラグ等の属性情報が格納される。

【0062】

また、ディレクトリエントリ３０８には、ファイルまたはディレクトリの最終更新日時の情報、及び、ファイルまたはディレクトリデータの実体が格納されているクラスタの開始位置を示す開始クラスタ番号及びファイルサイズのバイト数等が格納される。

【0063】

このようにディレクトリエントリ３０８では、ファイルの先頭データを格納したクラスタの位置に関する情報しか保持しない。そのため、ファイルデータ（ファイルに含まれるデータ）が複数クラスタに跨って格納される場合には、その位置情報はＦＡＴ（３０５、３０６）に保持される。すなわち、ファイルを更新する場合にはファイルデータを書き込むと共に、ディレクトリエントリ３０８及びＦＡＴ（３０５、３０６）の情報も書き込む必要がある。

【0064】

図４はＦＡＴ１６における１つのファイルの格納例を示す図である。図４の（ａ）はディレクトリエントリ３０８の一例を示しており、この例では“ＦＩＬＥ１．ＴＸＴ”という名称の６００００バイトのサイズを持つファイルが格納されていることを示している。また、このファイルのデータ本体がクラスタ番号“２”から始まる領域に格納されていることを示している。

【0065】

図４の（ｂ）はＦＡＴ１６におけるＦＡＴ（３０５、３０６）の一例を示している。ＦＡＴ（３０５、３０６）先頭の４バイトはシグネチャとして固定の値が格納されている。先頭の４バイト以外の領域は、１６ビット単位で各々ユーザデータ領域３０２内のクラスタに対応付けされている。

【0066】

例えば、ＦＡＴ（３０５、３０６）先頭のシグネチャ直後の１６ビットは、クラスタ番号“２”に、その直後の１６ビットはクラスタ番号“３”に対応付けされており、以下昇順にクラスタ番号に対応付けされている。

【0067】

各々の１６ビットに格納される値は、対応付けされたクラスタ番号の状態を示している。例えば“０ｘ００００”の場合には、対応付けされたクラスタ番号の領域が空きクラスタであることを意味し、“０ｘ０００２”〜“０ｘＦＦＦ６”の場合には、対応付けされたクラスタ番号の領域にリンクされた次の領域のクラスタ番号を意味する。また、１６ビットの領域に格納される値が“０ｘＦＦＦ８”〜“０ｘＦＦＦＦ”の場合には、対応付けされたクラスタ番号の領域がリンク終端であることを意味する。

【0068】

すなわち図４の（ｂ）の例では、図４の（ｃ）に示すように、クラスタ番号“２”、“３”、“４”、“５”の領域が“ＦＩＬＥ１．ＴＸＴ”のデータ本体を格納していることを示している。

【0069】

このようにＦＡＴファイルシステムでは、ファイル名およびファイルサイズ等、ファイルに関する情報をディレクトリエントリ３０８に格納して管理すると共に、ファイルデータの格納先はＦＡＴ（３０５、３０６）で管理する。すなわち、ファイルデータを格納する処理は、ＦＡＴ（３０５、３０６）により格納先領域を決定し、決定した領域に対してアドレスとサイズとを指定してデータの書き込み指示を情報記録装置に発行することにより実施される。このファイルデータ格納処理は、ＦＡＴファイルシステムに限らず、その他のファイルシステムでも同様に実施される。

【0070】

実施の形態１では、暗号化コンテンツファイルのデータ格納先の管理は従来と同様にファイルシステムにより実施する。更に暗号化コンテンツファイルを復号するためのコンテンツ復号鍵は暗号化コンテンツファイルと１対１に紐付けて、アクセス装置１内で管理する。

【0071】

続いて、図５を用いて実施の形態１におけるパスワード管理テーブル１４１について説明する。

【0072】

パスワード管理テーブル１４１は、暗号化コンテンツファイルと、コンテンツ復号鍵との対応を管理するテーブルであり、アクセス装置１の不揮発性メモリ１４内に格納される。パスワード管理テーブル１４１には、ファイル名（暗号化コンテンツファイルの名称）と、対応するパスワード（コンテンツ復号鍵の一種）のリストが格納される。

【0073】

例えば、図５の例では、“／ＡＵＤＩＯ／ＴＩＴＬＥ１．ＭＰ３”という名称の暗号化コンテンツファイルを復号するための鍵として、パスワード“ＰＡＳＳＷＯＲＤ１”が紐付けて管理されている。本実施の形態では、ＡＳＣＩＩコードから構成されるパスワードにより認証して暗号化コンテンツファイルを復号する方式を例として説明する。

【0074】

このように、アクセス装置１では、１つの暗号化コンテンツファイルに対して、１つのパスワード（コンテンツ復号鍵）を管理する。これにより、暗号化コンテンツファイルの管理をシンプルにし、容易に暗号化コンテンツファイルの追加および削除を行うことが可能となる。

【0075】

続いて、図６Ａおよび図６Ｂを用いて実施の形態１における鍵管理テーブル２４１について説明する。

【0076】

鍵管理テーブル２４１は、鍵管理情報の一例であり、本実施の形態では、アクセス装置１から入力されるパスワードとアドレス、及びそのアドレスに格納したデータを暗復号する際に使用した鍵であるブロック固有鍵の対応を管理するテーブルである。

【0077】

鍵管理テーブル２４１は、暗号化記録装置２内の第一不揮発性メモリ２４に格納される。本実施の形態では、暗号化コンテンツファイルをアクセス装置１が暗号化記録装置２内に記録する際、暗号化記録装置２内にある第二不揮発性メモリ２６に、暗号化コンテンツファイルのデータが格納される（図６Ｂ参照）。

【0078】

その際、第二不揮発性メモリ２６内の領域はブロック単位（本実施の形態では固定長ブロック単位）に分割して管理され、各々のブロック内のデータを互いに異なる固有の鍵（ブロック固有鍵）で暗復号できるように管理される。

【0079】

鍵管理テーブル２４１には、各々のブロックを暗復号するために使用するブロック固有鍵と、対応するアドレスとの組が記録される。例えば、図６Ａにおいてアドレス“０ｘ００００”に存在するブロックの暗復号には、ブロック固有鍵“０ｘ３ＦＤ２１５０Ｂ”が使用される。同様にアドレス“０ｘ０００１”に存在するブロックの暗復号には、ブロック固有鍵“０ｘＢＤＦ３４Ｄ３Ａ”が使用される。なお、「ブロックの暗復号」とは、当該ブロックに格納されたデータの暗号化または／および復号を意味する。

【0080】

更に鍵管理テーブル２４１では、各々のブロックと、パスワードとの対応も管理する。パスワードはアクセス装置１が暗号化コンテンツファイルのデータを格納する際に指定する情報であり、パスワード管理テーブル１４１に格納される情報と同一のものである。

【0081】

続いて、図７を用いて実施の形態１における暗号化コンテンツファイルの格納処理手順について説明する。ここでは、アクセス装置１が外部のサーバ等から暗号化コンテンツファイルを入手し、当該暗号化コンテンツファイルを、暗号化記録装置２に格納するまでの処理について説明する。

【0082】

まず、アクセス装置１は、外部のサーバ等から暗号化コンテンツファイルと、暗号化コンテンツファイルを復号するためのパスワード（コンテンツ復号鍵）を入手する（Ｓ７０１）。この処理は、例えばスマートフォンが音楽コンテンツ配信サイトに接続してコンテンツの購入処理を行い、スマートフォンにコンテンツをダウンロードする処理に相当する。

【0083】

次に、アクセス装置１は、ＦＡＴ（３０５、３０６）を参照して空き領域を検索し、暗号化コンテンツファイルを格納する領域を決定する（Ｓ７０２）。

【0084】

次に、アクセス装置１は、格納先のアドレスとサイズを指定すると共に、Ｓ７０１で取得したパスワードを指定して、暗号化コンテンツファイルのデータを、Ｓ７０２で決定した第二不揮発性メモリ２６上の空き領域（１以上の空きブロック）に書き込む（Ｓ７０３）。この書き込み処理の詳細については後述する。

【0085】

次に、アクセス装置１は、Ｓ７０３で格納されたブロックごとのデータが、当該暗号化コンテンツファイルを構成するように、ＦＡＴ（３０５、３０６）、ディレクトリエントリ３０８等のファイルシステム管理情報を更新し、第二不揮発性メモリ２６に書き込む（Ｓ７０４）。

【0086】

最後に、アクセス装置１は、パスワード管理テーブル１４１に、格納した暗号化コンテンツファイルの名称と、パスワードとを登録する（Ｓ７０５）。

【0087】

このように、本実施の形態では、アクセス装置１が暗号化コンテンツファイルを暗号化記録装置２に格納する際、パスワードを指定して記録すると共に、アクセス装置１内のパスワード管理テーブル１４１に情報（ファイル名およびパスワード）を登録して管理する。

【0088】

続いて、図８を用いて、実施の形態１における暗号化データ記録処理の一例について説明する。本処理は、図７におけるＳ７０３の処理に相当する。

【0089】

Ｓ７０３で説明したように、アクセス装置１は暗号化コンテンツファイルのデータを第二不揮発性メモリ２６に記録する際、格納先のアドレスとサイズと共に、パスワードを指定する。なお、この記録の際に、暗号化コンテンツファイルのデータは、暗復号制御部２３１により更に暗号化され、暗号化データとして第二不揮発性メモリ２６に記録される。

【0090】

図８の例では、この書き込み指示の一例として、“Ｗｒｉｔｅ（Ａｄｄｒ＝０ｘ１０００、Ｓｉｚｅ＝１、ＰＷ＝“ＰＡＳＳＷＯＲＤ４”）”のように指示することを示している。この例では、“０ｘ１０００”のアドレスから始まる領域にサイズ“１”のデータを記録し、このデータにはパスワード“ＰＡＳＳＷＯＲＤ４”が紐付けられることを意味する。

【0091】

すなわちこの記録では、図５のパスワード管理テーブル１４１に格納されている“／ＡＵＤＩＯ／ＴＩＴＬＥ２．ＭＰ３”のデータを記録する例を示している。同様に、図８の例ではこのデータの続きとして“０ｘ１００４”のアドレスから始まる領域にサイズ“２”のデータを記録し、更に“０ｘ１００７”のアドレスから始まる領域にサイズ“１”のデータを記録している。この際、いずれのデータも“／ＡＵＤＩＯ／ＴＩＴＬＥ２．ＭＰ３”のデータであるため、パスワードは同じ“ＰＡＳＳＷＯＲＤ４”が指定されている。

【0092】

なお、サイズ“ｎ”のデータとは、ｎ個のブロックに対応するサイズのデータを意味する。

【0093】

この一連の記録処理により、当該暗号化コンテンツファイルのデータは、図６Ｂに示す第二不揮発性メモリ２６内のアドレス“０ｘ１０００”、“０ｘ１００４”、“０ｘ１００５”、及び“０ｘ１００７”の領域に、暗号化データ＃４＿１から暗号化データ＃４＿４として記録される。

【0094】

この際、図６Ａの鍵管理テーブル２４１内の各々のアドレスには同じパスワード“ＰＡＳＳＷＯＲＤ４”が格納される。更に、図６Ａの鍵管理テーブル２４１内の各々のアドレスに紐付けられているブロック固有鍵を用いて暗号化データ＃４＿１から暗号化データ＃４＿４のデータは暗号化されている。

【0095】

すなわち、暗号化データ＃４＿１はブロック固有鍵“０ｘ１０３４３３ＤＡ”により、暗号化データ＃４＿２はブロック固有鍵“０ｘ００２ＦＤ７ＤＣ”により暗号化されており、以下同様に暗号化されている。

【0096】

これにより、一つの暗号化コンテンツファイル“／ＡＵＤＩＯ／ＴＩＴＬＥ２．ＭＰ３”に含まれるデータは、各々異なるブロック固有鍵により暗号化され、第二不揮発性メモリ２６に格納されることになる。

【0097】

そのため、例えば、同一の２つの暗号化コンテンツファイル（同一の２つのデータ）が、暗号化記録装置２に格納される場合、格納されるアドレス毎に異なるブロック暗号鍵が使用されるため、これら２つのデータの暗号結果が異なることになる。

【0098】

更に、ブロック固有鍵を、暗号化記録装置２毎に変更することにより、以下の効果が奏される。例えば、２つの暗号化記録装置２において、同じアドレスに同じ暗号化コンテンツファイル（同一のデータ）が格納された場合でも、２つの暗号化記録装置２それぞれの暗号結果が異なるようにすることができる。これにより、セキュリティ強度を更に高めることが可能となる。

【0099】

続いて、図８を用いて、実施の形態１におけるファイルシステム管理情報更新処理の一例について説明する。本処理は、図７におけるＳ７０４の処理に相当する。

【0100】

Ｓ７０４の処理では、Ｓ７０３の処理とは異なり、データ記録の際に有効なパスワードを指定するのではなく、無効なパスワードを指定する。

【0101】

図８の“ＦＳ管理情報更新（平文データ記録）”と記載された箇所では、ファイルシステム管理情報更新のためのＷｒｉｔｅコマンドとして、パスワードの部分に“ＮＵＬＬ”が記載されており、これは、無効なパスワードが指定されていることを意味する。

【0102】

無効なパスワードとしては、有効なＡＳＣＩＩ文字に含まれない“０ｘ００”または“０ｘＦＦ”等の値を指定してもよいし、パスワードの有効性を示す引数をパスワード引数とは別に設けて指定するようにしてもよい。

【0103】

無効なパスワードが指定されてデータが記録される場合、暗号化記録装置２は、入力されたデータを暗号化せずそのまま第二不揮発性メモリ２６に記録する。図６Ｂの例では、アドレス“０ｘ００００”及び“０ｘ０００１”の領域に記録されたデータが暗号化されていない“平文データ”であり、鍵管理テーブル２４１にはパスワードが無効であることを示す“−”が格納されている。

【0104】

これにより、ファイルシステム管理情報は暗号化されずに第二不揮発性メモリ２６に記録されるため、パスワードを指定することなく、全てのアクセス装置により読み出すことができ、正しくファイルシステム構造を解釈することが可能となる。

【0105】

続いて、図８を用いて実施の形態１における暗号化データ読み出し処理の一例について説明する。

【0106】

図８の“暗号化データ読み出し（正常）”と記載された箇所では、アクセス装置１は、“暗号化データ記録”と記載された箇所と同じアドレス、サイズ、パスワードを引数としてデータの読み出し（Ｒｅａｄ）を指示している。

【0107】

暗号化記録装置２が読み出し指示を受信すると、暗復号制御部２３１は、鍵管理テーブル２４１を参照し、指定されたパスワードが鍵管理テーブル２４１内に格納されている情報（パスワード）と一致するか確認する。これらが一致する場合、暗復号制御部２３１は、第二不揮発性メモリ２６内の該当アドレスから暗号化データを読み出し、鍵管理テーブル２４１に格納されているブロック固有鍵を用いて復号する。復号されたデータは、アクセス装置１に出力される。

【0108】

また、図８の“暗号化データ読み出し（異常）”と記載された箇所のように、誤ったパスワードを指定した場合には、暗号化記録装置２はエラーを返してデータを出力しない。あるいは“０ｘ００”もしくは“０ｘＦＦ”等の固定データ、または、誤ったデータを返す等、正常に復号されたデータ以外のデータを出力する。

【0109】

以上説明したように、実施の形態１では、アクセス装置１が暗号化記録装置２に暗号化コンテンツファイルのデータを記録する際にパスワードを指定して記録すると共に、暗号化コンテンツファイルとパスワードの対応をパスワード管理テーブル１４１で管理する。

【0110】

更に暗号化記録装置２は、第二不揮発性メモリ２６にデータを記録する際に、ブロック毎のアドレスに紐付いたブロック固有鍵を用いて暗号化して記録すると共に、アドレス、ブロック固有鍵、およびパスワードの対応を鍵管理テーブル２４１で管理する。

【0111】

これにより、アクセス装置１では複数の暗号化コンテンツファイルのそれぞれを、当該暗号化コンテンツファイルに対応する１つのパスワードで管理することができ、複数の暗号化コンテンツファイルの管理を容易化することができる。例えば、アクセス装置１では。暗号化コンテンツファイルの追加および削除を容易に実施することが可能となる。更に暗号化コンテンツファイルのデータは格納されるアドレス毎、及び、暗号化記録装置２毎に異なる結果となるため、セキュリティ強度を高めることが可能となる。

【0112】

なお、本出願に開示する技術について、上記の実施の形態１に基づいて説明してきたが、本開示における技術は上記の実施の形態１には限定されない。本開示における技術の趣旨を逸脱しない範囲で変更することができる。上記実施の形態１で記載された数値は一例であり、他の値を使用してもよい。

【0113】

また、上記実施の形態１では、暗号化コンテンツファイルはＡＳＣＩＩ形式のパスワードにより暗号化されている例について説明したが、必ずしもこの方式をとる必要はなく、その他の方式を用いて管理してもよい。

【0114】

例えば、ＡＳＣＩＩ形式のパスワードの代わりにバイナリ形式の秘密鍵を用いて暗号化コンテンツを暗号化する方式を用いてもよい。暗号化アルゴリズムも特定の方式に限定される必要はなく、３ＤＥＳ（Ｔｒｉｐｌｅ Ｄａｔａ Ｅｎｃｒｙｐｔｉｏｎ Ｓｔａｎｄａｒｄ）またはＡＥＳ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｅｎｃｒｙｐｔｉｏｎ Ｓｔａｎｄａｒｄ）等の一般に使用されている暗号化方式のいずれを用いてもよい。

【0115】

また、パスワードまたは秘密鍵のサイズ（長さ）にも制限はなく、任意の長さを使用して構わない。このことは、暗号化コンテンツファイルのパスワードにのみ適用されるのではなく、鍵管理テーブル２４１に格納されるブロック固有鍵にも適用される。すなわち、上記実施の形態１ではブロック固有鍵はバイナリ形式の４バイトの鍵である場合を例として説明したが、暗号化アルゴリズムおよび鍵長は任意のものを使用しても構わない。同様にＡＳＣＩＩ形式のパスワード等、その他の形式がブロック固有鍵に適用されても構わない。

【0116】

また、第二不揮発性メモリ２６内の領域は、固定長ブロック単位で管理されるとした。しかしながら、第二不揮発性メモリ２６内の領域が可変長ブロック単位で管理されてもよい。例えば、１つのデータが、Ｋ個（Ｋは１以上の可変の整数）のブロックに格納され、かつ、当該Ｋ個のブロックの開始アドレスおよびサイズ情報（長さ、ブロックの個数、または、終端アドレスなど）と、１つのブロック固有鍵とが鍵管理テーブル２４１において紐付けられていてもよい。

【0117】

また、上記実施の形態１では、アクセス装置１および暗号化記録装置２が扱うアドレスを単一の“アドレス”として表現したが、論理アドレスと物理アドレスの２種類のアドレスを用いてデータを管理してもよい。

【0118】

例えば、第二不揮発性メモリ２６がＮＡＮＤ型フラッシュメモリであった場合、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリはデータを記録する際に上書きが出来ず、一旦消去処理を実施してからデータを記録する必要がある。そのため、例えば図９に示すような、論理アドレスと物理アドレスとを相互に変換するアドレス変換テーブル４０１を用いてアドレス変換する必要がある。

【0119】

この場合、アクセス装置１はデータの格納位置を論理アドレスで管理し、第二不揮発性メモリ２６上の領域は物理アドレスで管理することとなる。そのためアクセス装置１がＷｒｉｔｅコマンドで指定するアドレス（Ａｄｄｒ）は論理アドレスを意味し、暗号化記録装置２は、アドレス変換テーブル４０１を用いて当該論理アドレスを物理アドレスに変換する。

【0120】

例えば図９の例では、論理アドレス“０ｘ１０００”は物理アドレス“０ｘ１００６”と対応付けられている。そのため、アクセス装置１が論理アドレス“０ｘ１０００に”書き込みを指示したデータは、実際には第二不揮発性メモリ２６上の物理アドレス“０ｘ１００６”の領域に格納されることとなる。

【0121】

このように、暗号化記録装置２が、アドレス変換テーブル４０１を用いたアドレス変換処理を行うことにより、各物理アドレスに使用されるブロック固有鍵が、物理アドレスの論理アドレスに対する割り当てが変更される度に変化する。これにより、更にセキュリティ強度が高くなる。

【0122】

また、アドレス変換テーブル４０１を用いたアドレス変換処理を行うことにより、第一不揮発性メモリ２４と第二不揮発性メモリ２６を、一つの不揮発性メモリで構成することも可能となる。

【0123】

例えば、第二不揮発性メモリ２６として使用する領域（第二領域）のみを論理アドレス空間としてアクセス装置１に開示し、第一不揮発性メモリ２４として使用する領域（第一領域）を物理アドレスのみで管理する。これにより、第一及び第二領域を一つの不揮発性メモリ上で管理しつつ、鍵管理テーブル２４１をアクセス装置１がアクセスできないようにして秘匿することが可能となる。

【0124】

また、暗号化コンテンツファイルを第二不揮発性メモリ２６から削除する際、アクセス装置１が暗号化記録装置２に対してパスワードのクリアを指示することにより、瞬時に暗号化データにアクセスできなくするようにしてもよい。

【0125】

例えば図１０に示す鍵管理テーブル２４１のように、アクセス装置１がパスワード“ＰＡＳＳＷＯＲＤ４”のクリアを指示した場合、鍵管理テーブル２４１上の“ＰＡＳＳＷＯＲＤ４”に該当するパスワードが全てクリアされ、“Ｄｅｌｅｔｅｄ”の状態となる（アドレス“０ｘ１０００”、“０ｘ１００４”、“０ｘ１００５”、及び“０ｘ１００７”に対応するパスワード）。

【0126】

この“Ｄｅｌｅｔｅｄ”に対応するアドレスに対する読み出し指示がアクセス装置１から出されても、暗号化記録装置２はデータを出力しない（あるいは無効データを出力する）。これにより、以後、該当暗号化データの読み出しができなくなり、アクセス装置１にとっては瞬時に暗号化データが削除されたことと同様の効果を生じさせることが可能となる。

【0127】

更に、上記パスワードをクリアする際、アドレスとブロック固有鍵との対応関係を変化させるようにしてもよい。例えば、アドレスとブロック固有鍵との対応関係を変化させるために、クリアが指定されたパスワードに該当する２つ以上のアドレスに紐付くブロック固有鍵を相互に交換することにより実現してもよい。

【0128】

しかしながら、この方法ではクリアが指定されたパスワードに該当するアドレスの数が少ないと十分にブロック固有鍵が交換されない可能性がある。そのため、例えば図１１に示すように、どのアドレスとも紐付いていない複数のブロック固有鍵を管理する予備ブロック固有鍵テーブル４０２を設けてもよい。つまり、上述のブロック固有鍵の交換に際し、鍵管理テーブル２４１に登録されたブロック固有鍵と、この予備ブロック固有鍵テーブル４０２内のブロック固有鍵とを交換するようにしてもよい。

【0129】

すなわち、暗号化記録装置２が保持するブロック固有鍵の個数は、第二不揮発性メモリ２６に含まれるブロックの個数以上であり、複数のブロック固有鍵の各々の値は互いに異なる。これにより、例えば図１１に示すような、鍵管理テーブル２４１と、予備ブロック固有鍵テーブル４０２との間における、ブロック固有鍵の交換が可能となる。なお、予備ブロック固有鍵テーブル４０２は、第一不揮発性メモリ２４等の、外部から秘匿された領域に保持される。

【0130】

また、上記実施の形態１では、コンテンツファイルはパスワードで暗号化された上に、更にブロック固有鍵で暗号化され、第二不揮発性メモリ２６に格納される例について説明した。しかしながら、暗号化記録装置２に格納されるデータはこのように二重暗号化される必要はなく、ブロック固有鍵のみで暗号化してもよい。

【0131】

例えば、パスワードとして、暗号化コンテンツファイルを復号する鍵となる情報ではなく、平文のコンテンツファイルと１対１に紐付けられた単なるＩＤとしてアクセス装置１で管理されてもよい。つまり、データを識別する識別子が、当該データ紐付けられた対応情報として扱われてもよい。この場合、アクセス装置１は、平文のコンテンツファイルを、ＩＤとしてのパスワードを指定して暗号化記録装置２に入力し、記録させるようにしてもよい。

【0132】

この場合、当該平文のコンテンツファイルを、暗号化記録装置２から読み出すためには当該ＩＤが必要である(図８の“暗号化データ読み出し（正常（異常））”を参照)。従って、当該ＩＤをパスワード管理テーブル１４１に保持するアクセス装置１など、正当な装置のみが当該平文のコンテンツファイルを正常に読み出すこと（１以上のブロック固有鍵で復号されたデータを取得すること）ができる。

【0133】

また、例えば、指紋認証などの他の手法により、暗号化記録装置２に格納された暗号化データ（１以上のブロック固有鍵で暗号化されたデータ）を読み出そうとするユーザまたは装置の認証を行ってもよい。

【0134】

つまり、暗号化記録装置２に格納されるデータに紐付けられる対応情報は、当該データを特定（識別）する情報であればよく、当該データが既に暗号化されたデータである場合におけるパスワード（暗号／復号鍵）である必要はない。

【0135】

また、パスワードとしてユーザＩＤが採用されてもよい。すなわち、暗号化コンテンツファイルは全ユーザ共通の鍵で暗号化されている必要はなく、例えば、各ユーザに固有のユーザＩＤにより暗号化されたファイルであってもよい。

【0136】

また、暗号化記録装置２内にセキュアクロックを設け、鍵管理テーブル２４１内のパスワードを一定の期間で自動的に暗号化記録装置２がクリアするようにしてもよい。このようにすることで、レンタルコンテンツ等、一定期間で権利が消失する暗号化コンテンツファイルを容易に扱うことが可能となる。

【0137】

また、ブロック固有鍵は、第二不揮発性メモリ２６内の、データの記憶に使用される領域の全てのブロック（アドレス）について、予め決定されていてもよく、データの記憶の時点で決定されてもよい。

【0138】

つまり、第二不揮発性メモリ２６にデータが書き込まれるタイミングで、当該データが格納される１以上のブロックそれぞれについてブロック固有鍵が決定されてもよい。この場合、当該データの書き込みの際に、例えば互いに異なる複数のブロック固有鍵を含むマスター情報から、１以上のブロック固有鍵が読み出されて鍵管理テーブル２４１に登録されてもよい。なお、マスター情報は例えば第一不揮発性メモリ２４等の、外部から秘匿された領域に保持される。

【0139】

また、マスター情報から読み出されてデータの暗号化に用いられたブロック固有鍵が、暗号化されたデータが格納されるブロックのアドレスに対応するブロック固有鍵として、鍵管理テーブル２４１に登録されてもよい。

【0140】

また、アドレス、ブロック固有鍵、およびパスワードの対応付けは、鍵管理テーブル２４１のような単一のテーブルではなく、複数のテーブル（複数の情報）によって実現されてもよい。

【0141】

例えば、アドレスとブロック固有鍵との対応関係を示す第一情報と、アドレスとファイル名との対応関係を示す第二情報と、ファイル名とパスワードとの対応関係を示す第三情報（例えば図５に示すパスワード管理テーブル１４１）とによって、あるファイル名に対応するアドレス、ブロック固有鍵、およびパスワードのいずれかが特定されてもよい。

【0142】

この場合、第一情報、第二情報および第三情報の組み合わせにより、鍵管理情報（本実施の形態における鍵管理テーブル２４１に相当する情報）が構成される。

【0143】

ここで、例えば、ファイルシステムを暗号化記録装置２側で管理する場合を想定する。この場合、アクセス装置１からコンテンツファイルと書き込み指示とを受信したときに、暗号化記録装置２が、当該コンテンツファイルのデータを格納するアドレスを決定し、当該アドレスとファイル名との対応関係を示す第二情報を保持する。

【0144】

この構成において、アクセス装置１が、暗号化記録装置２から、コンテンツファイルの読み出しを行う場合、例えば、暗号化記録装置２では、第二情報が参照されることで、当該ファイル名に対応するアドレスが特定される。また、第一情報が参照されることで、当該アドレスに対応するブロック固有鍵が特定され、第三情報が参照されることで、当該アドレスに対応するパスワードが特定される。その結果、アクセス装置１から送信されるパスワードが、第三情報によって特定されたパスワードと一致した場合、第一情報によって特定されたブロック固有鍵で復号されたコンテンツファイルを、アクセス装置１に出力することができる。

【0145】

（実施の形態２）
実施の形態２として、第一不揮発性メモリ２４として、ＲｅＲＡＭ等の抵抗変化型メモリを使用する形態について説明する。

【0146】

上記実施の形態１で説明したように、第一不揮発性メモリ２４には鍵管理テーブル２４１が格納される。鍵管理テーブル２４１の特徴として、第１に複数のブロック固有鍵が格納される点、第２に鍵管理テーブル２４１内におけるブロック固有鍵のランダム性の高く、かつ、暗号化記録装置２毎に値が異なる点、第３にアクセス装置１からブロック固有鍵が読み出せない点が挙げられる。

【0147】

抵抗変化型メモリはこれらの特徴全てを含むため、第一不揮発性メモリ２４に使用する媒体として適している。以下、実施の形態２で使用する抵抗変化型メモリの詳細について、図面を用いて説明する。

【0148】

［装置構成］
図１２は、実施の形態２における抵抗変化型メモリの概略構成の一例を示すブロック図である。図１３は、実施の形態２における抵抗変化型メモリが備えるメモリセルの概略構成の一例を示す断面図である。図１４は、実施の形態２における抵抗変化型メモリが備えるメモリセルの抵抗値範囲の一例を示すグラフである。

【0149】

なお、実施の形態２における暗号化記録システムの基本的な構成は、上記実施の形態１と同じである（図１参照）。暗号化記録装置２が有する第一不揮発性メモリ２４として抵抗変化型メモリ５０１が採用されている点に、実施の形態２の特徴を有する。

【0150】

図１２に示す例では、実施の形態２における抵抗変化型メモリ５０１は、メモリセルアレイ５０２と、書き込み回路５０４と、読み出し回路５０５とを備えている。なお、書き込み回路５０４および読み出し回路５０５は、両方が省略されてもよいし、いずれか一方が省略されてもよい。

【0151】

メモリセルアレイ５０２は、複数のメモリセル５０３がアレイ状に配置された構成を有する。

【0152】

図１３に示す例では、メモリセル５０３が備える抵抗変化素子５１０が、下地層５１４と、第１電極５１３と、抵抗変化層５１２と、第２電極５１１とを備えている。

【0153】

図１４に例示するように、メモリセル５０３は、少なくとも可変状態と初期状態の２つの状態を備える。可変状態とは、互いに異なる複数の電気的信号が印加されることによって、抵抗値が複数の可変抵抗範囲の間を可逆的に遷移できる状態を意味する。また、初期状態とは、抵抗値が可変抵抗値範囲のいずれとも重複しない初期抵抗値範囲にある状態を意味する。

【0154】

そして、初期状態にあるメモリセル５０３は、可変状態に変化させるような電気的ストレスであるフォーミングストレスが印加されない限り可変状態とならない。例えば、フォーミングストレスは累積的なストレスであってもよい。その場合、ストレスの累積量が所定量を超えたときに、初期状態から可変状態に遷移する。

【0155】

メモリセルアレイ５０２が備える複数のメモリセル５０３は、可変状態のメモリセル５０３と、初期状態のメモリセルメモリセルと、を含む。本実施の形態のメモリセルアレイ５０２では、各メモリセル５０３が初期状態にあるか可変状態にあるかの違いを利用してデータを記録する。

【0156】

メモリセル５０３は、上述のように、製造後、フォーミングをしなければ抵抗値が複数の可変抵抗値範囲の間を可逆的に遷移する状態とならない。フォーミングとは、所定の電気的ストレスをメモリセルに印加して、メモリセルの抵抗値が複数の可変抵抗値範囲の間を可逆的に遷移する状態へと、メモリセルを変化させることを意味する。フォーミングのために印加される電気的ストレスは、例えば、所定の電圧と時間幅を有する電気的パルスである場合もあるし、複数の電気的パルスを組み合わせたものである場合もある。

【0157】

製造直後のメモリセル５０３の抵抗値が、初期抵抗値範囲に入る一方で可変抵抗値範囲に入ることがないように、初期抵抗値範囲および可変抵抗値範囲は設定されうる。可変状態に変化した後のメモリセル５０３の抵抗値が、可変抵抗値範囲に入る一方で初期抵抗値範囲には入ることがないように、初期抵抗値範囲および可変抵抗値範囲は設定されうる。抵抗変化素子の不揮発性記憶素子を備えるメモリセルが、初期抵抗値範囲等の設定についての特性を備え得ることは周知である。公知の様々な材料を用いて、当該特性を備えるメモリセル５０３を製造することができる。

【0158】

初期状態のメモリセル５０３は、可変状態に変化させるような電気的ストレスであるフォーミングストレスではない何らかの電気的ストレスを受けた状態を含む。可変状態のメモリセル５０３は、製造直後の抵抗値から、フォーミングストレスではない何等かの電気的ストレスを受ける等して抵抗値が変化した状態を含む。

【0159】

本実施の形態の読み出し回路５０５は、選択されたメモリセル５０３が初期状態にあるか可変状態にあるかを判定することによって、記録されたデータを読み出すことができるように構成されている。

【0160】

図１４に示した例における素子の構成は、第１電極５１３の材料がＴａＮ（窒化タンタル）、第２電極５１１の材料がＩｒ（イリジウム）、抵抗変化層５１２の材料がタンタル酸化物である。また、抵抗変化層５１２は、全体の厚さが５０ｎｍ以下で、酸素濃度の異なる２層の積層構造を有する。

【0161】

抵抗変化層５１２の第１電極５１３に接する層が酸素濃度の低い層であって、組成をＴａＯ_ｘとすると０＜ｘ＜２．５である。抵抗変化層５１２の第２電極５１１に接する層が酸素濃度の高い層であって、組成をＴａＯｙとするとｙ≧２．１であり、厚さが５．５ｎｍ程度である。第１電極５１３と抵抗変化層５１２との接触面および第２電極５１１と抵抗変化層５１２との接触面の面積が０．２５μｍ^２以下である。

【0162】

フォーミングストレスは、電圧が＋３．５Ｖ、パルス幅が５μＳｅｃのパルスを累積的に印加する。低抵抗化パルス（素子の抵抗値を第１抵抗値範囲から第２抵抗値範囲へと変化させるためのパルス：第２電気的信号）は、電圧が−２．４Ｖ、パルス幅が５０ｎＳｅｃである。高抵抗化パルス（素子の抵抗値を第２抵抗値範囲から第１抵抗値範囲へと変化させるためのパルス：第１電気的信号）は、電圧が＋１．８Ｖ、パルス幅が５０ｎＳｅｃである。なお電圧は、第１電極５１３を基準として第２電極５１１に正の電圧を印加する場合を正とする。

【0163】

抵抗変化素子５１０の構成のその他の例として、第１電極５１３及び第２電極５１１の材料が白金（Ｐｔ）、抵抗変化層５１２の材料がハフニウム酸化物、抵抗変化層５１２の厚さが３０ｎｍ、素子領域が直径３μｍの円形、という構成が例示される。

【0164】

なお、抵抗変化層５１２がＨｆＯ_１．６の場合、初期抵抗値は数ＭΩ程度であり、高抵抗値範囲が１０００〜３０００Ω程度、低抵抗値範囲が１００〜３００Ω程度となる。この場合、フォーミングストレスは、例えば、電圧が２〜３Ｖ、パルス幅が１００ｎＳｅｃのパルスを累積的に印加する。低抵抗化パルスは、電圧が＋１．０Ｖ、パルス幅が１００ｎＳｅｃであり、高抵抗化パルスは、電圧が−１．３Ｖ、パルス幅が１００ｎＳｅｃである。

【0165】

図１４に示す例では、初期抵抗値範囲の下限が、全ての可変抵抗値範囲の上限以上である。具体的には、初期抵抗値範囲の下限が、複数の可変抵抗値範囲のうち抵抗値が最も大きいものの上限以上であってもよい。さらに具体的には、初期抵抗値範囲の下限は、２個の可変抵抗値範囲のうち抵抗値が最も大きい第１抵抗値範囲の上限に等しくてもよい。

【0166】

図１４に示す例では、第１閾値は、初期抵抗値範囲の下限以下であり、かつ、複数の可変抵抗値範囲のうち抵抗値が最も大きいものの上限以上である値である。具体的には、第１閾値は、初期抵抗値範囲の下限であり、複数の可変抵抗値範囲のうち抵抗値が最も大きいものの上限である値であってもよい。さらに具体的には、第１閾値は、２個の可変抵抗値範囲のうち抵抗値が最も大きい第１抵抗値範囲の上限に等しくてもよい。なお、第１閾値と等しい値を有する抵抗値は、初期抵抗値範囲に属するものとしてもよいし、複数の可変抵抗値範囲のうち抵抗値が最も大きいものに属するものとしてもよい。

【0167】

図１４に示す例では、第２閾値は、複数の可変抵抗値範囲のうち抵抗値が最も大きいものの下限以下であり、かつ複数の可変抵抗値範囲のうち抵抗値が最も小さいものの上限以上である値である。具体的には、第２閾値は、２個の可変抵抗値範囲のうち抵抗値が最も大きい第１抵抗値範囲の下限以下であり、かつ２個の可変抵抗値範囲のうち抵抗値が最も小さい第２抵抗値範囲の上限以上である値であってもよい。

【0168】

さらに具体的には、第２閾値は、第１抵抗値範囲の下限および第２抵抗値範囲の上限に等しくてもよい。なお、第２閾値と等しい値を有する抵抗値は、複数の可変抵抗値範囲のうち、第２閾値よりも大きな抵抗値を含む抵抗値範囲に属するものとしてもよいし、第２閾値よりも小さな抵抗値を含む抵抗値範囲に属するものとしてもよい。

【0169】

メモリセル５０３の構成によっては、製造直後のメモリセル５０３の抵抗値が、いずれの可変抵抗値範囲よりも小さい場合もある。すなわち、初期抵抗値範囲が可変抵抗値範囲よりも小さい場合がある。

【0170】

具体的には例えば、メモリセル５０３が鉄酸化物を抵抗変化層に用いた抵抗変化素子を備える場合に、上記特性が実現される。より具体的には、鉄酸化物において抵抗率は、Ｆｅ_３Ｏ_４、ＦｅＯ、Ｆｅ_２Ｏ_３の順に高い。例えば、素子構造として第１電極５１３の材料がＰｔ（白金）、第２電極５１１の材料がＰｔ（白金）、抵抗変化層５１２の材料がＦｅ_３Ｏ_４、抵抗変化層５１２全体の厚さが５０ｎｍ以下としうる。

【0171】

第１電極５１３と抵抗変化層５１２との接触面および第２電極５１１と抵抗変化層５１２との接触面の面積を０．２５μｍ^２以下とするとき、初期抵抗値は概ね２００Ωと非常に低抵抗にある。この初期状態のメモリセル５０３に１０μｓｅｃのパルス幅で第１電気的信号と同じ極性で電圧の絶対値が３．５Ｖのパルスを所定の回数を印加することによって、初期抵抗値よりも抵抗値の大きい状態（２Ｋ〜８ＫΩの高抵抗状態）に推移する。これは、第２電極５１１と抵抗変化層５１２の接触界面の酸化が進行し、Ｆｅ_２Ｏ_３の、絶縁状態にある抵抗層が形成されるためと考えられる。その後、当該メモリセル５０３では、電圧の絶対値が２．４Ｖの第２電気的信号の印加により３００Ωから５００Ωの第２抵抗値範囲と、第２電気的信号と極性の異なる電圧の絶対値が２．４Ｖの第１電気的信号の印加により２Ｋから８ＫΩの第１抵抗値範囲とを推移できるようになる。

【0172】

抵抗変化素子５１０の構成のその他の例として、第１電極５１３及び第２電極５１１の材料が白金（Ｐｔ）、抵抗変化層５１２の材料がハフニウム酸化物、抵抗変化層５１２の厚さが３０ｎｍ、素子領域が直径３μｍの円形、という構成が例示される。

【0173】

なお、抵抗変化層５１２がＨｆＯ_０．９であり、初期状態では抵抗変化しない場合に、電圧４Ｖ、パルス幅１００μＳｅｃという長いパルス幅のパルスをフォーミングストレスとして与えることにより可変状態になる。可変状態のメモリセル５０３は、電圧が−１．３Ｖ、パルス幅が１００ｎＳｅｃの低抵抗化パルスで低抵抗値範囲３０〜９０Ω程度に遷移し、電圧が＋２．０Ｖ、パルス幅が１００ｎＳｅｃの高抵抗化パルスで高抵抗値範囲１００〜３００Ω程度に推移する。

【0174】

かかる構成では、初期抵抗値範囲の上限が、全ての可変抵抗値範囲の下限以下であってもよい。具体的には、初期抵抗値範囲の上限が、複数の可変抵抗値範囲のうち抵抗値が最も小さいものの下限以下であってもよい。さらに具体的には、初期抵抗値範囲の上限は、２個の可変抵抗値範囲のうち抵抗値が最も小さい第２抵抗値範囲の下限に等しくてもよい。

【0175】

第１閾値は、初期抵抗値範囲の上限以上であり、かつ、複数の可変抵抗値範囲のうち抵抗値が最も小さいものの下限以下である値であってもよい。具体的には、第１閾値は、初期抵抗値範囲の上限であり、複数の可変抵抗値範囲のうち抵抗値が最も小さいものの下限である値であってもよい。さらに具体的には、第１閾値は、２個の可変抵抗値範囲のうち抵抗値が最も小さい第２抵抗値範囲の下限に等しくてもよい。

【0176】

第２閾値は、複数の可変抵抗値範囲のうち抵抗値が最も小さいものの上限以上であり、かつ複数の可変抵抗値範囲のうち抵抗値が最も大きいものの下限以下である値であってもよい。具体的には、第２閾値は、２個の可変抵抗値のうち抵抗値が最も小さい第２抵抗値範囲の上限以上であり、かつ２個の可変抵抗値のうち抵抗値が最も大きい第１抵抗値範囲の下限以下である値であってもよい。さらに具体的には、第２閾値は、第１抵抗値範囲の下限および第２抵抗値範囲の上限に等しくてもよい。

【0177】

なお、隣接する抵抗値範囲は必ずしも上限と下限とが一致している必要はなく、隣接する抵抗値範囲同士の間に所定のマージンが設定されていてもよい。

【0178】

読み出し回路５０５は、選択されたメモリセル５０３の抵抗値が、第１閾値よりも大きいか否かを判定する第１読み出しモードと、選択されたメモリセル５０３の抵抗値が、第２閾値よりも大きいか否かを判定する第２読み出しモードとを選択的に実行することによって、記録されたデータを読み出すことができるように構成されていてもよい。

【0179】

記録されたデータは、第１種データと第２種データとを含み、第１種データは、各メモリセル５０３の抵抗値が初期抵抗値範囲にあるか否かの違いを利用して記録されており、第２種データは、各メモリセル５０３の抵抗値が初期抵抗値範囲にあるか否かの違いを利用せずに、各メモリセル５０３の抵抗値が少なくとも一つの可変抵抗値範囲にあるか否かの違いを利用して記録されていてもよい。

【0180】

この場合において、メモリセルアレイ５０２が、第１書き込みアドレス領域と、第２書き込みアドレス領域とを備え、第１書き込みアドレス領域に第１種データが記録されており、第２書き込みアドレス領域に第２種データが記録されていてもよい。

【0181】

第１書き込みアドレス領域と、第２書き込みアドレス領域とは、必ずしも物理的な領域として分離していなくてもよい。例えば、各メモリセル５０３がアドレスごとに所定の規則によって第１書き込みアドレス領域と第２書き込みアドレス領域とに振り分けられていてもよい。

【0182】

第２書き込みアドレス領域は、例えば複数の可変状態のメモリセル５０３から構成される領域である。そのため、初期状態の複数のメモリセル５０３からなるメモリセルアレイ５０２（例えば、製造直後のメモリセルアレイ５０２）のうち、所定の領域に含まれる複数のメモリセル５０３に対して、フォーミングストレスを印加することによって、第２書き込みアドレス領域を形成できる。

【0183】

そのため、メモリセルアレイ５０２にフォーミングストレスを印加することにより、第１種データを記録することに加えて、第２種データを書き込むための第２書き込みアドレス領域を形成することもできる。

【0184】

また、メモリセルアレイ５０２を構成する複数のメモリセル５０３に選択的にフォーミングストレスを印加することによって、第１書き込みアドレス領域と第２書き込みアドレス領域とを設定できる。そのため、それらのアドレス領域の容量配分や配置を自由に選択することができる。また、第１書き込みアドレス領域の一部領域に対して、フォーミングストレスを印加することによって、当該一部領域を第２書き込みアドレス領域へと変更することができる。

【0185】

また、第１書き込みアドレス領域と、第２書き込みアドレス領域とが、同一のメモリセルアレイ５０２に配置されることにより、例えば第１書き込みアドレス領域と第２書き込みアドレス領域との間で情報を送受信する場合であっても、情報の秘匿性を高めることができる。

【0186】

図１４に示す例では、具体的には例えば、第１種データは各メモリセル５０３の抵抗値が初期抵抗値範囲にあるか否かの違いを利用して記録されており、第２種データは、各メモリセル５０３の抵抗値が第２抵抗値範囲にあるか否かの違いを利用して記録されていてもよい。

【0187】

図１４に示す例では、可変抵抗値範囲の数は２であるが、可変抵抗値範囲の数は３以上であってもよい。すなわち、メモリセル５０３は多値メモリであってもよい。

【0188】

Ｎを３以上の整数とするとき、可変状態のメモリセル５０３は、異なる電気的信号が印加されることによってＮ−１個の可変抵抗値範囲の間を遷移するものであってもよい。この場合、メモリセルアレイ５０２において、各メモリセル５０３の抵抗値が、初期抵抗値範囲とＮ−１個の可変抵抗値範囲とから構成されたＮ個の抵抗値範囲のいずれに含まれるかの違いを利用して多値データが記録されていてもよい。図１４に示す例は、Ｎ＝３の例である。Ｎは４以上の整数であってもよい。

【0189】

Ｎを３以上の整数とし、Ｍ１をＮ以下の正の整数とし、Ｍ２をＮ−１以下の正の整数とするとき、（ａ）第１種データは、各メモリセル５０３の抵抗値が初期抵抗値範囲を含む互いに重複しないＭ１個の抵抗値範囲のいずれに含まれるかの違いを利用して記録されており、（ｂ）第２種データは、各メモリセル５０３の抵抗値が初期抵抗値範囲を含まない、かつ互いに重複しない、Ｍ２個の抵抗値範囲のいずれに含まれるかの違いを利用して記録されており、かつ、（ｃ）第１種データの記録に用いられるＭ１個の抵抗値範囲のうちの初期抵抗値範囲を含まないＭ１−１個の抵抗値範囲は、第２種データの記録に用いられるＭ２個の抵抗値範囲のいずれかと同一であってもよい。

【0190】

Ｎを３以上の整数とし、Ｍ１をＮ以下の正の整数とし、Ｍ２をＮ−１以下の正の整数とするとき、（ａ）第１種データは、各メモリセル５０３の抵抗値が初期抵抗値範囲を含む互いに重複しないＭ１個の抵抗値範囲のいずれに含まれるかの違いを利用して記録されており、（ｂ）第２種データは、各メモリセル５０３の抵抗値が初期抵抗値範囲を含まない、かつ互いに重複しない、Ｍ２個の抵抗値範囲のいずれに含まれるかの違いを利用して記録されており、かつ、（ｃ´）第１種データの記録に用いられるＭ１個の抵抗値範囲のうちの初期抵抗値範囲を含まないＭ１−１個の抵抗値範囲の少なくともいずれかは、第２種データの記録に用いられるＭ２個の抵抗値範囲と異なっていてもよい。

【0191】

読み出し回路５０５は、Ｍ１−１個の閾値から構成される第１種閾値群を用いて、第１種データを読み出す第１読み出しモードと、Ｍ２−１個の閾値から構成される第２種閾値群を用いて、第２種データを読み出す第２読み出しモードとを選択的に実行してもよい。この場合において、第１種閾値群は、初期抵抗値範囲の下限以下であり、かつ、複数の可変抵抗値範囲のうち抵抗値が最も大きいものの上限以上である第１閾値を含み、第２種閾値群に含まれる閾値は、いずれも、複数の可変抵抗値範囲のうち抵抗値が最も大きいものの下限以下であってもよい。

【0192】

図１４に示す例では、第１種閾値群に属する閾値が第１閾値であり、第２種閾値群に属する閾値が第２閾値である。

【0193】

なお、図１４に示される抵抗変化素子において、初期抵抗値範囲を、例えば２×１０^６Ω以上１．０×１０^７Ω未満とし、可変抵抗値範囲を、５×１０^４Ω以上２×１０^６Ω未満、及び５×１０^３Ω以上５×１０^４Ω未満に設定できる。このとき、第１閾値は２×１０^６Ωであり、第２閾値は５×１０^４Ωである。

【0194】

［抵抗変化素子の構成］
抵抗変化素子５１０は、第１電極５１３と第２電極５１１との間に抵抗変化層５１２が介在する構成を有する。抵抗変化層５１２は、例えば金属酸化物、より詳細には例えば遷移金属酸化物で構成することができる。可変状態にあるメモリセル５０３の抵抗変化素子５１０は、第１電極５１３と第２電極５１１との間に電気的信号が印加されることによって、第１電極５１３と第２電極５１１との間の抵抗値が複数の可変抵抗値範囲の間を可逆的に遷移する性質を有する。

【0195】

初期状態にあるメモリセル５０３の抵抗変化素子５１０の抵抗変化層５１２は、第１電極５１３と第２電極５１１との間を絶縁していてもよい。絶縁とは、具体的には、抵抗値が２ＭΩ以上の状態と定義してもよい。

【0196】

抵抗変化素子５１０の抵抗変化層５１２は、絶縁体から構成された層を備えていてもよい。絶縁体とは、具体的には抵抗率が３０Ω・ｍ以上の材料とすることができる。抵抗変化素子５１０の抵抗変化層５１２が絶縁体から構成されることにより、初期状態のメモリセル５０３の抵抗特性を安定して維持することができる。

【0197】

初期状態の素子とは、抵抗変化素子を半導体プロセス等により製造した後、可変状態に変化させるような電気的ストレスであるフォーミングストレスが印加されない限り可変状態とならず、かつ、抵抗値が可変抵抗値範囲のいずれとも重複しない初期抵抗値範囲にある素子をいう。

【0198】

初期状態にある抵抗変化素子は、フォーミングストレスが印加されない限り、容易には可変状態に変化しない。このために、初期状態と可変状態との差異を利用して、安定してデータを保持することができる。また、電気的信号の印加によって抵抗値が変化する可変状態の抵抗変化素子と異なり、初期抵抗値範囲を、抵抗変化素子の材料、大きさ、形状、及び製造条件等によってある程度調整することができる。特に抵抗変化層５１２が積層構造である場合、酸素濃度の高い層の厚み、形成時の酸素濃度によって任意に調整可能である。

【0199】

初期抵抗値範囲は、例えば、初期状態にある素子に、可変状態にある素子の抵抗値を複数の可変抵抗値範囲の間で変化させる電気的信号、および、フォーミングストレスのいずれよりも小さな電圧を素子に印加して読み出したときに得られる抵抗値の範囲としうる。

【0200】

なお、フォーミングストレスは、メモリセル５０３に印加する電圧振幅の量、パルスの幅、および累積印加時間等で決定され、それぞれの値はメモリセルアレイ５０２内のメモリセル５０３毎に異なっている。なお、累積印加時間とは、例えば、抵抗状態が初期状態から可変状態に変化するまでに印加される電気的パルスのパルス幅の合計を意味する。このためフォーミングストレスとして最低限必要となる電気的ストレスを規定するパラメータの具体的な値は、対象となるメモリセル５０３毎に素子が可変状態へと変化するまでに印加された電気的ストレスの電圧、パルス幅、および累積印加時間等の値であって、絶対的な固定値ではなく所定のバラツキをもつ値である。

【0201】

なお、フォーミングストレスは、可変状態にあるメモリセルの抵抗値を複数の可変抵抗値範囲の間で可逆的に変化させるために印加される電気的信号よりも強いのが一般的である。具体的には、フォーミングストレスは、電圧の絶対値、パルス幅、および累積印加時間の少なくともいずれかにおいて、可変状態にあるメモリセルの抵抗値を変化させるために印加される電気的信号よりも大きいものとしうる。

【0202】

可変状態において、電圧およびパルス幅等は異なるが同極性の電気的信号を印加することにより抵抗値が変化するものをユニポーラ型抵抗変化素子とよぶ。より具体的には、例えば、第２電極５１１から第１電極５１３に電流が流れる向きに＋２Ｖで１μｓの幅の電気的信号（電気的パルス）を印加すると、抵抗変化素子の抵抗値が所定の高抵抗レベル（第１抵抗値範囲：ＨＲレベルともいう）に変化する。同様に第２電極５１１から第１電極５１３に電流が流れる向きに＋４Ｖで５０ｎｓの幅の電気的信号を印加すると、抵抗変化素子の抵抗値が所定の低抵抗レベル（第２抵抗値範囲：ＬＲレベルともいう）に変化する。このような、同極性の電気的信号を印加することにより抵抗値が可逆的に変化するものを、ユニポーラ型抵抗変化素子という。

【0203】

一方、可変状態において、異なる極性の電気的信号を印加することで抵抗値が変化するものをバイポーラ型抵抗変化素子とよぶ。より具体的には第２電極５１１から第１電極５１３に電流が流れる向きに＋２Ｖで５０ｎｓの幅の電気的信号を印加すると、抵抗変化素子の抵抗値が所定の高抵抗レベル（第１抵抗値範囲：ＨＲレベルともいう）に変化する。逆に第１電極５１３から第２電極５１１に電流が流れる向きに＋２Ｖで５０ｎｓの幅の電気的信号を印加すると、抵抗変化素子の抵抗値が所定の低抵抗レベル（第２抵抗値範囲：ＬＲレベルともいう）に変化する。このような、逆極性の電気的信号を印加することにより抵抗値が可逆的に変化するものを、バイポーラ型抵抗変化素子という。

【0204】

当然であるが、バイポーラ型抵抗変化素子において、例えば動作を安定にするために、極性のみならず、ＨＲレベルに変化させる場合（高抵抗化ともいう）に印加する電気的信号と、ＬＲレベルに変化させる場合（低抵抗化ともいう）に印加する電気的信号とで、パルス幅や電圧の絶対値を異ならせてもよい。

【0205】

抵抗変化層５１２は金属酸化物から構成されてもよい。抵抗変化層５１２は、酸素不足型の金属酸化物から構成された層を備えてもよい。抵抗変化層５１２を構成する金属酸化物は、遷移金属酸化物およびアルミニウム酸化物の少なくともいずれか一方であってもよいし、タンタル酸化物、鉄酸化物、ハフニウム酸化物およびジルコニウム酸化物の少なくともいずれかであってもよい。

【0206】

ユニポーラ型抵抗変化素子の抵抗変化層の材料には、チタン（Ｔｉ）酸化物、ニッケル（Ｎｉ）酸化物、アルミニウム（Ａｌ）酸化物等を用いることができる。一方、バイポーラ型抵抗変化素子の抵抗変化層の材料には、タンタル（Ｔａ）酸化物、ハフニウム（Ｈｆ）酸化物、アルミニウム（Ａｌ）酸化物、鉄（Ｆｅ）酸化物等を用いることができる。

【0207】

同じ材料の酸化物を用いた場合でも、電極材料との組合せおよび酸化物の積層構造等により、ユニポーラ型抵抗変化素子およびバイポーラ型抵抗変化素子の両方が得られる場合もある。なお、抵抗変化層の材料にタンタル酸化物を用いると、抵抗変化素子が良好な特性を示すので、以下で特に詳細に例示する。

【0208】

第１電極５１３および第２電極５１１の材料には、例えば、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化タンタル（ＴａＮ）および窒化チタンアルミニウム（ＴｉＡｌＮ）等を用いることができる。なお、図１３に示す例では、第１電極５１３が第２電極５１１に比べ大面積となっているが、これに限定されるものでない。例えば、第１電極５１３を配線の一部に適用するなど、半導体プロセスにあわせ適宜、最適な形状にされうる。下地層５１４も同様に半導体プロセスに応じて適宜に省略または変更されうる。

【0209】

抵抗変化層５１２は、第１電極５１３に接続する第１抵抗変化層と、第２電極５１１に接続する第２抵抗変化層の少なくとも２層を積層して構成されてもよい。

【0210】

第１抵抗変化層は、酸素不足型の第１金属酸化物で構成され、第２抵抗変化層は、第１金属酸化物よりも酸素不足度が小さい第２金属酸化物で構成されうる。第２抵抗変化層は、絶縁体から構成された層であってもよい。第２抵抗変化層中には、電気的パルスの印加に応じて酸素不足度が可逆的に変化する微小な局所領域が形成されている。局所領域は、酸素欠陥サイトから構成されるフィラメントを含むと考えられる。局所領域は、第２抵抗変化層を貫く導電パスであってもよい。絶縁体が金属酸化物から構成され、導電パスは、絶縁体よりも酸素含有率が低い酸素不足型の金属酸化物から構成されていてもよい。

【0211】

「酸素不足度」とは、金属酸化物において、その化学量論的組成（複数の化学量論的組成が存在する場合は、そのなかで最も抵抗値が高い化学量論的組成）の酸化物を構成する酸素の量に対し、不足している酸素の割合をいう。化学量論的組成の金属酸化物は、他の組成の金属酸化物と比べて、より安定でありかつより高い抵抗値を有している。

【0212】

例えば、金属がタンタル（Ｔａ）の場合、上述の定義による化学量論的組成の酸化物はＴａ_２Ｏ_５であるので、ＴａＯ_２．５と表現できる。ＴａＯ_２．５の酸素不足度は０％であり、ＴａＯ_１．５の酸素不足度は、酸素不足度＝（２．５−１．５）／２．５＝４０％となる。また、酸素過剰の金属酸化物は、酸素不足度が負の値となる。なお、本明細書中では、特に断りのない限り、酸素不足度は正の値、０、及び負の値も含むものとして説明する。

【0213】

酸素不足度の小さい酸化物は化学量論的組成の酸化物により近いため抵抗値が高く、酸素不足度の大きい酸化物は酸化物を構成する金属により近いため抵抗値が低い。

【0214】

「酸素含有率」とは、総原子数に占める酸素原子の比率である。例えば、Ｔａ_２Ｏ_５の酸素含有率は、総原子数に占める酸素原子の比率（Ｏ／（Ｔａ＋Ｏ））であり、７１．４ａｔｍ％となる。したがって、酸素不足型のタンタル酸化物は、酸素含有率は０より大きく、７１．４ａｔｍ％より小さいことになる。例えば、第１金属酸化物を構成する金属と、第２金属酸化物を構成する金属とが同種である場合、酸素含有率は酸素不足度と対応関係にある。すなわち、第２金属酸化物の酸素含有率が第１金属酸化物の酸素含有率よりも大きいとき、第２金属酸化物の酸素不足度は第１金属酸化物の酸素不足度より小さい。

【0215】

抵抗変化層を構成する金属は、タンタル以外の金属を用いてもよい。抵抗変化層を構成する金属としては、遷移金属、およびアルミニウム（Ａｌ）の少なくともいずれかを用いることができる。遷移金属としては、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）等を用いることができる。遷移金属は複数の酸化状態をとることができるため、異なる抵抗状態を酸化還元反応により実現することが可能である。

【0216】

例えば、ハフニウム酸化物を用いる場合、第１金属酸化物の組成をＨｆＯ_ｘとした場合にｘが０．９以上１．６以下であり、かつ、第２金属酸化物の組成をＨｆＯ_ｙとした場合にｙがｘの値よりも大である場合に、抵抗変化層の抵抗値を安定して高速に変化させることができる。この場合、第２金属酸化物の膜厚は、３〜４ｎｍとしてもよい。

【0217】

また、ジルコニウム酸化物を用いる場合、第１金属酸化物の組成をＺｒＯ_ｘとした場合にｘが０．９以上１．４以下であり、かつ、第２金属酸化物の組成をＺｒＯ_ｙとした場合にｙがｘの値よりも大である場合に、抵抗変化層の抵抗値を安定して高速に変化させることができる。この場合、第２金属酸化物の膜厚は、１〜５ｎｍとしてもよい。

【0218】

第１金属酸化物を構成する第１金属と、第２金属酸化物を構成する第２金属とは、異なる金属を用いてもよい。この場合、第２金属酸化物は、第１金属酸化物よりも酸素不足度が小さい、つまり抵抗が高くてもよい。このような構成とすることにより、抵抗変化時に第１電極５１３と第２電極５１１との間に印加された電圧は、第２金属酸化物に、より多くの電圧が分配され、第２金属酸化物中で発生する酸化還元反応をより起こしやすくすることができる。

【0219】

また、第１抵抗変化層となる第１金属酸化物を構成する第１金属と、第２抵抗変化層となる第２金属酸化物を構成する第２金属とを、互いに異なる材料を用いる場合、第２金属の標準電極電位は、第１金属の標準電極電位より低くてもよい。標準電極電位は、その値が高いほど酸化しにくい特性を表す。これにより、標準電極電位が相対的に低い第２金属酸化物において、酸化還元反応が起こりやすくなる。なお、抵抗変化現象は、抵抗が高い第２金属酸化物中に形成された微小な局所領域中で酸化還元反応が起こってフィラメント（導電パス）が変化することにより、その抵抗値（酸素不足度）が変化することにより発現すると考えられる。

【0220】

例えば、第１金属酸化物に酸素不足型のタンタル酸化物（ＴａＯ_ｘ）を用い、第２金属酸化物にチタン酸化物（ＴｉＯ_２）を用いることにより、安定した抵抗変化動作が得られる。チタン（標準電極電位＝−１．６３ｅＶ）はタンタル（標準電極電位＝−０．６ｅＶ）より標準電極電位が低い材料である。このように、第２金属酸化物に第１金属酸化物より標準電極電位が低い金属の酸化物を用いることにより、第２金属酸化物中でより酸化還元反応が発生しやすくなる。その他の組み合わせとして、高抵抗層となる第２金属酸化物にアルミニウム酸化物（Ａｌ_２Ｏ_３）を用いることができる。例えば、第１金属酸化物に酸素不足型のタンタル酸化物（ＴａＯ_ｘ）を用い、第２金属酸化物にアルミニウム酸化物（Ａｌ_２Ｏ_３）を用いてもよい。

【0221】

積層構造の抵抗変化層における抵抗変化現象は、いずれも抵抗が高い第２金属酸化物中に形成された微小な局所領域中で酸化還元反応が起こって、局所領域中のフィラメント（導電パス）が変化することにより、その抵抗値が変化すると考えられる。

【0222】

つまり、第２金属酸化物に接続する第２電極５１１に、第１電極５１３を基準にして正の電圧を印加したとき、抵抗変化層中の酸素イオンが第２金属酸化物側に引き寄せられる。これによって、第２金属酸化物中に形成された微小な局所領域中で酸化反応が発生し、酸素不足度が減少する。その結果、局所領域中のフィラメントが繋がりにくくなり、抵抗値が増大すると考えられる。

【0223】

逆に、第２金属酸化物に接続する第２電極５１１に、第１電極５１３を基準にして負の電圧を印加したとき、第２金属酸化物中の酸素イオンが第１金属酸化物側に押しやられる。これによって、第２金属酸化物中に形成された微小な局所領域中で還元反応が発生し、酸素不足度が増加する。その結果、局所領域中のフィラメントが繋がりやすくなり、抵抗値が減少すると考えられる。

【0224】

図１５は、パーコレーションモデル（ｐｅｒｃｏｌａｔｉｏｎ ｍｏｄｅｌ）を用いて、抵抗変化層（例えば局所領域）中のフィラメントの形成をシミュレートした結果の一例を示す図である。ここでは、抵抗変化層中の酸素欠陥サイト（以下、単に「欠陥サイト」という）等が繋がることによりフィラメント（導電パス）が形成される場合を考えている。

【0225】

パーコレーションモデルとは、抵抗変化層中にランダムに分布した欠陥サイトに対して、欠陥サイト等の密度がある閾値を超えると欠陥サイト等の繋がりが形成される確率が増加するという理論に基づくモデルである。ここで「欠陥」とは、例えば、金属酸化物中で酸素が欠損していることを意味し、「欠陥サイトの密度」とは酸素不足度とも対応している。すなわち、酸素不足度が大きくなると、欠陥サイトの密度も大きくなる。

【0226】

図１５に示されるシミュレーションでは、抵抗変化層の酸素イオンサイトを、格子状に仕切られた領域（サイト）として近似的に仮定し、確率的に形成される欠陥サイトによって形成されるフィラメントをシミュレーションで求めている。

【0227】

図１５において、“０”が含まれているサイトは抵抗変化層中に形成される欠陥サイトを表している。他方、空白となっているサイトは酸素イオンが占有しているサイトを表しており、高抵抗な領域を意味している。また、矢符で示される欠陥サイトのクラスタ（上下、左右及び斜め方向に１個のサイトの範囲内で互いに接続された欠陥サイトの集合体）は、図中の上下方向に電圧が印加された場合に抵抗変化層内に形成されるフィラメント、すなわち電流が流れるパスを示している。

【0228】

図１５に示されるように、抵抗変化層の下面と上面との間に電流を流すフィラメントは、ランダムに分布する欠陥サイトの内の上端から下端までを接続する欠陥サイトのクラスタで構成される。このパーコレーションモデルに基づくと、フィラメントの本数及び形状は確率的に形成されることになる。フィラメントの本数及び形状の分布は、抵抗変化層の抵抗値のばらつきとなる。

【0229】

フォーミング動作は、抵抗変化層の一部領域において金属酸化物内の欠陥サイトの密度を変化させ、フィラメントを形成する動作に対応する。具体的には、電気的ストレスを印加することによって、初期状態で疎であった欠陥サイト間を繋ぐようなフィラメントを形成する。

【0230】

金属酸化物から構成される抵抗変化層を有する抵抗変化素子を形成した場合、抵抗変化層内の欠陥サイトの配置はメモリセル毎にランダムに配置される。このため、仮に各メモリセルに一定の電気的ストレスを印加した場合であっても、フィラメント形成（欠陥の繋がり）の障壁となる欠陥サイト間の最大距離等がメモリセル毎にランダムにばらついているために、フォーミングが発生するストレス量がメモリセル毎にランダムにばらつくと考えられる。その結果、初期状態にある複数のメモリセルに所定の電気的ストレスを印加した場合に、フォーミングが完了するメモリセルがランダムに発生すると考えられる。

【0231】

なお、酸素欠陥サイト等が繋がることによってフィラメントパスが形成される材料であれば、フォーミングの発生（初期状態から可変状態への変化）は同様のメカニズムによって説明できると考えられる。そのため、例えば金属酸化物に含まれる金属材料が異なる場合であっても、同様に、フォーミングにより生じるフィラメントの本数及び形状は確率的に形成されると推察される。よって、初期状態のメモリセルに所定の電気的ストレスを印加した場合に、フォーミングが発生するか否かは、確率的に、すなわちランダムに、決定される。

【0232】

酸素不足度がより小さい第２金属酸化物に接続されている第２電極５１１は、例えば、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）、パラジウム（Ｐｄ）など、第２金属酸化物を構成する金属および第１電極５１３を構成する材料と比べて標準電極電位が高い材料で構成する。

【0233】

また、酸素不足度がより高い第１金属酸化物に接続されている第１電極５１３は、例えば、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、窒化チタン（ＴｉＮ）など、第１金属酸化物を構成する金属と比べて標準電極電位が低い材料で構成してもよい。標準電極電位は、その値が高いほど酸化しにくい特性を表す。

【0234】

すなわち、第２電極５１１の標準電極電位Ｖ２、第２金属酸化物を構成する金属の標準電極電位Ｖｒ２、第１金属酸化物を構成する金属の標準電極電位Ｖｒ１、および、第１電極５１３の標準電極電位Ｖ１は、Ｖｒ２＜Ｖ２、およびＶ１＜Ｖ２なる関係を満足してもよい。さらには、Ｖ２＞Ｖｒ２、およびＶｒ１≧Ｖ１の関係を満足してもよい。

【0235】

上記の構成とすることにより、第２電極５１１と第２金属酸化物の界面近傍の第２金属酸化物中において、選択的に酸化還元反応が発生し、安定した抵抗変化現象が得られる。

【0236】

より好適には、抵抗変化層５１２は、ＴａＯ_ｘ（但し、０≦ｘ＜２.５）で表される組成を有する第１抵抗変化層と、ＴａＯ_ｙ（但し、ｘ＜ｙ＜２．５）で表される組成を有する第２抵抗変化層とが積層された積層構造を少なくとも有している。他の層、例えばタンタル酸化物以外の金属酸化物で構成される第３抵抗変化層等を適宜配置しうることは言うまでもない。

【0237】

ここで、ＴａＯ_ｘは、０．８≦ｘ＜１．９を満足してもよく、ＴａＯ_ｙは、２．１≦ｙ＜２．５を満足してもよい。第２タンタル含有層の厚みは、１ｎｍ以上８ｎｍ以下であってもよい。酸素不足度の異なる層を積層することにより、バイポーラ型における抵抗変化の方向が決定できる。例えば、第２抵抗変化層を第２電極５１１側に、第１抵抗変化層を第１電極５１３側に配置する。かかる構成によれば、第２電極５１１側から第１電極５１３側に電流を流す向きの電圧印加で高抵抗化し、逆向きに電流を流す向きの電圧印加で低抵抗化する。当然ながら第２抵抗変化層を第１電極５１３に接し、第１抵抗変化層を第２電極５１１に接するように構成すると、抵抗変化と電圧印加の向きの関係が逆転する。

【0238】

［抵抗変化素子の特性］
図１６は、可変状態にあるバイポーラ型抵抗変化素子の特性の一例を示す図である。図１６の素子の構成は、第１電極５１３の材料がＴａＮであり、第２電極５１１の材料がＩｒである。また、抵抗変化層５１２の材料がＴａＯ_ｘ（但し、０＜ｘ＜２．５）で表される組成を有する第１タンタル含有層と、ＴａＯ_ｙ（但し、ｘ＜ｙ）で表される組成を有する第２タンタル含有層とが積層された積層構造を少なくとも有して、第１タンタル含有層が第１電極５１３に接し、第２タンタル含有層が第２電極５１１に接している。

【0239】

より具体的には、ＴａＯ_ｘは、０．８≦ｘ≦１．９を満足し、ＴａＯ_ｙは、２．１≦ｙ≦２．５を満足するように製造されている。第２タンタル含有層の厚みは、８ｎｍ以下であり、抵抗変化層５１２全体の厚みは５０ｎｍ以下である。各電極への接触面積は図１４の測定に用いた抵抗変化素子と等しい。

【0240】

図１６の横軸は印加する電気的信号の電圧を示し、縦軸に電気的信号を印加した後の抵抗変化素子の抵抗値（抵抗値は読み出し電圧ＶＲを印加したときの電流から算出）を示している。図中のスタートの位置から、正極性側に電圧レベルを徐々にあげて行くと、印加電圧が＋１．１Ｖを超えたときから徐々に抵抗値が上昇し、印加電圧が＋２．０Ｖでは約１００ｋΩに達している。

【0241】

逆に負極性側に電圧レベルを徐々に下げて行き、−１．１Ｖを超えると約１０ｋΩ程度に低抵抗化して、スタートの抵抗値に戻っていることがわかる。このとき抵抗変化層５１２は、第２抵抗変化層を第２電極５１１側に、第１抵抗変化層を第１電極５１３側に配置している。

【0242】

第２電極５１１から第１電極５１３に電流が流れるような電気的信号の印加を正極性印加と定義する。正極性印加では、抵抗変化素子５１０はＨＲレベルに変化する。また、逆向きに電流が流れる印加を負極性印加と定義する。負極性印加では、抵抗変化素子５１０はＬＲレベルに変化する。ＬＲからＨＲに変化せしめる電圧レベルを高抵抗化電圧（ＶＨ）とし、ＨＲからＬＲに変化せしめる電圧レベルを低抵抗化電圧（ＶＬ）とすると、図１６の場合では、その絶対値が｜ＶＨ｜＝｜ＶＬ｜＝２．０Ｖ程度あれば、共通の電源電圧を用いて十分に低抵抗状態と高抵抗状態を可逆的に推移できることがわかる。

【0243】

図１７は、非特許文献（ＩＥＤＭＴｅｃｈｎｉｃａｌＤｉｇｅｓｔ．１３−１５Ｄｅｃ．２００４，ｐ．５８７）に開示されている、可変状態にあるユニポーラ型抵抗変化素子の特性の一例を示す模式図である。

【0244】

当該論文に示される通り、ＮｉＯ、ＴｉＯ_２、ＨｆＯ_２、ＺｒＯ_２から構成された抵抗変化層を有する抵抗変化素子がユニポーラ特性を示すこと、及び、それらの遷移金属酸化物から構成された抵抗変化層が、製造直後には絶縁体であって、かつフォーミングストレスを与えるプロセスによって導電パスが形成されて可変状態に遷移することが知られている。

【0245】

抵抗変化層の材料と電極の組合せ、および抵抗変化材料にドープする不純物の材料等によっては、正電圧側でも負電圧側でも対称的にユニポーラ型で抵抗変化する素子が得られる。図１７は、当該素子の特性を例示する。

【0246】

図１７に示す例では、バイアス電圧の絶対値が０．５Ｖを超えると素子がリセット状態、つまりＨＲレベルへと推移し、バイアス電圧の絶対値１．０Ｖを超えると素子がセット状態、つまりＬＲレベルへと推移する。このような素子では、同じ極性で電圧の異なる電気的信号を印加することで、２個の抵抗状態の間を可逆的に遷移させることが可能である。

【0247】

しかし、図１７のような特性のユニポーラ型抵抗変化素子であれば、＋０．５Ｖ以上＋１Ｖ未満の正極性の電気的信号を印加することで高抵抗化させ、−１Ｖ以下（絶対値が１Ｖ以上）の負極性の電気的信号を印加することで低抵抗化させるように制御すれば、バイポーラ型抵抗変化素子として利用することもできる。本開示における技術では、バイポーラ型もユニポーラ型も、いずれのタイプでも使用可能である。

【0248】

抵抗変化素子は、印加する電気的信号の電圧（絶対値）、幅、および回数等の組合せにより、抵抗値が３以上の可変抵抗値範囲の間を可逆的に遷移する多値メモリとして利用されてもよい。例えば、抵抗変化層としてタンタル酸化物を用いた素子は、良好な特性を示し、多値メモリへ応用されうる。

【0249】

図１８は、抵抗変化素子の抵抗変化特性の一例を示す図である。横軸にパルス（電気的信号）の印加回数、縦軸に電気的信号を印加した後の抵抗値を示している（前述と同様に、抵抗値は読み出し電圧ＶＲを印加したときの電流から算出している）。三角点（黒塗り△）で示したものは負極性のパルス（電気的信号）を印加した後の抵抗値を示す。四角点（黒塗り□）は正極性のパルス（電気的信号）を印加した後の抵抗値を示す。

【0250】

図１８の素子の構成は、第１電極５１３の材料が窒化タンタル（ＴａＮ）、第２電極５１１の材料が白金（Ｐｔ）、抵抗変化層５１２の材料が積層構造のタンタル酸化物、抵抗変化層５１２の厚さが５０ｎｍ以下、第１電極５１３と抵抗変化層５１２との接触面および第２電極５１１と抵抗変化層５１２との接触面の面積が０．２５μｍ^２以下である。

【0251】

抵抗変化層５１２をなす層のうち、第１電極５１３に接する層が酸素濃度の低い層であって、組成をＴａＯ_ｘとすると０＜ｘ＜２．５である。一方、第２電極５１１に接する層が酸素濃度の高い層であって、組成をＴａＯ_ｙとするとｙ≧２．１であり、厚さが５．５ｎｍ程度である。

【0252】

図から分かるように、パルス電圧を１３００ｍＶから１５００ｍＶへと増加させていくと、正極性のパルスを印加した後の抵抗値は徐々に増加している。パルス電圧を１５００ｍＶに固定した場合、パルス幅を１００ｎＳｅｃ、１０００ｎＳｅｃ、２０００ｎＳｅｃに変えて行くと、正極性のパルスを印加した後の抵抗値は徐々に増加している。

【0253】

パルス電圧を比較的小さな１２００ｍＶに固定して電圧パルスを複数回重ねて印加すると、パルス印加後の抵抗値は徐々に増加する。このような特性を利用すると、比較的小さな電圧パルスにより抵抗値を微調整することが可能なこともわかる。すなわち、図１８のような特性を有する抵抗変化素子は、抵抗値を３以上の可変抵抗値範囲に制御性よく設定することができる。

【0254】

図１８の第２閾値で抵抗値を判定するセンスアンプを用いれば、＋１３００ｍＶ以上の正極性のパルスで書き込まれたメモリセル５０３は、全て第２閾値よりは抵抗値が大きいと判断され、２値データのうちゼロが出力される（閾値より抵抗値の大きなものはデジタルデータの０と定義した場合）。

【0255】

一方、負極性パルスの印加で書き込まれたメモリセル５０３と、＋１２００ｍＶ、１００ｎｓの正極性パルスで書き込まれたメモリセル５０３の抵抗値は、第２閾値より低いため、共に２値データのうち１が出力される（閾値より抵抗値の小さなデジタルデータの１と定義した場合）。なお、閾値の値と完全に一致する抵抗値を有するセルは、１に割り当てても良いし、ゼロに割り当ててもよい。

【0256】

さらに、図１８の第３閾値で抵抗値を判定するセンスアンプを用いれば、＋１２００ｍＶ以上の正極性のパルスで書き込まれたメモリセル５０３は、全て第３閾値よりは抵抗値が大きいと判断され、２値データのうちゼロが出力される。一方、負極性パルスの印加で書き込まれたメモリセル５０３の抵抗値のみが、第３閾値より低いため、２値データのうち１が出力される。

【0257】

このように２種類のセンスアンプの出力結果を組み合わせることで、図１８に示す素子を３値メモリとして使用することができる。

【0258】

このような抵抗変化素子（ＲｅＲＡＭ素子）の抵抗変化は、第２電極５１１と第１電極５１３とを電気的に接続する導電パスが抵抗変化層５１２内に発生することによって発生することを断面解析によって観察した。このとき導電パスは直径３０〜１０ｎｍ以下であり、最先端の微細な半導体プロセスで作製される配線幅より更に小さいことを見出した。すなわち上記で説明した抵抗変化素子の特性は、リソグラフィーによる加工の限界とされる超微細半導体プロセスで製造されても同様な安定した抵抗変化の特性を維持できる。

【0259】

また、抵抗変化素子（ＲｅＲＡＭ素子）の抵抗変化層を形成するプロセスには数百℃を超えるような高温熱処理が必要ない。このため、加熱プロセスによってＣ−ＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ−Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）トランジスタへの特性を劣化させることがない。

【0260】

すなわち抵抗変化素子は、フラッシュメモリなどのフローティングゲート型トランジスタを用いるメモリ素子に比べ、半導体プロセスとの親和性が非常に優れ、製造プロセスの微細化が進んでも抵抗変化の信頼性が低下することがない特徴を有している。

【0261】

そのため、例えば、コントローラ等のロジック回路と抵抗変化素子とが同一チップ上に形成される場合であっても、ロジック回路の特性への影響を抑えつつ抵抗変化素子を形成することができる。また、ロジック回路とプロセスを共通化することにより、製造コストを低減することができる。

【0262】

［動作モードおよびコマンド］
実施の形態２において、暗号化記録装置２が備える第一不揮発性メモリ２４として用いられる抵抗変化型メモリ５０１は、４以上の動作モードを有してもよい。この場合、抵抗変化型メモリ５０１は、外部から４以上のコマンドから選択される１のコマンドを受領し、該受領したコマンドに基づいて４以上の動作モードを選択的に実行してもよい。

【0263】

抵抗変化型メモリ５０１は、第１モードと第２モードとを択一的に実行してもよい。第一モードは、各メモリセル５０３が初期状態にあるか可変状態にあるかの違いを利用したデータの書き込みおよび読み出しを行う動作モードである。第２モードは、各メモリセル５０３の抵抗値が初期抵抗値範囲にあるか否かの違いを利用せず、各メモリセル５０３の抵抗値が少なくとも一つの可変抵抗値範囲にあるか否かの違いを利用したデータの書き込みおよび読み出しを行う動作モードである。

【0264】

例えば、図１４に示す例において、電気的な処理または信号を以下のように定義する。初期状態にあるメモリセル５０３を可変状態へと変化させるための電気的ストレスをフォーミングストレスとし、メモリセル５０３の抵抗値を第１抵抗値範囲から第２抵抗値範囲へと変化させるための電気的信号を低抵抗化パルスとし、メモリセル５０３の抵抗値を第２抵抗値範囲から第１抵抗値範囲へと変化させるための電気的信号を高抵抗化パルスとする。

【0265】

このとき、入力データ“１”に対して選択されたメモリセル５０３にフォーミングストレスを印加し、入力データ“０”に対して選択されたメモリセル５０３に電気的ストレスを印加しないように書き込み回路５０４を動作させるモードを特殊書き込みモード（第１書き込みモード）とする。特殊書き込みモードが実行されるように抵抗変化型メモリ５０１の外部から入力するコマンドを特殊書き込みコマンド（第１書き込みコマンド）とする。

【0266】

第１閾値を用いた判定によりデータを読み出すように読み出し回路５０５を動作させるモードを特殊読み出しモード（第１読み出しモード）とする。特殊読み出しモードが実行されるように抵抗変化型メモリ５０１の外部から入力するコマンドを特殊読み出しコマンド（第１読み出しコマンド）とする。

【0267】

入力データ“１”に対して選択されたメモリセル５０３に低抵抗化パルス（第２電気的信号）を印加し、入力データ“０”に対して選択されたメモリセル５０３に高抵抗化パルス（第１電気的信号）を印加するように書き込み回路５０４を動作させるモードを通常書き込みモード（第２書き込みモード）とする。通常書き込みモードが実行されるように抵抗変化型メモリ５０１の外部から入力するコマンドを通常書き込みコマンド（第２書き込みコマンド）とする。

【0268】

第２閾値を用いた判定によりデータを読み出すように読み出し回路５０５を動作させるモードを通常読み出しモード（第２読み出しモード）とする。通常読み出しモードが実行されるように抵抗変化型メモリ５０１の外部から入力するコマンドを通常読み出しコマンド（第２読み出しコマンド）とする。

【0269】

［データへのアクセス制限の具体例］
上記構成において、例えば、通常書き込みコマンドおよび通常読み出しコマンドは、抵抗変化型メモリ５０１のマニュアルなどで広く公開しておく一方で、特殊書き込みコマンドおよび特殊読み出しコマンドは抵抗変化型メモリ５０１の製造者のみが保有すること、すなわち秘匿することができる。

【0270】

この場合、例えば、抵抗変化型メモリ５０１の製造者は、特殊書き込みコマンドにより鍵管理テーブル２４１におけるアドレスとブロック固有鍵との複数の組を書き込み、暗号化記録装置２が鍵管理テーブル２４１を読み出す際に特殊読み込みコマンドを用いる。これにより、鍵管理テーブル２４１は、暗号化記録装置２内部からのみ読み書き可能な情報となり、鍵管理テーブル２４１の秘匿性をより向上させることが可能となる。

【0271】

なお、各アドレス（ブロック固有鍵）に対応するパスワード（図６Ａ参照）は、暗号化記録装置２が、通常書き込みコマンドにより抵抗変化型メモリ５０１に書き込む。この場合、パスワードが書き込まれるアドレスは、例えば、鍵管理テーブル２４１において各アドレスに対応して登録されたポインタ（特殊書き込みモードで書き込まれたポインタ）によって指定される。

【0272】

また、各アドレス（ブロック固有鍵）に対応するパスワードは、特殊書き込みコマンドによって鍵管理テーブル２４１に登録されてもよい。

【0273】

このようにセキュリティ強度の高い抵抗変化型メモリ５０１を、更に樹脂等により封止すれば、抵抗変化型メモリ５０１内部の配線にプローブをあてようとしても配線等が破損されてしまうため、電気抵抗を測定することで分析することも不可能である。そのため、特殊読み出しコマンドに相当するコマンドを漏洩しない限り、鍵管理テーブル２４１に不正にアクセスされることがない。

【0274】

従来技術で用いられているフラッシュメモリは、微細化が進むに従って、多値メモリとして用いた場合のデータ記録の信頼性が低下する。特に、コンテンツ復号鍵等の暗復号に使用する鍵データのビット列に誤りが発生すると、その鍵を用いて暗号化したデータが一切読み出すことができなくなり、場合によっては暗号化記録装置２本体にアクセスさえできないという非常に大きな被害が発生する。このため、これら鍵データは極めて信頼性の高い記録が求められる。

【0275】

これに対して、抵抗変化素子を用いたメモリセル５０３を備える抵抗変化型メモリ５０１は、微細化が進行した場合であっても、高い信頼性を保持することができる。特に、抵抗変化層中にフィラメントを形成して抵抗変化するタイプの抵抗変化素子の場合、フィラメントが形成される局所領域が素子サイズに比べて充分小さいため、素子サイズの微細化が進んでも抵抗変化特性への悪影響を低減できる。そのため、例えば上述の鍵データ等を高い信頼性で記憶することができる。

【0276】

また、暗号化および認証のいずれか少なくとも一方を実行するコントローラ回路と抵抗変化型メモリ５０１とが同一チップに形成される混載チップ構成としてもよい。これにより、暗号化および認証のいずれか少なくとも一方を実行するコントローラ回路と、抵抗変化型メモリ５０１との間で、鍵データを送受信する場合に、インタフェース上で信号波形を盗み読みされることにより鍵データが漏洩するリスクを低減できる。また、抵抗変化素子の特性上、物理解析により抵抗状態を判別することはほぼ不可能であり、物理的に鍵データが盗まれることはない。

【0277】

従来技術で用いられているフラッシュメモリをコントローラ回路と混載する場合、フラッシュメモリの製造プロセスはロジック回路に用いるＣ−ＭＯＳプロセスとは別な半導体プロセス工程が必要で、プロセスステップ数の増加に伴う製造コスト高を招いてしまう。さらにフラッシュメモリの製造プロセスでは高温熱処理が必要であるため、ロジック回路で用いるＣ−ＭＯＳプロセスの半導体特性に影響を与えトランジスタ特性の性能維持に多くの制約を与えてしまう。

【0278】

これに対して、抵抗変化素子を用いたメモリセル５０３からなるメモリアレイ５０２を備える抵抗変化型メモリ５０１は、製造工程に高温熱処理を必要とせず、Ｃ−ＭＯＳプロセスの半導体特性に影響を与えない。そのため、コントローラ回路と抵抗変化型メモリ５０１とが同一チップに形成される場合には、コントローラ回路等のロジック回路の特性を損なうことなく、あるいは、製造プロセスのコスト高を招くことなく、鍵データの秘匿性を高めることができる。

【0279】

上記の例では２個の特殊動作モードおよび特殊コマンドと２個の通常動作モードおよび通常コマンドとが設定されている場合を説明したが、動作モードおよびコマンドの数と組合せはこれに限定されるものでない。

【0280】

図１８のように可変状態のメモリセル５０３の抵抗値に７段階のレベルを設定できる場合には、初期状態を含めた特殊書き込みモードでは８段階のレベルを利用した３ビットデータの書き込みが行われ、初期状態を含めない通常書き込みモードでは４段階のレベルを利用した２ビットデータの書き込みが行われてもよい。書き込みに用いる抵抗値レベルの組合せは、利用システムに応じて適宜に選択されうる。

【0281】

［フォーミングストレス印加による可変状態への変化のランダム性］
初期状態にある素子の抵抗値を初期抵抗値範囲から所定の可変抵抗値範囲へと変化せしめる行為をフォーミング工程(ｆｏｒｍｉｎｇｐｒｏｃｅｓｓ)またはフォーミングライト（ｆｏｒｍｉｎｇｗｒｉｔｅ）と呼ぶ。

【0282】

前述したように、通常書き込みモードにおいて“０”を記録するために高抵抗状態へ変化させるための電気的信号の電圧をＶＨ、パルス幅をＴＰＨとし、通常書き込みモードにおいて“１”を記録するために低抵抗状態へ変化させるための電気的信号の電圧をＶＬ、パルス幅ＴＰＬとする。

【0283】

フォーミングライトに用いられる電気的ストレスの電圧をＶＦ、パルス幅をＴＰＦとする。このとき、｜ＶＦ｜＞｜ＶＨ｜および｜ＶＦ｜＞｜ＶＬ｜を条件１とし、ＴＰＦ＞ＴＰＨおよびＴＰＦ＞ＴＰＬを条件２とすれば、条件１および条件２の少なくともいずれか一方を充足してもよい。つまり、通常書き込みモードでの書き込み条件ではフォーミング工程が実行できないという特徴を有していてもよい。

【0284】

パルス幅について見ると、ＴＰＦ＞ＴＰＨおよびＴＰＦ＞ＴＰＬとしても、１回の印加では所定のフォーミング工程が完了しない場合には、フォーミング工程を完了するために複数回の電気的ストレスを印加してもよい。このとき、電気的ストレスの印加を繰り返してもよい。電気的ストレスの印加を繰り返す過程において、所定の増加量にて印加電圧を徐々に増加させてもよい。電気的ストレスの印加を繰り返す過程において、所定の増加量または増幅率でパルス幅を徐々に増加させてもよい。

【0285】

ここで、例えばメモリセルアレイ５０２内の全てのメモリセル５０３が初期状態にある場合に、全メモリセル５０３についてフォーミングを完了するためには、各メモリセル５０３について、規格化した累積印加時間にして１００００単位の電気的ストレスを印加する必要があると想定する。

【0286】

このとき、例えば１５０単位の電気的ストレスを印加した段階で電気的ストレスの印加を中止すると、当然ながら全てのメモリセル５０３が可変状態に変化することはない。しかしながら、実験の結果、この場合においても、初期状態から可変状態へと変化するメモリセル５０３がメモリセルアレイ５０２内にランダムに発生しうることが判明した。

【0287】

すなわち、メモリセルアレイ５０２は、初期状態から可変状態に変化させるような電気的ストレスが印加されたときに、初期状態から可変状態に変化するメモリセル５０３と、初期状態のまま維持されるメモリセル５０３とがランダムに発生する特性を有しうる。

【0288】

この特性を利用し、初期状態から可変状態へと変化するメモリセル５０３がランダムに発生することにより生成されるデータを、例えばブロック固有鍵を含むデータ（第１種データ）として扱うことができる。

【0289】

図１９は、規格化累積印加時間と、可変状態へ変化したメモリセル５０３の標準正規分布の偏差との関係をプロットした図である。素子の構成は、第１電極５１３の材料が窒化タンタル（ＴａＮ）、第２電極５１１の材料がイリジウム（Ｉｒ）、抵抗変化層５１２の材料が積層構造のタンタル酸化物、抵抗変化層５１２の厚さが５０ｎｍ、第１電極５１３と抵抗変化層５１２との接触面および第２電極５１１と抵抗変化層５１２との接触面の面積が０．２５μｍ^２以下である。

【0290】

抵抗変化層５１２をなす層のうち、第１電極５１３に接する層が酸素濃度の低い層であって、組成をＴａＯ_ｘとすると０＜ｘ＜２．５である。一方、第２電極５１１に接する層が酸素濃度の高い層であって、組成をＴａＯ_ｙとするとｙ≧２．１であり、厚さが５．５ｎｍ程度である。

【0291】

フォーミングストレスは、電圧が３．５Ｖ、最短のパルス幅が１０μＳｅｃである。メモリセル５０３の個数（メモリセルアレイ５０２の容量）は２５６キロビットである。なお、図１９の累積印加時間は最短パルス幅をもとに所定の係数をもつ規格化時間である。

【0292】

図に示すように、フォーミングが完了した累積ビット数の正規分布は累積印加時間に対してほぼ直線に分布している。このことから、初期状態から可変状態への変化が、極めてランダムに発生する現象であることが示される。このような、可変状態への変化のランダム性を用いることで、暗号化記録装置２ごとに、ユニークかつランダムなブロック固有鍵を作成することができる。

【0293】

図１９において規格化累積印加時間が“１５０”に達した時点でフォーミング工程における電気的ストレス（フォーミングストレス）の印加を停止すると、可変状態に変化したメモリセル５０３と、可変状態に変化しなかったメモリセル５０３とが、ほぼ半数ずつとなる。可変状態に変化するメモリセル５０３のロケーションはランダムである。この場合、メモリセルアレイ５０２において一部のメモリセル５０３がランダムに選択されることで、データがランダムデータをなすように生成されてメモリセルアレイ５０２に記録されることになる。このように、メモリセルアレイ５０２に対するフォーミング工程を途中で停止することで書き込まれるデータ（第１種データ）は、装置ごとにランダムかつ固有なデータとなる。

【0294】

可変状態に変化したメモリセル５０３と、可変状態に変化しなかったメモリセル５０３とが素子毎にランダムかつ固有に発生する理由としては、抵抗変化素子のプロセスばらつきや形状ばらつきの他に、例えば、フォーミングが完了するメモリセル５０３がランダムに発生することが考えられる。

【0295】

上述のとおり、金属酸化物中の欠陥サイトはメモリセル５０３毎にランダムに配置され、フォーミングによってこれらの欠陥サイト間を繋いでフィラメントが形成される。そのため、仮に初期状態にある複数のメモリセル５０３に一定の電気的ストレスを印加した場合であっても、フォーミングが完了するメモリセル５０３は、統計的に（例えば標準正規分布様に）ばらついて発生すると考えられる。

【0296】

そのため、仮にフォーミング工程において複数のメモリセル５０３に対して一様なストレスを印加する場合であっても、確率的にフィラメントが形成される素子と形成されない素子とが発生するように、電気的ストレスを調整することができると考えられる。なお、酸素欠陥サイト等が繋がることによってフィラメントパスが形成される材料であれば、同様のメカニズムによって説明できると推察される。

【0297】

一般にランダムなブロック固有鍵を発生させるためには、装置内において所定の関数を用いて生成されるランダム値を用いる。しかしながら、関数および入力される初期値が同じであれば、演算回数に応じて同じ値が出力されてしまう。関数式と初期値が漏洩すれば、装置内で生成されるランダム値が予測され、例えば、それを元に生成される暗号化キーなどが推測されて、セキュリティ事故に発展する虞がある。

【0298】

ランダム値の生成を、抵抗変化素子に固有のランダムな現象である初期状態から可変状態への変化を用いて行えば、予測不可能な態様でランダム値を生成する方式が確立できる。つまり、複数のメモリセル５０３に対するフォーミング工程を途中で停止する（当該複数のメモリセル５０３の全てに対するフォーミングの完了の前にフォーミングストレスの印加を停止する）ことで書き込まれたランダムデータを、上述したランダム値を得るための関数の初期値に用いると、更にランダム性が増し有効である。

【0299】

例えば、抵抗変化型メモリ５０１のメモリセルアレイ５０２のうちの、複数のメモリセル５０３を含む所定の領域に対し、上記のようにフォーミング工程を途中で停止する処理を行う。これにより、当該所定の領域には、初期状態のままのメモリセル５０３と、可変状態に変化したメモリセル５０３とがランダムに存在する。

【0300】

この場合、例えば、特殊読み出しコマンドによって、初期状態のままのメモリセル５０３を“０とし、可変状態に変化したメモリセル５０３を“１”として読み出すことで、当該所定の領域から、複数のランダムな値（ビット列）が得られる。これら複数の値を、メモリセルアレイ５０２のうちの、通常領域に含まれる複数のブロックに対応するそれぞれに対応するブロック固有鍵として採用する。

【0301】

具体的には、当該所定の領域から読み出した所定の長さのビット列に示される値を、ブロック固有鍵として鍵管理テーブル２４１に登録する。または、鍵管理テーブル２４１に、当該所定の領域内のいずれかのアドレスを指定するポインタを登録することで、当該アドレスから読み出される所定の長さのビット列に示される値をブロック固有鍵として扱うことができる。なお、当該ポインタは、上記フォーミング工程の途中停止による複数のランダム値の生成の前に、鍵管理テーブル２４１に登録されていてもよい。

【0302】

このように、抵抗変化型メモリ５０１では、（ｉ）選択されたメモリセル５０３のみにフォーミングストレスを印加することで、記録を指示されたデータを記録することができ、かつ、（ｉｉ）複数のメモリセル５０３に対するフォーミングストレスの印加を途中で停止することで、ランダムな値を示す複数のデータを生成（記録）することもできる。これら（ｉ）および（ｉｉ）のいずれの場合であっても、抵抗変化型メモリ５０１に記録されるデータは、各メモリセル５０３の抵抗値が初期抵抗値範囲にあるか否かの違いを利用して記録されたデータ（第１種データ）である。

【0303】

以上説明したように、実施の形態２における抵抗変化型メモリ５０１は、以下の特徴を有する。

【0304】

（第１の特徴）
フォーミングのために印加される電気的ストレス（フォーミングストレス）を制御することにより、初期抵抗値範囲に設定されたメモリセル５０３の個数と、可変状態に設定されたメモリセル５０３の個数を適切な割合に設定することができる。これにより、特殊書き込みコマンドおよび特殊読み出しコマンドのそれぞれでアクセスする領域の大きさを調整し、複数のブロック固有鍵を生成および格納できるように構成することが可能である。

【0305】

（第２の特徴）
抵抗変化素子に固有のランダムな現象である初期状態から可変状態への変化を用いてランダム値の生成を行うことにより、予測不可能な態様でランダム値を生成することが可能である。これにより、例えば、より秘匿性の高い複数のブロック固有鍵の生成が可能である。

【0306】

（第３の特徴）
特殊書き込みコマンドにより抵抗変化型メモリ５０１にブロック固有鍵等の秘匿データを書き込み、暗号化記録装置２が該秘匿データを読み出す際に特殊読み込みコマンドを用いることができる。これにより、該秘匿データは暗号化記録装置２内部からのみ読み書き可能となり、アクセス装置１からは直接読み出すことはできない。

【0307】

すなわち、抵抗変化型メモリ５０１は、上記特徴により、ランダム性の高いブロック固有鍵を生成すると共に、ブロック固有鍵を安全に秘匿することが可能である。そのため、抵抗変化型メモリ５０１は、第一不揮発性メモリ２４に使用することに適した不揮発性メモリである。

【0308】

以上のように、本開示における技術の例示として、実施の形態１および２を説明した。そのために、添付図面および詳細な説明を提供した。

【0309】

したがって、添付図面および詳細な説明に記載された構成要素の中には、課題解決のために必須な構成要素だけでなく、上記技術を例示するために、課題解決のためには必須でない構成要素も含まれ得る。そのため、それらの必須ではない構成要素が添付図面や詳細な説明に記載されていることをもって、直ちに、それらの必須ではない構成要素が必須であるとの認定をするべきではない。

【0310】

また、本発明を上記の実施の形態１および２に基づいて説明してきたが、本発明は上記の実施の形態１および２に限定されないのは勿論である。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で実施変更することができる。実施の形態１および２で記載された数値は一例であり、他の値を使用してもよい。また、実施の形態１において説明した種々の変形例を実施の形態２に適用しても構わない。

【産業上の利用可能性】

【0311】

本開示は、ＰＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）、タブレット、スマートフォン、または、ゲーム端末等のアクセス装置と接続される、メモリカード、ＨＤＤ、またはＳＳＤ等の暗号化記録装置等に適用可能である。

【符号の説明】

【0312】

１ アクセス装置
２ 暗号化記録装置
１１、２１ ＣＰＵ
１２、２２ ＲＡＭ
１３、２３ ＲＯＭ
１４ 不揮発性メモリ
１５、２５ インタフェース
２４ 第一不揮発性メモリ
２６ 第二不揮発性メモリ
１３１ アクセス制御部
１４１ パスワード管理テーブル
２３１ 暗復号制御部
２４１ 鍵管理テーブル
２６１ 暗号化データ
３０１ ファイルシステム管理情報領域
３０２ ユーザデータ領域
３０３ マスターブートレコード・パーティションテーブル
３０４ パーティションブートセクタ
３０５、３０６ ＦＡＴ
３０７ ルートディレクトリエントリ
３０８ ディレクトリエントリ
４０１ アドレス変換テーブル
４０２ 予備ブロック固有鍵テーブル
５０１ 抵抗変化型メモリ
５０２ メモリセルアレイ
５０３ メモリセル
５０４ 書き込み回路
５０５ 読み出し回路
５１０ 抵抗変化素子
５１１ 第２電極
５１２ 抵抗変化層
５１３ 第１電極
５１４ 下地層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6A】

【図6B】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】