特許 6049229 下部突出部を有する主磁極を備えた垂直磁気記録用磁気ヘッド

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6049229

(24)【登録日】2016年12月2日

(45)【発行日】2016年12月21日

(54)【発明の名称】下部突出部を有する主磁極を備えた垂直磁気記録用磁気ヘッド

(51)【国際特許分類】

   G11B 5/31 20060101AFI20161212BHJP

【ＦＩ】

   G11B5/31 D

   G11B5/31 C

   G11B5/31 Q

【請求項の数】17

【全頁数】44

(21)【出願番号】特願2015-213618(P2015-213618)

(22)【出願日】2015年10月30日

(65)【公開番号】特開2016-115384(P2016-115384A)

(43)【公開日】2016年6月23日

【審査請求日】2015年10月30日

(31)【優先権主張番号】14/567,590

(32)【優先日】2014年12月11日

(33)【優先権主張国】US

(73)【特許権者】

【識別番号】500475649

【氏名又は名称】ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100107559

【弁理士】

【氏名又は名称】星宮 勝美

(72)【発明者】

【氏名】佐々木 芳高

(72)【発明者】

【氏名】佐藤 一樹

(72)【発明者】

【氏名】伊藤 浩幸

(72)【発明者】

【氏名】種村 茂樹

(72)【発明者】

【氏名】荒木 宏典

(72)【発明者】

【氏名】池川 幸徳

【審査官】 川中 龍太

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１３−０２５８５９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許第８２９５００８（ＵＳ，Ｂ１）

【文献】 特開２０１４−０３５７８５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許第８５２０３３７（ＵＳ，Ｂ１）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ１１Ｂ ５／３１ − ５／３２５

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

記録媒体に対向する媒体対向面と、
前記記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
前記コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって前記情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する主磁極と、
磁性材料よりなる記録シールドと、
非磁性材料よりなり、前記主磁極と前記記録シールドとの間に設けられたギャップ部と、
上面を有する基板とを備えた垂直磁気記録用磁気ヘッドであって、
前記コイル、主磁極、記録シールドおよびギャップ部は、前記基板の上面の上方に配置され、
前記記録シールドは、下部シールド、上部シールド、第１のサイドシールドおよび第２のサイドシールドを含み、
前記主磁極は、本体と、前記本体から前記基板の上面に向けて突出した下部突出部とを含み、
前記下部突出部は、前記媒体対向面から離れた位置にあり、
前記本体は、前記下部突出部よりも前記媒体対向面により近い位置にある前方部と、前記前方部よりも前記媒体対向面からより遠い位置にある後方部とを含み、
前記前方部は、前記媒体対向面に配置された端面と、前記基板の上面から最も遠い上面と、前記上面とは反対側の下端と、トラック幅方向の両側に位置する第１および第２の側面とを有し、
前記下部突出部は、前記媒体対向面に向いた前端面と、前記基板の上面に向いた下面と、トラック幅方向の両側に位置する第３および第４の側面とを有し、
前記下部シールドは、前記前方部に対して記録媒体の進行方向の後側に配置され、
前記上部シールドは、前記前方部に対して記録媒体の進行方向の前側に配置され、
前記第１および第２のサイドシールドは、前記前方部に対してトラック幅方向の両側に配置され、
前記ギャップ部は、前記下部シールド、前記第１のサイドシールドおよび前記第２のサイドシールドと前記主磁極との間に介在する第１の部分と、前記主磁極と前記上部シールドとの間に介在する第２の部分とを有し、
前記第１のサイドシールドは、前記媒体対向面に配置された第１の前端面と、前記第１の側面に対向する第１の側壁と、前記第１の側壁に連続し前記第１の前端面とは反対側に位置する第１の後端面とを有し、
前記第２のサイドシールドは、前記媒体対向面に配置された第２の前端面と、前記第２の側面に対向する第２の側壁と、前記第２の側壁に連続し前記第２の前端面とは反対側に位置する第２の後端面とを有し、
前記下部シールドは、前記基板の上面から最も遠い上面と、前記下部シールドの前記上面から窪んで前記下部突出部の一部を収容する収容部とを含み、
前記収容部は、前記下部突出部の前端面に対向する前方壁面と、前記第３の側面に対向する第３の側壁と、前記第４の側面に対向する第４の側壁とを有し、
前記第１の側壁は、前記基板の上面に最も近い第１の端縁を有し、
前記第２の側壁は、前記基板の上面に最も近い第２の端縁を有し、
前記第３の側壁は、前記基板の上面から最も遠い第３の端縁を有し、
前記第４の側壁は、前記基板の上面から最も遠い第４の端縁を有し、
前記第３の端縁は、前記第１の端縁に連続し、
前記第４の端縁は、前記第２の端縁に連続していることを特徴とする垂直磁気記録用磁気ヘッド。

【請求項2】

更に、前記下部シールドよりも前記媒体対向面からより遠い位置にあって、前記下部シールドに連続する非磁性層を備え、前記非磁性層は、前記下部突出部の他の一部を収容する凹部を有することを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。

【請求項3】

トラック幅方向についての前記第３の端縁と前記第４の端縁の間隔は、前記媒体対向面から遠ざかるに従って大きくなっていることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。

【請求項4】

前記下部突出部の前端面における任意の位置の前記媒体対向面からの距離は、前記任意の位置が前記基板の上面に近づくに従って大きくなっていることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。

【請求項5】

前記下部シールドの前記上面における任意の位置の前記基板の上面からの距離は、前記任意の位置が前記媒体対向面から遠ざかるに従って小さくなっていることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。

【請求項6】

前記第１の後端面と前記第２の後端面は、それぞれ、前記基板の上面から最も遠い端縁であって、前記媒体対向面に平行な端縁を有することを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。

【請求項7】

前記第１の後端面の前記端縁と前記第２の後端面の前記端縁は、それぞれ、前記媒体対向面から３０〜９０ｎｍの距離の範囲内に位置していることを特徴とする請求項６記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。

【請求項8】

前記後方部と交差し且つ前記媒体対向面に平行な任意の断面において、前記後方部は、前記下部突出部よりも大きなトラック幅方向の幅を有することを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。

【請求項9】

前記第１および第２の側壁と交差し且つ前記媒体対向面に平行な任意の断面において、トラック幅方向についての前記第１の側壁と前記第２の側壁の間隔は前記基板の上面に近づくに従って小さくなっており、トラック幅方向についての前記第１の側面と前記第２の側面の間隔は前記基板の上面に近づくに従って小さくなっていることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。

【請求項10】

前記後方部は、前記第１の後端面に対向する第１の端面と、前記第２の後端面に対向する第２の端面とを有し、
前記第１の後端面が前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、前記第１の側壁が前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さく、
前記第２の後端面が前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、前記第２の側壁が前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さく、
前記第１の端面が前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、前記第１の側面が前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さく、
前記第２の端面が前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、前記第２の側面が前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さいことを特徴とする請求項９記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。

【請求項11】

前記ギャップ部の前記第１の部分は、第１および第２のギャップ膜を有し、
前記第１のギャップ膜は、前記媒体対向面に最も近い端部であって、前記媒体対向面から離れた位置に配置された端部を有し、前記第１のギャップ膜の少なくとも一部が前記収容部内に位置し、
前記第２のギャップ膜は、前記媒体対向面に配置された端部を有し、前記第１のギャップ膜の上に積層されていることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。

【請求項12】

前記ギャップ部の前記第１の部分は、第１および第２のギャップ膜を有し、
前記第１のギャップ膜は、前記媒体対向面に配置された端部を有し、前記第１のギャップ膜の一部が前記収容部内に位置し、
前記第２のギャップ膜は、前記媒体対向面に最も近い端部であって、前記媒体対向面から離れた位置に配置された端部を有し、前記第１のギャップ膜の上に積層され、前記第２のギャップ膜の少なくとも一部が前記収容部の上方に位置していることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。

【請求項13】

請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法であって、
初期下部シールドを形成する工程と、
前記初期下部シールドを形成する工程の後で、前記第１のサイドシールドとなる予定の第１のサイドシールド予定部と除去される予定の第１の除去予定部とを含む第１の初期サイドシールドと、前記第２のサイドシールドとなる予定の第２のサイドシールド予定部と除去される予定の第２の除去予定部とを含む第２の初期サイドシールドを形成する工程と、
前記第１および第２の初期サイドシールドのうちの前記第１および第２のサイドシールド予定部を覆うマスクを形成する工程と、
前記第１および第２の初期サイドシールドのうちの前記第１および第２の除去予定部が除去されると共に、前記初期下部シールドに前記収容部が形成されるように、前記第１および第２の初期サイドシールドのうちの前記マスクによって覆われていない部分と前記初期下部シールドのうちの前記第１および第２の初期サイドシールドならびに前記マスクによって覆われていない部分とをエッチングするエッチング工程と、
前記エッチング工程の後で、前記ギャップ部の前記第１の部分を形成する工程と、
前記ギャップ部の前記第１の部分を形成する工程の後で、初期主磁極を形成する工程と、
前記初期主磁極を形成する工程の後で、前記ギャップ部の前記第２の部分を形成する工程と、
前記ギャップ部の前記第２の部分を形成する工程の後で、初期上部シールドを形成する工程と、
前記コイルを形成する工程と、
前記初期下部シールドが前記下部シールドになり、前記第１の初期サイドシールドが前記第１のサイドシールドになり、前記第２の初期サイドシールドが前記第２のサイドシールドになり、前記初期主磁極が前記主磁極になり、前記初期上部シールドが前記上部シールドになるように、前記媒体対向面を形成する工程とを備え、
前記第１のサイドシールド予定部は前記第１の側壁を有し、前記第１の除去予定部は前記第１の側壁に連続する第５の側壁を有し、前記第２のサイドシールド予定部は前記第２の側壁を有し、前記第２の除去予定部は前記第２の側壁に連続する第６の側壁を有することを特徴とする製造方法。

【請求項14】

前記垂直磁気記録用磁気ヘッドは、更に、前記下部シールドよりも前記媒体対向面からより遠い位置にあって前記下部シールドに連続する非磁性層を備え、前記非磁性層は、前記下部突出部の他の一部を収容する凹部を有し、
前記製造方法は、更に、前記第１の初期サイドシールドと前記第２の初期サイドシールドを形成する工程の前に、初期非磁性層を形成する工程を備え、
前記第１の初期サイドシールドと前記第２の初期サイドシールドは、前記初期下部シールドおよび前記初期非磁性層の上に形成され、
前記エッチング工程では、前記初期非磁性層に前記凹部が形成されて、前記初期非磁性層が前記非磁性層になるように、前記初期非磁性層のうちの前記第１および第２の初期サイドシールドによって覆われていない部分がエッチングされることを特徴とする請求項１３記載の製造方法。

【請求項15】

前記後方部と交差し且つ前記媒体対向面に平行な任意の断面において、前記後方部は、前記下部突出部よりも大きなトラック幅方向の幅を有し、
前記初期主磁極を形成する工程は、フレームめっき法によって、前記初期主磁極を形成することを特徴とする請求項１３記載の製造方法。

【請求項16】

前記ギャップ部の前記第１の部分は、第１および第２のギャップ膜を有し、前記第１のギャップ膜は、前記媒体対向面に最も近い端部であって、前記媒体対向面から離れた位置に配置された端部を有し、前記第１のギャップ膜の少なくとも一部が前記収容部内に位置し、前記第２のギャップ膜は、前記媒体対向面に配置された端部を有し、
前記ギャップ部の前記第１の部分を形成する工程は、前記第１のギャップ膜を形成する工程と、前記第１のギャップ膜を覆うように前記第２のギャップ膜を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項１３記載の製造方法。

【請求項17】

前記ギャップ部の前記第１の部分は、第１および第２のギャップ膜を有し、前記第１のギャップ膜は、前記媒体対向面に配置された端部を有し、前記第１のギャップ膜の一部が前記収容部内に位置し、前記第２のギャップ膜は、前記媒体対向面に最も近い端部であって、前記媒体対向面から離れた位置に配置された端部を有し、前記第２のギャップ膜の少なくとも一部が前記収容部の上方に位置し、
前記ギャップ部の前記第１の部分を形成する工程は、前記第１のギャップ膜を形成する工程と、前記第１のギャップ膜の上に前記第２のギャップ膜を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項１３記載の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、垂直磁気記録方式によって記録媒体に情報を記録するために用いられる垂直磁気記録用磁気ヘッドに関し、特に、下部突出部を有する主磁極を備えた垂直磁気記録用磁気ヘッドに関する。

【背景技術】

【0002】

磁気記録再生装置における記録方式には、信号磁化の向きを記録媒体の面内方向（長手方向）とする長手磁気記録方式と、信号磁化の向きを記録媒体の面に対して垂直な方向とする垂直磁気記録方式とがある。垂直磁気記録方式は、長手磁気記録方式に比べて、記録媒体の熱揺らぎの影響を受けにくく、高い線記録密度を実現することが可能であると言われている。

【0003】

一般的に、垂直磁気記録用磁気ヘッドとしては、長手磁気記録用磁気ヘッドと同様に、読み出し用の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ（Magnetoresistive）素子とも記す。）を有する再生ヘッド部と、書き込み用の誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッド部とを、基板の上面上に積層した構造のものが用いられる。記録ヘッド部は、記録媒体の面に対して垂直な方向の記録磁界を発生する主磁極を備えている。主磁極は、記録媒体に対向する媒体対向面に配置された端面を有している。

【0004】

主磁極は、例えば、一端部が媒体対向面に配置されたトラック幅規定部と、このトラック幅規定部の他端部に連結された幅広部とを有している。トラック幅規定部の上面の幅は、幅広部の上面の幅よりも小さい。媒体対向面におけるトラック幅規定部の上面の幅は、トラック幅を規定する。高記録密度化のためには、トラック幅は小さい方がよい。ここで、媒体対向面に垂直な方向についてのトラック幅規定部の長さをネックハイトと呼ぶ。記録ヘッド部の記録特性、例えば重ね書きの性能を表わすオーバーライト特性を向上させるために、ネックハイトは小さい方がよい。

【0005】

ハードディスク装置等の磁気ディスク装置に用いられる磁気ヘッドは、一般的に、スライダの形態を有している。スライダは、上記媒体対向面を有している。この媒体対向面は、空気流入端（リーディング端）と空気流出端（トレーリング端）とを有している。そして、リーディング端から媒体対向面と記録媒体との間に流入する空気流によって、スライダは記録媒体の表面からわずかに浮上するようになっている。

【0006】

ここで、基準の位置に対して、よりリーディング端に近い位置をリーディング側と定義し、基準の位置に対して、よりトレーリング端に近い位置をトレーリング側と定義する。リーディング側は、スライダに対する記録媒体の進行方向の後側である。トレーリング側は、スライダに対する記録媒体の進行方向の前側である。

【0007】

スライダにおいて、一般的に、磁気ヘッドは媒体対向面におけるトレーリング端近傍に配置される。磁気ディスク装置において、磁気ヘッドの位置決めは、例えばロータリーアクチュエータによって行なわれる。この場合、磁気ヘッドは、ロータリーアクチュエータの回転中心を中心とした円軌道に沿って記録媒体上を移動する。このような磁気ディスク装置では、磁気ヘッドのトラック横断方向の位置に応じて、スキューと呼ばれる、円形のトラックの接線に対する磁気ヘッドの傾きが生じる。

【0008】

特に、長手磁気記録方式に比べて記録媒体への書き込み能力が高い垂直磁気記録方式の磁気ディスク装置では、上述のスキューが生じると、あるトラックへの信号の記録時に、記録対象のトラックの近傍の１以上のトラックに記録された信号が消去されたり減衰したりする現象が生じる場合がある。この現象を、本出願では、望まれない消去と呼ぶ。望まれない消去には、隣接トラック消去（ＡＴＥ）と広域トラック消去（ＷＡＴＥ）が含まれる。高記録密度化のためには、望まれない消去の発生を抑制する必要がある。

【0009】

上述のようなスキューに起因した望まれない消去の発生を抑制する技術としては、例えば、特許文献１に記載されているように、媒体対向面において主磁極の端面の周りを囲むように配置された端面を有する記録シールド（以下、ラップアラウンドシールドと言う。）を設ける技術が知られている。このラップアラウンドシールドは、主磁極に対してリーディング側に配置された下部シールドと、主磁極に対してトレーリング側に配置された上部シールドと、主磁極のトラック幅方向の両側に配置された２つのサイドシールドとを含んでいる。ラップアラウンドシールドを備えた磁気ヘッドによれば、主磁極の端面より発生されてトラック幅方向に広がる磁束を記録シールドによって取り込むことができることから、望まれない消去の発生を抑制することができる。

【0010】

垂直磁気記録用磁気ヘッドでは、記録密度の一層の向上が求められている。ラップアラウンドシールドを備えた磁気ヘッドにおいて、記録密度の向上のためには、特に以下の２つの目標を達成することが重要である。第１の目標は、媒体対向面に配置された端面の形状が小さく、且つ媒体対向面の近傍において媒体対向面に平行な断面の面積が大きい主磁極を実現することである。第２の目標は、主磁極からラップアラウンドシールドへの磁束の漏れを少なくすることである。

【0011】

上記第１の目標を達成することが可能な主磁極の１つとしては、特許文献１に記載されているように、本体と、本体から基板の上面に向けて突出した下部突出部を有する主磁極が知られている。下部突出部は、媒体対向面から離れた位置にある。また、下部突出部は、媒体対向面に向いた前端面を有している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0012】

【特許文献1】特開２０１４−３５７８５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0013】

以下、下部突出部を有する主磁極と、ラップアラウンドシールドとを備えた磁気ヘッドにおける問題点について説明する。このような磁気ヘッドを製造する従来の一般的な方法では、下部シールドの形成後、フォトリソグラフィによって形成されたマスクを用いて、フレームめっき法によって主磁極を形成していた。

【0014】

この従来の製造方法では、２つのサイドシールドと下部突出部の位置合わせは、フォトリソグラフィによって形成されたマスクの位置精度に依存する。この製造方法では、２つのサイドシールドと下部突出部との位置ずれが発生する。この製造方法によって製造される従来の磁気ヘッドでは、下部突出部の前端面を媒体対向面の近くに配置した構造にすると、上記の位置ずれが生じたときに、下部突出部は一方のサイドシールドに近づくため、下部突出部から一方のサイドシールドへの磁束の漏れが生じる。従来は、この磁束の漏れを防止するため、下部突出部の前端面を、媒体対向面から０．５μｍ以上離していた。

【0015】

これらのことから、従来は、記録密度の向上のために特に重要な前述の２つの目標を同時に達成することができなかった。

【0016】

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、下部突出部を有する主磁極と記録シールドとを備えた垂直磁気記録用磁気ヘッドであって、記録密度を向上できるようにした垂直磁気記録用磁気ヘッドおよびその製造方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0017】

本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面と、コイルと、主磁極と、磁性材料よりなる記録シールドと、ギャップ部と、上面を有する基板とを備えている。コイルは、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。主磁極は、コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。ギャップ部は、非磁性材料よりなり、主磁極と記録シールドとの間に設けられている。コイル、主磁極、記録シールドおよびギャップ部は、基板の上面の上方に配置されている。

【0018】

記録シールドは、下部シールド、上部シールド、第１のサイドシールドおよび第２のサイドシールドを含んでいる。主磁極は、本体と、本体から基板の上面に向けて突出した下部突出部とを含んでいる。下部突出部は、媒体対向面から離れた位置にある。本体は、下部突出部よりも媒体対向面により近い位置にある前方部と、前方部よりも媒体対向面からより遠い位置にある後方部とを含んでいる。前方部は、媒体対向面に配置された端面と、基板の上面から最も遠い上面と、上面とは反対側の下端と、トラック幅方向の両側に位置する第１および第２の側面とを有している。下部突出部は、媒体対向面に向いた前端面と、基板の上面に向いた下面と、トラック幅方向の両側に位置する第３および第４の側面とを有している。

【0019】

下部シールドは、前方部に対して記録媒体の進行方向の後側に配置されている。上部シールドは、前方部に対して記録媒体の進行方向の前側に配置されている。第１および第２のサイドシールドは、前方部に対してトラック幅方向の両側に配置されている。ギャップ部は、下部シールド、第１のサイドシールドおよび第２のサイドシールドと主磁極との間に介在する第１の部分と、主磁極と上部シールドとの間に介在する第２の部分とを有している。

【0020】

第１のサイドシールドは、媒体対向面に配置された第１の前端面と、第１の側面に対向する第１の側壁と、第１の側壁に連続し第１の前端面とは反対側に位置する第１の後端面とを有している。第２のサイドシールドは、媒体対向面に配置された第２の前端面と、第２の側面に対向する第２の側壁と、第２の側壁に連続し第２の前端面とは反対側に位置する第２の後端面とを有している。

【0021】

下部シールドは、基板の上面から最も遠い上面と、下部シールドの上面から窪んで下部突出部の一部を収容する収容部とを含んでいる。収容部は、下部突出部の前端面に対向する前方壁面と、第３の側面に対向する第３の側壁と、第４の側面に対向する第４の側壁とを有している。第１の側壁は、基板の上面に最も近い第１の端縁を有している。第２の側壁は、基板の上面に最も近い第２の端縁を有している。第３の側壁は、基板の上面から最も遠い第３の端縁を有している。第４の側壁は、基板の上面から最も遠い第４の端縁を有している。第３の端縁は、第１の端縁に連続している。第４の端縁は、第２の端縁に連続している。

【0022】

本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドは、更に、下部シールドよりも媒体対向面からより遠い位置にあって、下部シールドに連続する非磁性層を備えていてもよい。非磁性層は、下部突出部の他の一部を収容する凹部を有している。

【0023】

また、本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドにおいて、トラック幅方向についての第３の端縁と第４の端縁の間隔は、媒体対向面から遠ざかるに従って大きくなっていてもよい。

【0024】

また、本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドにおいて、下部突出部の前端面における任意の位置の媒体対向面からの距離は、任意の位置が基板の上面に近づくに従って大きくなっていてもよい。

【0025】

また、本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドにおいて、下部シールドの上面における任意の位置の基板の上面からの距離は、任意の位置が媒体対向面から遠ざかるに従って小さくなっていてもよい。

【0026】

また、本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドにおいて、第１の後端面と第２の後端面は、それぞれ、基板の上面から最も遠い端縁であって、媒体対向面に平行な端縁を有していてもよい。第１の後端面の端縁と第２の後端面の端縁は、それぞれ、媒体対向面から３０〜９０ｎｍの距離の範囲内に位置していてもよい。

【0027】

また、本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドにおいて、後方部と交差し且つ媒体対向面に平行な任意の断面において、後方部は、下部突出部よりも大きなトラック幅方向の幅を有していてもよい。

【0028】

また、本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドにおいて、第１および第２の側壁と交差し且つ媒体対向面に平行な任意の断面において、トラック幅方向についての第１の側壁と第２の側壁の間隔は基板の上面に近づくに従って小さくなっていてもよく、トラック幅方向についての第１の側面と第２の側面の間隔は基板の上面に近づくに従って小さくなっていてもよい。この場合、後方部は、第１の後端面に対向する第１の端面と、第２の後端面に対向する第２の端面とを有していてもよい。第１の後端面が基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、第１の側壁が基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さくてもよい。第２の後端面が基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、第２の側壁が基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さくてもよい。第１の端面が基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、第１の側面が基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さくてもよい。第２の端面が基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、第２の側面が基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さくてもよい。

【0029】

また、本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドにおいて、ギャップ部の第１の部分は、第１および第２のギャップ膜を有していてもよい。この場合、第１のギャップ膜は、媒体対向面に最も近い端部であって、媒体対向面から離れた位置に配置された端部を有し、第１のギャップ膜の少なくとも一部が収容部内に位置していてもよい。また、第２のギャップ膜は、媒体対向面に配置された端部を有し、第１のギャップ膜の上に積層されていてもよい。

【0030】

あるいは、第１のギャップ膜は、媒体対向面に配置された端部を有し、第１のギャップ膜の一部が収容部内に位置していてもよい。また、第２のギャップ膜は、媒体対向面に最も近い端部であって、媒体対向面から離れた位置に配置された端部を有し、第１のギャップ膜の上に積層され、第２のギャップ膜の少なくとも一部が収容部の上方に位置していてもよい。

【0031】

本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法は、
初期下部シールドを形成する工程と、
初期下部シールドを形成する工程の後で、第１のサイドシールドとなる予定の第１のサイドシールド予定部と除去される予定の第１の除去予定部とを含む第１の初期サイドシールドと、第２のサイドシールドとなる予定の第２のサイドシールド予定部と除去される予定の第２の除去予定部とを含む第２の初期サイドシールドを形成する工程と、
第１および第２の初期サイドシールドのうちの第１および第２のサイドシールド予定部を覆うマスクを形成する工程と、
第１および第２の初期サイドシールドのうちの第１および第２の除去予定部が除去されると共に、初期下部シールドに収容部が形成されるように、第１および第２の初期サイドシールドのうちのマスクによって覆われていない部分と初期下部シールドのうちの第１および第２の初期サイドシールドならびにマスクによって覆われていない部分とをエッチングするエッチング工程と、
エッチング工程の後で、ギャップ部の第１の部分を形成する工程と、
ギャップ部の第１の部分を形成する工程の後で、初期主磁極を形成する工程と、
初期主磁極を形成する工程の後で、ギャップ部の第２の部分を形成する工程と、
ギャップ部の第２の部分を形成する工程の後で、初期上部シールドを形成する工程と、
コイルを形成する工程と、
初期下部シールドが下部シールドになり、第１の初期サイドシールドが第１のサイドシールドになり、第２の初期サイドシールドが第２のサイドシールドになり、初期主磁極が主磁極になり、初期上部シールドが上部シールドになるように、媒体対向面を形成する工程とを備えている。

【0032】

第１のサイドシールド予定部は、第１の側壁を有している。第１の除去予定部は、第１の側壁に連続する第５の側壁を有している。第２のサイドシールド予定部は、第２の側壁を有している。第２の除去予定部は、第２の側壁に連続する第６の側壁を有している。

【0033】

本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法において、垂直磁気記録用磁気ヘッドは、更に、下部シールドよりも媒体対向面からより遠い位置にあって下部シールドに連続する非磁性層を備えていてもよい。非磁性層は、下部突出部の他の一部を収容する凹部を有している。また、本発明の製造方法は、更に、第１の初期サイドシールドと第２の初期サイドシールドを形成する工程の前に、初期非磁性層を形成する工程を備えていてもよい。この場合、第１の初期サイドシールドと第２の初期サイドシールドは、初期下部シールドおよび初期非磁性層の上に形成される。また、エッチング工程では、初期非磁性層に凹部が形成されて、初期非磁性層が非磁性層になるように、初期非磁性層のうちの第１および第２の初期サイドシールドによって覆われていない部分がエッチングされる。

【0034】

また、本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法において、後方部と交差し且つ媒体対向面に平行な任意の断面において、後方部は、下部突出部よりも大きなトラック幅方向の幅を有していてもよい。また、初期主磁極を形成する工程は、フレームめっき法によって、初期主磁極を形成してもよい。

【0035】

また、本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法において、ギャップ部の第１の部分は、第１および第２のギャップ膜を有していてもよい。この場合、第１のギャップ膜は、媒体対向面に最も近い端部であって、媒体対向面から離れた位置に配置された端部を有し、第１のギャップ膜の少なくとも一部が収容部内に位置していてもよい。また、第２のギャップ膜は、媒体対向面に配置された端部を有していてもよい。また、ギャップ部の第１の部分を形成する工程は、第１のギャップ膜を形成する工程と、第１のギャップ膜を覆うように第２のギャップ膜を形成する工程とを含んでいてもよい。

【0036】

あるいは、第１のギャップ膜は、媒体対向面に配置された端部を有し、第１のギャップ膜の一部が収容部内に位置していてもよい。また、第２のギャップ膜は、媒体対向面に最も近い端部であって、媒体対向面から離れた位置に配置された端部を有し、第２のギャップ膜の少なくとも一部が収容部の上方に位置していてもよい。また、ギャップ部の第１の部分を形成する工程は、第１のギャップ膜を形成する工程と、第１のギャップ膜の上に第２のギャップ膜を形成する工程とを含んでいてもよい。

【発明の効果】

【0037】

本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドおよびその製造方法では、媒体対向面に配置された端面の形状が小さく、且つ媒体対向面の近傍において媒体対向面に平行な断面の面積が大きい主磁極を実現するという第１の目標と、主磁極から記録シールドへの磁束の漏れを少なくするという第２の目標を、同時に達成することができ、その結果、記録密度を向上させることができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【0038】

【図1】本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける主磁極、下部シールド、第１のサイドシールドおよび第２のサイドシールドを示す斜視図である。

【図2】本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける主磁極を示す斜視図である。

【図3】本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの要部を示す断面図である。

【図4】本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける主磁極、第１のサイドシールドおよび第２のサイドシールドを示す平面図である。

【図5】本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける下部シールド、第１のサイドシールド、第２のサイドシールドおよび非磁性層を示す斜視図である。

【図6】本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドを示す断面図である。

【図7】本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。

【図8】本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドにおけるコイルの第１の部分を示す平面図である。

【図9】本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドにおけるコイルの第２の部分を示す平面図である。

【図10A】本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す平面図である。

【図10B】本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す断面図である。

【図11A】図１０Ａおよび図１０Ｂに示した工程に続く工程を示す平面図である。

【図11B】図１０Ａおよび図１０Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。

【図12A】図１１Ａおよび図１１Ｂに示した工程に続く工程を示す平面図である。

【図12B】図１１Ａおよび図１１Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。

【図13A】図１２Ａおよび図１２Ｂに示した工程に続く工程を示す平面図である。

【図13B】図１２Ａおよび図１２Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。

【図13C】図１２Ａおよび図１２Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。

【図13D】図１２Ａおよび図１２Ｂに示した工程に続く工程を示す斜視図である。

【図14A】図１３Ａないし図１３Ｄに示した工程に続く工程を示す平面図である。

【図14B】図１３Ａないし図１３Ｄに示した工程に続く工程を示す断面図である。

【図14C】図１３Ａないし図１３Ｄに示した工程に続く工程を示す断面図である。

【図14D】図１３Ａないし図１３Ｄに示した工程に続く工程を示す斜視図である。

【図15A】図１４Ａないし図１４Ｄに示した工程に続く工程を示す平面図である。

【図15B】図１４Ａないし図１４Ｄに示した工程に続く工程を示す断面図である。

【図16A】図１５Ａおよび図１５Ｂに示した工程に続く工程を示す平面図である。

【図16B】図１５Ａおよび図１５Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。

【図17A】図１６Ａおよび図１６Ｂに示した工程に続く工程を示す平面図である。

【図17B】図１６Ａおよび図１６Ｂに示した工程に続く工程を示す断面図である。

【図18】本発明の第２の実施の形態に係る磁気ヘッドの要部を示す断面図である。

【図19】本発明の第３の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける主磁極を示す斜視図である。

【図20】本発明の第３の実施の形態に係る磁気ヘッドの要部を示す断面図である。

【図21】本発明の第３の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける主磁極、第１のサイドシールドおよび第２のサイドシールドを示す平面図である。

【図22】本発明の第４の実施の形態に係る磁気ヘッドの要部を示す断面図である。

【図23】本発明の第４の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける主磁極、第１のサイドシールドおよび第２のサイドシールドを示す平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0039】

［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図６ないし図９を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの構成について説明する。図６は、本実施の形態に係る磁気ヘッドを示す断面図である。図６において記号Ｔで示す矢印は、記録媒体の進行方向を表している。図７は、本実施の形態に係る磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。図８は、本実施の形態に係る磁気ヘッドにおけるコイルの第１の部分を示す平面図である。図９は、本実施の形態に係る磁気ヘッドにおけるコイルの第２の部分を示す平面図である。図７ないし図９において記号ＴＷで示す矢印は、トラック幅方向を表している。

【0040】

図６に示したように、本実施の形態に係る垂直磁気記録用磁気ヘッド（以下、単に磁気ヘッドと記す。）は、記録媒体９０に対向する媒体対向面８０を備えている。また、図６および図７に示したように、磁気ヘッドは、アルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）等のセラミック材料よりなり、上面１ａを有する基板１と、この基板１の上面１ａ上に配置されたアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）等の絶縁材料よりなる絶縁層２と、この絶縁層２の上に配置された磁性材料よりなる第１の再生シールド層３と、第１の再生シールド層３を覆うように配置された絶縁膜である第１の再生シールドギャップ膜４と、この第１の再生シールドギャップ膜４の上に配置された再生素子としてのＭＲ（磁気抵抗効果）素子５と、このＭＲ素子５の上に配置された絶縁膜である第２の再生シールドギャップ膜６と、この第２の再生シールドギャップ膜６の上に配置された磁性材料よりなる第２の再生シールド層７とを備えている。

【0041】

ＭＲ素子５の一端部は、媒体対向面８０に配置されている。ＭＲ素子５には、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。ＧＭＲ素子としては、磁気的信号検出用の電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ平行な方向に流すＣＩＰ（Current In Plane）タイプでもよいし、磁気的信号検出用の電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ垂直な方向に流すＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）タイプでもよい。

【0042】

第１の再生シールド層３から第２の再生シールド層７までの部分は、再生ヘッド部８を構成する。磁気ヘッドは、更に、第２の再生シールド層７の上に配置された非磁性材料よりなる非磁性層７１と、非磁性層７１の上に配置された磁性材料よりなる中間シールド層７２と、中間シールド層７２の上に配置された非磁性材料よりなる非磁性層７３と、非磁性層７３の上に配置された記録ヘッド部９とを備えている。中間シールド層７２は、記録ヘッド部９で発生する磁界からＭＲ素子５をシールドする機能を有している。非磁性層７１，７３は、例えばアルミナによって形成されている。

【0043】

記録ヘッド部９は、コイルと、主磁極１３と、記録シールド１６と、ギャップ部１７とを備えている。コイルは、記録媒体９０に記録する情報に応じた磁界を発生する。コイルは、第１の部分１０と第２の部分２０とを含んでいる。第１の部分１０と第２の部分２０は、いずれも、銅等の導電材料によって形成されている。第１の部分１０と第２の部分２０は、直列または並列に接続されている。主磁極１３は、媒体対向面８０に配置された端面１３ａを有し、コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体９０に記録するための記録磁界を発生する。図６は、主磁極１３の端面１３ａと交差し、媒体対向面８０および基板１の上面１ａに垂直な断面を示している。

【0044】

図７に示したように、記録シールド１６は、下部シールド１６Ａと、上部シールド１６Ｂと、第１のサイドシールド１６Ｃと、第２のサイドシールド１６Ｄとを含んでいる。下部シールド１６Ａは、主磁極１３に対して記録媒体９０の進行方向Ｔの後側（リーディング側）に配置されている。上部シールド１６Ｂは、主磁極１３に対して記録媒体９０の進行方向Ｔの前側（トレーリング側）に配置されている。第１および第２のサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄは、主磁極１３に対してトラック幅方向ＴＷの両側に配置されて、下部シールド１６Ａと上部シールド１６Ｂを磁気的に連結している。

【0045】

図６および図７に示したように、下部シールド１６Ａは、媒体対向面８０に配置された前端面１６Ａａと、基板１の上面１ａから最も遠い上面１６Ａｂとを有している。上部シールド１６Ｂは、媒体対向面８０に配置された前端面１６Ｂａと、基板１の上面１ａから最も遠い上面１６Ｂｂと、前端面１６Ｂａと上面１６Ｂｂとを接続する接続面１６Ｂｃとを有している。接続面１６Ｂｃにおける任意の位置の媒体対向面８０からの距離は、任意の位置が基板１の上面１ａから遠ざかるに従って大きくなっている。図７に示したように、第１のサイドシールド１６Ｃは、媒体対向面８０に配置された第１の前端面１６Ｃａを有している。第２のサイドシールド１６Ｄは、媒体対向面８０に配置された第２の前端面１６Ｄａを有している。

【0046】

前端面１６Ａａは、主磁極１３の端面１３ａに対して記録媒体９０の進行方向Ｔの後側に配置されている。前端面１６Ｂａは、主磁極１３の端面１３ａに対して記録媒体９０の進行方向Ｔの前側に配置されている。第１および第２の前端面１６Ｃａ，１６Ｄａは、主磁極１３の端面１３ａに対してトラック幅方向ＴＷの両側に配置されている。媒体対向面８０において、前端面１６Ａａ，１６Ｂａ，１６Ｃａ，１６Ｄａは、主磁極１３の端面１３ａの周りを囲むように配置されている。

【0047】

記録シールド１６は、磁性材料によって形成されている。記録シールド１６の材料としては、例えばＣｏＦｅＮ、ＣｏＮｉＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。

【0048】

ギャップ部１７は、主磁極１３と記録シールド１６との間に設けられている。ギャップ部１７は、下部シールド１６Ａ、第１のサイドシールド１６Ｃおよび第２のサイドシールド１６Ｄと主磁極１３との間に介在する第１の部分と、主磁極１３と上部シールド１６Ｂとの間に介在する第２の部分とを有している。

【0049】

記録ヘッド部９は、更に、磁性層３１，３２，３３，３４，４１，４２を備えている。磁性層３１〜３４，４１，４２は、いずれも磁性材料によって形成されている。磁性層３１〜３４，４１，４２の材料としては、例えばＣｏＦｅＮ、ＣｏＮｉＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。磁性層３１は、非磁性層７３の上に配置されている。磁性層３１は、媒体対向面８０に向いた端面を有し、この端面は、媒体対向面８０から離れた位置に配置されている。記録ヘッド部９は、更に、磁性層３１の周囲において非磁性層７３の上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層５１を備えている。絶縁層５１は、例えばアルミナによって形成されている。

【0050】

磁性層３２は、媒体対向面８０の近傍において磁性層３１および絶縁層５１の上に配置されている。磁性層３２は、媒体対向面８０に配置された端面を有している。磁性層３３は、磁性層３２よりも媒体対向面８０からより遠い位置において磁性層３１の上に配置されている。

【0051】

記録ヘッド部９は、更に、第１の部分１０を磁性層３１〜３３から隔てる絶縁材料よりなる絶縁膜５２と、第１の部分１０の巻線間ならびに第１の部分１０および磁性層３２の周囲に配置された絶縁材料よりなる絶縁層５３とを備えている。第１の部分１０、磁性層３２，３３、絶縁膜５２および絶縁層５３の上面は平坦化されている。絶縁膜５２および絶縁層５３は、例えばアルミナによって形成されている。

【0052】

下部シールド１６Ａは、磁性層３２の上に配置されている。磁性層３４は、磁性層３３の上に配置されている。記録ヘッド部９は、更に、絶縁材料よりなる絶縁層５４と、非磁性材料よりなる非磁性層５５とを備えている。絶縁層５４は、第１の部分１０、絶縁膜５２および絶縁層５３の上面の上と、磁性層３２の上面の一部の上に配置されている。非磁性層５５は、下部シールド１６Ａおよび磁性層３４の周囲において、絶縁層５４の上に配置されている。絶縁層５４および非磁性層５５は、例えばアルミナによって形成されている。

【0053】

第１および第２のサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄは、下部シールド１６Ａの上に配置され、下部シールド１６Ａの上面１６Ａｂに接している。第１および第２のサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄは、それぞれ、側壁と後端面を有している。第１および第２のサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄのそれぞれの側壁と後端面については、後で詳しく説明する。

【0054】

記録ヘッド部９は、更に、非磁性材料よりなる第１のギャップ層１８を備えている。第１のギャップ層１８は、第１および第２のサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄの側壁と後端面、下部シールド１６Ａの上面１６Ａｂおよび非磁性層５５の上面に沿って配置されている。第１のギャップ層１８を構成する非磁性材料は、絶縁材料でもよいし、非磁性金属材料でもよい。第１のギャップ層１８を構成する絶縁材料としては、例えばアルミナが用いられる。第１のギャップ層１８を構成する非磁性金属材料としては、例えばＲｕが用いられる。第１のギャップ層１８の厚みは、例えば４０〜１００ｎｍの範囲内である。

【0055】

主磁極１３は、下部シールド１６Ａおよび非磁性層５５と主磁極１３との間に第１のギャップ層１８が介在するように、下部シールド１６Ａおよび非磁性層５５の上に配置されている。また、図７に示したように、主磁極１３と第１および第２のサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄとの間にも、第１のギャップ層１８が介在している。ギャップ部１７の第１の部分は、第１のギャップ層１８のうち、下部シールド１６Ａ、第１のサイドシールド１６Ｃおよび第２のサイドシールド１６Ｄと主磁極１３との間に介在する部分によって構成されている。

【0056】

媒体対向面８０から離れた位置において、主磁極１３は、磁性層３４の上面に接している。主磁極１３は、金属磁性材料によって形成されている。主磁極１３の材料としては、例えば、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。主磁極１３の形状については、後で更に詳しく説明する。

【0057】

記録ヘッド部９は、更に、主磁極１３、第１のサイドシールド１６Ｃおよび第２のサイドシールド１６Ｄの周囲に配置された非磁性材料よりなる非磁性層６０を備えている。なお、非磁性層６０は、後で説明する図４に示されている。非磁性層６０は、例えばアルミナによって形成されている。

【0058】

記録ヘッド部９は、更に、主磁極１３の上面のうちの媒体対向面８０から離れた第１の部分の上に配置された非磁性金属材料よりなる非磁性金属層５８と、この非磁性金属層５８の上面の上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層５９とを備えている。非磁性金属層５８は、例えばＲｕ、ＮｉＣｒまたはＮｉＣｕによって形成されている。絶縁層５９は、例えばアルミナによって形成されている。

【0059】

記録ヘッド部９は、更に、非磁性材料よりなり、主磁極１３、非磁性金属層５８および絶縁層５９を覆うように配置された第２のギャップ層１９を備えている。第２のギャップ層１９の材料は、アルミナ等の非磁性絶縁材料でもよいし、Ｒｕ、ＮｉＣｕ、Ｔａ、Ｗ、ＮｉＢ、ＮｉＰ等の非磁性導電材料でもよい。

【0060】

上部シールド１６Ｂは、サイドシールド１６Ｃ，１６Ｄおよび第２のギャップ層１９の上に配置され、サイドシールド１６Ｃ，１６Ｄおよび第２のギャップ層１９の上面に接している。ギャップ部１７の第２の部分は、第２のギャップ層１９のうち、主磁極１３と上部シールド１６Ｂとの間に介在する部分によって構成されている。

【0061】

媒体対向面８０において、上部シールド１６Ｂの前端面１６Ｂａの一部は、主磁極１３の端面１３ａに対して、第２のギャップ層１９の厚みによる所定の間隔を開けて配置されている。第２のギャップ層１９の厚みは、５〜６０ｎｍの範囲内であることが好ましく、例えば３０〜６０ｎｍの範囲内である。主磁極１３の端面１３ａは、第２のギャップ層１９に隣接する辺を有し、この辺はトラック幅を規定している。

【0062】

磁性層４１は、主磁極１３の上面のうちの媒体対向面８０から離れた第２の部分の上に配置されている。主磁極１３の上面の第２の部分は、主磁極１３の上面の第１の部分に対して、媒体対向面８０からより遠い位置にある。

【0063】

記録ヘッド部９は、更に、上部シールド１６Ｂ、第２のギャップ層１９および磁性層４１と第２の部分２０との間に介在する絶縁材料よりなる絶縁膜６１と、第２の部分２０の巻線間に配置された絶縁材料よりなる絶縁層６２と、第２の部分２０および上部シールド１６Ｂの周囲に配置された非磁性材料よりなる図示しない非磁性層とを備えている。第２の部分２０、上部シールド１６Ｂ、磁性層４１、絶縁膜６１、絶縁層６２および図示しない非磁性層の上面は平坦化されている。記録ヘッド部９は、更に、第２の部分２０、絶縁膜６１および絶縁層６２の上面の上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層６３を備えている。絶縁膜６１、絶縁層６２，６３および図示しない非磁性層は、例えばアルミナによって形成されている。

【0064】

磁性層４２は、上部シールド１６Ｂ、磁性層４１および絶縁層６３の上に配置され、上部シールド１６Ｂと磁性層４１とを接続している。磁性層４２は、媒体対向面８０に向いた端面を有し、この端面は、媒体対向面８０から離れた位置に配置されている。磁性層４２の端面における任意の位置の媒体対向面８０からの距離は、任意の位置が基板１の上面１ａから遠ざかるに従って大きくなっている。

【0065】

記録ヘッド部９は、更に、磁性層４２の周囲に配置された非磁性材料よりなる非磁性層６４を備えている。非磁性層６４の一部は、上部シールド１６Ｂの接続面１６Ｂｃおよび媒体対向面８０に向いた磁性層４２の端面と媒体対向面８０との間に介在している。非磁性層６４は、例えばアルミナによって形成されている。

【0066】

磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなり、記録ヘッド部９を覆うように配置された保護層７０を備えている。保護層７０は、例えば、アルミナ等の無機絶縁材料によって形成されている。

【0067】

以上説明したように、本実施の形態に係る磁気ヘッドは、媒体対向面８０と再生ヘッド部８と記録ヘッド部９とを備えている。再生ヘッド部８と記録ヘッド部９は、基板１の上に積層されている。記録ヘッド部９は、再生ヘッド部８に対して、記録媒体９０の進行方向Ｔの前側に配置されている。

【0068】

記録ヘッド部９は、第１および第２の部分１０，２０を含むコイルと、主磁極１３と、記録シールド１６と、ギャップ部１７と、磁性層３１〜３４，４１，４２とを備えている。コイル、主磁極１３、記録シールド１６およびギャップ部１７は、基板１の上面１ａの上方に配置されている。記録シールド１６は、下部シールド１６Ａと、上部シールド１６Ｂと、第１のサイドシールド１６Ｃと、第２のサイドシールド１６Ｄとを含んでいる。ギャップ部１７は、第１のギャップ層１８の一部によって構成される第１の部分と、第２のギャップ層１９の一部によって構成される第２の部分とを有している。第１および第２のギャップ層１８，１９は、いずれも非磁性材料によって形成されていることから、ギャップ部１７は、非磁性材料によって形成されている。

【0069】

磁性層３１〜３４は、主磁極１３に対して記録媒体９０の進行方向Ｔの後側に配置されて、第１の帰磁路部を構成している。図６に示したように、第１の帰磁路部（磁性層３１〜３４）は、主磁極１３、ギャップ部１７の第１の部分（ギャップ層１８）、記録シールド１６および第１の帰磁路部によって囲まれた第１の空間が形成されるように、主磁極１３のうちの媒体対向面８０から離れた部分と記録シールド１６とを接続している。コイルの第１の部分１０は、第１の空間を通過している。

【0070】

磁性層４１，４２は、主磁極１３に対して記録媒体９０の進行方向Ｔの前側に配置されて、第２の帰磁路部を構成している。第２の帰磁路部（磁性層４１，４２）は、主磁極１３、ギャップ部１７の第２の部分（ギャップ層１９）、記録シールド１６および第２の帰磁路部によって囲まれた第２の空間が形成されるように、主磁極１３のうちの媒体対向面８０から離れた部分と記録シールド１６とを接続している。コイルの第２の部分２０は、第２の空間を通過している。

【0071】

記録シールド１６は、磁気ヘッドの外部から磁気ヘッドに印加された外乱磁界を取り込む。これにより、外乱磁界が主磁極１３に集中して取り込まれることによって記録媒体９０に対して誤った記録が行なわれることを防止することができる。また、記録シールド１６は、主磁極１３の端面１３ａより発生されて記録媒体９０の面に垂直な方向以外の方向に広がる磁束を取り込んで、この磁束が記録媒体９０に達することを阻止する機能を有している。また、記録シールド１６、第１の帰磁路部（磁性層３１〜３４）および第２の帰磁路部（磁性層４１，４２）は、主磁極１３の端面１３ａより発生されて、記録媒体９０を磁化した磁束を、主磁極１３に還流させる機能を有している。

【0072】

以下、図８および図９を参照して、コイルの第１および第２の部分１０，２０について詳しく説明する。図８は、第１の部分１０を示す平面図である。第１の部分１０は、磁性層３３の周りに約２回巻かれている。第１の部分１０は、第１の空間内のうち特に磁性層３２と磁性層３３との間を通過するように延びる部分を含んでいる。また、第１の部分１０は、第２の部分２０に電気的に接続されたコイル接続部１０Ｅを有している。

【0073】

図９は、第２の部分２０を示す平面図である。第２の部分２０は、磁性層４１の周りに約２回巻かれている。第２の部分２０は、第２の空間内のうち特に上部シールド１６Ｂと磁性層４１との間を通過するように延びる部分を含んでいる。また、第２の部分２０は、第１の部分１０のコイル接続部１０Ｅに電気的に接続されたコイル接続部２０Ｓを有している。コイル接続部２０Ｓは、第２の部分２０と第１の部分１０との間の複数の層を貫通する柱状の図示しない第１および第２の接続層を介してコイル接続部１０Ｅに電気的に接続されている。第１および第２の接続層は、コイル接続部１０Ｅの上に順に積層されている。コイル接続部２０Ｓは、第２の接続層の上に配置されている。第１および第２の接続層は、銅等の導電材料によって形成されている。図８および図９に示した例では、第１の部分１０と第２の部分２０は、直列に接続されている。

【0074】

次に、主磁極１３、下部シールド１６Ａ、第１のサイドシールド１６Ｃ、第２のサイドシールド１６Ｄおよび非磁性層５５について詳しく説明する。始めに、図１ないし図４を参照して、主磁極１３の形状について説明する。図１は、主磁極１３、下部シールド１６Ａおよびサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄを分解して示す斜視図である。図１において、符号Ｌを付した二点鎖線の直線は、主磁極１３の端面１３ａを通り、基板１の上面１ａに垂直な仮想の直線を表している。図１では、主磁極１３、下部シールド１６Ａおよびサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄを、仮想の直線Ｌに沿って互いに離して描いている。図２は、主磁極１３を示す斜視図である。図３は、磁気ヘッドの要部を示す断面図である。図４は、主磁極１３およびサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄを示す平面図である。

【0075】

図１ないし図３に示したように、主磁極１３は、本体１５と、本体１５から基板１の上面１ａ（図６および図７参照）に向けて突出した下部突出部１４とを含んでいる。なお、図３では、本体１５と下部突出部１４との境界を破線で示している。図３に示したように、下部突出部１４は、媒体対向面８０から離れた位置にある。また、図１、図２および図４に示したように、本体１５は、下部突出部１４よりも媒体対向面８０により近い位置にある前方部１５Ａと、前方部１５Ａよりも媒体対向面８０からより遠い位置にある後方部１５Ｂとを含んでいる。図１および図４では、前方部１５Ａと後方部１５Ｂの境界を破線で示している。

【0076】

図１、図２および図４に示したように、前方部１５Ａは、媒体対向面８０に配置された端面１５Ａａと、基板１の上面１ａ（図６および図７参照）から最も遠い上面１５Ａｂと、上面１５Ａｂとは反対側の下端１５Ａｃと、トラック幅方向ＴＷの両側に位置する第１の側面Ｓ１および第２の側面Ｓ２とを有している。前方部１５Ａの端面１５Ａａは、主磁極１３の端面１３ａでもある。前方部１５Ａの端面１５Ａａは、第２のギャップ層１９に隣接する第１の辺と、第１の辺の一端部に接続された第２の辺と、第１の辺の他端部に接続された第３の辺とを有している。第１の辺はトラック幅を規定する。記録媒体９０に記録される記録ビットの端部の位置は、第１の辺の位置によって決まる。前方部１５Ａの端面１５Ａａのトラック幅方向ＴＷの幅は、第１の辺から離れるに従って、すなわち基板１の上面１ａに近づくに従って小さくなっている。第２の辺と第３の辺がそれぞれ基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度は、例えば７°〜１７°の範囲内であり、１０°〜１５°の範囲内であることが好ましい。第１の辺の長さは、例えば０．０５〜０．２０μｍの範囲内である。

【0077】

図１に示したように、前方部１５Ａの上面１５Ａｂは、媒体対向面８０に近い順に配置された傾斜部と平坦部を含んでいる。傾斜部は、媒体対向面８０に配置された第１の端部と、その反対側の第２の端部とを有している。平坦部は、傾斜部の第２の端部に接続されている。傾斜部は、その第２の端部がその第１の端部に対して記録媒体９０の進行方向Ｔ（図３参照）の前側に配置されるように傾斜している。平坦部は、実質的に媒体対向面８０に垂直な方向に延在している。上面１５Ａｂのトラック幅方向ＴＷの幅は、図１および図４に示したように媒体対向面８０から離れるに従って徐々に大きくなっていてもよいし、媒体対向面８０からの距離によらずにほぼ一定であってもよい。

【0078】

前方部１５Ａの下端１５Ａｃは、媒体対向面８０に配置された第１の端部と、その反対側の第２の端部とを有している。下端１５Ａｃは、その第２の端部がその第１の端部に対して記録媒体９０の進行方向Ｔ（図３参照）の後側に配置されるように傾斜している。また、図２に示した例では、前方部１５Ａの下端１５Ａｃは、媒体対向面８０に近い順に配置されたエッジ部分と平面部分を含んでいる。エッジ部分は、２つの面が交わってできるエッジである。平面部分は、２つの面を連結する面である。なお、下端１５Ａｃは、その全体が平面部分によって構成されていてもよい。

【0079】

前方部１５Ａの第１および第２の側面Ｓ１，Ｓ２は、それぞれ、複数の平面によって構成されている。また、第１および第２の側面Ｓ１，Ｓ２は、それぞれ、基板１の上面１ａに垂直な方向に対して傾斜している。第１および第２の側面Ｓ１，Ｓ２については、後で詳しく説明する。

【0080】

図１、図２および図４に示したように、後方部１５Ｂは、媒体対向面８０に向いた第１の端面１５Ｂａ１および第２の端面１５Ｂａ２と、基板１の上面１ａ（図６および図７参照）から最も遠い上面１５Ｂｂと、トラック幅方向ＴＷの両側に位置する第５の側面Ｓ５および第６の側面Ｓ６とを有している。第１の端面１５Ｂａ１は、第１の側面Ｓ１と第５の側面Ｓ５とを接続している。第２の端面１５Ｂａ２は、第２の側面Ｓ２と第６の側面Ｓ６とを接続している。

【0081】

第１および第２の端面１５Ｂａ１，１５Ｂａ２は、第１および第２の側面Ｓ１，Ｓ２に比べて、基板１の上面１ａに対して垂直に近い。第１および第２の端面１５Ｂａ１，１５Ｂａ２については、後で詳しく説明する。

【0082】

後方部１５Ｂの上面１５Ｂｂは、前方部１５Ａの上面１５Ａｂの平坦部に連続している。上面１５Ｂｂは、実質的に媒体対向面８０に垂直な方向に延在している。図１および図４に示したように、上面１５Ｂｂのトラック幅方向ＴＷの幅は、前方部１５Ａとの境界位置では前方部１５Ａの上面１５Ａｂのトラック幅方向ＴＷの幅よりも大きく、媒体対向面８０から遠ざかるに従って大きくなっている。

【0083】

後方部１５Ｂの第５および第６の側面Ｓ５，Ｓ６は、第１および第２の端面１５Ｂａ１，１５Ｂａ２と同様に、前方部１５Ａの第１および第２の側面Ｓ１，Ｓ２に比べて、基板１の上面１ａに対して垂直に近い。また、第５および第６の側面Ｓ５，Ｓ６と交差し且つ媒体対向面８０に平行な任意の断面において、トラック幅方向ＴＷについての第５の側面Ｓ５と第６の側面Ｓ６の間隔は、基板１の上面１ａからの距離に関わらずに一定であってもよいし、基板１の上面１ａに近づくに従って小さくなっていてもよいし、基板１の上面１ａに近づくに従って大きくなっていてもよい。

【0084】

図２および図３に示したように、下部突出部１４は、媒体対向面８０に向いた前端面１４ａと、基板１の上面１ａに向いた下面１４ｂと、トラック幅方向ＴＷの両側に位置する第３の側面Ｓ３および第４の側面Ｓ４とを有している。図２に示したように、後方部１５Ｂと交差し且つ媒体対向面８０に平行な任意の断面において、後方部１５Ｂは、下部突出部１４よりも大きなトラック幅方向ＴＷの幅を有している。

【0085】

図３に示したように、下部突出部１４の前端面１４ａは、媒体対向面８０に対して傾斜している。下部突出部１４の前端面１４ａにおける任意の位置の媒体対向面８０からの距離は、任意の位置が基板１の上面１ａに近づくに従って大きくなっている。前端面１４ａが媒体対向面８０に垂直な方向に対してなす角度は、前方部１５Ａの下端１５Ａｃが同方向に対してなす角度よりも大きい。また、前端面１４ａは、媒体対向面８０に最も近い端部を有し、この端部は、前方部１５Ａの下端１５Ａｃの第２の端部に接続されている。媒体対向面８０から前端面１４ａの上記端部までの距離は、例えば３０〜９０ｎｍの範囲内である。図２に示したように、前端面１４ａのトラック幅方向ＴＷの幅は、前方部１５Ａとの境界位置では前方部１５Ａの下端１５Ａｃのトラック幅方向ＴＷの幅と等しく、媒体対向面８０から遠ざかるに従って大きくなっている。

【0086】

図２に示したように、下部突出部１４の下面１４ｂのトラック幅方向ＴＷの幅は、前端面１４ａのトラック幅方向ＴＷの幅よりも大きく、媒体対向面８０から遠ざかるに従って大きくなっている。また、図２および図３に示したように、下面１４ｂは、媒体対向面８０に近い順に配置された傾斜部１４ｂ１と平坦部１４ｂ２を含んでいる。傾斜部１４ｂ１は、前端面１４ａに接続された第１の端部と、第１の端部よりも媒体対向面８０からより遠い位置に配置された第２の端部とを有している。平坦部１４ｂ２は、傾斜部１４ｂ１の第２の端部に接続されている。傾斜部１４ｂ１は、その第２の端部がその第１の端部に対して記録媒体９０の進行方向Ｔの後側に配置されるように傾斜している。平坦部１４ｂ２は、実質的に媒体対向面８０に垂直な方向に延在している。

【0087】

本実施の形態では、下部突出部１４の第３および第４の側面Ｓ３，Ｓ４は、以下のように傾斜している。第３および第４の側面Ｓ３，Ｓ４と交差し且つ媒体対向面８０に平行な任意の断面において、トラック幅方向ＴＷについての第３の側面Ｓ３と第４の側面Ｓ４の間隔は、基板１の上面１ａに近づくに従って小さくなっている。なお、上記任意の断面において、トラック幅方向ＴＷについての第３の側面Ｓ３と第４の側面Ｓ４の間隔は、基板１の上面１ａからの距離に関わらずに一定であってもよい。

【0088】

また、本実施の形態では、図２に示したように、下部突出部１４は、更に、前端面１４ａと第３の側面Ｓ３を接続する第１の接続面Ｓ７と、前端面１４ａと第４の側面Ｓ４を接続する第２の接続面Ｓ８とを有している。第１および第２の接続面Ｓ７，Ｓ８は、平面であってもよいし曲面であってもよい。

【0089】

次に、図１ないし図５を参照して、下部シールド１６Ａ、第１のサイドシールド１６Ｃ、第２のサイドシールド１６Ｄおよび非磁性層５５の形状および配置について説明する。図５は、下部シールド１６Ａ、第１のサイドシールド１６Ｃ、第２のサイドシールド１６Ｄおよび非磁性層５５を示す斜視図である。図５においてハッチングを付した部分は、媒体対向面８０に平行な、非磁性層５５の断面を表している。図１および図３に示したように、下部シールド１６Ａは、前方部１５Ａに対して記録媒体９０の進行方向Ｔの後側に配置されている。上部シールド１６Ｂは、前方部１５Ａに対して記録媒体９０の進行方向Ｔの前側に配置されている。図１および図４に示したように、第１および第２のサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄは、前方部１５Ａに対してトラック幅方向ＴＷの両側に配置されている。

【0090】

図１、図４および図５に示したように、第１のサイドシールド１６Ｃは、前記第１の前端面１６Ｃａに加えて、前方部１５Ａの第１の側面Ｓ１に対向する第１の側壁ＳＷ１と、第１の側壁ＳＷ１に連続し第１の前端面１６Ｃａとは反対側に位置する第１の後端面１６Ｃｂとを有している。第２のサイドシールド１６Ｄは、前記第２の前端面１６Ｄａに加えて、前方部１５Ａの第２の側面Ｓ２に対向する第２の側壁ＳＷ２と、第２の側壁ＳＷ２に連続し第２の前端面１６Ｄａとは反対側に位置する第２の後端面１６Ｄｂとを有している。図１および図５に示した例では、第１のサイドシールド１６Ｃの第１の側壁ＳＷ１と、第２のサイドシールド１６Ｄの第２の側壁ＳＷ２は、それぞれ、連続する複数の平面によって構成されている。

【0091】

図５に示したように、第１のサイドシールド１６Ｃの第１の側壁ＳＷ１は、基板１の上面１ａ（図６および図７参照）に最も近い第１の端縁Ｅ１を有している。第２のサイドシールド１６Ｄの第２の側壁ＳＷ２は、基板１の上面１ａに最も近い第２の端縁Ｅ２を有している。図５に示した例では、第１および第２の端縁Ｅ１，Ｅ２は、それぞれ、連続する複数の直線によって構成されている。トラック幅方向ＴＷについての第１の端縁Ｅ１と第２の端縁Ｅ２の間隔は、媒体対向面８０から遠ざかるに従って大きくなっている。

【0092】

また、図１および図５に示したように、第１および第２の側壁ＳＷ１，ＳＷ２は、それぞれ、基板１の上面１ａに垂直な方向に対して傾斜している。第１および第２の側壁ＳＷ１，ＳＷ２と交差し且つ媒体対向面８０に平行な任意の断面において、トラック幅方向ＴＷについての第１の側壁ＳＷ１と第２の側壁ＳＷ２の間隔は、基板１の上面１ａに近づくに従って小さくなっている。第１の側壁ＳＷ１が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度と、第２の側壁ＳＷ２が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度は、それぞれ、例えば７°〜１７°の範囲内であり、１０°〜１５°の範囲内であることが好ましい。

【0093】

図２に示したように、第１の側壁ＳＷ１に対向する前方部１５Ａの第１の側面Ｓ１は、第１の側壁ＳＷ１と同様に、基板１の上面１ａに垂直な方向に対して傾斜している。第２の側壁ＳＷ２に対向する前方部１５Ａの第２の側面Ｓ２は、第２の側壁ＳＷ２と同様に、基板１の上面１ａに垂直な方向に対して傾斜している。第１および第２の側壁ＳＷ１，ＳＷ２と交差し且つ媒体対向面８０に平行な任意の断面において、第１の側面Ｓ１と第２の側面Ｓ２の間隔は、基板１の上面１ａに近づくに従って小さくなっている。側面Ｓ１，Ｓ２の各々が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度の好ましい範囲は、側壁ＳＷ１，ＳＷ２の各々が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度と同じである。

【0094】

図１および図５に示したように、第１のサイドシールド１６Ｃの第１の後端面１６Ｃｂと第２のサイドシールド１６Ｄの第２の後端面１６Ｄｂは、第１のサイドシールド１６Ｃの第１の側壁ＳＷ１と第２のサイドシールド１６Ｄの第２の側壁ＳＷ２に比べて、基板１の上面１ａに対して垂直に近い。すなわち、第１の後端面１６Ｃｂが基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度は、第１の側壁ＳＷ１が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度よりも小さい。また、第２の後端面１６Ｄｂが基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度は、第２の側壁ＳＷ２が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度よりも小さい。

【0095】

図４に示したように、後方部１５Ｂの第１の端面１５Ｂａ１は、第１の後端面１６Ｃｂに対向している。後方部１５Ｂの第２の端面１５Ｂａ２は、第２の後端面１６Ｄｂに対向している。第１の端面１５Ｂａ１は、第１の後端面１６Ｃｂと同様に、第１の側壁ＳＷ１に対向する前方部１５Ａの第１の側面Ｓ１に比べて、基板１の上面１ａに対して垂直に近い。すなわち、第１の端面１５Ｂａ１が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度は、第１の側面Ｓ１が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度よりも小さい。また、第２の端面１５Ｂａ２は、第２の後端面１６Ｄｂと同様に、第２の側壁ＳＷ２に対向する前方部１５Ａの第２の側面Ｓ２に比べて、基板１の上面１ａに対して垂直に近い。すなわち、第２の端面１５Ｂａ２が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度は、第２の側面Ｓ２が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度よりも小さい。

【0096】

なお、前述のように、後方部１５Ｂの第５の側面Ｓ５と第６の側面Ｓ６も、前方部１５Ａの第１の側面Ｓ１と第２の側面Ｓ２に比べて、基板１の上面１ａに対して垂直に近い。すなわち、第５の側面Ｓ５が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度は、第１の側面Ｓ１が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度よりも小さく、第６の側面Ｓ６が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度は、第２の側面Ｓ２が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度よりも小さい。

【0097】

図４に示したように、第１の後端面１６Ｃｂは、基板１の上面１ａから最も遠い端縁であって、媒体対向面８０に平行な端縁ＥＡを有している。同様に、第２の後端面１６Ｄｂは、基板１の上面１ａから最も遠い端縁であって、媒体対向面８０に平行な端縁ＥＢを有している。端縁ＥＡ，ＥＢは、それぞれ、媒体対向面８０から３０〜９０ｎｍの距離の範囲内に位置している。ここで、図４に示したように、端縁ＥＡ，ＥＢから媒体対向面８０までの距離をサイドシールドハイトＳＨと定義する。

【0098】

図１および図５に示したように、下部シールド１６Ａは、上面１６Ａｂから窪んで下部突出部１４の一部を収容する収容部１６Ａｃを含んでいる。収容部１６Ａｃは、下部突出部１４の前端面１４ａに対向する前方壁面ＳＷＡと、下部突出部１４の第３の側面Ｓ３に対向する第３の側壁ＳＷ３と、下部突出部１４の第４の側面Ｓ４に対向する第４の側壁ＳＷ４とを有している。図１および図３に示したように、収容部１６Ａｃの前方壁面ＳＷＡにおける任意の位置の媒体対向面８０からの距離は、任意の位置が基板１の上面１ａ（図６および図７参照）に近づくに従って大きくなっている。

【0099】

本実施の形態では、下部シールド１６Ａの上面１６Ａｂは、以下のように、媒体対向面８０に垂直な方向に対して傾斜している。図１、図３および図５に示したように、上面１６Ａｂにおける任意の位置の基板１の上面１ａからの距離は、任意の位置が媒体対向面８０から遠ざかるに従って小さくなっている。上面１６Ａｂが媒体対向面８０に垂直な方向に対してなす角度は、前方壁面ＳＷＡが同方向に対してなす角度よりも小さい。なお、後で他の実施の形態で説明するように、上面１６Ａｂは、実質的に媒体対向面８０に垂直な方向に延在していてもよい。

【0100】

図１および図５に示したように、収容部１６Ａｃの第３の側壁ＳＷ３は、基板１の上面１ａから最も遠い第３の端縁Ｅ３を有している。収容部１６Ａｃの第４の側壁ＳＷ４は、基板１の上面１ａから最も遠い第４の端縁Ｅ４を有している。トラック幅方向ＴＷについての第３の端縁Ｅ３と第４の端縁Ｅ４の間隔は、媒体対向面８０から遠ざかるに従って大きくなっている。

【0101】

本実施の形態では、収容部１６Ａｃの第３および第４の側壁ＳＷ３，ＳＷ４は、以下のように傾斜している。第３および第４の側壁ＳＷ３，ＳＷ４と交差し且つ媒体対向面８０に平行な任意の断面において、トラック幅方向ＴＷについての第３の側壁ＳＷ３と第４の側壁ＳＷ４の間隔は、基板１の上面１ａに近づくに従って小さくなっている。なお、上記任意の断面において、トラック幅方向ＴＷについての第３の側壁ＳＷ３と第４の側壁ＳＷ４の間隔は、基板１の上面１ａからの距離に関わらずに一定であってもよい。

【0102】

また、本実施の形態では、図５に示したように、収容部１６Ａｃは、更に、前方壁面ＳＷＡと第３の側壁ＳＷ３を接続し、下部突出部１４の第１の接続面Ｓ７に対向する第３の接続面ＳＷ７と、前方壁面ＳＷＡと第４の側壁ＳＷ４を接続し、下部突出部１４の第２の接続面Ｓ８に対向する第４の接続面ＳＷ８とを有している。第３および第４の接続面ＳＷ７，ＳＷ８は、平面であってもよいし曲面であってもよい。

【0103】

図３および図５に示したように、非磁性層５５は、下部シールド１６Ａよりも媒体対向面８０からより遠い位置にあって、下部シールド１６Ａに連続している。非磁性層５５は、下部突出部１４の他の一部を収容する凹部５５ａを有している。凹部５５ａは、下部突出部１４の下面１４ｂに対向する底面と、下部突出部１４の第３の側面Ｓ３に対向する第１の壁面と、下部突出部１４の第４の側面Ｓ４に対向する第２の壁面とを有している。凹部５５ａの底面は、収容部１６Ａｃの前方壁面ＳＷＡに連続している。凹部５５ａの第１の壁面は、収容部１６Ａｃの第３の側壁ＳＷ３に連続している。凹部５５ａの第２の壁面は、収容部１６Ａｃの第４の側壁ＳＷ４に連続している。

【0104】

凹部５５ａの第１および第２の壁面は、以下のように傾斜している。第１および第２の壁面と交差し且つ媒体対向面８０に平行な任意の断面において、トラック幅方向ＴＷについての第１の壁面と第２の壁面の間隔は、基板１の上面１ａ（図６および図７参照）に近づくに従って小さくなっている。なお、上記任意の断面において、トラック幅方向ＴＷについての第１の壁面と第２の壁面の間隔は、基板１の上面１ａからの距離に関わらずに一定であってもよい。

【0105】

次に、図５を参照して、第１および第２のサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄと、収容部１６Ａｃおよび主磁極１３との位置関係について説明する。図５に示したように、第３の端縁Ｅ３は、第１の端縁Ｅ１に連続し、第４の端縁Ｅ４は、第２の端縁Ｅ２に連続している。これにより、収容部１６Ａｃは、第１および第２のサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄに対して位置合わせされていることになる。主磁極１３の下部突出部１４の一部は、収容部１６Ａｃに収容されている。従って、下部突出部１４も、第１および第２のサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄに対して位置合わせされていることになる。

【0106】

次に、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明する。本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、まず、図６および図７に示したように、基板１の上に、絶縁層２、第１の再生シールド層３、第１の再生シールドギャップ膜４を順に形成する。次に、第１の再生シールドギャップ膜４の上にＭＲ素子５と、このＭＲ素子５に接続される図示しないリードとを形成する。次に、ＭＲ素子５およびリードを、第２の再生シールドギャップ膜６で覆う。次に、第２の再生シールドギャップ膜６の上に第２の再生シールド層７、非磁性層７１、中間シールド層７２および非磁性層７３を順に形成する。

【0107】

次に、例えばフレームめっき法によって、非磁性層７３の上に磁性層３１を形成する。次に、積層体の上面全体の上に絶縁層５１を形成する。次に、例えば化学機械研磨（以下、ＣＭＰと記す。）によって、磁性層３１が露出するまで、絶縁層５１を研磨する。次に、例えばフレームめっき法によって、磁性層３１の上面の一部の上および絶縁層５１の上面の上に磁性層３２を形成し、磁性層３１の上面の他の一部の上に磁性層３３を形成する。次に、積層体の上面全体の上に絶縁膜５２を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、コイルの第１の部分１０を形成する。次に、積層体の上面全体の上に絶縁層５３を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第１の部分１０および磁性層３２，３３が露出するまで、絶縁膜５２および絶縁層５３を研磨する。

【0108】

次に、積層体の上面全体の上に絶縁層５４を形成する。次に、絶縁層５４を選択的にエッチングすることによって、絶縁層５４に、磁性層３２の上面を露出させる第１の開口部と、磁性層３３の上面を露出させる第２の開口部と、第１の部分１０のコイル接続部１０Ｅ（図８参照）を露出させる第３の開口部を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、第１の開口部の位置で磁性層３２の上に後に下部シールド１６Ａとなる初期下部シールドを形成し、第２の開口部の位置で磁性層３３の上に磁性層３４を形成し、第３の開口部の位置でコイル接続部１０Ｅの上に図示しない第１の接続層を形成する。次に、積層体の上面全体の上に、後に非磁性層５５となる初期非磁性層を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、初期下部シールド、磁性層３４および第１の接続層が露出するまで、初期非磁性層を研磨する。次に、例えばイオンビームエッチングによって、初期下部シールドに、前述の上面１６Ａｂが形成されるように、初期下部シールドおよび初期非磁性層の一部をテーパーエッチングする。このエッチングでは、磁性層３４および第１の接続層の一部もエッチングされる。

【0109】

次に、図１０Ａないし図１７Ｂを参照して、上記の工程の後、後に主磁極１３となる初期主磁極の形成までの一連の工程について説明する。図１０Ａないし図１７Ｂは、磁気ヘッドの製造過程における積層体を示している。これらの図において、符号１６ＡＰは初期下部シールドを示し、符号５５Ｐは初期非磁性層を示している。これらの図では、初期下部シールド１６ＡＰおよび初期非磁性層５５Ｐよりも基板１側の部分を省略している。また、これらの図のいくつかに示された記号“ＡＢＳ”は、媒体対向面８０が形成される予定の位置を表している。

【0110】

図ｎＡ（ｎは１０以上１７以下の整数）は、積層体の一部の上面を示している。図ｎＢは、積層体における媒体対向面８０が形成される予定の位置における断面を示している。図１３Ｃおよび図１４Ｃは、それぞれ、媒体対向面８０および基板１の上面１ａに垂直な断面を示している。図１３Ａにおいて、１３Ｃ−１３Ｃ線は、図１３Ｃの断面の位置を示している。図１４Ａにおいて、１４Ｃ−１４Ｃ線は、図１４Ｃの断面の位置を示している。図１３Ｄは、図１３Ａないし図１３Ｃに示した工程を示す斜視図である。図１４Ｄは、図１４Ａないし図１４Ｃに示した工程を示す斜視図である。

【0111】

図１０Ａおよび図１０Ｂは、初期下部シールド１６ＡＰおよび初期非磁性層５５Ｐの一部をテーパーエッチングした後の工程を示している。この工程では、まず、例えばスパッタ法またはイオンビームデポジション法によって、初期下部シールド１６ＡＰおよび初期非磁性層５５Ｐの上に、図示しないシード層を形成する。次に、ポジ型のフォトレジストよりなるフォトレジスト層をフォトリソグラフィによってパターニングすることによって、初期下部シールド１６ＡＰおよび初期非磁性層５５Ｐの上に、第１のレジスト層８１を形成する。第１のレジスト層８１は、後に形成される主磁極１３の形状に対応した形状を有する開口部８１ａを有している。また、第１のレジスト層８１は、後に形成される第１および第２のサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄに対応した形状を有する部分を含んでいる。

【0112】

以下、第１のレジスト層８１の形成方法について、詳しく説明する。まず、積層体の上面全体の上にポジ型のフォトレジストよりなるフォトレジスト層を形成する。このフォトレジスト層は、その上面が後に形成される第１および第２のサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄの上面よりも上方に配置されるように形成される。次に、フォトマスクを用いて、フォトレジスト層を選択的に露光する。このフォトマスクは、露光用の光を通過させる透光部と、露光用の光を遮断する遮光部とを有している。フォトマスクの透光部は、後に形成される主磁極１３の平面形状に対応した形状を有する部分を含んでいる。フォトマスクの遮光部は、後に形成される第１および第２のサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄの平面形状に対応した形状を有する部分を含んでいる。次に、露光後のフォトレジスト層を現像する。露光後は、フォトレジスト層のうち、フォトマスクの透光部を通過した光が照射された部分は現像液に対して可溶性となり、他の部分は現像液に対して不溶性のままである。現像後に残ったフォトレジスト層が第１のレジスト層８１となる。

【0113】

第１のレジスト層８１の開口部８１ａは、後に形成される第１のサイドシールド１６Ｃの側壁ＳＷ１に対応する部分を含む壁面８１ａ１と、後に形成される第２のサイドシールド１６Ｄの側壁ＳＷ２に対応する部分を含む壁面８１ａ２とを有している。この工程では、壁面８１ａ１，８１ａ２が、それぞれ基板１の上面１ａ（図６および図７参照）に垂直な方向に対して傾き、基板１の上面１ａに近づくに従って、壁面８１ａ１のうち側壁ＳＷ１に対応する部分と壁面８１ａ２のうち側壁ＳＷ２に対応する部分との間の距離が小さくなるように、フォトレジスト層をパターニングする。このようなパターニングは、例えば、感度の低い下層と感度の高い上層からなるフォトレジスト層を用いることで実現することができる。

【0114】

図１１Ａおよび図１１Ｂは、次の工程を示す。この工程では、まず、第１のレジスト層８１を覆うように、非磁性材料よりなる分離膜８２を形成する。分離膜８２は、ポジ型のフォトレジストよりなる第１のレジスト層８１と、後に形成されるネガ型のフォトレジストよりなるフォトレジスト層とが混合されることを防止するためのものである。分離膜８２の厚みは、例えば５〜２０ｎｍの範囲内である。分離膜８２の材料としては、例えばアルミナまたは合成樹脂が用いられる。分離膜８２の材料としてアルミナを用いる場合には、例えばイオンビームデポジション法によって、分離膜８２を形成する。

【0115】

次に、ネガ型のフォトレジストよりなるフォトレジスト層をフォトリソグラフィによってパターニングすることによって、分離膜８２の上に、第２のレジスト層８３を形成する。第２のレジスト層８３は、後に形成される主磁極１３の形状に対応した形状を有している。以下、第２のレジスト層８３の形成方法について詳しく説明する。まず、積層体の上面全体の上にネガ型のフォトレジストよりなるフォトレジスト層を形成する。このフォトレジスト層は、その上面が分離膜８２のうち第１のレジスト層８１の上に配置された部分よりも上方に配置されるように形成される。次に、フォトマスクを用いて、フォトレジスト層を選択的に露光する。このフォトマスクは、第１のレジスト層８１を形成する際に用いたフォトマスクと同様に、露光用の光を通過させる透光部と、露光用の光を遮断する遮光部とを有している。フォトマスクの透光部は、後に形成される主磁極１３の平面形状に対応した形状を有する部分を含んでいる。次に、露光後のフォトレジスト層を現像する。露光後は、フォトレジスト層のうち、フォトマスクの透光部を通過した光が照射された部分は現像液に対して不溶性となり、他の部分は現像液に対して可溶性のままである。現像後に残ったフォトレジスト層が第２のレジスト層８３となる。

【0116】

図１２Ａおよび図１２Ｂは、次の工程を示す。この工程では、まず、例えばウェットエッチングによって、分離膜８２のうち、第２のレジスト層８３によって覆われていない部分を除去する。次に、第１および第２のレジスト層８１，８３を露光した後、第１のレジスト層８１を除去する。具体的には、まず、積層体の上面全体を露光する。露光後は、ポジ型のフォトレジストよりなる第１のレジスト層８１は現像液に対して可溶性になり、ネガ型のフォトレジストよりなる第２のレジスト層８３は現像液に対して不溶性のままである。次に、例えばアルカリ性の現像液を用いて、第１のレジスト層８１を除去する。また、この工程では、第１のレジスト層８１を除去する際または第１のレジスト層８１を除去した後に、分離膜８２のうち、第２のレジスト層８３の壁面に沿った部分を除去する。この工程において、分離膜８２のうち第２のレジスト層８３の細い部分の下に存在していた部分は除去されてもよい。この場合でも、分離膜８２のうち第２のレジスト層８３の太い部分の下に存在している部分は除去されないため、第２のレジスト層８３が剥離することはない。

【0117】

次に、図示しないシード層を電極およびシードとして用いてめっきを行って、初期下部シールド１６ＡＰおよび初期非磁性層５５Ｐの上に、後に第１のサイドシールド１６Ｃとなる第１の初期サイドシールド１６ＣＰと、後に第２のサイドシールド１６Ｄとなる第２の初期サイドシールド１６ＤＰを形成する。第１の初期サイドシールド１６ＣＰは、第１のサイドシールド１６Ｃとなる予定の第１のサイドシールド予定部１６ＣＰ１と、後述するエッチング工程で除去される予定の第１の除去予定部１６ＣＰ２とを含んでいる。図１２Ａでは、第１のサイドシールド予定部１６ＣＰ１と第１の除去予定部１６ＣＰ２の境界を点線で示している。第１のサイドシールド予定部１６ＣＰ１は、後に形成される第１のサイドシールド１６Ｃの第１の側壁ＳＷ１を有している。第１の除去予定部１６ＣＰ２は、第１の側壁ＳＷ１に連続する第５の側壁ＳＷ５を有している。第５の側壁ＳＷ５は、基板１の上面１ａに最も近い端縁Ｅ５を有している。端縁Ｅ５は、第１の側壁ＳＷ１の第１の端縁Ｅ１に連続している。なお、第５の側壁ＳＷ５および端縁Ｅ１，Ｅ５は、後で説明する図１３Ｄに示されている。

【0118】

第２の初期サイドシールド１６ＤＰは、第２のサイドシールド１６Ｄとなる予定の第２のサイドシールド予定部１６ＤＰ１と、後述するエッチング工程で除去される予定の第２の除去予定部１６ＤＰ２とを含んでいる。図１２Ａでは、第２のサイドシールド予定部１６ＤＰ１と第２の除去予定部１６ＤＰ２の境界を点線で示している。第２のサイドシールド予定部１６ＤＰ１は、後に形成される第２のサイドシールド１６Ｄの第２の側壁ＳＷ２を有している。第２の除去予定部１６ＤＰ２は、第２の側壁ＳＷ２に連続する第６の側壁ＳＷ６を有している。第６の側壁ＳＷ６は、基板１の上面１ａに最も近い端縁Ｅ６を有している。端縁Ｅ６は、第２の側壁ＳＷ２の第２の端縁Ｅ２に連続している。なお、第６の側壁ＳＷ６および端縁Ｅ２，Ｅ６は、後で説明する図１３Ｄに示されている。図１２Ａに示したように、第１の除去予定部１６ＣＰ２と第２の除去予定部１６ＤＰ２は、一体化されている。

【0119】

図１３Ａないし図１３Ｄは、次の工程を示す。図１３Ｄにおいてハッチングを付した部分は、初期非磁性層５５Ｐの、後に形成される媒体対向面８０に平行な断面を表している。この工程では、まず、第２のレジスト層８３と分離膜８２を除去する。次に、初期下部シールド１６ＡＰ、第１の初期サイドシールド１６ＣＰおよび第２の初期サイドシールド１６ＤＰの上に、マスク８４を形成する。マスク８４は、第１および第２の初期サイドシールド１６ＣＰ，１６ＤＰのうちの第１および第２のサイドシールド予定部１６ＣＰ１，１６ＤＰ１を覆っている。また、マスク８４は、後に形成される第１のサイドシールド１６Ｃの第１の後端面１６Ｃｂの位置と後に形成される第２のサイドシールド１６Ｄの第２の後端面１６Ｄｂの位置を規定する部分を含む壁面８４ａを有している。なお、図１３Ｄでは、マスク８４の上面上に、媒体対向面８０が形成される予定の位置ＡＢＳを示している。

【0120】

マスク８４は、フォトリソグラフィによってフォトレジスト層をパターニングして形成してもよい。あるいは、マスク８４は、以下のように形成してもよい。まず、積層体の上面全体の上にフォトレジスト層を形成する。次に、フォトレジスト層を加熱して硬化させる。次に、このフォトレジスト層の上に、アルミナ等の絶縁材料または金属材料よりなるハード層を形成する。次に、このハード層の上にフォトレジストマスクを形成する。次に、このフォトレジストマスクを用いて、例えばイオンビームエッチングによって、ハード層をエッチングして、パターニングされたハード層よりなるエッチングマスク層を形成する。次に、フォトレジストマスクを除去する。次に、エッチングマスク層をマスクとして用いて、例えば反応性イオンエッチングによって、フォトレジスト層をエッチングして、フォトレジスト層をパターニングする。マスク８４は、パターニングされたフォトレジスト層およびエッチングマスク層によって構成される。

【0121】

図１４Ａないし図１４Ｄは、次の工程を示す。図１４Ｄでは、マスク８４の上面上に、媒体対向面８０が形成される予定の位置ＡＢＳを示している。この工程では、マスク８４を用いて、例えばイオンビームエッチングによって、第１および第２の初期サイドシールド１６ＣＰ，１６ＤＰのうちの第１および第２の除去予定部１６ＣＰ２，１６ＤＰ２が除去されるように、第１および第２の初期サイドシールド１６ＣＰ，１６ＤＰのうちのマスク８４によって覆われていない部分をエッチングする。以下、この工程をエッチング工程と呼ぶ。このエッチング工程では、第１および第２の初期サイドシールド１６ＣＰ，１６ＤＰのエッチングと同時に、初期下部シールド１６ＡＰのうちの第１および第２の初期サイドシールド１６ＣＰ，１６ＤＰならびにマスク８４によって覆われていない部分をエッチングする。このエッチング工程では、第１および第２の初期サイドシールド１６ＣＰ，１６ＤＰがエッチングされることにより、第１のサイドシールド予定部１６ＣＰ１に第１の後端面１６Ｃｂが形成され、第２のサイドシールド予定部１６ＤＰ２に第２の後端面１６Ｄｂが形成される。また、初期下部シールド１６ＡＰがエッチングされることにより、初期下部シールド１６ＡＰに収容部１６Ａｃが形成される。

【0122】

エッチング工程では、収容部１６Ａｃの第３の側壁ＳＷ３の第３の端縁Ｅ３が、図１３Ｄに示した第５の側壁ＳＷ５の端縁Ｅ５と一致し、収容部１６Ａｃの第４の側壁ＳＷ４の第４の端縁Ｅ４が、図１３Ｄに示した第６の側壁ＳＷ６の端縁Ｅ６と一致するように、収容部１６Ａｃが自己整合的に形成される。その結果、第３の側壁ＳＷ３の第３の端縁Ｅ３が第１の側壁ＳＷ１の第１の端縁Ｅ１に連続し、第４の側壁ＳＷ４の第４の端縁Ｅ４が第２の側壁ＳＷ２の第２の端縁Ｅ２に連続するように、収容部１６Ａｃは、第１および第２のサイドシールド予定部１６ＣＰ１，１６ＤＰ１に対して正確に位置合わせされて形成される。

【0123】

また、エッチング工程では、初期非磁性層５５Ｐに前述の凹部５５ａが形成されるように、初期非磁性層５５Ｐのうちの第１および第２の初期サイドシールド１６ＣＰ，１６ＤＰによって覆われてない部分がエッチングされる。これにより、初期非磁性層５５Ｐは非磁性層５５となる。なお、図１４Ｄにおいてハッチングを付した部分は、後に形成される媒体対向面８０に平行な、非磁性層５５の断面を表している。

【0124】

エッチング工程において、イオンビームエッチングによって初期サイドシールド１６ＣＰ，１６ＤＰ、初期下部シールド１６ＡＰおよび初期非磁性層５５Ｐをエッチングする場合には、イオンビームの進行方向が基板１の上面１ａに対してなす角度が４０°〜７５°の範囲内となるようにして、図１４Ａにおける左側（第１の初期サイドシールド１６ＣＰ側）、右側（第２の初期サイドシールド１６ＤＰ側）および下側（マスク８４側）の３方向から、収容部１６Ａｃおよび凹部５５ａが形成される予定の領域に向かってイオンビームを照射する。イオンビームは、スイープさせてもよい。この場合、スイープの角度は、例えば４５°である。

【0125】

図１４Ａにおける左側からイオンビームを照射した場合には、第１の初期サイドシールド１６ＣＰの近傍では、第１の初期サイドシールド１６ＣＰの影の効果により、初期下部シールド１６ＡＰおよび初期非磁性層５５Ｐのエッチング速度が低下する。図１４Ａにおける右側からイオンビームを照射した場合には、第２の初期サイドシールド１６ＤＰの近傍では、第２の初期サイドシールド１６ＤＰの影の効果により、初期下部シールド１６ＡＰおよび初期非磁性層５５Ｐのエッチング速度が低下する。図１４Ａにおける下側からイオンビームを照射した場合には、マスク８４の近傍では、マスク８４の影の効果により、初期下部シールド１６ＡＰのエッチング速度が低下する。第１および第２の除去予定部１６ＣＰ２，１６ＤＰ２のエッチングが進行することにより第１および第２の除去予定部１６ＣＰ２，１６ＤＰ２の厚みが小さくなるに従って、第１および第２の初期サイドシールド１６ＣＰ，１６ＤＰの影の効果が小さくなり、第１および第２の初期サイドシールド１６ＣＰ，１６ＤＰの近傍における上記エッチング速度は大きくなる。その結果、図１４Ｄに示したように傾斜した前方壁面ＳＷＡおよび側壁ＳＷ３，ＳＷ４を有する収容部１６Ａｃと、図１４Ｄに示したように傾斜した第１および第２の壁面を有する凹部５５ａが形成される。

【0126】

なお、エッチング工程では、初期下部シールド１６ＡＰおよび初期非磁性層５５Ｐの上に形成された図示しないシード層のうちの、第１および第２の初期サイドシールド１６ＣＰ，１６ＤＰならびにマスク８４によって覆われていない部分もエッチングされる。収容部１６Ａｃおよび凹部５５ａの深さ（基板１の上面１ａに垂直な方向についての寸法）は、エッチング条件の他、図示しないシード層の厚みによっても制御することができる。

【0127】

図１５Ａおよび図１５Ｂは、次の工程を示す。この工程では、マスク８４を除去する。図１６Ａおよび図１６Ｂは、次の工程を示す。この工程では、まず、ギャップ部１７の第１の部分を形成する。具体的には、積層体の上面全体の上に、ギャップ部１７の第１の部分を構成する部分を含む第１のギャップ層１８を形成する。第１のギャップ層１８の材料としてアルミナを用いる場合には、例えば原子層堆積法（ＡＬＤ）によって、第１のギャップ層１８を形成する。第１のギャップ層１８の材料としてＲｕを用いる場合には、例えば化学的気相成長法（ＣＶＤ）によって、第１のギャップ層１８を形成する。次に、第１のギャップ層１８を選択的にエッチングして、第１のギャップ層１８に、磁性層３４（図６参照）の上面を露出させる開口部と、図示しない第１の接続層の上面を露出させる開口部を形成する。

【0128】

図１７Ａおよび図１７Ｂは、次の工程を示す。この工程では、例えばフレームめっき法によって、後に主磁極１３となる初期主磁極１３Ｐを形成する。フレームめっき法によって初期主磁極１３Ｐを形成する場合には、まず、積層体の上面全体の上にフォトレジスト層を形成し、これをフォトリソグラフィによってパターニングして、図示しないフレームを形成する。このフレームは、その上面が後に形成される主磁極１３の上面よりも上方に配置されるように形成される。このフレームは、初期主磁極１３Ｐを収容するための第１の開口部と、図示しない第２の接続層を収容するための第２の開口部を有している。第１の開口部は、後方部１５Ｂの第５の側面Ｓ５の形状を規定する第１の内壁と、後方部１５Ｂの第６の側面Ｓ６の形状を規定する第２の内壁とを有している。上方から見て、第１および第２の内壁は、前方部１５Ａの第１および第２の側面Ｓ１，Ｓ２が形成される予定の位置よりも外側に位置する。

【0129】

次に、フレームを用いてめっきを行って、第１の開口部内に収容されるように、初期主磁極１３Ｐを形成する。初期主磁極１３Ｐのうち、収容部１６Ａｃ内および凹部５５ａ内に収容されるように形成された部分は、後に主磁極１３の下部突出部１４となる。初期主磁極１３Ｐのうち、第１のサイドシールド予定部１６ＣＰ１の第１の側壁ＳＷ１と第２のサイドシールド予定部１６ＤＰ１の第２の側壁ＳＷ２との間に形成された部分は、後に主磁極１３の本体１５の前方部１５Ａとなる。初期主磁極１３Ｐのうち、収容部１６Ａｃおよび凹部５５ａからはみ出すように後に下部突出部１４となる部分の上に形成された部分は、後に主磁極１３の本体１５の後方部１５Ｂとなる。

【0130】

初期主磁極１３Ｐは、前方部１５Ａの側面Ｓ１，Ｓ２と、後方部１５Ｂの端面１５Ｂａ１，１５Ｂａ２および側面Ｓ５，Ｓ６（図２参照）と、下部突出部１４の前端面１４ａおよび側面Ｓ３，Ｓ４（図２参照）を有している。第１の側面Ｓ１の形状は、第１のサイドシールド予定部１６ＣＰ１の第１の側壁ＳＷ１と、第１のギャップ層１８のうちの第１の側壁ＳＷ１に沿った部分とによって規定される。第２の側面Ｓ２の形状は、第２のサイドシールド予定部１６ＤＰ１の第２の側壁ＳＷ２と、第１のギャップ層１８のうちの第２の側壁ＳＷ２に沿った部分とによって規定される。

【0131】

第１の端面１５Ｂａ１の形状は、図１４Ｄおよび図１５Ａに示した第１のサイドシールド予定部１６ＣＰ１の第１の後端面１６Ｃｂと、第１のギャップ層１８のうちの第１の後端面１６Ｃｂに沿った部分とによって規定される。第２の端面１５Ｂａ２の形状は、図１４Ｄおよび図１５Ａに示した第２のサイドシールド予定部１６ＤＰ１の第２の後端面１６Ｄｂと、第１のギャップ層１８のうちの第２の後端面１６Ｄｂに沿った部分とによって規定される。第５の側面Ｓ５の形状は、フレームの第１の内壁によって規定される。第６の側面Ｓ６の形状は、フレームの第２の内壁によって規定される。

【0132】

前端面１４ａの形状は、図１４Ｄに示した収容部１６Ａｃの前方壁面ＳＷＡと、第１のギャップ層１８のうちの前方壁面ＳＷＡに沿った部分とによって規定される。第３の側面Ｓ３の形状は、図１４Ｄに示した収容部１６Ａｃの第３の側壁ＳＷ３と、第１のギャップ層１８のうちの第３の側壁ＳＷ３に沿った部分とによって規定される。第４の側面Ｓ４の形状は、図１４Ｄに示した収容部１６Ａｃの第４の側壁ＳＷ４と、第１のギャップ層１８のうちの第４の側壁ＳＷ４に沿った部分とによって規定される。

【0133】

また、フレームを用いてめっきを行って、第１の接続層の上に第２の接続層を形成する。初期主磁極１３Ｐおよび第２の接続層は、その上面が第１のギャップ層１８のうち初期サイドシールド１６ＣＰ，１６ＤＰの上に配置された部分よりも上方に配置されるように形成される。次に、フレームを除去する。

【0134】

以下、図１、図４、図６および図７を参照して、初期主磁極１３Ｐおよび第２の接続層を形成した後の工程について説明する。まず、積層体の上面全体の上に、非磁性層６０を形成する。次に、第１および第２の初期サイドシールド１６ＣＰ，１６ＤＰの上面が露出するまで、初期主磁極１３Ｐ、第２の接続層、第１のギャップ層１８および非磁性層６０を研磨する。次に、初期主磁極１３Ｐおよび初期サイドシールド１６ＣＰ，１６ＤＰの上に、非磁性金属層５８および絶縁層５９を形成する。次に、非磁性金属層５８および絶縁層５９を用いて、例えばイオンビームエッチングによって、初期主磁極１３Ｐに前方部１５Ａの上面１５Ａｂの傾斜部が形成されるように、初期主磁極１３Ｐ、初期サイドシールド１６ＣＰ，１６ＤＰ、第１のギャップ層１８および非磁性層６０の一部をエッチングする。エッチング後の初期主磁極１３Ｐの上面のうち、非磁性金属層５８および絶縁層５９によって覆われた部分は、前方部１５Ａの上面１５Ａｂの平坦部および後方部１５Ｂの上面１５Ｂｂとなる。

【0135】

次に、ギャップ部１７の第２の部分を形成する。具体的には、積層体の上面全体の上に、例えばスパッタ法または化学的気相成長法によって、ギャップ部１７の第２の部分を構成する部分を含む第２のギャップ層１９を形成する。次に、例えばイオンビームエッチングによって、初期主磁極１３Ｐの上面の一部、初期サイドシールド１６ＣＰ，１６ＤＰの上面の一部および第２の接続層の上面が露出するように、第２のギャップ層１９、非磁性金属層５８および絶縁層５９を選択的にエッチングする。次に、例えばフレームめっき法によって、初期サイドシールド１６ＣＰ，１６ＤＰおよび第２のギャップ層１９の上に後に上部シールド１６Ｂとなる初期上部シールドを形成し、初期主磁極１３Ｐの上に磁性層４１を形成する。

【0136】

次に、積層体の上面全体の上に絶縁膜６１を形成する。次に、絶縁膜６１を選択的にエッチングすることによって、絶縁膜６１に、第２の接続層の上面を露出させる開口部を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、コイルの第２の部分２０を形成する。次に、第２の部分２０の巻線間に絶縁層６２を形成する。次に、積層体の上面全体の上に図示しない非磁性層を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第２の部分２０、初期上部シールドおよび磁性層４１が露出するまで、絶縁膜６１および非磁性層を研磨する。

【0137】

次に、積層体の上面全体の上に絶縁層６３を形成する。次に、絶縁層６３を選択的にエッチングすることによって、絶縁層６３に、初期上部シールドの上面を露出させる開口部と、磁性層４１の上面を露出させる開口部を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、磁性層４２を形成する。次に、例えば反応性イオンエッチングまたはイオンビームエッチングによって、初期上部シールドに前述の接続面１６Ｂｃが形成され、磁性層４２に前述の端面が形成されるように、初期上部シールドおよび磁性層４２をエッチングする。次に、積層体の上面全体の上に非磁性層６４を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、磁性層４２が露出するまで非磁性層６４を研磨する。

【0138】

次に、積層体の上面全体を覆うように保護層７０を形成する。次に、保護層７０の上に配線や端子等を形成し、媒体対向面８０が形成される予定の位置ＡＢＳの近傍で基板１を切断する。次に、初期下部シールド１６ＡＰが下部シールド１６Ａになり、第１の初期サイドシールド１６ＣＰが第１のサイドシールド１６Ｃになり、第２の初期サイドシールド１６ＤＰが第２のサイドシールド１６Ｄになり、初期主磁極１３Ｐが主磁極１３になり、初期上部シールドが上部シールド１６Ｂになるように、切断によって形成された面を研磨して媒体対向面８０を形成する。次に、浮上用レールの作製等を行って、磁気ヘッドが完成する。

【0139】

次に、本実施の形態に係る磁気ヘッド特有の作用および効果について説明する。本実施の形態に係る磁気ヘッドでは、図５に示したように、第３の側壁ＳＷ３の第３の端縁Ｅ３が第１の側壁ＳＷ１の第１の端縁Ｅ１に連続し、第４の側壁ＳＷ４の第４の端縁Ｅ４が第２の側壁ＳＷ２の第２の端縁Ｅ２に連続するように、収容部１６Ａｃは、第１および第２のサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄに対して正確に位置合わせされている。これにより、主磁極１３の下部突出部１４も、第１および第２のサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄに対して正確に位置合わせされている。

【0140】

本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、収容部１６Ａｃおよび下部突出部１４は、第１および第２の初期サイドシールド１６ＣＰ，１６ＤＰを用いて自己整合的に形成される。以下、これについて詳しく説明する。本実施の形態では、エッチング工程において、第１および第２の初期サイドシールド１６ＣＰ，１６ＤＰのうちの第１および第２の除去予定部１６ＣＰ２，１６ＤＰ２が除去されると共に、初期下部シールド１６ＡＰに収容部１６Ａｃが形成されるように、第１および第２の初期サイドシールド１６ＣＰ，１６ＤＰのうちのマスク８４によって覆われていない部分と初期下部シールド１６ＡＰのうちの第１および第２の初期サイドシールド１６ＣＰ，１６ＤＰならびにマスク８４によって覆われていない部分とをエッチングする。

【0141】

図１３Ｄに示したように、第１の除去予定部１６ＣＰ２は、第１の側壁ＳＷ１に連続する第５の側壁ＳＷ５を有し、第２の除去予定部１６ＤＰ２は、第２の側壁ＳＷ２に連続する第６の側壁ＳＷ６を有している。前述のように、エッチング工程では、収容部１６Ａｃの第３の側壁ＳＷ３の第３の端縁Ｅ３が、第５の側壁ＳＷ５における基板１の上面１ａに最も近い端縁Ｅ５と一致し、収容部１６Ａｃの第４の側壁ＳＷ４の第４の端縁Ｅ４が、第６の側壁ＳＷ６における基板１の上面１ａに最も近い端縁Ｅ６と一致するように、収容部１６Ａｃが形成される。その結果、第３の側壁ＳＷ３の第３の端縁Ｅ３が第１の側壁ＳＷ１の第１の端縁Ｅ１に連続し、第４の側壁ＳＷ４の第４の端縁Ｅ４が第２の側壁ＳＷ２の第２の端縁Ｅ２に連続するように、収容部１６Ａｃは、第１および第２のサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄ（第１および第２のサイドシールド予定部１６ＣＰ１，１６ＤＰ１）に対して正確に位置合わせされて形成される。また、初期主磁極１３Ｐは、その一部が収容部１６Ａｃに収容されるように形成される。その結果、主磁極１３も、第１および第２のサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄに対して正確に位置合わせされて形成される。

【0142】

以下、比較例の磁気ヘッドおよびその製造方法と比較しながら、本実施の形態に係る磁気ヘッドおよびその製造方法の効果について説明する。始めに、比較例の磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。比較例の磁気ヘッドは、本実施の形態に係る磁気ヘッドと同様に、媒体対向面と、主磁極と、記録シールドと、ギャップ部と、非磁性層とを備え、記録シールドは、下部シールド、上部シールド、第１のサイドシールドおよび第２のサイドシールドを含み、ギャップ部は、第１および第２の部分を有している。比較例の磁気ヘッドでは、主磁極は下部突出部を含み、下部突出部は媒体対向面に向いた前端面を有している。しかし、比較例の磁気ヘッドでは、下部シールドは収容部を含んでいない。

【0143】

比較例の磁気ヘッドの製造方法では、主磁極は、以下のようにして形成される。まず、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法と同様に、基板の上に、初期下部シールドおよび初期非磁性層までの部分を形成する。次に、初期下部シールドおよび初期非磁性層の上に、主磁極の下部突出部の平面形状に対応した形状の開口部を有するマスクを形成する。このマスクは、フォトリソグラフィによってフォトレジスト層をパターニングして形成する。次に、マスクを用いて、初期非磁性層に主磁極の下部突出部の全体を収容する凹部が形成されるように、初期非磁性層をエッチングする。これにより、初期非磁性層は非磁性層となる。次に、マスクを除去する。

【0144】

次に、初期下部シールドの上面の上に、それぞれ後に第１および第２のサイドシールドとなる比較例の第１および第２の初期サイドシールドを形成する。比較例の第１の初期サイドシールドは、本実施の形態における第１の初期サイドシールド１６ＣＰから、第１の除去予定部１６ＣＰ２を除いたものである。比較例の第２の初期サイドシールドは、本実施の形態における第２の初期サイドシールド１６ＤＰから、第２の除去予定部１６ＤＰ２を除いたものである。

【0145】

次に、図１６Ａおよび図１６Ｂに示した工程と同様に、ギャップ部の第１の部分を形成する。次に、図１７Ａおよび図１７Ｂに示した工程と同様に、フレームめっき法によって、初期主磁極を形成する。比較例の磁気ヘッドの製造方法では、初期主磁極のうち、非磁性層の凹部内に収容されるように形成された部分が、下部突出部となる。その後の工程は、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法と同様である。

【0146】

比較例の磁気ヘッドの製造方法では、第１および第２のサイドシールドと下部突出部の位置合わせは、フォトリソグラフィによって形成されたマスクの位置精度に依存する。この製造方法では、第１および第２のサイドシールドと下部突出部との位置ずれが発生する。この製造方法によって製造される比較例の磁気ヘッドでは、下部突出部の前端面を媒体対向面の近くに配置した構造にすると、上記の位置ずれが生じたときに、下部突出部は一方のサイドシールドに近づくため、下部突出部から一方のサイドシールドへの磁束の漏れが生じる。そのため、比較例の磁気ヘッドでは、記録密度の向上のために重要な以下の２つの目標を同時に達成することが困難である。第１の目標は、媒体対向面に配置された端面の形状が小さく、且つ媒体対向面の近傍において媒体対向面に平行な断面の面積（以下、断面積と言う。）が大きい主磁極を実現することである。第２の目標は、主磁極から記録シールドへの磁束の漏れを少なくすることである。

【0147】

これに対し、本実施の形態では、前述のように、収容部１６Ａｃが、第１および第２のサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄに対して正確に位置合わせされて形成されることから、主磁極１３の下部突出部１４も、第１および第２のサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄに対して正確に位置合わせされて形成される。従って、本実施の形態によれば、下部突出部１４の位置ずれに伴う下部突出部１４から一方のサイドシールドへの磁束の漏れの発生を防止しながら、下部突出部１４の前端面１４ａを媒体対向面８０に近づけることができる。これにより、本実施の形態によれば、上記の２つの目標を同時に達成することができる。その結果、本実施の形態によれば、オーバーライト特性を向上させ、エラーレートを減少させ、記録密度を向上させることが可能になる。

【0148】

また、下部突出部１４の前端面１４ａを媒体対向面８０に近づけることにより、主磁極１３から主磁極１３の外部への磁束の漏れを少なくして、オーバーライト特性を向上させることが可能になる。しかし、比較例の磁気ヘッドでは、下部突出部の前端面を媒体対向面に近づけようとすると、下部シールドの体積が小さくなり、下部シールドにおいて磁束の飽和が生じやすくなる。すると、下部シールドから記録媒体に向けて磁束が漏れて、望まれない消去が生じるという問題が発生する。

【0149】

これに対し、本実施の形態では、下部シールド１６Ａに収容部１６Ａｃが形成され、この収容部１６Ａｃに下部突出部１４の一部が収容されている。これにより、下部突出部１４の前端面１４ａを媒体対向面８０に近づけながら、磁束の飽和が生じないような下部シールド１６Ａの体積を確保することができる。そのため、本実施の形態によれば、主磁極１３から主磁極１３の外部への磁束の漏れを少なくすることができると共に、下部シールド１６Ａから記録媒体９０に向けての磁束の漏れを少なくすることができる。本実施の形態によれば、これによっても、オーバーライト特性を向上させ、エラーレートを減少させ、記録密度を向上させることが可能になる。

【0150】

以下、本実施の形態におけるその他の効果について説明する。本実施の形態では、下部突出部１４の前端面１４ａは、前述のように、媒体対向面８０に対して傾斜している。前端面１４ａが媒体対向面８０に対して平行な場合には、前端面１４ａと前方部１５Ａの下端１５Ａｃとの間と、前端面１４ａと下部突出部１４の下面１４ｂとの間に９０°または９０°に近い角度の角が形成される。この場合、これらの角において主磁極１３から主磁極１３の外部へ磁束が漏れやすい。これに対し、本実施の形態では、前端面１４ａと下端１５Ａｃとの間に形成される角と、前端面１４ａと下面１４ｂとの間に形成される角の角度は、上記の場合に比べて大きくなる。これにより、本実施の形態によれば、前端面１４ａが媒体対向面８０に対して平行な場合に比べて、主磁極１３から主磁極１３の外部への磁束の漏れをより少なくすることができる。本実施の形態によれば、これによっても、オーバーライト特性を向上させることができる。

【0151】

また、本実施の形態では、下部シールド１６Ａの上面１６Ａｂは、前述のように、媒体対向面８０に垂直な方向に対して傾斜している。その結果、前方部１５Ａの下端１５Ａｃも、媒体対向面８０に垂直な方向に対して傾斜している。これにより、本実施の形態によれば、下端１５Ａｃが実質的に媒体対向面８０に垂直な方向に延在している場合に比べて、媒体対向面８０の近傍における前方部１５Ａの断面積を大きくすることができる。本実施の形態によれば、これによっても、オーバーライト特性を向上させることができる。

【0152】

特に本実施の形態では、前方部１５Ａの下端１５Ａｃと、下部突出部１４の前端面１４ａが、共に媒体対向面８０に垂直な方向に対して傾斜し、且つ前端面１４ａが媒体対向面８０に垂直な方向に対して角度は、下端１５Ａｃが媒体対向面８０に垂直な方向に対して角度よりも大きい。これにより、本実施の形態によれば、主磁極１３から主磁極１３の外部への磁束の漏れを少なくしながら、媒体対向面８０の近傍における主磁極１３の断面積を大きくすることができる。その結果、本実施の形態によれば、オーバーライト特性をより効果的に向上させることができる。

【0153】

また、本実施の形態では、トラック幅方向ＴＷについての第３の端縁Ｅ３と第４の端縁Ｅ４の間隔は、媒体対向面８０から遠ざかるに従って大きくなっている。本実施の形態によれば、トラック幅方向ＴＷについての第３の端縁Ｅ３と第４の端縁Ｅ４の間隔が、媒体対向面８０からの距離によらずに一定の場合に比べて、第１および第２のサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄから離れた位置における収容部１６Ａｃの断面積を大きくすることができ、その結果、媒体対向面８０の近傍における下部突出部１４の断面積を大きくすることができる。本実施の形態によれば、これによっても、オーバーライト特性を向上させることができる。

【0154】

また、本実施の形態では、図４に示したサイドシールドハイトＳＨは、第１および第２の後端面１６Ｃｂ，１６Ｄｂのそれぞれの、基板１の上面１ａから最も遠い端縁ＥＡ，ＥＢから媒体対向面８０までの距離と等しい。端縁ＥＡ，ＥＢの位置は、図１３Ａないし図１４Ｄに示したマスク８４の壁面８４ａの位置によって規定される。本実施の形態では、壁面８４ａの位置を、媒体対向面８０が形成される予定の位置ＡＢＳに近づけることは容易である。

【0155】

ここで、主磁極１３の上面における前方部１５Ａと後方部１５Ｂとの境界から媒体対向面８０までの距離、すなわち媒体対向面８０に垂直な方向についての前方部１５Ａの長さを、本実施の形態におけるネックハイトと定義する。本実施の形態によれば、サイドシールドハイトＳＨを小さくすることによって、ネックハイトを小さくすることができる。

【0156】

ところで、第１および第２の後端面１６Ｃｂ，１６Ｄｂの端縁ＥＡ，ＥＢが媒体対向面８０に対して傾いていると、前方部１５Ａと後方部１５Ｂとの境界の位置における後方部１５Ｂの断面積は、第１および第２の後端面１６Ｃｂ，１６Ｄｂによって制限される。これに対し、本実施の形態では、第１および第２の後端面１６Ｃｂ，１６Ｄｂの端縁ＥＡ，ＥＢが媒体対向面８０に平行であることから、前方部１５Ａと後方部１５Ｂとの境界の位置における後方部１５Ｂの断面積を、第１および第２の後端面１６Ｃｂ，１６Ｄｂによって制限されずに大きくすることができる。

【0157】

また、本実施の形態では、後方部１５Ｂと交差し且つ媒体対向面８０に平行な任意の断面において、後方部１５Ｂは、下部突出部１４よりも大きなトラック幅方向ＴＷの幅を有している。本実施の形態によれば、上記任意の断面において、後方部１５Ｂのトラック幅方向ＴＷの幅が下部突出部１４と同じである場合に比べて、媒体対向面８０の近傍における後方部１５Ｂの断面積を大きくすることができる。本実施の形態によれば、これによっても、オーバーライト特性を向上させることができる。

【0158】

また、本実施の形態では、第１および第２の側壁ＳＷ１，ＳＷ２と交差し且つ媒体対向面８０に平行な任意の断面において、トラック幅方向ＴＷについての第１の側壁ＳＷ１と第２の側壁ＳＷ２の間隔は、基板１の上面１ａに近づくに従って小さくなっている。その結果、本実施の形態における主磁極１３では、上記任意の断面において、第１の側面Ｓ１と第２の側面Ｓ２の間隔は、基板１の上面１ａに近づくに従って小さくなり、前方部１５Ａの端面１５Ａａすなわち主磁極１３の端面１３ａのトラック幅方向ＴＷの幅は、基板１の上面１ａに近づくに従って小さくなっている。これにより、本実施の形態によれば、スキューに起因した望まれない消去の発生を抑制することができる。

【0159】

また、本実施の形態では、第１の後端面１６Ｃｂが基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度は、第１の側壁ＳＷ１が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度よりも小さく、第２の後端面１６Ｄｂが基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度は、第２の側壁ＳＷ２が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度よりも小さい。その結果、本実施の形態における主磁極１３では、第１の端面１５Ｂａ１が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度は、第１の側面Ｓ１が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度よりも小さく、第２の端面１５Ｂａ２が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度は、第２の側面Ｓ２が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度よりも小さい。本実施の形態における主磁極１３では、第１の端面１５Ｂａ１が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度が、第１の側面Ｓ１が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度と等しく、第２の端面１５Ｂａ２が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度が、第２の側面Ｓ２が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度と等しい場合に比べて、第１の側面Ｓ１と第１の端面１５Ｂａ１との境界ならびに第２の側面Ｓ２と第２の端面１５Ｂａ２との境界の近傍の部分において、主磁極１３の断面積を大きくすることができる。本実施の形態によれば、これによっても、オーバーライト特性を向上させることができる。

【0160】

［第２の実施の形態］
次に、図１８を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る磁気ヘッドについて説明する。図１８は、本実施の形態に係る磁気ヘッドの要部を示す断面図である。本実施の形態では、下部シールド１６Ａの上面１６Ａｂは、実質的に媒体対向面８０に垂直な方向に延在している。

【0161】

本実施の形態では、第１の実施の形態で説明した、下部シールド１６Ａの上面１６Ａｂが傾斜していることによる効果は得られない。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。

【0162】

［第３の実施の形態］
次に、図１９ないし図２１を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る磁気ヘッドについて説明する。図１９は、本実施の形態に係る磁気ヘッドにおける主磁極を示す斜視図である。図２０は、本実施の形態に係る磁気ヘッドの要部を示す断面図である。図２１は、本実施の形態に係る磁気ヘッドにおける主磁極、第１のサイドシールドおよび第２のサイドシールドを示す平面図である。本実施の形態に係る磁気ヘッドの構成は、以下の点で第１の実施の形態と異なっている。本実施の形態に係る磁気ヘッドでは、第１の実施の形態における第１のギャップ層１８が設けられていない。代わりに、ギャップ部１７の第１の部分は、以下で説明する第１のギャップ膜１８１および第２のギャップ膜１８２を有している。

【0163】

第１のギャップ膜１８１は、媒体対向面８０に最も近い端部であって、媒体対向面８０から離れた位置に配置された端部１８１ａを有している。媒体対向面８０から端部１８１ａまでの距離は、例えば３０〜２００ｎｍの範囲内であり、６０〜１００ｎｍの範囲内であることが好ましい。また、第１のギャップ膜１８１の少なくとも一部は、下部シールド１６Ａの収容部１６Ａｃ内に位置している。第１のギャップ膜１８１の端部１８１ａは、収容部１６Ａｃに対して媒体対向面８０により近い位置に配置されていてもよいし、収容部１６Ａｃ内に配置されていてもよい。

【0164】

図２０および図２１に示したように、本実施の形態では、第１のギャップ膜１８１は、第１のサイドシールド１６Ｃの第１の側壁ＳＷ１および第１の後端面１６Ｃｂ、第２のサイドシールド１６Ｄの第２の側壁ＳＷ２および第２の後端面１６Ｄｂ、下部シールド１６Ａの上面１６Ａｂ、収容部１６Ａｃの前方壁面ＳＷＡ、ならびに非磁性層５５の凹部５５ａの表面に沿って配置されている。第１のギャップ膜１８１は、更に、第１の実施の形態における図５に示した、収容部１６Ａｃの第３の側壁ＳＷ３、第４の側壁ＳＷ４、第３の接続面ＳＷ７および第４の接続面ＳＷ８に沿って配置されている。

【0165】

第２のギャップ膜１８２は、媒体対向面８０に配置された端部１８２ａを有し、第１のギャップ膜１８１の上に積層されている。図２０および図２１に示したように、本実施の形態では、第２のギャップ膜１８２は、第１のギャップ膜１８１を覆うように、第１のサイドシールド１６Ｃの第１の側壁ＳＷ１、第２のサイドシールド１６Ｄの第２の側壁ＳＷ２および第１のギャップ膜１８１に沿って配置されている。

【0166】

図２０に示したように、本実施の形態では、主磁極１３は、下部シールド１６Ａおよび非磁性層５５と主磁極１３との間に第１および第２のギャップ膜１８１，１８２が介在するように、下部シールド１６Ａおよび非磁性層５５の上に配置されている。また、図２１に示したように、主磁極１３と第１および第２のサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄとの間にも、第１および第２のギャップ膜１８１，１８２が介在している。本実施の形態では、第１および第２のギャップ膜１８１，１８２は、主磁極１３と第１ないし第４の側壁ＳＷ１〜ＳＷ４との間に介在している。図１９には、第１のギャップ膜１８１のうち、第２のギャップ膜１８２と第１および第２の側壁ＳＷ１，ＳＷ２との間に介在する部分を示している。

【0167】

第１のギャップ膜１８１は、例えばアルミナによって形成されている。第２のギャップ膜１８２は、例えば、第１の実施の形態で説明した第１のギャップ層１８と同じ材料によって形成されている。第１のギャップ膜１８１の厚みは、例えば、２０〜８０ｎｍの範囲内であり、４０〜６０ｎｍの範囲内であることが好ましい。第２のギャップ膜１８２の厚みは、例えば、２０〜８０ｎｍの範囲内であり、３０〜６０ｎｍの範囲内であることが好ましい。

【0168】

なお、第１のギャップ膜１８１の形状および配置は、上記の例に限られない。例えば、第１のギャップ膜１８１は、その全体が収容部１６Ａｃ内に位置していてもよい。この場合、主磁極１３と第１および第２の側壁ＳＷ１，ＳＷ２との間には、第２のギャップ膜１８２のみが介在する。

【0169】

次に、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明する。本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法は、第１の実施の形態における図１５Ａおよび図１５Ｂに示した工程までは、第１の実施の形態と同じである。本実施の形態では、次に、本実施の形態におけるギャップ部１７の第１の部分を形成する工程が行われる。本実施の形態におけるギャップ部１７の第１の部分を形成する工程は、第１のギャップ膜１８１を形成する工程と、第１のギャップ膜１８１を覆うように第２のギャップ膜１８２を形成する工程とを含んでいる。

【0170】

第１のギャップ膜１８１を形成する工程は、第１の実施の形態における図１５Ａおよび図１５Ｂに示した工程の後に行われる。第１のギャップ膜１８１を形成する工程では、まず、積層体の上面全体の上に、後に第１のギャップ膜１８１となる非磁性膜を形成する。非磁性膜は、下部シールド１６Ａの収容部１６Ａｃ内および非磁性層５５の凹部５５ａ内にも形成される。非磁性膜（第１のギャップ膜１８１）の材料としてアルミナを用いる場合には、例えば原子層堆積法（ＡＬＤ）によって、非磁性膜を形成する。次に、非磁性膜の上に、媒体対向面８０が形成される予定の位置の近傍を露出させる開口部を有するエッチングマスクを形成する。このエッチングマスクは、フォトリソグラフィによってフォトレジスト層をパターニングして形成する。次に、エッチングマスクを用いて、例えばアルカリ性のエッチング液を用いたウェットエッチングによって、非磁性膜のうちエッチングマスクの開口部から露出する部分を除去する。これにより、非磁性膜は第１のギャップ膜１８１となる。次に、エッチングマスクを除去する。

【0171】

なお、第１のギャップ膜１８１は、リフトオフ法によって形成してもよい。この場合には、まず、第１のギャップ膜１８１が形成される予定の部分に開口部を有するマスクを形成する。このマスクは、フォトリソグラフィによってフォトレジスト層をパターニングして形成する。次に、マスクを残したまま、積層体の上面全体の上に、後に第１のギャップ膜１８１となる非磁性膜を形成する。次に、マスクをリフトオフする。これにより、残った非磁性膜は、第１のギャップ膜１８１となる。

【0172】

第２のギャップ膜１８２を形成する工程は、第１のギャップ膜１８１を形成する工程の後に行われる。第２のギャップ膜１８２を形成する工程では、積層体の上面全体の上に、第２のギャップ膜１８２を形成する。第２のギャップ膜１８２の材料としてアルミナを用いる場合には、例えば原子層堆積法（ＡＬＤ）によって、第２のギャップ膜１８２を形成する。第２のギャップ膜１８２の材料としてＲｕを用いる場合には、例えば化学的気相成長法（ＣＶＤ）によって、第２のギャップ膜１８２を形成する。

【0173】

本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、次に、第１および第２のギャップ膜１８１，１８２を選択的にエッチングして、第１および第２のギャップ膜１８１，１８２に、磁性層３４（図６参照）の上面を露出させる開口部と、図示しない第１の接続層の上面を露出させる開口部を形成する。その後の工程は、第１の実施の形態と同じである。

【0174】

本実施の形態では、第１のギャップ膜１８１の少なくとも一部が収容部１６Ａｃ内に位置し、主磁極１３と第３および第４の側壁ＳＷ３，ＳＷ４との間には、第１のギャップ膜１８１の少なくとも一部と第２のギャップ膜１８２の一部が介在している。これにより、本実施の形態によれば、主磁極１３と第３および第４の側壁ＳＷ３，ＳＷ４の間に第２のギャップ膜１８２のみが介在している場合に比べて、第１のギャップ膜１８１の分だけ、主磁極１３と下部シールド１６Ａとの間の距離を大きくすることができる。これにより、本実施の形態によれば、主磁極１３から記録シールド１６への磁束の漏れをより少なくすることができる。その結果、本実施の形態によれば、オーバーライト特性を向上させ、エラーレートを減少させ、記録密度を向上させることが可能になる。

【0175】

また、本実施の形態では、下部シールド１６Ａに収容部１６Ａｃが形成され、この収容部１６Ａｃに下部突出部１４の一部が収容されている。本実施の形態では、第１および第２のギャップ膜１８１，１８２の厚みに応じて収容部１６Ａｃのトラック幅方向ＴＷの幅や深さ（基板１の上面１ａに垂直な方向の寸法）を変えることにより、媒体対向面８０の近傍における主磁極１３の媒体対向面８０に平行な断面の面積を小さくすることなく、第１および第２のギャップ膜１８１，１８２を設けることが可能である。

【0176】

なお、第２の実施の形態と同様に、下部シールド１６Ａの上面１６Ａｂは、実質的に媒体対向面８０に垂直な方向に延在していてもよい。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１または第２の実施の形態と同様である。

【0177】

［第４の実施の形態］
次に、図２２および図２３を参照して、本発明の第４の実施の形態に係る磁気ヘッドについて説明する。図２２は、本実施の形態に係る磁気ヘッドの要部を示す断面図である。図２３は、本実施の形態に係る磁気ヘッドにおける主磁極、第１のサイドシールドおよび第２のサイドシールドを示す平面図である。本実施の形態に係る磁気ヘッドの構成は、以下の点で第３の実施の形態と異なっている。本実施の形態に係る磁気ヘッドでは、ギャップ部１７の第１の部分は、第３の実施の形態における第１および第２のギャップ膜１８１，１８２の代わりに、以下で説明する第１のギャップ膜２８１および第２のギャップ膜２８２を有している。

【0178】

第１のギャップ膜２８１は、媒体対向面８０に配置された端部２８１ａを有し、第１のギャップ膜２８１の一部が下部シールド１６Ａの収容部１６Ａｃ内に位置している。図２２および図２３に示したように、本実施の形態では、第１のギャップ膜２８１は、第１のサイドシールド１６Ｃの第１の側壁ＳＷ１および第１の後端面１６Ｃｂ、第２のサイドシールド１６Ｄの第２の側壁ＳＷ２および第２の後端面１６Ｄｂ、下部シールド１６Ａの上面１６Ａｂ、収容部１６Ａｃの前方壁面ＳＷＡ、ならびに非磁性層５５の凹部５５ａの表面に沿って配置されている。第１のギャップ膜２８１は、更に、第１の実施の形態における図５に示した、収容部１６Ａｃの第３の側壁ＳＷ３、第４の側壁ＳＷ４、第３の接続面ＳＷ７および第４の接続面ＳＷ８の表面に沿って配置されている。

【0179】

第２のギャップ膜２８２は、媒体対向面８０に最も近い端部であって、媒体対向面８０から離れた位置に配置された端部２８２ａを有している。媒体対向面８０から端部２８２ａまでの距離は、例えば、第３の実施の形態で説明した媒体対向面８０から端部１８１ａまでの距離と同じである。また、第２のギャップ膜２８２の少なくとも一部は、下部シールド１６Ａの収容部１６Ａｃの上方に位置している。第２のギャップ膜２８２の端部２８２ａは、収容部１６Ａｃに対して媒体対向面８０により近い位置に配置されていてもよいし、収容部１６Ａｃの上方に配置されていてもよい。

【0180】

図２２および図２３に示したように、本実施の形態では、第２のギャップ膜２８２は、第１のギャップ膜２８１のうち、第１および第２の側壁ＳＷ１，ＳＷ２に沿った部分以外の部分に沿って配置されている。

【0181】

図２２に示したように、本実施の形態では、主磁極１３は、下部シールド１６Ａおよび非磁性層５５と主磁極１３との間に第１および第２のギャップ膜２８１，２８２が介在するように、下部シールド１６Ａおよび非磁性層５５の上に配置されている。また、図２３に示したように、主磁極１３と第１および第２のサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄとの間にも、第１および第２のギャップ膜２８１，２８２が介在している。本実施の形態では、第１および第２のギャップ膜２８１，２８２は、主磁極１３と第３および第４の側壁ＳＷ３，ＳＷ４との間に介在している。なお、主磁極１３と第１および第２の側壁ＳＷ１，ＳＷ２との間には、第１のギャップ膜２８１のみが介在している。

【0182】

第１のギャップ膜２８１は、例えば、第３の実施の形態で説明した第２のギャップ膜１８２と同じ材料によって形成されている。第１のギャップ膜２８１の厚みは、例えば、第３の実施の形態で説明した第２のギャップ膜１８２の厚みと同じである。第２のギャップ膜２８２は、例えば、第３の実施の形態で説明した第１のギャップ膜１８１と同じ材料によって形成されている。第２のギャップ膜２８２の厚みは、例えば、第３の実施の形態で説明した第１のギャップ膜１８１の厚みと同じである。

【0183】

なお、第２のギャップ膜２８２の形状および配置は、上記の例に限られない。例えば、第２のギャップ膜２８２は、その全体が収容部１６Ａｃの上方に位置していてもよい。あるいは、第２のギャップ膜２８２の一部は、第１のギャップ膜２８１のうち、第１および第２の側壁ＳＷ１，ＳＷ２に沿った部分に沿って配置されていてもよい。この場合、主磁極１３と第１および第２の側壁ＳＷ１，ＳＷ２との間には、第１のギャップ膜２８１と第２のギャップ膜２８２が介在する。

【0184】

次に、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明する。本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、ギャップ部１７の第１の部分を形成する工程が、第３の実施の形態と異なっている。本実施の形態におけるギャップ部１７の第１の部分を形成する工程は、第１のギャップ膜２８１を形成する工程と、第１のギャップ膜２８１の上に第２のギャップ膜２８２を形成する工程とを含んでいる。

【0185】

第１のギャップ膜２８１を形成する工程は、第１の実施の形態における図１５Ａおよび図１５Ｂに示した工程の後に行われる。第１のギャップ膜２８１を形成する工程では、積層体の上面全体の上に、第１のギャップ膜２８１を形成する。第１のギャップ膜２８１は、下部シールド１６Ａの収容部１６Ａｃ内および非磁性層５５の凹部５５ａ内にも形成される。第１のギャップ膜２８１の材料としてアルミナを用いる場合には、例えば原子層堆積法（ＡＬＤ）によって、第１のギャップ膜２８１を形成する。第１のギャップ膜２８１の材料としてＲｕを用いる場合には、例えば化学的気相成長法（ＣＶＤ）によって、第１のギャップ膜２８１を形成する。

【0186】

第２のギャップ膜２８２を形成する工程は、第１のギャップ膜２８１を形成する工程の後に行われる。第２のギャップ膜２８２を形成する工程では、例えばリフトオフ法によって、第２のギャップ膜２８２を形成する。第２のギャップ膜２８２をリフトオフ法によって形成する場合には、まず、第１のギャップ膜２８１の上に、第２のギャップ膜２８２が形成される予定の部分に開口部を有するマスクを形成する。このマスクは、フォトリソグラフィによってフォトレジスト層をパターニングして形成する。次に、マスクを残したまま、積層体の上面全体の上に、後に第２のギャップ膜２８２となる非磁性膜を形成する。非磁性膜（第２のギャップ膜２８２）の材料としてアルミナを用いる場合には、例えば原子層堆積法（ＡＬＤ）によって、非磁性膜を形成する。次に、マスクをリフトオフする。これにより、残った非磁性膜は、第２のギャップ膜２８２となる。

【0187】

本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、次に、第１および第２のギャップ膜２８１，２８２を選択的にエッチングして、第１および第２のギャップ膜２８１，２８２に、磁性層３４（図６参照）の上面を露出させる開口部と、図示しない第１の接続層の上面を露出させる開口部を形成する。その後の工程は、第３の実施の形態と同じである。

【0188】

本実施の形態では、第２のギャップ膜２８２の少なくとも一部が収容部１６Ａｃの上方に位置し、主磁極１３と第３および第４の側壁ＳＷ３，ＳＷ４との間には、第１のギャップ膜２８１の一部と第２のギャップ膜２８２の少なくとも一部が介在している。これにより、本実施の形態によれば、主磁極１３と第３および第４の側壁ＳＷ３，ＳＷ４に第１のギャップ膜２８１のみが介在している場合に比べて、第２のギャップ膜２８２の分だけ、主磁極１３と下部シールド１６Ａとの間の距離を大きくすることができる。これにより、本実施の形態によれば、主磁極１３から記録シールド１６への磁束の漏れをより少なくすることができる。その結果、本実施の形態によれば、オーバーライト特性を向上させ、エラーレートを減少させ、記録密度を向上させることが可能になる。

【0189】

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第３の実施の形態と同様である。

【0190】

なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、請求の範囲の要件を満たす限り、主磁極１３、下部シールド１６Ａ、上部シールド１６Ｂ、第１のサイドシールド１６Ｃおよび第２のサイドシールド１６Ｄの形状は、各実施の形態に示した例に限られず、任意である。

【符号の説明】

【0191】

１３…主磁極、１４…下部突出部、１５…本体、１５Ａ…前方部、１５Ｂ…後方部、１６Ａ…下部シールド、１６Ａｃ…収容部、１６Ｃ…第１のサイドシールド、１６Ｄ…第２のサイドシールド。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10A】

【図10B】

【図11A】

【図11B】

【図12A】

【図12B】

【図13A】

【図13B】

【図13C】

【図13D】

【図14A】

【図14B】

【図14C】

【図14D】

【図15A】

【図15B】

【図16A】

【図16B】

【図17A】

【図17B】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】