特許6050350ＩＩＩ−Ｖエピタキシャル層を成長させる方法および半導体構造

発明の名称　ＩＩＩ−Ｖエピタキシャル層を成長させる方法および半導体構造

出願人　エピガン　ナムローゼ　フェンノートシャップ　（識別番号 514012568）

　　　　特許公開件数ランキング 30447 位（0件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 24615 位（0件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-6050350

公報発行日　2016年12月21

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6050350

知財ポータルサイト IP Force にログインすれば、特許-6050350「ＩＩＩ−Ｖエピタキシャル層を成長させる方法および半導体構造」の公報全文を閲覧することができます。

ログインはこちら　ログイン・ユーザー登録