発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

のようにＩｎＰ基板を、半導体デバイスに利用するためには、その表面を、鏡面研磨によって、極めて高い均一性、平坦性を有する表面とすることが要求される。しかし、ＩｎＰ基板は、シリコン基板に比較して、結晶異方性により原子結合力の弱い面で割れやすいため、研磨の際、研磨速度（以下、研磨レートとも記す）を上げることができず、生産性に課題を有していた。 特許文献１〜４および非特許文献１に記載された研磨用組成物では、ＩｎＰ基板の高速研磨は困難であり、の課題に対して十分な解決手段を提供するものではない。また、特許文献４に記載された研磨用組成物は、その配合成分が多く、原料調達や原料コストの観点からも好ましくない。 本発明は、のような事情に鑑みなされたものであって、その目的とするところは、化合物半導体基板、とりわけＩｎＰ基板の高速研磨を可能とする研磨用組成物を提供するとともに、該研磨用組成物を利用した化合物半導体基板の製造方法を提供することにある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の研磨用組成物は、研磨レートの高速化が可能であるとともに、高速研磨を行なった場合でも、基板の仕上がり品質を、半導体デバイスに適応したものとすることができる。そして、とりわけＩｎＰ基板の研磨において優れた効果を発揮する。