発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

特許文献１の技術では、窒化ガリウム（ＧａＮ）系の半導体において、Ｐ型不純物を熱拡散することによってフローティング部を形成している。しかし、この技術では、９００度、６０分のような比較的高温、長時間の熱処理が行われるため、Ｎ型半導体層における電気的特性が劣化する（例えば、オン抵抗の増加）という課題があった。また、特許文献２から特許文献５の技術では、イオン注入によってフローティング部を形成することから、イオン注入によってＰ型半導体を形成することが困難である半導体（例えば、ＧａＮに代表されるIII族窒化物半導体）には適用することができないという課題があった。その他、特許文献１から特許文献５記載の技術では、フローティング部を形成しない半導体装置に比べて、フローティング部を形成するための製造工程が増加するという課題があった。これらの課題は、トレンチを用いて終端構造が形成された半導体装置においても、同様に生じ得る課題であった。 そのため、トレンチを有する半導体装置の電気的特性を向上させることが可能な技術や、製造を容易化する技術が望まれていた。そのほか、半導体装置においては、微細化や、低コスト化、耐久性の向上などが望まれていた。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、第２導電型の半導体で構成された領域によって、トレンチの底部において発生する電界の集中を緩和することができる。よって、半導体装置の耐圧を高くすることができる。また、トレンチの底部と、第１半導体層と第２半導体層との境界を含む面との間が第２導電型の半導体で構成された領域となることから、その領域を形成するためにイオン注入や不純物の熱拡散処理を行わなくともよい。そのため、第２半導体層内の不純物が第１半導体層等へ拡散することを抑制することができるので、オン抵抗の増加が抑制される。その結果、半導体装置の電気的特性を向上させることができる。