特許 6057332 入力装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6057332

(24)【登録日】2016年12月16日

(45)【発行日】2017年1月11日

(54)【発明の名称】入力装置

(51)【国際特許分類】

   G06F 3/041 20060101AFI20161226BHJP

   G06F 3/044 20060101ALI20161226BHJP

【ＦＩ】

   G06F3/041 420

   G06F3/044 125

   G06F3/041 422

【請求項の数】5

【全頁数】13

(21)【出願番号】特願2013-20994(P2013-20994)

(22)【出願日】2013年2月6日

(65)【公開番号】特開2014-153790(P2014-153790A)

(43)【公開日】2014年8月25日

【審査請求日】2015年11月9日

(73)【特許権者】

【識別番号】000010098

【氏名又は名称】アルプス電気株式会社

(72)【発明者】

【氏名】瀧田 一成

【審査官】 加内 慎也

(56)【参考文献】

【文献】 米国特許出願公開第２０１２／０１９４４７４（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 米国特許出願公開第２０１１／０２４２０１９（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 米国特許出願公開第２０１２／００７５２５７（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 特開２０１２−２４８１８１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１３−０３７４８４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２０１１／１３７６０６（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ０６Ｆ ３／０４１

Ｇ０６Ｆ ３／０４４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

透明基材と、
前記透明基材において間隔を設けて隣り合って形成された１対の第１の透明電極と、
前記１対の第１の透明電極の間に形成された第２の透明電極と、
前記１対の第１の透明電極の間において前記第２の透明電極を覆う絶縁層と、
前記絶縁層に跨がって形成されて前記１対の第１の透明電極を接続するブリッジ配線とを
有してなり、
前記ブリッジ配線は、前記絶縁層上に形成されたメインブリッジ部と、前記メインブリッ
ジ部と前記第１の透明電極とを接続するサブブリッジ部とを有し、
前記サブブリッジ部は、前記メインブリッジ部から分岐された複数の配線からなるととも
に、前記絶縁層の端部に形成されており、
前記絶縁層は、前記第２の透明電極を覆うとともに前記第１の透明電極の一部に亘って形
成されており、
前記第１の透明電極と重なる位置において、前記絶縁層には孔部が形成されており、
前記孔部において、前記メインブリッジ部が前記第１の透明電極に接続されていることを特
徴とする入力装置。

【請求項2】

透明基材と、
前記透明基材において間隔を設けて隣り合って形成された１対の第１の透明電極と、
前記１対の第１の透明電極の間に形成された第２の透明電極と、
前記１対の第１の透明電極の間において前記第２の透明電極を覆う絶縁層と、
前記絶縁層に跨がって形成されて前記１対の第１の透明電極を接続するブリッジ配線とを
有してなり、
前記ブリッジ配線は、前記絶縁層上に形成されたメインブリッジ部と、前記メインブリッ
ジ部と前記第１の透明電極とを接続するサブブリッジ部とを有し、
前記サブブリッジ部は、前記メインブリッジ部から分岐された複数の配線からなるととも
に、前記絶縁層の端部に形成されており、
前記複数の配線は、互いに異なる幅を有して形成されていることを特徴とする入力装置。

【請求項3】

透明基材と、
前記透明基材において間隔を設けて隣り合って形成された１対の第１の透明電極と、
前記１対の第１の透明電極の間に形成された第２の透明電極と、
前記１対の第１の透明電極の間において前記第２の透明電極を覆う絶縁層と、
前記絶縁層に跨がって形成されて前記１対の第１の透明電極を接続するブリッジ配線とを
有してなり、
前記ブリッジ配線は、前記絶縁層上に形成されたメインブリッジ部と、前記メインブリッ
ジ部と前記第１の透明電極とを接続するサブブリッジ部とを有し、
前記サブブリッジ部は、前記メインブリッジ部から分岐された複数の配線からなるととも
に、前記絶縁層の端部に形成されており、
前記サブブリッジ部の端部には、前記複数の配線が連結された幅広の接続部が形成され
ており、前記接続部が前記第１の透明電極に接続されていることを特徴とする入力装置。

【請求項4】

前記サブブリッジ部において、前記複数の配線のそれぞれの幅が前記メインブリッジ部
の幅よりも小さく形成されていることを特徴とする請求項１から請求項３項のいずれか１
項に記載の入力装置。

【請求項5】

前記サブブリッジ部において、隣り合う前記配線どうしの間隔が、前記配線の幅よりも
大きいことを特徴とする請求項１から請求項４項のいずれか１項に記載の入力装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、入力装置に関し、特に透明電極間を接続するブリッジ配線の構成に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、複数の透明電極間がブリッジ配線（特許文献１では、交差部分、中継電極と記載されている）により接続された構成の入力装置について開示されている。図８には、特許文献１に記載されている第１の従来例の入力装置の部分拡大断面図を示す。

【0003】

図８に示すように、第１の従来例の入力装置１１０は、透明基材１２０と、透明基材１２０に形成された１対の第１の透明電極１３１と、１対の透明電極１３１の間に形成された第２の透明電極１３２とを有して構成される。１対の第１の透明電極１３１どうしはブリッジ配線１５０により接続されており、ブリッジ配線１５０と第２の透明電極１３２とは絶縁層１３６を介して絶縁されている。また、ブリッジ配線１５０は、外部から視認されないように幅細形状に形成されている。

【0004】

第１の従来例の入力装置１１０は、第１の透明電極１３１と第２の透明電極１３２との間で静電容量を有するように構成されており、操作者の入力操作による静電容量の変化に基づいて、入力位置情報を検出することができる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２００８−３１０５５０号公報

【特許文献2】特表平９−５１１０８６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

しかしながら、第１の従来例の入力装置１１０の製造工程において、透明基材１２０の帯電や人体等の外部の物体の帯電などにより、静電気放電（ＥＳＤ：Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｓｔａｔｉｃ−Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）が発生し、入力装置１１０が損傷するという課題が発生する。

【0007】

入力装置１１０においてブリッジ配線１５０が細幅形状に形成されており抵抗値が高いため、ＥＳＤによりサージ電流が発生すると、ブリッジ配線１５０の溶断が生じ易い。図８に示すように、ブリッジ配線１５０は絶縁層１３６に跨がって形成されており、絶縁層１３６の端部１３６ａにおいてブリッジ配線１５０が薄く形成されてしまうことから、端部１３６ａに形成された箇所のブリッジ配線１５０の抵抗値が大きくなる。よって、ＥＳＤが発生した場合、特に、絶縁層１３６の端部１３６ａにおいてブリッジ配線１５０の溶断が発生するという課題がある。

【0008】

図９には、特許文献２に示されている第２の従来例の入力装置２１０の部分拡大平面図を示し、第１の透明電極２３１と第２の透明電極２３２との交差する部分について示す。第２の従来例の入力装置２１０においても、１対の第１の透明電極２３１がブリッジ配線２５０により接続されており、ブリッジ配線２５０と第２の透明電極２３２とが交差するように形成されている。そして、ブリッジ配線２５０と第２の透明電極２３２とは絶縁層２３６によって絶縁されている。

【0009】

図９に示すように、第２の従来例の入力装置２１０において、ブリッジ配線２５０の幅が第１の透明電極２３１と同程度に広く形成されて、ブリッジ配線２５０の第２の透明電極２３２と重なる部分には窓部２５０ａが形成されている。ブリッジ配線２５０を幅広に形成することにより、絶縁層２３６の端部２３６ａに形成されたブリッジ配線２５０の抵抗値が低減されて、ＥＳＤが発生したときのブリッジ配線２５０の溶断を防止することができ、ＥＳＤ耐性を向上させることが可能である。

【0010】

しかし、ブリッジ配線２５０の幅を広くすると外部から視認されやすくなり良好な不可視特性を得ることができないという課題が生じる。また、ブリッジ配線２５０の幅を大きくするとともに絶縁層２３６の面積も大きくしなければならないため、絶縁層２３６が外部から視認されやすくなる。図９に示すように、ブリッジ配線２５０に窓部２５０ａが形成されているが、このような態様であっても、外部から見たときにはブリッジ配線２５０全体として幅広に視認されてしまい、良好な不可視特性を得ることが困難である。

【0011】

本発明は、上記課題を解決して、良好な不可視特性を確保するとともに、ブリッジ配線のＥＳＤ耐性を向上させることが可能な入力装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0012】

本発明の入力装置は、透明基材と、前記透明基材において間隔を設けて隣り合って形成
された１対の第１の透明電極と、前記１対の第１の透明電極の間に形成された第２の透明
電極と、前記１対の第１の透明電極の間において前記第２の透明電極を覆う絶縁層と、前
記絶縁層に跨がって形成されて前記１対の第１の透明電極を接続するブリッジ配線とを有
してなり、前記ブリッジ配線は、前記絶縁層上に形成されたメインブリッジ部と、前記メ
インブリッジ部と前記第１の透明電極とを接続するサブブリッジ部とを有し、前記サブブ
リッジ部は、前記メインブリッジ部から分岐された複数の配線からなるとともに、前記絶
縁層の端部に形成されており、
前記絶縁層は、前記第２の透明電極を覆うとともに前記第１の透明電極の一部に亘って形
成されており、
前記第１の透明電極と重なる位置において、前記絶縁層には孔部が形成されており、
前記孔部において、前記メインブリッジ部が前記第１の透明電極に接続されていることを特徴とする。

【0013】

これによれば、ブリッジ配線の溶断が生じ易い絶縁層の端部においてサブブリッジ部が形成されているため、ＥＳＤ（ＥＳＤ：Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｓｔａｔｉｃ−Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）によりサージ電流がブリッジ配線に流入した場合であっても、サブブリッジ部を溶断させてメインブリッジ部において損傷が発生することを防止できる。そして、サブブリッジ部が複数の配線から構成されるため、ＥＳＤにより一部の配線が溶断しても、残りの配線によりブリッジ配線の電気的接続を確保することができる。よって、ブリッジ配線のＥＳＤ耐性を向上させることができる。

【0014】

また、サブブリッジ部を形成することによりＥＳＤ耐性を向上させているため、メインブリッジ部においては、ＥＳＤ耐性を向上させるために幅広に形成する必要がなく、１対の第１の透明電極どうしを電気的に接続することが可能な幅で形成できる。つまり、従来の入力装置におけるブリッジ配線と同程度以下の幅で形成することができる。よって、良好な不可視特性を確保することが可能である。

【0015】

以上のように、本発明の入力装置によれば、良好な不可視特性を確保するとともに、ブリッジ配線のＥＳＤ耐性を向上させることが可能である。

【0016】

また、過大なサージ電流が流入してサブブリッジ部の複数の配線が全て溶断した場合で
あっても、メインブリッジ部が孔部を介して第１の透明電極に接続されているため、１対
の透明電極間の電気的接続を確保することが可能である。よって、ＥＳＤ耐性を向上させ
ることができる。

【0018】

本発明の入力装置は、透明基材と、前記透明基材において間隔を設けて隣り合って形成
された１対の第１の透明電極と、前記１対の第１の透明電極の間に形成された第２の透明
電極と、前記１対の第１の透明電極の間において前記第２の透明電極を覆う絶縁層と、前
記絶縁層に跨がって形成されて前記１対の第１の透明電極を接続するブリッジ配線とを有
してなり、前記ブリッジ配線は、前記絶縁層上に形成されたメインブリッジ部と、前記メ
インブリッジ部と前記第１の透明電極とを接続するサブブリッジ部とを有し、前記サブブ
リッジ部は、前記メインブリッジ部から分岐された複数の配線からなるとともに、前記絶
縁層の端部に形成されており、前記複数の配線は、互いに異なる幅を有して形成されてい
ることを特徴とするものである。これによれば、想定されるサージ電流の大きさに応じて
複数の配線の幅を異ならせて形成することができるため、サージ電流が小さい場合には幅
の小さい配線が溶断して、幅の広い配線の溶断を防止できる。よって、効果的にＥＳＤ耐
性を向上させることが可能である。

【0020】

本発明の入力装置は、透明基材と、前記透明基材において間隔を設けて隣り合って形成さ
れた１対の第１の透明電極と、前記１対の第１の透明電極の間に形成された第２の透明電
極と、前記１対の第１の透明電極の間において前記第２の透明電極を覆う絶縁層と、前記
絶縁層に跨がって形成されて前記１対の第１の透明電極を接続するブリッジ配線とを有し
てなり、前記ブリッジ配線は、前記絶縁層上に形成されたメインブリッジ部と、前記メイ
ンブリッジ部と前記第１の透明電極とを接続するサブブリッジ部とを有し、前記サブブリ
ッジ部は、前記メインブリッジ部から分岐された複数の配線からなるとともに、前記絶縁
層の端部に形成されており、前記サブブリッジ部の端部には、前記複数の配線が連結され
た幅広の接続部が形成されており、前記接続部が前記第１の透明電極に接続されているこ
とを特徴とするものである。これによれば、ブリッジ配線と第１の透明電極との接触抵抗
を低減させることができるため、サブブリッジ部を設けた場合においてもブリッジ配線全
体の抵抗値の上昇を抑制できる。
以上

【発明の効果】

【0021】

本発明の入力装置によれば、良好な不可視特性を確保するとともに、ブリッジ配線のＥＳＤ耐性を向上させることが可能である。

【図面の簡単な説明】

【0022】

【図1】本発明の実施形態の入力装置を構成する透明基材を示す平面図である。

【図2】（ａ）図１に示す入力装置の部分拡大平面図、及び（ｂ）図２（ａ）のＩＩ−ＩＩ線で切断したときの入力装置の部分拡大断面図である

【図3】（ａ）本実施形態の入力装置におけるブリッジ配線の部分拡大平面図、及び（ｂ）図３（ａ）のＩＩＩ−ＩＩＩ線で切断したときの部分拡大断面図である

【図4】本実施形態の第１の変形例を示す、（ａ）ブリッジ配線の部分拡大平面図、及び（ｂ）図４（ａ）のＩＶ−ＩＶ線で切断したときの部分拡大断面図である。

【図5】本実施形態の第２の変形例を示す、ブリッジ配線の部分拡大平面図である。

【図6】本実施形態の第３の変形例を示す、ブリッジ配線の部分拡大平面図である。

【図7】本実施形態の第４の変形例を示す、ブリッジ配線の部分拡大平面図である。

【図8】第１の従来例における入力装置を示す部分拡大断面図である。

【図9】第２の従来例における入力装置を示す部分拡大平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0023】

以下、図面を参照して、本発明の具体的な実施形態の入力装置について説明をする。なお、各図面の寸法は適宜変更して示している。

【0024】

図１は、本発明の実施形態の入力装置を構成する透明基材を示す平面図である。また、図２（ａ）は、図１に示す入力装置の部分拡大平面図を示し、図２（ｂ）は図２（ａ）のＩＩ−ＩＩ線で切断して矢印方向から見たときの部分拡大断面図を示す。

【0025】

図１に示すように、本実施形態の入力装置１０を構成する透明基材２０には、第１の透明電極３１及び第２の透明電極が３２が形成されている。複数の第１の透明電極３１は、ブリッジ配線５０を介してＸ１−Ｘ２方向に連結されており、この連結された第１の透明電極３１がＹ１−Ｙ２方向において間隔を設けて配列されている。また、第２の透明電極３２は複数のパッド部３２ｂ及び幅細部３２ａから構成されており、複数のパッド部３２ｂが幅細部３２ａを介してＹ１−Ｙ２方向に連結されている。そして、第２の透明電極３２は、Ｘ１−Ｘ２方向において、間隔を設けて配列されている。

【0026】

図２（ｂ）に示すように、本実施形態の入力装置１０は、透明基材２０が光学粘着層２２を介してパネル２１に貼り合わされて構成される。本実施形態の入力装置１０は、操作者が指などをパネル２１（図１では図示しない）に接触又は接近させて入力操作を行う際に、第１の透明電極３１と第２の透明電極３２との間の静電容量の変化に基づいて入力位置を検出する静電容量式の入力装置である。

【0027】

図１に示すように、第１の透明電極３１及び第２の透明電極３２は、入力操作を行う入力領域１５に形成されている。また、入力領域１５の外周の非入力領域１６において、第１の透明電極３１及び第２の透明電極３２から引き出された引出配線４１が形成されており、外部のフレキシブル基板と接続するための端子部４０に接続されている。なお、入力領域１５は透光領域であり、操作者から視認されないように第１の透明電極３１及び第２の透明電極３２には透明な材料が用いられる。また、非入力領域１６は、加飾層（図示しない）などが設けられた非透光領域であるため、操作者から引出配線４１及び端子部４０が視認されることはない。

【0028】

本実施形態において、透明基材２０は、フィルム状の樹脂材料を用いて形成されており、ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート樹脂（ＰＥＮ）、環状ポリオレフィン（ＣＯＰ）、ポリメタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ）等の透光性樹脂材料が用いられる。そして、第１の透明電極３１、及び第２の透明電極３２は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯ_２、ＺｎＯ等の透明導電材料を用いて形成されており、スパッタや蒸着等の薄膜法により形成される。また、引出配線４１及び端子部４０には、ＣｕやＡｇ等の金属材料が用いられる。

【0029】

次に、図２及び図３を参照して、１対の第１の透明電極３１を連結するブリッジ配線５０と第２の透明電極３２とが交差する部分の構成について説明する。図３（ａ）は、ブリッジ配線の構成を示す部分拡大平面図であり、例えば図２（ａ）の点線Ａで囲む領域を拡大して示している。また、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＩＩＩ−ＩＩＩ線で切断して矢印方向から見たときの部分拡大断面図である。

【0030】

図２（ａ）に示すように、第２の透明電極３２は、複数のパッド部３２ｂが幅細部３２ａを介して連結されて、Ｙ１−Ｙ２方向に延在している。そして、Ｙ１−Ｙ２方向に延在する第２の透明電極３２は、Ｘ１−Ｘ２方向に隣り合う１対の第１の透明電極３１の間に位置して形成されている。すなわち、第２の透明電極３２の幅細部３２ａをＸ１−Ｘ２方向に挟むように１対の第１の透明電極３１が形成されている。図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、第２の透明電極３２の幅細部３２ａを覆うように絶縁層３６が形成されており、１対の第１の透明電極３１は、絶縁層３６に跨がって形成されたブリッジ配線５０によって接続されている。

【0031】

なお、絶縁層３６は、少なくともブリッジ配線５０と第２の透明電極３２との間に介在するように形成されていれば、ブリッジ配線５０と第２の透明電極３２との絶縁が可能である。本実施形態においては、ブリッジ配線５０と第２の透明電極３２との絶縁を確実にするために、絶縁層３６は、第１の透明電極３１と第２の透明電極３２との間を充填して、第１の透明電極３１の一部に亘って形成されている。

【0032】

絶縁層３６及びブリッジ配線５０についても、透光領域である入力領域１５に形成されているため、操作者から視認されない不可視特性を満たすような材料及び形状で形成される。絶縁層３６には、レジスト材料などの透光性の樹脂材料を用いることができ、ブリッジ配線５０には、ＩＴＯ等の透明導電材料が用いられる。また、ブリッジ配線５０にはＣｕ、Ａｇ等の金属材料を用いることもできる。

【0033】

ここで、絶縁層３６の最大膜厚は、０．５μｍ〜４μｍ程度で形成される。また、ブリッジ配線５０の膜厚は、５ｎｍ〜８０ｎｍ程度であり、長さ寸法（Ｘ１−Ｘ２方向への長さ寸法）は、１５０μｍ〜５００μｍ程度である。

【0034】

本実施形態の入力装置１０において、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、ブリッジ配線５０は、絶縁層３６上に形成されたメインブリッジ部５１と、メインブリッジ部５１と第１の透明電極３１とを接続するサブブリッジ部５２とを有して構成されている。また、サブブリッジ部５２の端部には、複数の配線５２ａが連結された幅広の接続部５３が形成されており、接続部５３が第１の透明電極３１に接続されている。

【0035】

そして、サブブリッジ部５２は、メインブリッジ部５１から分岐された複数の配線５２ａからなるとともに、絶縁層３６の表面から絶縁層３６の端部３６ａ及び第１透明電極３１の表面にかけてＸ１−Ｘ２方向に延在して形成されている。メインブリッジ部５１及びサブブリッジ部５２は、同一の材料を用いてフォトリソグラフィ技術等により同一工程で形成される。

【0036】

また、図３（ａ）に示すように、サブブリッジ部５２において、複数の配線５２ａの幅がメインブリッジ部５１の幅よりも小さく形成されており、複数の配線５２ａどうしはＹ１−Ｙ２方向に間隔を設けて形成されている。そして、サブブリッジ部５２の全体の幅（Ｙ１−Ｙ２方向の長さ）は、メインブリッジ部５１の幅に対してほぼ同一の大きさで形成されている。又、隣り合う複数の配線５２ａは開口部６０ａを介して形成される。

【0037】

図３（ｂ）に示すように、絶縁層３６のＸ２方向の端部３６ａにおいて、絶縁層３６と第１の透明電極３１とで段差が形成されており、絶縁層３６の端部３６ａに形成されたブリッジ配線５０の厚さは、段差のない他の部分に比べて薄く形成される。よって、絶縁層３６の端部３６ａに形成された箇所においてブリッジ配線５０の抵抗値が高くなるため、ＥＳＤによりサージ電流が流入すると、この箇所で溶断が生じ易い。本実施形態の入力装置１０によれば、ＥＳＤの発生によりブリッジ配線５０の溶断が生じ易い絶縁層３６の端部３６ａにおいてサブブリッジ部５２が形成されている。このため、ＥＳＤによりサージ電流がブリッジ配線５０に流入した場合であっても、サブブリッジ部５２でサージ電流のエネルギーが熱エネルギーに変換されて、サブブリッジ部５２が溶断する。これにより、メインブリッジ部５１において損傷が発生することを防止できる。また、サブブリッジ部５２が複数の配線５２ａから構成されるため、ＥＳＤにより一部の配線５２ａが溶断した場合であっても、残りの配線５２ａによりブリッジ配線５０の電気的接続を確保することができる。

【0038】

また、図３（ａ）に示すようにサブブリッジ部５２において、複数の配線５２ａの幅がメインブリッジ部５１の幅よりも小さく形成されている。つまり、サブブリッジ部５２の複数の配線５２ａは、絶縁層３６の端部３６ａに形成された箇所において、メインブリッジ部５１の厚さよりも薄く、かつ小さい幅で形成される。よって、サブブリッジ部５２の複数の配線５２ａにおいて抵抗値が大きい箇所が形成されることから、ＥＳＤが発生した場合に、確実にサブブリッジ部５２の複数の配線５２ａの一部が溶断されて、メインブリッジ部５１の損傷を防止できる。以上のように、本実施形態の入力装置１０によれば、ブリッジ配線５０のＥＳＤ耐性を向上させることができる。

【0039】

また、サブブリッジ部５２を形成することによりＥＳＤ耐性を向上させているため、メインブリッジ部５１についてはＥＳＤ耐性を向上させるために幅を広く形成する必要がない。メインブリッジ部５１の幅寸法は、１対の第１の透明電極３１どうしを電気的に接続することが可能な幅、すなわち、従来の入力装置１１０におけるブリッジ配線１５０の幅と同程度以下の幅で形成される。よって、本実施形態において、ブリッジ配線５０のメインブリッジ部５１の幅寸法（Ｙ１−Ｙ２方向における長さ寸法）を、外部から視認されない程度の寸法に形成することが可能であり、良好な不可視特性を確保することが可能である。本実施形態において、メインブリッジ部５１の幅は、例えば５μｍ〜５０μｍ程度に形成される。

【0040】

以上のように、本実施形態のの入力装置１０によれば、良好な不可視特性を確保するとともに、ブリッジ配線５０のＥＳＤ耐性を向上させることが可能である。

【0041】

また、図３（ａ）に示すように、サブブリッジ部５２の端部には、複数の配線５２ａが連結された幅広の接続部５３が形成されており、接続部５３が第１の透明電極３１に接続されている。

【0042】

ブリッジ配線５０全体としての抵抗値は、材料自体の抵抗率と構造（厚さ、幅、長さ）とで決定される抵抗値とブリッジ配線５０と第１の透明電極３１との接触抵抗に分けられる。接続部５３を形成せずに、複数の配線５２ａのそれぞれを第１の透明電極３１と接続する場合には、複数の配線５２ａのそれぞれを細幅に形成することによる抵抗上昇と、第１の透明電極３１との接触面積が小さくなることによる接触抵抗の上昇が生じる。しかし、本実施形態の入力装置１０においては接続部５３を設けることにより、ブリッジ配線５０と第１の透明電極３１との接触抵抗を低減することができる。よって、サブブリッジ部５２を設けた場合においてもブリッジ配線５０全体の抵抗値の上昇を抑制して、第１の透明電極３１同士が確実に電気的に接続される。

【0043】

なお、第１の透明電極３１、第２の透明電極３２、及び絶縁層３６のパターン形状は、図１から図３に示したものに限定されず、絶縁層に跨がって形成されたブリッジ配線によって１対の透明電極が接続された構成を有する静電容量式入力装置において、同様の効果が得られる。

【0044】

次に、本実施形態の入力装置１０の変形例を説明する。図４は、本実施形態の入力装置の第１の変形例を示し、図４（ａ）はブリッジ配線の部分拡大平面図を示している。また、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＩＶ−ＩＶ線で切断して矢印方向から見たときの部分拡大断面図である。

【0045】

図４（ａ）及び図４（ｂ）に示す第１の変形例の入力装置１１において、ブリッジ配線５０はメインブリッジ部５１とサブブリッジ部５２とを有して構成されており、図３に示す入力装置１０と共通している。図４（ａ）、図４（ｂ）に示すように、絶縁層３６は、第２の透明電極３２の幅細部３２ａを覆うとともに第１の透明電極３１の一部に亘って形成されている。そして、第１の透明電極３１と重なる位置において、絶縁層３６には孔部５６が形成されており、孔部５６において、メインブリッジ部５１が第１の透明電極３１に接続されている。

【0046】

また、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、サブブリッジ部５２は、絶縁層３６の端部３６ｂのＸ２側において第１の透明電極３１に接続されるとともに、孔部５６においても第１の透明電極３１に接続されている。なお、孔部５６におけるサブブリッジ部５２の長さは短い方が好ましく、こうすればメインブリッジ部５１と第１の透明電極３１との接触抵抗が低減される。なお、このような態様に限られず、孔部５６においてサブブリッジ部５２が形成されていない構成であってもよい。

【0047】

本変形例の入力装置１１によれば、ＥＳＤの発生により過大なサージ電流が流入してサブブリッジ部５２の複数の配線５２ａが全て溶断した場合であっても、メインブリッジ部５１が孔部５６を介して第１の透明電極３１に接続されているため、１対の第１の透明電極３１間の電気的接続を確保することが可能である。

【0048】

図５には、本実施形態の第２の変形例の入力装置を示し、ブリッジ配線の部分拡大平面図を示す。第２の変形例の入力装置１２は、サブブリッジ部５２の構成が異なっており、複数の配線５２ａ、５２ｂ、５２ｃ、５２ｄは、互いに異なる幅を有して形成されている。図５に示すように、第２の変形例において、Ｙ１側に位置する配線５２ａが最も幅細に形成されており、Ｙ２側に位置する配線５２ｂ、５２ｃ、５２ｄは、徐々に幅が大きくなるように形成されている。また、配線５２ａと配線５２ｂとの間には開口部６０ａが、配線５２ｂと配線５２ｃとの間には開口部６０ｂが、配線５２ｃと配線５２ｄとの間には開口部６０ｃが形成されている。

【0049】

これにより、入力装置１２の製造工程等において想定されるサージ電流の大きさに応じて、複数の配線５２ａ〜５２ｄの幅を互いに異ならせて形成することができる。例えば、サージ電流が小さい場合には、配線幅の小さい配線５２ａが優先的に溶断して、配線５２ｂ〜５２ｄにおける溶断は生じない。よって、効果的にＥＳＤ耐性を向上させることが可能である。また、複数の配線５２ａ〜５２ｄの全てについて、最大のサージ電流を想定して幅広に形成する場合に比較して、サブブリッジ部５２の全体の幅を大きくすることなく形成される。

【0050】

図６には、本実施形態の第３の変形例の入力装置を示し、ブリッジ配線の部分拡大平面図を示す。図６に示すように、第３の変形例の入力装置１３は、サブブリッジ部５２において、隣り合う配線５２ａどうしの間隔が、配線５２ａの幅よりも大きくなるように形成されている。複数の配線５２ａどうしの間隔を大きく形成することにより、過大なサージ電流が流入した場合であっても、隣り合う複数の配線５２ａが連鎖して溶断することが抑制される。

【0051】

図７には、本実施形態の第４の変形例の入力装置を示し、ブリッジ配線の部分拡大平面図を示す。図３〜図６に示す入力装置１０、１１、１２、１３においては、メインブリッジ部５１の幅寸法（Ｙ１−Ｙ２方向の長さ寸法）と、サブブリッジ部５２全体の幅寸法とが等しくなるように形成されているが、このような態様に限定されない。図７に示す第４の変形例の入力装置１４のように、メインブリッジ部５１の幅寸法がサブブリッジ部５２全体の幅寸法よりも小さくなるように形成することができる。このような構成とすることで、複数の配線５２ａからなるサブブリッジ部５２を形成することによりＥＳＤ耐性を向上させるとともに、メインブリッジ部５１の幅寸法を小さくして、ブリッジ配線５０の不可視特性を向上させることができる。

【0052】

あるいは、メインブリッジ部５１の幅は図３〜図６に示す入力装置１０、１１、１２、１３と同等に形成して、サブブリッジ部５２全体の幅を大きくすることも可能である。こうすれば、ブリッジ配線５０の不可視特性を確保するとともにサブブリッジ部５２のＥＳＤ耐性を向上させることができる。

【0053】

なお、図４から図７に示す、各変形例のブリッジ配線５０の構成、及び絶縁層３６に設けた孔部５６においてメインブリッジ部５１と第１の透明電極３１とを接続する構成は、適宜組み合わせることも可能である。

【符号の説明】

【0054】

１０、１１、１２、１３、１４ 入力装置
１５ 入力領域
１６ 非入力領域
２０ 透明基材
３１ 第１の透明電極
３２ 第２の透明電極
３２ａ 幅細部
３２ｂ パッド部
３６ 絶縁層
３６ａ 端部
５０ ブリッジ配線
５１ メインブリッジ部
５２ サブブリッジ部
５２ａ、５２ｂ、５２ｃ、５２ｄ 配線
５３ 接続部
５６ 孔部
６０ａ、６０ｂ、６０ｃ 開口部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】