特許第6058946号(P6058946)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許6058946複数の活性層を有する窒化物半導体素子、窒化物半導体発光素子、窒化物半導体受光素子、及び、窒化物半導体素子の製造方法
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  • 特許6058946-複数の活性層を有する窒化物半導体素子、窒化物半導体発光素子、窒化物半導体受光素子、及び、窒化物半導体素子の製造方法 図000003
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  • 特許6058946-複数の活性層を有する窒化物半導体素子、窒化物半導体発光素子、窒化物半導体受光素子、及び、窒化物半導体素子の製造方法 図000012
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