特許 6066482 ドライバＩＣ及び表示入力装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6066482

(24)【登録日】2017年1月6日

(45)【発行日】2017年1月25日

(54)【発明の名称】ドライバＩＣ及び表示入力装置

(51)【国際特許分類】

   G06F 3/041 20060101AFI20170116BHJP

   G09G 3/36 20060101ALI20170116BHJP

   G09G 3/20 20060101ALI20170116BHJP

   G02F 1/1333 20060101ALI20170116BHJP

   G02F 1/133 20060101ALI20170116BHJP

【ＦＩ】

   G06F3/041 510

   G09G3/36

   G09G3/20 691D

   G09G3/20 631K

   G09G3/20 612E

   G02F1/1333

   G02F1/133 530

   G09G3/20 624D

【請求項の数】9

【全頁数】16

(21)【出願番号】特願2013-42750(P2013-42750)

(22)【出願日】2013年3月5日

(65)【公開番号】特開2014-170449(P2014-170449A)

(43)【公開日】2014年9月18日

【審査請求日】2016年2月9日

(73)【特許権者】

【識別番号】308017571

【氏名又は名称】シナプティクス・ジャパン合同会社

(74)【代理人】

【識別番号】100089071

【弁理士】

【氏名又は名称】玉村 静世

(72)【発明者】

【氏名】本多 秀章

(72)【発明者】

【氏名】園山 浩史

(72)【発明者】

【氏名】岡村 和浩

【審査官】 塩屋 雅弘

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１２−２３０６５７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１２−２３４４７４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００８−１９１３４８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許出願公開第２００５／０２１９１８５（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 特開２００９−１９３０４４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０２−１９００２０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許出願公開第２０１２／０２８７０８１（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 特開２００６−１６２７０７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１１−０１４１０９（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ０２Ｆ１／１３３−１／１３３４

１／１３３９−１／１３４１

１／１３４７

Ｇ０６Ｆ３／０３−３／０４７

Ｇ０９Ｇ３／００−３／０８

３／１２

３／１６

３／１９−３／２６

３／３０

３／３４

３／３６

３／３８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

表示パネルとタッチパネルを動作させるドライバＩＣであって、
前記表示パネルの画素のコモン電極に印加するコモン電圧の電圧指定データと前記タッチパネルの駆動電極のパルス駆動に用いるパルス電圧の振幅指定データとを保持するための記憶領域と、
前記記憶領域が保持する電圧指定データ及び前記振幅指定データに基づいて、前記コモン電圧を生成すると共に前記コモン電圧を低レベルとして前記パルス電圧の高レベルを生成する電圧生成回路と、
前記表示パネルの動作タイミングに同期して前記電圧生成回路で生成されたコモン電圧を出力し、前記タッチパネルの動作タイミングに同期して前記電圧生成回路で生成された前記コモン電圧に対して前記高レベルを振幅に持つパルス電圧を出力する駆動回路と、を有するドライバＩＣ。

【請求項2】

請求項１において、前記表示パネルの１フレームの期間の中を表示駆動期間と非表示駆動期間に分けて、前記表示パネルとタッチパネルの動作タイミングを制御する液晶表示制御回路を有し、
前記液晶表示制御回路は、前記表示駆動期間で前記駆動回路にコモン電圧を出力させ、前記非表示駆動期間で前記駆動回路にパルス電圧を出力させる、ドライバＩＣ。

【請求項3】

請求項２において、前記記憶領域は前記電圧指定データを記憶する第１不揮発性レジスタと前記振幅指定データを記憶する第２不揮発性レジスタとである、ドライバＩＣ。

【請求項4】

請求項３において、前記第２不揮発性レジスタはホストインタフェースを介して外部から電気的に書き込み可能なレジスタである、ドライバＩＣ。

【請求項5】

請求項４において、前記第１不揮発性レジスタは複数の前記電圧指定データを別々に格納する記憶領域を有し、
前記液晶表示制御回路が表示モードに応じて前記第１不揮発性レジスタから所要の電圧指定データを選択して前記電圧生成回路に与える、ドライバＩＣ。

【請求項6】

請求項１において、前記電圧生成回路は、前記振幅データと前記電圧指定データを入力し、前記電圧指定データの値に前記振幅データの値を加算するディジタル演算回路と、前記ディジタル演算回路で演算された加算データをアナログ電圧に変換して前記高レベルを生成する高レベル生成回路と、前記電圧指定データをアナログ電圧に変換して前記コモン電圧を生成するコモン電圧生成回路と、を有する、ドライバＩＣ。

【請求項7】

請求項１において、前記電圧生成回路は、前記振幅データをアナログ電圧に変換して振幅電圧を生成する振幅電圧生成回路と、前記電圧指定データをアナログ電圧に変換して前記コモン電圧を生成するコモン電圧生成回路と、前記コモン電圧生成回路で生成されたコモン電圧に前記振幅電圧生成回路で生成された振幅電圧をアナログ加算して前記高レベルを生成するアナログ加算回路と、を有する、ドライバＩＣ。

【請求項8】

表示パネルとタッチパネルを駆動するドライバＩＣであって、
前記表示パネルの画素の信号電極を第１駆動端子を用いて駆動する第１駆動回路と、
前記表示パネルの画素のコモン電極と前記タッチパネルの駆動電極とに兼用される兼用電極を第２駆動端子を用いて駆動する第２駆動回路と、
前記タッチパネルの検出電極から得られる電圧変化を検出する検出回路と、
前記表示パネルの１フレームの期間の中を表示駆動期間と非表示駆動期間に分けて、前記第１駆動回路、前記第２駆動回路、及び前記検出回路の動作タイミングを制御する液晶表示制御回路と、
前記兼用電極の駆動に用いるコモン電圧の電圧指定データと、前記兼用電極の駆動に用いるパルス電圧の振幅指定データを保持するための記憶領域と、
前記記憶領域が保持する電圧指定データ及び前記振幅指定データに基づいて、前記コモン電圧を生成すると共に前記コモン電圧を低レベルとして前記パルス電圧の高レベルを生成する電圧生成回路と、を有し、
前記液晶表示制御回路は、前記表示駆動期間に前記第１駆動回路に前記信号電極を駆動させ、且つ、前記第２駆動回路に前記電圧生成回路で発生されたコモン電圧で前記第２駆動端子を駆動させ、前記非表示駆動期間に前記第１駆動回路による前記信号電極の駆動を停止させ、且つ、前記検出回路に検出動作させると共に前記第２駆動回路に前記電圧生成回路で生成された前記コモン電圧に対して前記高レベルを振幅に持つパルス電圧で前記第２駆動端子を駆動させる、ドライバＩＣ。

【請求項9】

表示パネルにタッチパネルが組み込まれたパネルモジュールに、表示パネル及びタッチパネルを駆動するドライバＩＣが搭載された表示入力装置であって、
前記タッチパネルの駆動電極が前記表示パネルの画素のコモン電極に兼用され、
前記駆動電極との交差位置でタッチ検出容量が形成された前記タッチパネルの検出電極と、前記コモン電極に接続される表示パネルの画素の走査電極及び信号電極との夫々が個別化され、
前記ドライバＩＣは、前記表示パネルの画素の信号電極を駆動する第１駆動回路と、
前記コモン電極と前記駆動電極に兼用された兼用電極を駆動する第２駆動回路と、
前記タッチパネルの検出電極から得られる電圧変化を検出する検出回路と、
前記兼用電極の駆動に用いるコモン電圧の電圧指定データと前記兼用電極の駆動に用いるパルス電圧の振幅指定データとを保持するための記憶領域と、
前記記憶領域が保持する電圧指定データ及び前記振幅指定データに基づいて、前記コモン電圧を生成すると共に前記コモン電圧を低レベルとして前記パルス電圧の高レベルを生成する電圧生成回路と、を有し、
前記第２駆動回路は、前記第１駆動回路による前記信号電極の駆動に応じて、前記電圧生成回路で生成されたコモン電圧で前記兼用電極を駆動し、前記第１駆動回路による前記信号電極の駆動停止及び前記検出回路による検出動作に応じて、前記電圧生成回路で生成された前記コモン電圧に対して前記高レベルを振幅に持つパルス電圧で前記兼用電極を駆動する、表示入力装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、表示パネルとタッチパネルを駆動するドライバＩＣ及びこれをパネルモジュールに搭載した表示入力装置に関し、例えばスマートフォンなどの携帯情報端末装置に適用して有効な技術に関する。

【背景技術】

【0002】

タブレット端末やスマートフォンなどの携帯情報端末装置のユーザインタフェースにはタッチパネルが多く利用されており、近年より薄型化が可能なものとして表示パネル例えば液晶表示パネルとタッチパネルが一体化したインセル方式が普及しつつある。インセル方式の液晶表示パネルについて例えば特許文献１に記載がある。

【0003】

インセル方式では液晶表示パネルの画素のコモン電極（ＶＣＯＭ電極）がタッチパネルの駆動電極（Ｔｘ電極）に兼用可能に構成され、１表示フレーム中の表示駆動期間では兼用電極にコモン電圧が印加されて表示動作が行われ、非表示駆動期間では兼用電極に駆動パルスが印加されてタッチ検出動作が行われる。タッチ検出において兼用電極に駆動パルスが印加されると、そのパルス変化がタッチ検出容量を介して検出電極に電位変化を与え、その電位変化を積分することによってタッチ検出信号が得られる。タッチ検出容量の近傍に指による浮遊容量が形成されると、それによる合成容量値の低下によって検出信号が変化する。この信号変化の有無によってタッチの有無を判別することができる。したがって、タッチ検出に所要の精度を得るには駆動パルスの振幅を一定に保つことが必要になる。この点において特許文献１ではコモン電圧（ＶｃｏｍＤＣ）を０Ｖとし、コモン電圧の０Ｖと、一定のハイレベル（ＶｃｏｍＨ）とを用いて駆動パルスを生成する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１２−２３０６５７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明者はタッチ検出に用いる駆動パルスの振幅を一定に保つことについて検討した。これによれば、液晶表示パネルの製造バラツキなどによってコモン電圧の最適値には個体差があり、０Ｖのような一定電圧にはならずにバラツキを生ずる。更に表示ラインに対する昇順駆動又は降順駆動などの表示モードによってもコモン電圧の最適値に差を生ずる。このような事情の下では、バラツキのあるコモン電圧（ＶｃｏｍＤＣ）と一定のハイレベル（ＶｃｏｍＨ）とを用いてタッチ検出のための駆動パルスを生成するのでは、駆動パルスの振幅を一定に保つことが容易ではないということが本発明者によって明らかにされた。この検討過程において、表示駆動期間では兼用電極の駆動にコモン電圧（ＶｃｏｍＤＣ）を用い、タッチ検出動作期間ではコモン電圧（ＶｃｏｍＤＣ）に代えて０Ｖのような一定電圧を用いて所定のハイレベル（ＶｃｏｍＨ）との間で駆動パルスを生成することを検討した。こうすれば、コモン電圧（ＶｃｏｍＤＣ）にバラツキなどがあっても駆動パルスの振幅を一定に保つことができる。しかしながら、表示動作とタッチ検出動作とを切り替えるとき０Ｖとコモン電圧（ＶｃｏｍＤＣ）との間で必ず兼用電極の充放電が必要になり、これによって電力消費が増大し、１表示フレーム期間中で表示及びタッチ検出に用いることができる余裕時間が不所望に短くなり、また、チップ専有面積の大きな駆動回路の出力電圧が３種類に増えることによって回路規模が増大する、という問題のあることが明らかになった。

【0006】

本発明の目的は、コモン電圧の最適値にバラツキがあっても、コモン電圧基準の駆動パルスを用いたタッチ検出に所要の検出精度を確保する事が容易なドライバＩＣ、更には表示入力装置を提供することにある。

【0007】

上記並びにその他の課題と新規な特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本願において開示される実施の形態のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。

【0009】

すなわち、表示パネルの画素のコモン電極に印加するコモン電圧の電圧指定データと前記タッチパネルの駆動電極のパルス駆動に用いるパルス電圧の振幅指定データとを保持するための記憶領域の保持データに基づいて、前記コモン電圧を生成すると共に前記コモン電圧を低レベルとして前記パルス電圧の高レベルを生成する。表示パネルの動作タイミングに同期して前記コモン電圧を駆動端子に出力し、前記タッチパネルの動作タイミングに同期して前記コモン電圧に対して前記高レベルを振幅に持つパルス電圧を前記駆動端子に出力する。

【発明の効果】

【0010】

本願において開示される実施の形態のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである。

【0011】

すなわち、コモン電圧の最適値に個体バラツキがあってもこれを電圧指定データに反映し、タッチ検出に最適な駆動パルスの振幅を振幅指定データに反映することにより、コモン電圧の最適値にバラツキがあっても、コモン電圧基準の駆動パルスを用いたタッチ検出に所要の検出精度を確保することができる。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】図１はドライバＩＣの構成が例示するブロック図である。

【図2】図２はドライバＩＣと共に表示装置を構成するパネルモジュールの電極の構成を概略的に例示する説明図である。

【図3】図３は電圧指定データＤｖｃｏｍと振幅指定データＤａｍｐｔを用いた電圧生成動作を例示する説明図である。

【図4】図４は振幅指定データＤａｍｐｔの代わりに駆動パルスのハイレベル電圧を指定する場合の電圧生成動作を比較例として示す説明図である。

【図5】図５は記憶領域の具体例と共に駆動パルスＰＬＳｔｘとコモン電圧ＶｃｏｍＤＣの生成系統を整理して示したブロック図である。

【図6】図６はアナログ回路を主体とした電圧生成回路の具体例と共に駆動パルスＰＬＳｔｘとコモン電圧ＶｃｏｍＤＣの生成系統を整理して示したブロック図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

１．実施の形態の概要
先ず、本願において開示される実施の形態について概要を説明する。実施の形態についての概要説明で括弧を付して参照する図面中の参照符号はそれが付された構成要素の概念に含まれるものを例示するに過ぎない。

【0014】

〔１〕＜ドライバＩＣ；コモン電極電圧を基準に走査駆動振幅データを用いて走査駆動電圧を生成＞
表示パネル（２）とタッチパネル（３）を動作させるドライバＩＣ（４）は、前記表示パネルの画素のコモン電極（ＶＣＯＭ）に印加するコモン電圧（ＶｃｏｍＤＣ）の電圧指定データ（Ｄｖｃｏｍ）と前記タッチパネルの駆動電極（ＴＡ１〜ＴＸｍ）のパルス駆動に用いるパルス電圧（ＰＬＳｔｘ）の振幅指定データ（Ｄａｍｐｔ）とを保持するための記憶領域（６０）と、前記記憶領域が保持する電圧指定データ及び前記振幅指定データに基づいて、前記コモン電圧を生成すると共に前記コモン電圧を低レベルとして前記パルス電圧の高レベルを生成する電圧生成回路（４２，４２ａ）と、前記表示パネルの動作タイミングに同期して前記電圧生成回路で生成されたコモン電圧を出力し、前記タッチパネルの動作タイミングに同期して前記電圧生成回路で生成された前記コモン電圧に対して前記高レベルを振幅に持つパルス電圧を出力する駆動回路（３１）と、を有する。

【0015】

これによれば、コモン電圧の最適値に個体バラツキがあってもこれを電圧指定データに反映し、タッチ検出に最適な駆動パルスの振幅を振幅指定データに反映することにより、コモン電圧の最適値にバラツキがあっても、コモン電圧基準の駆動パルスを用いたタッチ検出に所要の検出精度を確保することができる。駆動パルスのＤＣ的な基準レベルにグランドレベルのような一定電圧を採用することを要しないので、駆動回路の出力電圧の種類が増えず、電力消費が増大せず、１表示フレーム期間中で表示及びタッチ検出に用いることができる余裕時間が短くならず、また、駆動回路の回路規模を増大させることもない。

【0016】

〔２〕＜表示駆動及び非表示駆動の分割制御＞
項１において、前記表示パネルの１フレームの期間の中を表示駆動期間と非表示駆動期間に分けて、前記表示パネルとタッチパネルの動作タイミングを制御する液晶表示制御回路（２２）をさらに有する。前記液晶表示制御回路は、前記表示駆動期間で前記駆動回路にコモン電圧を出力させ、前記非表示駆動期間で前記駆動回路にパルス電圧を出力させる。

【0017】

これによれば、表示駆動期間と非表示駆動期間に合わせて駆動回路の出力動作を容易に制御することができる。

【0018】

〔３〕＜第１及び第２記憶領域は不揮発性レジスタ＞
項２において、前記記憶領域は前記電圧指定データを記憶する第１不揮発性レジスタ（６０Ａ，６０Ｂ）と前記振幅指定データを記憶する第２不揮発性レジスタ（６０Ｃ）とである。

【0019】

これによれば、表示パネル及びタッチパネルに応じたコモン電圧の最適値はドライバＩＣによるパネルモジュールのモジュールテストの段階で決定することができ、一度決定したらその後の変更を要しない場合がほとんどである。また、駆動パルスの振幅はタッチパネルの検出感度や低消費電力モードとの関係でシステム動作上適宜変更を要する場合が想定される。その違いを考慮したとき、双方のデータを格納する記憶領域を異なる不揮発性レジスタとすることが使用上便利である。

【0020】

〔４〕＜ホストインタフェース＞
項３において、前記第２不揮発性レジスタはホストインタフェース（４０）を介して外部から電気的に書き込み可能なレジスタである。

【0021】

これによれば、振幅指定データの書き換えの便に供することができる。電気的に書き込み可能なレジスタには例えばＭＯＮＯＳ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｎｉｔｒｉｄｅ Ｏｘｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）構造などのフラッシュメモリ用記憶素子を採用すればよい。書き換えを前提としない第１不揮発性レジスタは１回限りの書き込みで十分であれば電気ヒューズを用いたトリミング回路で構成してもよい。

【0022】

〔５〕＜複数の電圧指定データ＞
項４において、前記第１不揮発性レジスタは複数の前記電圧指定データを別々に格納する記憶領域（６０Ａ，６０Ｂ）を有する。前記液晶表示制御回路が表示モードに応じて前記第１不揮発性レジスタから所要の電圧指定データを選択して前記電圧生成回路に与える。

【0023】

これによれば、表示ラインに対する昇順駆動又は降順駆動などの表示モードによってもコモン電圧の最適値に差を生ずる場合に、表示モードに応じて最適なコモン電圧を採用でき、コモン電圧の切り替えは駆動パルスのパルス振幅に全く影響を与えない。

【0024】

〔６〕＜振幅データ等のディジタル演算処理を介する走査駆動電圧の生成＞
項１において、前記電圧生成回路は、前記振幅データと前記電圧指定データを入力し、前記電圧指定データの値に前記振幅データの値を加算するディジタル演算回路（５２）と、前記ディジタル演算回路で演算された加算データをアナログ電圧に変換して前記高レベルを生成する高レベル生成回路（５１）と、前記電圧指定データをアナログ電圧に変換して前記コモン電圧を生成するコモン電圧生成回路（５０）と、を有する。

【0025】

これによれば、ディジタル信号をアナログ信号に変換する変換動作以外をディジタルデータの処理によって実現することができる。ドライバＩＣに混載するアナログ回路部分を少なくする場合に好適である。

【0026】

〔７〕＜振幅データ等のアナログ変換電圧の加算処理を介する走査駆動電圧の生成＞
項１において、前記電圧生成回路は、前記振幅データをアナログ電圧に変換して振幅電圧を生成する振幅電圧生成回路（５３）と、前記電圧指定データをアナログ電圧に変換して前記コモン電圧を生成するコモン電圧生成回路（５０）と、前記コモン電圧生成回路で生成されたコモン電圧に前記振幅電圧生成回路で生成された振幅電圧をアナログ加算して前記高レベルを生成するアナログ加算回路（５４）と、を有する。

【0027】

これによれば、ディジタル信号をアナログ信号に変換して必要な電圧加算などをアナログ処理で実現することができる。ドライバＩＣに混載するアナログ回路部分を多くする場合に好適である。

【0028】

〔８〕＜ドライバＩＣ；コモン電極電圧を基準に走査駆動振幅データを用いて走査駆動電圧を生成＞
表示パネル（２）とタッチパネル（３）を駆動するドライバＩＣ（４）は、前記表示パネルの画素の信号電極を第１駆動端子（Ｐｓｃ）を用いて駆動する第１駆動回路（２１）と、前記表示パネルの画素のコモン電極（ＶＣＯＭ）と前記タッチパネルの駆動電極（ＴＸ１〜ＴＸｍ）とに兼用される兼用電極（ＴＸ１〜ＴＸｍ）を第２駆動端子（Ｐｔｘ）を用いて駆動する第２駆動回路（３１）と、前記タッチパネルの検出電極から得られる電圧変化を検出する検出回路（３０）と、前記表示パネルの１フレームの期間の中を表示駆動期間と非表示駆動期間に分けて、前記第１駆動回路、前記第２駆動回路、及び前記検出回路の動作タイミングを制御する液晶表示制御回路（２２）と、前記兼用電極の駆動に用いるコモン電圧の電圧指定データ（Ｄｖｃｏｍ）と、前記兼用電極の駆動に用いるパルス電圧の振幅指定データ（Ｄａｍｐｔ）を保持するための記憶領域（６０）と、前記記憶領域が保持する電圧指定データ及び前記振幅指定データに基づいて、前記コモン電圧を生成すると共に前記コモン電圧を低レベルとして前記パルス電圧の高レベルを生成する電圧生成回路（４２、４２ａ）と、を有する。前記液晶表示制御回路は、前記表示駆動期間に前記第１駆動回路に前記信号電極を駆動させ、且つ、前記第２駆動回路に前記電圧生成回路で発生されたコモン電圧で前記第２駆動端子を駆動させ、前記非表示駆動期間に前記第１駆動回路による前記信号電極の駆動を停止させ、且つ、前記検出回路に検出動作させると共に前記第２駆動回路に前記電圧生成回路で生成された前記コモン電圧に対して前記高レベルを振幅に持つパルス電圧で前記第２駆動端子を駆動させる。

【0029】

これによれば、コモン電圧の最適値に個体バラツキがあってもこれを電圧指定データに反映し、タッチ検出に最適な駆動パルスの振幅を振幅指定データに反映することにより、コモン電圧の最適値にバラツキがあっても、コモン電圧基準の駆動パルスを用いたタッチ検出に所要の検出精度を確保することができる。駆動パルスのＤＣ的な基準レベルにグランドレベルのような一定電圧を採用することを要しないので、駆動回路の出力電圧の種類が増えず、電力消費が増大せず、１表示フレーム期間中で表示及びタッチ検出に用いることができる余裕時間が短くならず、また、駆動回路の回路規模を増大させることもない。

【0030】

〔９〕＜表示入力装置＞
表示入力装置は、表示パネル（２）にタッチパネル（３）が組み込まれたパネルモジュール（１）に、表示パネル及びタッチパネルを駆動するドライバＩＣ（４）が搭載されて成る。前記タッチパネルの駆動電極（ＴＸ１〜ＴＸｍ）が前記表示パネルの画素のコモン電極（ＶＣＭＯＭ）に兼用される。前記駆動電極との交差位置でタッチ検出容量（Ｃｔｐ）が形成された前記タッチパネルの検出電極（ＲＸ１〜ＲＸｎ）と、前記コモン電極に接続される表示パネルの画素の走査電極（ＧＬ１〜ＧＬｍｋ）及び信号電極（ＳＬ１〜ＳＬｊ）との夫々が個別化される。前記ドライバＩＣは、前記表示パネルの画素の信号電極を駆動する第１駆動回路（２１）と、前記コモン電極と前記駆動電極に兼用された兼用電極を駆動する第２駆動回路（３１）と、前記タッチパネルの検出電極から得られる電圧変化を検出する検出回路（３０）と、前記兼用電極の駆動に用いるコモン電圧の電圧指定データと前記兼用電極の駆動に用いるパルス電圧の振幅指定データとを保持するための記憶領域（６０）と、前記記憶領域が保持する電圧指定データ及び前記振幅指定データに基づいて、前記コモン電圧を生成すると共に前記コモン電圧を低レベルとして前記パルス電圧の高レベルを生成する電圧生成回路（４２，４２ａ）と、を有する。前記第２駆動回路は、前記第１駆動回路による前記信号電極の駆動に応じて、前記電圧生成回路で生成されたコモン電圧で前記兼用電極を駆動し、前記第１駆動回路による前記信号電極の駆動停止及び前記検出回路による検出動作に応じて、前記電圧生成回路で生成された前記コモン電圧に対して前記高レベルを振幅に持つパルス電圧で前記兼用電極を駆動する。

【0031】

これによれば、コモン電圧の最適値に個体バラツキがあってもこれを電圧指定データに反映し、タッチ検出に最適な駆動パルスの振幅を振幅指定データに反映することにより、コモン電圧の最適値にバラツキがあっても、コモン電圧基準の駆動パルスを用いたタッチ検出に所要の検出精度を確保することができる。駆動パルスのＤＣ的な基準レベルにグランドレベルのような一定電圧を採用することを要しないので、駆動回路の出力電圧の種類が増えず、電力消費が増大せず、１表示フレーム期間中で表示及びタッチ検出に用いることができる余裕時間が短くならず、また、駆動回路の回路規模を増大させることもない。したがって、インセル型のパネルモジュールにおいて高いタッチ検出精度を容易に実現することができる。

【0032】

２．実施の形態の詳細
実施の形態について更に詳述する。

【0033】

《表示入力装置》
図２にはパネルモジュール１とこれを駆動するドライバＩＣ４を備えた表示入力装置が例示される。パネルモジュール１は表示パネルの一例である液晶表示パネル２にタッチパネル３が組み込まれた所謂インセル形態で構成され、例えばガラス基板上にＴＦＴと画素電極をマトリクス状に配置したＴＦＴアレイ基板を有し、その上に、液晶層、画素電極に対するコモン電極層、カラーフィルタ、タッチ検出電極、及び表面ガラスなどが積層されて構成される。図２では便宜上、液晶表示パネル２とタッチパネル３を左右に分離して図示しているが、実際には両者が重ねられている。

【0034】

図２に従えば、液晶表示パネル２は、例えば、交差配置された走査電極ＧＬ１〜ＧＬｍｋ（ｍ、ｋは正の整数）と信号電極ＳＬ１〜ＳＬｊ（ｊは正の整数）の各交点にＴＦＴと呼ばれる薄膜トランジスタＴｒが配置され、薄膜トランジスタＴｒのゲートに対応する走査電極ＧＬ１〜ＧＬｍｋ、薄膜トランジスタＴｒのソースに対応する信号電極ＳＬ１〜ＳＬｊが設けられ、そして薄膜トランジスタＴｒのドレインにはコモン電極ＶＣＯＭとの間にサブピクセルとなる液晶素子及び蓄積コンデンサ（図では液晶素子及び蓄積コンデンサを１個のコンデンサＣｐｘで代表する）が接続されて、各画素が形成される。走査電極ＧＬ１〜ＧＬｍｋの夫々に沿った画素のラインを表示ラインと称する。表示制御では順次走査電極ＧＬ１〜ＧＬｍｋが駆動され、走査電極単位で薄膜トランジスタＴｒがオン状態にされることで、ソースとドレイン間に電流が流れ、そのとき信号電極ＳＬ１〜ＳＬｊを介してソースに加えられている各々の信号電圧が液晶素子Ｃｐｘに印加されることによって液晶の状態が制御される。

【0035】

タッチパネル３は、静電容量方式とされ、例えば、交差配置された駆動電極ＴＸ１〜ＴＸｍと検出電極ＲＸ１〜ＲＸｎの交差位置に多数のタッチ検出容量Ｃｔｐがマトリクス状に形成されている。特に制限されないが、図２ではｋ本の表示ライン単位でコモン電極をｍ個に分割し、対応する駆動電極ＴＸ１〜ＴＸｍと共通化して、パネルモジュール１の薄型化を図っている。駆動電極ＴＸ１〜ＴＸｍはコモン電極ＶＣＯＭと兼用化された兼用電極であり、駆動電極ＴＸ１〜ＴＸｍと対応するコモン電極ＶＣＯＭを便宜的に兼用電極ＴＸ１〜ＴＸｍとも称する。駆動電極ＴＸ１〜ＴＸｍを順次駆動したときタッチ検出容量Ｃｔｐを介して検出電極ＲＸ１〜ＲＸｎに電位変化が現れ、この電位変化を検出電極ＲＸ１〜ＲＸｎ毎に積分することによって検出信号を形成することができる。検出容量の近傍に指があるとその浮遊容量によって検出容量Ｃｔｐとの合成容量値が小さくなり、この容量値の変化に応じた検出信号の相違によってタッチと非タッチを区別するようになっている。液晶表示パネル２に重ねられたタッチパネル３を用いることによって、液晶表示パネル２の画面表示に応じてタッチパネル３で行われるタッチ操作によるタッチ座標からその操作を判別可能になる。

【0036】

ドライバＩＣ４は、液晶表示パネル２に対する表示駆動及びタッチパネル３に対するタッチ駆動検出を行なうコントローラデバイスもしくはドライバデバイスとして機能する。このドライバＩＣ４は上記パネルモジュールのＴＦＴ基板にＣＯＧ（Chip on Glass）などの形態で実装されている。ドライバＩＣ４は、例えばパネルモジュール１をユーザインタフェースとして搭載するスマートフォンなどの情報端末装置のホストプロセッサ（ＨＳＴＭＣＵ）５に接続され、ホストプロセッサ５との間で、動作コマンド、表示データ、タッチ検出座標データなどの入出力が行なわれる。

【0037】

ドライバＩＣ４は、特に制限されないが、液晶表示ドライバ（ＬＣＤＤＲＶ）１０、及びタッチパネルコントローラ（ＴＰＣ）１１を搭載して半導体集積回路化されている。半導体集積回路化されたドライバＩＣ４は、例えば、ＣＭＯＳ集積回路製造技術などによって単結晶シリコンなどの半導体基板に形成されている。特に制限されないが、図２の例では、走査電極ＧＬ１〜ＧＬｍｋを駆動する回路はゲートドライバＩＣ（ＧＤＲＶ）６として液晶表示パネル２に搭載される。ドライバＩＣ４は垂直同期信号などのフレーム同期信号に同期して信号電極ＳＬ１〜ＳＬｊを駆動すると共に、ゲートドライバＩＣ６に走査電極ＧＬ１〜ＧＬｍｋの駆動タイミングなどを与える。ゲートドライバＩＣ６はドライバＩＣ４から与えられたタイミングにしたがって走査電極ＧＬ１〜ＧＬｍｋの駆動を行う。

【0038】

液晶表示ドライバ１０は、特に制限されないが、一つの表示フレーム期間の中を、表示駆動期間、及び表示駆動期間に続く非表示駆動期間に分けて液晶表示パネル２を制御する。表示駆動期間と非表示駆動期間との分割数は夫々２分割などの適宜の分割数でよい。例えば走査電極ＧＬ１〜ＧＬｍｋをｋ×ｉ（ｉは正の整数）本単位でｍ／ｉ個のブロックに分割してｍ／ｉ個の表示駆動期間に分割し、分割された表示駆動期間毎に対応するブロックのｋ×ｉ本の走査電極を順番に駆動し、各走査電極の駆動タイミングに合わせて対応する表示ラインの表示データで信号電極ＳＬ１〜ＳＬｊを駆動する。液晶表示ドライバ１０は表示駆動期間に対応するブロックの走査電極に対する駆動タイミングをゲートドライバＩＣ６に与える。また、液晶表示ドライバ１０は非表示駆動期間において信号電極ＳＬ１〜ＳＬｊの駆動を停止し、タッチパネルコントローラ１１にタッチ検出動作可能であることを通知する。タッチパネルコントローラ１１は非表示駆動期間毎に、駆動電極ＴＸ１〜ＴＸｍの内の所定範囲を順次パルス駆動してタッチ検出容量Ｃｔｐを介して検出電極ＲＸ１〜ＲＸｎに現れる電位変化を積分することによって検出信号を形成し、取得した検出信号をホストプロセッサ５に与える。ホストプロセッサ５は与えられた検出信号に基づいてタッチ座標の演算を行って、表示画像に対するタッチ操作の意味を解釈する。図示はしないが、タッチパネルコントローラ１１で取得した検出信号を受け取ってタッチ座標の演算を行うサブプロセッサをドライバＩＣにオンチップすることも可能である。

【0039】

≪ドライバＩＣ≫
図１にはドライバＩＣ４の構成が例示される。図１では液晶表示ドライバ１０とタッチパネルコントローラ１１は渾然一体に示されており、ゲートドライバＩＣ６のゲート駆動タイミング信号などを出力するゲートドライバ駆動回路２０、信号電極ＳＬ１〜ＳＬｊを駆動するためのソース駆動回路２１、及び液晶表示制御回路２２は主に液晶表示ドライバ１０の構成要素とされる。駆動電極ＴＸ１〜ＴＸｍとコモン電極ＶＣＯＭを兼用する兼用電極ＴＸ１〜ＴＸｍを駆動するＴＸパルス出力回路３１、検出電極ＲＸ１〜ＲＸｎに現れる電位変化を積分することによって検出信号を形成するＲＸ検出回路３０、及びタッチ検出制御回路３２は主にタッチパネルコントローラ１１の構成要素とされる。ホストプロセッサ５とコマンド及びデータなどを入出力するホストインタフェース（ＨＳＴＩＦ）４０、記憶回路４１、電圧生成ブロック４２は液晶表示ドライバ１０及びタッチパネルコントローラ１１の双方の機能に関係する構成要素とされる。

【0040】

記憶回路４１はコマンドレジスタ、データレジスタ、不揮発性レジスタなどによって構成される。液晶表示制御回路２２はフレーム同期信号としての垂直同期信号ＶＳＹＮＣを入力し、例えばこれが１フレームの期間を規定する。１フレームは例えば６０Ｈｚなどの周期とされる。１フレームの期間はバックポーチ及びフロントポーチのほかに、前述の複数の表示駆動期間及び非表示駆動期間を含んでいる。各期間は例えば表示ラインのライン周期などを単位にホストプロセッサ５によって記憶回路４１のレジスタ回路に定義される。

【0041】

液晶表示制御回路２２は表示ラインカウンタなどを備え、そのカウント値を表示駆動期間及び非表示駆動期間の設定値と比較し、表示駆動期間ではそのカウント値にしたがった表示ラインの表示データをソース駆動回路２１に与えて信号電極ＳＬ１〜ＳＬｊを駆動すると共に、ゲートドライバ駆動回路２０にゲートドライバＩＣ６のゲート駆動タイミング信号を与えて今回の表示ラインに対応する走査電極（ＧＬ１〜ＧＬｍｋ）を駆動させる。さらに、タッチ検出制御回路３２を介し表示駆動期間に対応してＴＸパルス出力回路３１に兼用電極ＴＸ１〜ＴＸｍからコモン電圧ＶｃｏｍＤＣを出力させて、液晶表示パネル２のコモン電極ＶＣＯＭの電位をコモン電圧ＶｃｏｍＤＣに駆動する。

【0042】

一方、液晶表示制御回路２２は非表示駆動期間において、ソース駆動回路２１に信号電極ＳＬ１〜ＳＬｊの駆動を停止させ（停止直前の出力を維持、高出力インピーダンス状態、又は一定階調電圧出力）、且つ、ゲートドライバ駆動回路２０に走査電極ＧＬ１〜ＧＬｍｋを非選択（薄膜トランジスタＴｒのカット・オフ）にさせる。この状態で、液晶表示制御回路２２は非表示駆動期間に対応してタッチ検出制御回路３２タッチ検出動作を開始させる。タッチ検出動作では、表示ラインカウンタのカウント値を参照して今回のタッチ検出ラインの兼用電極（ＴＸ１〜ＴＸｍ）にＴＸパルス出力回路３１から駆動パルスＰＬＳｔｘを出力させ、これに同期してＲＸ検出回路３０に検出電極ＲＸ１〜ＲＸｎに現れる電位変化を積分して検出信号を形成させる。検出信号は記憶回路４１に蓄積され、所定のタッチ検出ライン分の信号毎にホストコンピュータ５に与えられて座標演算に供される。

【0043】

Ｐｘｔは兼用電極ＴＸ１〜ＴＸｍに対する駆動パルスＰＬＳｔｘ又はコモン電圧ＶｃｏｍＤＣの出力端子を総称する。Ｐｒｘは検出電極ＲＸ１〜ＲＸｎに現れる検出信号の入力端子を総称する。Ｐｓｃは信号電極ＳＬ１〜ＳＬｊに対する出力端子（駆動端子）を総称する。ＰｇｔはゲートドライバＩＣ６のゲート駆動タイミング信号の出力端子を総称する。

【0044】

電圧生成回路４２は、記憶回路４１の設定値及び液晶表示制御回路２２の指示にしたがって、駆動パルスＰＬＳｔｘのハイレベル電圧ＶｔｘＨ、コモン電圧ＶｃｏｍＤＣ、ＲＸ検出回路３０の検出ノードに対するプリチャージ電圧、信号電極ＳＬ１〜ＳＬｊを駆動する階調電圧、ゲート駆動タイミング信号の電圧などを生成して対応部へ出力する。以下、駆動パルスＰＬＳｔｘのハイレベル電圧ＶｔｘＨとコモン電圧ＶｃｏｍＤＣを生成するための構成について詳述する。

【0045】

《ハイレベル電圧ＶｔｘＨとコモン電圧ＶｃｏｍＤＣを生成》
図１において電圧生成回路４２にはハイレベル電圧ＶｔｘＨとコモン電圧ＶｃｏｍＤＣを生成する構成が例示される。即ち、駆動パルスＰＬＳｔｘのハイレベル電圧ＶｔｘＨとコモン電圧ＶｃｏｍＤＣを生成するための、ＶＣＯＭ電圧生成回路５０、ＴＸＨ電圧生成回路５１およびディジタル演算回路としての電圧レベル決定回路５２が例示される。記憶回路４１はコモン電圧ＶｃｏｍＤＣを設定するための電圧指定データＤｖｃｏｍとパルス電圧ＰＬＳｔｘの振幅を設定するための振幅指定データＤａｍｐｔとを保持するための記憶領域６０を有する。電圧指定データＤｖｃｏｍは例えばグランドレベル基準の電圧値を示すディジタルデータである。振幅指定データＤａｍｐｔは電位差を示すディジタルデータである。双方のデータの分解能は等しくされていてもよいし、また、電圧レベル決定回路５２にデコード回路を設けておけば双方のデータの分解能は異なっていてもよい。

【0046】

電圧レベル決定回路５２は液晶表示制御回路２２の指示にしたがって、記憶領域６０の電圧指定データＤｖｃｏｍに振幅指定データＤａｍｐｔを加算し、加算値をＴＸＨ電圧生成回路５１でアナログ電圧に変換して駆動パルスＰＬＳｔｘのハイレベル電圧ＶｔｘＨを生成させ、且つ、電圧指定データＤｖｃｏｍをＶＣＯＭ電圧生成回路５０でアナログ電圧に変換してコモン電圧ＶｃｏｍＤＣを生成させる。ＴＸパルス生成回路３１は、表示駆動期間において兼用電極ＴＸ１〜ＴＸｍにコモン電圧ＶｃｏｍＤＣを出力し、非表示駆動期間において兼用電極ＴＸ１〜ＴＸｍの中からタッチ検出ラインの兼用電極に対してコモン電圧ＶｃｏｍＤＣをローレベルとし電圧ＶｔｘＨをハイレベルとする駆動パルスＰＬＳｔｘを順次出力する。

【0047】

図３には電圧指定データＤｖｃｏｍと振幅指定データＤａｍｐｔを用いた電圧生成例が示される。例えば電圧指定データＤｖｃｏｍ＿１と振幅指定データＤａｍｐｔを用いたとき、コモン電圧としてＶｃｏｍＤＣ＿１、駆動パルスＰＬＳｔｘ＿１のハイレベル電圧としてＶｔｘＨ＿１が生成され、駆動パルスＰＬＳｔｘ＿１はＶｃｏｍＤＣ＿１をローレベル、ＶｔｘＨ＿１をハイレベルとする振幅で変化する。一方、最適なコモン電圧としてそれとは異なる電圧指定データＤｖｃｏｍ＿２を用いる場合には、コモン電圧としてＶｃｏｍＤＣ＿２、駆動パルスＰＬＳｔｘ＿２のハイレベル電圧としてＶｔｘＨ＿２が生成され、駆動パルスＰＬＳｔｘ＿２はＶｃｏｍＤＣ＿２をローレベル、ＶｔｘＨ＿２をハイレベルとする振幅で変化する。最適なコモン電圧が相違しても、駆動パルスＰＬＳｔｘ＿１とＰＬＳｔｘ＿２の振幅は同じになるから、両者で同じタッチ検出精度を実現することができる。

【0048】

図４には振幅指定データＤａｍｐｔの代わりに駆動パルスのハイレベル電圧を指定する場合の電圧生成例を比較例として示す。駆動パルスのハイレベル電圧を指定するデータを便宜上Ｄｖｔｘｈとし、このデータはグランドレベルＧＮＤを基準とする電圧指定データになる。例えば電圧指定データＤｖｃｏｍ＿１とハイレベル指定データＤｖｔｘｈを用いたとき、コモン電圧としてＶｃｏｍＤＣ＿１、駆動パルスＰＬＳｔｘのハイレベル電圧としてＶｔｘＨが生成され、駆動パルスＰＬＳｔｘ＿３はＶｃｏｍＤＣ＿１をローレベル、ＶｔｘＨをハイレベルとする振幅で変化する。一方、最適なコモン電圧としてそれとは異電圧指定データＤｖｃｏｍ＿２を用いる場合には、コモン電圧としてＶｃｏｍＤＣ＿２、駆動パルスＰＬＳｔｘのハイレベル電圧としてＶｔｘＨが生成され、駆動パルスＰＬＳｔｘ＿４はＶｃｏｍＤＣ＿２をローレベル、ＶｔｘＨをハイレベルとする振幅で変化する。最適なコモン電圧が相違すれば、駆動パルスＰＬＳｔｘ＿３とＰＬＳｔｘ＿４の振幅も相違することになり、両者で同じタッチ検出精度を実現することができない。

【0049】

したがって、電圧指定データＤｖｃｏｍと振幅指定データＤａｍｐｔを用いて駆動パルスＰＬＳｔｘのローレベル電圧Ｖｃｏｍとハイレベル電圧ＶｔｘＨを生成すれば、コモン電圧Ｖｃｏｍの最適値に個体バラツキがあってもこれを電圧指定データＤｖｃｏｍに反映し、タッチ検出に最適な駆動パルスの振幅を振幅指定データＤａｍｐｔに反映することにより、コモン電圧の最適値にバラツキがあっても、コモン電圧Ｖｃｏｍを基準とする駆動パルスＰＬＳｔｘを用いたタッチ検出に所要の検出精度を確保することができる。駆動パルスのＤＣ的な基準レベルにグランドレベルのような一定電圧を採用すること（図４）を要しないので、駆動回路としてのＴＸパルス出力回路３１の出力電圧の種類が増えず（Ｖｃｏｍ，ＶｔｘＨの２種類で済み、グランドレベルＧＮＤを含まない）、電力消費が増大せず、１表示フレーム期間中で表示及びタッチ検出に用いることができる余裕時間が短くならず、また、ＴＸパルス出力回路３１の回路規模を増大させることもない。

【0050】

図５には記憶領域６０の具体例と共に駆動パルスＰＬＳｔｘとコモン電圧ＶｃｏｍＤＣの生成系統を整理して示してある。記憶領域６０は、特に制限されないが、前記電圧指定データＤｖｃｏｍを記憶する第１不揮発性レジスタ６０Ａ，６０Ｂと前記振幅指定データＤａｍｐｔを記憶する第２不揮発性レジスタ６０Ｃで構成される。液晶表示パネル２及びタッチパネル３に応じたコモン電圧Ｖｃｏｍの最適値は、例えばドライバＩＣ４でパネルモジュール１を実際に駆動するモジュールテストの段階で決定することができ、一度決定したらその後の変更を要しない場合がほとんどである。また、駆動パルスの振幅はタッチパネル３の検出感度や低消費電力モードとの関係でシステム動作上適宜変更を要する場合が想定される。その違いを考慮したとき、双方のデータを格納する記憶領域６０を異なる不揮発性レジスタ６０Ａ，６０Ｂと不揮発性レジスタ６０Ｃとすることが使用上便利である。特に、前記第２不揮発性レジスタ６０Ｃはホストインタフェース４０を介して外部から電気的に書き込み可能なレジスタである。したがって、ホストプロセッサ５による振幅指定データＤａｍｐｔの書き換えの便に供することができる。電気的に書き込み可能なレジスタには例えばＭＯＮＯＳ構造などのフラッシュメモリ用記憶素子を採用すればよい。書き換えを前提としない第１不揮発性レジスタ６０Ａ，６０Ｂは１回限りの書き込みで十分であれば電気ヒューズを用いたトリミング回路で構成してもよいが、第２レジスタ６０Ｃと同様に第１不揮発性レジスタ６０Ａ，６０Ｂも電気に書き換え可能な不揮発性レジスタで構成するほうがよい。そうすれば、記憶領域６０をフラッシュメモリのような一つの電気的に書き換え可能な不揮発性メモリに割り当てることができる。図３の例では、前記第１不揮発性レジスタ６０Ａ，６０Ｂは複数の前記電圧指定データＤｖｃｏｍ＿１、Ｄｖｃｏｍ＿２を別々に格納する記憶領域とされる。前記液晶表示制御回路２２が表示モードに応じて前記第１不揮発性レジスタ６０Ａ又は６０Ｂの一方の電圧指定データを前記電圧レベル決定回路５２内のセレクタ６１によって選択する。したがって、表示ラインに対する昇順駆動又は降順駆動などの表示モードによってもコモン電圧Ｖｃｏｍの最適値に差を生ずる場合に、表示モードに応じて最適なコモン電圧Ｖｃｏｍ＿１又はＶｃｏｍ＿２を採用でき、コモン電圧の切り替えは駆動パルスのパルス振幅に全く影響を与えない。

【0051】

図６にはアナログ回路を主体とした電圧生成回路の具体例と共に駆動パルスＰＬＳｔｘとコモン電圧ＶｃｏｍＤＣの生成系統を整理して示したブロック図である。図６に例示される電圧生成回路４２ａは、振幅データＤａｍｐｔをアナログ電圧に変換して振幅電圧Ｖａｍｐｔを生成するＴＸ振幅電圧生成回路５３と、電圧指定データＤｖｃｏｍ＿１又はＤｖｃｏｍ＿２をアナログ電圧に変換して前記コモン電圧Ｖｃｏｍを生成するＶＣＯＭ電圧生成回路５０と、ＶＣＯＭ電圧生成回路５０で生成されたコモン電圧Ｖｃｏｍに前記ＴＸ振幅電圧生成回路５３で生成された振幅電圧Ｖａｍｐｔをアナログ加算して駆動パルスＰＬＳｔｘのハイレベルＶｔｘＨを生成するアナログ加算回路としての電圧加算回路５４と、を有する。不揮発性レジスタ６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃなどその他の構成は前記と同様であり、同一機能を有する構成要素にはそれと同じ参照符号を付してその詳細な説明を省略する。

【0052】

図６の例によれば、ディジタル信号をアナログ信号に変換して必要な電圧加算などをアナログ処理で実現することができる。ドライバＩＣに混載するアナログ回路部分を多くする場合に好適である。ドライバＩＣに混載するアナログ回路部分を少なくする場合には図５の構成が好適である。

【0053】

本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。

【0054】

例えば、表示パネルは液晶パネルに限定されずＥＬ（Electro-Luminescence）パネルであってもよい。コモン電圧の電圧指定データの基準レベルは回路のグランドレベル基準に限定されず、適宜の基準であれば良い。表示とタッチ検出を分離する構成は表示の１フレームの期間を表示駆動期間と非表示駆動期間に分けることに限定されず、その他の期間を挿入してもよい。振幅指定データの記憶領域は不揮発性レジスタに限定されず揮発性レジスタであっても良い。振幅指定データと電圧指定データはパワーオンリセットによって不揮発性メモリから電圧生成回路にロードされて利用されるようにしてもよい。振幅指定データ等を用いて駆動パルスのハイレベル電圧などを生成する回路構成は上記図実施の形態に限定されず、適宜変更可能である。また、電圧や振幅のデータを格納する記憶領域６０が不揮発性メモリに形成されていて、それらデータがアドレス信号でアドレシングされて当該不揮発性メモリから読み出される場合には、前記セレクタ６１の機能は記憶回路４１が持つことになる。

【0055】

また、ドライバＩＣは図２で説明したように液晶表示ドライバ（ＬＣＤＤＲＶ）、タッチパネルコントローラ（ＴＰＣ）だけでなく、サブプロセッサなどもオンチップしてよい。さらにゲートドライバ６を搭載してもよい。

【符号の説明】

【0056】

１ パネルモジュール
２ 液晶表示パネル
３ タッチパネル
ＧＬ１〜ＧＬｍｋ 走査電極
ＳＬ１〜ＳＬｊ 信号電極
Ｔｒ 薄膜トランジスタ
ＶＣＯＭ コモン電極
Ｃｐｘ 液晶素子
ＴＸ１〜ＴＸｍ 駆動電極
ＲＸ１〜ＲＸｎ 検出電極
Ｃｔｐ タッチ検出容量
ＴＸ１〜ＴＸｍ 兼用電極
４ ドライバＩＣ
５ ホストプロセッサ
６ ゲートドライバＩＣ
１０ 液晶表示ドライバ
１１ タッチパネルコントローラ
２０ ゲートドライバ駆動回路
２１ ソース駆動回路
２２ 液晶表示制御回路
３０ ＲＸ検出回路
３１ ＴＸパルス出力回路
３２ タッチ検出制御回路
４０ ホストインタフェース
４１ 記憶回路
４２ 電圧生成回路
４２ａ 電圧生成回路
ＶｃｏｍＤＣ コモン電圧
ＰＬＳｔｘ 駆動パルス
Ｐｘｔ 駆動パルスＰＬＳｔｘ又はコモン電圧ＶｃｏｍＤＣの出力端子
Ｐｒｘ 検出電極ＲＸ１〜ＲＸｎに現れる検出信号の入力端子
Ｐｓｃ 信号電極ＳＬ１〜ＳＬｊに対する出力端子（駆動端子）
ＶｔｘＨ 駆動パルスＰＬＳｔｘのハイレベル電圧
５０ ＶＣＯＭ電圧生成回路
５１ ＴＸＨ電圧生成回路
５２ 電圧レベル決定回路
５３ ＴＸ振幅電圧生成回路
５４ 電圧加算回路
６０ 記憶領域
６０Ａ，６０Ｂ第１不揮発性レジスタ
６０Ｃ 第２不揮発性レジスタ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】