特許6066729ＳＯＩ構造における非接合領域の幅の減少方法ならびにその方法によって製造したウエハおよびＳＯＩ構造

発明の名称　ＳＯＩ構造における非接合領域の幅の減少方法ならびにその方法によって製造したウエハおよびＳＯＩ構造

出願人　エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド　（識別番号 392026316）

　　　　特許公開件数ランキング 31340 位（0件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 25341 位（0件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-6066729

公報発行日　2017年1月25

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6066729

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